DE3838961C2 - - Google Patents
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Description
Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Vorrichtung und
ein Verfahren zum Treiben einer Leseverstärkerschaltung,
nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 bzw. 2.
Fig. 1 zeigt in einem Diagramm einen schematischen Aufbau eines
ganzen Datenlese-Abschnittes eines dynamischen Speichers mit
wahlfreiem Zugriff, auf den diese Erfindung angewendet wird. Nach
Fig. 1 weist der dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff ein
Speicherzellenfeld MA mit in einer Mehrzahl von Zeilen und
Spalten angeordneten Speicherzellen zum Speichern von Information,
einen Adreßpuffer AB, der eine außen angelegte externe
Adresse zum Erzeugen einer internen Adresse empfängt, einen X-
Dekoder ADX zum Dekodieren der internen Adresse von dem Adreßpuffer
AB, zum Auswählen einer entsprechenden Zeile in dem Speicherzellenfeld,
einen Y-Dekoder ADY zum Dekodieren der internen
Spaltenadresse von dem Adreßpuffer AB, zum Auswählen einer
entsprechenden Spalte oder Spalten in dem Speicherzellenfeld,
einen Leseverstärker- und I/O-Block SI zum Nachweisen und Verstärken
der in der ausgewählten Speicherzelle des Speicherzellenfeldes
MA gespeicherten Information, und zum Übertragen dieser
Information auf einen Ausgangspuffer OB als Reaktion auf ein
Signal von dem Y-Dekoder ABY, und den Ausgangspuffer OB, der von
dem Leseverstärker- und I/O-Block SI Auslese-Daten empfängt und
Ausgangsdaten Daus nach außen überträgt, auf. Zusätzlich ist als
periphere Schaltung ein Steuersignalerzeugungssystem CG zum
Erzeugen von Steuersignalen zum Steuern des Zeitablaufs von
verschiedenen Betriebszuständen des dynamischen Speichers mit
wahlfreiem Zugriff vorgesehen. Einzelheiten von jedem der durch
das Steuersignalerzeugungssystem CG erzeugten Steuersignale werden
im folgenden beschrieben.
Fig. 2 zeigt in einem Diagramm einen schematischen Aufbau des in
Fig. 1 gezeigten Abschnittes des Speicherzellenfeldes. Gemäß Fig.
2 weist ein Speicherzellenfeld MA eine Mehrzahl von Wortleitungen
WL 1, WL 2, . . ., WLn und eine Mehrzahl von Bitleitungen BL 0, ,
BL 1, , . . ., BLm, , auf. Eine Zeile von Speicherzellen ist
mit einer der Wortleitungen WL 1, . . ., WLn verbunden. Die Bitleitungen
bilden gefaltete Bitleitungen, so daß zwei Bitleitungen
ein Bitleitungspaar bilden. Im besonderen bilden die Bitleitungen
BL 0 und ein Bitleitungspaar, und die Bitleitungen BL 1 und
bilden ein Bitleitungspaar. Auf dieselbe Weise bilden die Bitleitungen
BLn und ein Bitleitungspaar. Eine Speicherzelle 1 ist
bei einem Schnittpunkt von jeder der Bitleitungen BL 0, , . . .,
BLm, und jeder anderen Wortleitung angeordnet.
Im besonderen befindet sich in jedem der Bitleitungspaare eine
Speicherzelle beim Schnittpunkt einer Wortleitung und einer
Bitleitung des Bitleitungspaares. Für jedes Bitleitungspaar
ist eine Vorladungs- und Abgleichschaltung 150 zum Abgleichen
von Potentialen auf jedem der Bitleitungspaare und zum
Vorladen des Bitleitungspaares auf ein vorbestimmtes Potential V B
vorgesehen. Zusätzlich ist für jedes der Bitleitungspaare ein
Leseverstärker 50 vorgesehen, der auf über Signalleitungen 14 und
17 übertragene Signale Φ A und Φ B reagiert, die zum Nachweis der
Potentialdifferenz zwischen dem Bitleitungspaar und zum differentiellen
Verstärken der Potentialdifferenz aktiviert wird. Jede
der Bitleitungen ist selektiv mit Dateneingangs-/Ausgangs-Leitungen I/O
und als Reaktion auf ein adreßdekodiertes Signal von einem Y-
Dekoder ADY verbunden. Im besonderen sind die Bitleitungen BL 0
und jeweils über Übertragungsgatter T 0 und T 0′ mit den
Dateneingangs-/Ausgangsleitungen I/O und verbunden. Auf
dieselbe Weise sind Bitleitungen BL 1 und jeweils über Übertragungsgatter
T 1 und T 1′ mit den Dateneingangs-/Ausgangsleitungen I/O
und verbunden, und die Bitleitungen BLm und sind jeweils
über Übertragungsgatter Tm und Tm′ mit den Dateneingangs-/Ausgangsleitungen
I/O und verbunden. Das adreßdekodierte Signal von dem
Y-Dekoder ADY wird an ein Gate von jedem der Übertragungsgatter
T 0, T 0′, . . ., Tm, Tm′ übertragen. Folglich ist ein Bitleitungspaar
mit den Dateneingangs-/Ausgangsleitungen I/O und verbunden.
Fig. 3 zeigt in einem Diagramm einen detaillierten Aufbau eines
Bitleitungspaares von den in Fig. 2 gezeigten Bitleitungspaaren
und eine damit zugeordnete Leseverstärkersteuerschaltung. In Fig.
3 ist lediglich eine Wortleitung gezeigt, um eine Verkomplizierung
der Zeichnung zu vermeiden.
Eine Vorladungs- und Abgleichschaltung 150 zum Vorladen eines
Bitleitungspaares 2 und 7 auf ein vorbestimmtes Potential VB während
einer Haltezeit und zum Abgleichen der Potentiale auf den Bitleitungen
2 und 7 auf das vorbestimmte Potential weist auf einen n-
Kanal-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate 9, 10 (im folgenden
als MIS-Transistor bezeichnet), der auf ein vorbestimmtes
Vorladungssignal Φ P zum Übertragen des Vorladungspotentiales V B
auf beide Bitleitungen 2 und 7 reagiert, und einen n-Kanal-MIS-
Transistor 12, der auf ein Abgleichsignal Φ E reagiert, das über
eine Signalleitung 13 zum elektrischen Verbinden der Bitleitungen
2 und 7 und dadurch zum Abgleichen der Potentiale auf den
Bitleitungen 2 und 7 angelegt ist. N-Kanal-MIS-Transistoren 9
bzw. 10 zum Vorladen sind als Reaktion auf das über eine Signalleitung
11 angelegte Vorladungssignal Φ P zum
Übertragen des auf eine Signalleitung 8 übertragenen Vorladungspotentiales
V B auf die Bitleitungen 2 bzw. 7 leitend gemacht.
Ein Leseverstärker 50 zum differentiellen Verstärken von Signalen
auf den Bitleitungen 2 und 7 weist ein Paar von überkreuzgekoppelten
p-Kanal-MIS-Transistoren 15 bzw. 16, die mit den
Bitleitungen 2 bzw. 7 verbunden sind, und ein Paar von überkreuzgekoppelten
n-Kanal-MOS-Transistoren 18 bzw. 19, die mit
den Bitleitungen 2 bzw. 7 verbunden sind, auf. Die jeweils verbleibenden
Elektroden der n-Kanal-MIS-Transistoren 15 und 16 sind zum
Empfangen eines Signales Φ A zusammen mit einer Signalleitung 14
verbunden. Die jeweils verbleibenden Elektroden der n-Kanal-MOS-
Transistoren 18 und 19 sind zum Empfangen eines Signales Φ B auf
der Signalleitung 17 mit einer Signalleitung 17 verbunden.
Für die erste Leseverstärkertreibersignalleitung 14 ist ein p-
Kanal-MIS-Transistor 24 vorgesehen, der auf ein Steuersignal Φ R
zum Vorsehen des Zeitablaufes zum Aktivieren eines Leseverstärkers
reagiert, und zum Übertragen eines Versorgungspotentiales
Vcc auf die erste Leseverstärkertreibersignalleitung 14
leitend gemacht. Weiterhin sind ein n-Kanal-MIS-Transistor 30 zum Halten
der ersten Leseverstärkertreibersignalleitung 14 auf einem vorbestimmten
Potential während einer Bitleitungs-Vorladungszeitperiode
und eine Konstantspannungserzeugungsschaltung 100 vorge
sehen.
Für die zweite Leseverstärkertreibersignalleitung 17 ist ein n-
Kanal-MIS-Transistor 27 vorgesehen, der auf ein zweites Steuersignal
Φ S zum Vorsehen eines Zeitablaufes zum Aktivieren des
Leseverstärkers und zum Verbinden der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung
17 mit einem Massepotential reagiert.
Der p-Kanal-MIS-Transistor 24 zum Laden der ersten Leseverstärkertreibersignalleitung
14 auf das Versorgungspotential Vcc empfängt
das Leseverstärkeraktivierungssignal Φ R an dessen Gate
über eine Signalleitung 25 und das Versorgungspotential Vcc über
eine Signalleitung 26 an einem Leitungsanschluß. Der n-Kanal-
MIS-Transistor 27 zum Entladen der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung
17 auf das Massepotential empfängt das zweite
Leseverstärkeraktivierungssignal Φ S über eine Signalleitung 28.
Die Konstantspannungserzeugungsschaltung 100 weist einen Widerstand
33, dessen einer Anschluß mit dem Versorgungspotential Vcc
über die Signalleitung 26 verbunden ist, einen als Diode verbundenen
n-Kanal-MIS-Transistor 35, der über einen Knoten 32 mit dem
Widerstand 33 verbunden ist, einen als Diode verbundenen p-Kanal-
MIS-Transistor 36, der über einen Knoten 34 in Reihe mit dem n-
Kanal-MIS-Transistor 35 verbunden ist, und einen n-Kanal-MIS-
Transistor 31, der ein Potential auf dem Knoten 32 an seinem
Gate empfängt und an seinem einen Leitungsanschluß das Versorgungspotential
Vcc über die Signalleitung 26 zum Übertragen eines
vorbestimmten Potentiales auf einen Knoten 29 empfängt, auf. Der
n-Kanal-MIS-Transistor 30 reagiert auf das Vorladungssignal Φ P
und wird leitend gemacht zum Übertragen eines Potentiales auf dem
Knoten 29 auf die erste Leseverstärkertreibersignalleitung 14.
Gate und Drain des n-Kanal-MIS-Transistors 35 sind mit dem Knoten
32 verbunden. Der Transistor 35 bewirkt, daß das Potential auf
dem Knoten 32 um die Schwellenspannung V TN des Transistors 35
höher als das Potential auf dem Knoten 34 ist. Gate und Drain des
p-Kanal-MIS-Transistor 36 sind beide über die Signalleitung 8
mit einem Vorladungspotential V B verbunden. Daher wird die um den
absoluten Wert der Schwellenspannung V TP des Transistors 36
höhere Spannung als das Vorladungspotential V B an den Knoten 34
angelegt. Der Widerstand 33 ist lediglich zum Anlegen einer
Spannung an den Knoten 32 vorgesehen und weist einen hohen
Widerstandswert von einigen MΩ bis einige zehn MΩ auf. Bei diesem
Aufbau wird das Potential auf dem Knoten 32 V B +|V TP |+V TN . Der
n-Kanal-MIS-Transistor 31 weist eine Schwellenspannung V TN auf,
und überträgt daher ein Potential V B +|V TP | auf den Knoten 29.
Eine Speicherzelle 1 weist ein Übertragungsgatter 5 mit einem mit
einer Wortleitung 3 verbundenem Gate und einer mit der Bitleitung
2 verbundenen Source, und einer Kapazität 6, die über einen
Knoten 4 mit einem Drain des Übertragungsgatters 5 verbunden ist,
auf. Daten in der Speicherzelle 1 sind in dem Knoten 4 gespeichert,
d. h., der Knoten 4 ist ein sogenannter Speicherknoten.
Beim Auswählen der Wortleitung 3 wird ein Wortleitungstreibersignal
Rn auf die ausgewählte Wortleitung übertragen, so daß das aus
einem n-Kanal-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate gebildete
Übertragungsgatter 5 leitend gemacht wird, wobei in der Speicher
zelle 1 gespeicherte Information auf die Bitleitung 2 übertragen
wird. Obwohl eine mit der Bitleitung 7 verbundene Speicherzelle
nicht gezeigt ist, ist eine Speicherzelle bei einem Schnittpunkt
der Wortleitung 3 und der Bitleitung 7 vorgesehen. In dem
in Fig. 3 gezeigten Aufbau liefert die Bitleitung 7 ein Referenzpotential
für die Bitleitung 2, wenn die Speicherzelle 1 ausgewählt
ist.
Die Bitleitungen 2 bzw. 7 weisen parasitäre Kapazitäten 20 bzw.
21 auf, und die ersten Leseverstärkertreibersignalleitungen 14
bzw. 17 weisen parasitäre Kapazitäten 22 bzw. 23 auf.
Fig. 4 zeigt ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung einer Betriebsweise
des in Fig. 3 gezeigten Schaltungsaufbaues. Fig. 4 zeigt
einen Vorgang, wie er abläuft, wenn ein logischer Wert "1" in der
Speicherzelle 1 gespeichert ist und die in der Speicherzelle 1
gespeicherte Information "1" ausgelesen wird. Da ein dem vorhergehenden
Zyklus fortgesetzter Vorgang erläutert werden muß, um
einen Datenlesebetrieb von der Speicherzelle 1 zu erklären, zeigt
Fig. 4 ebenso ein Zeitablaufdiagramm des Vorganges des vorhergehenden
Zyklus.
Nach den Fig. 3 und 4 erfolgt nun die Beschreibung eines Vorganges,
wie er abläuft, wenn ein in der Speicherzelle 1 gespeicherter
logischer Wert "1" ausgelesen wird.
Es wird angenommen, daß in dem vorhergehenden Zyklus ein Wert von
einer mit der Bitleitung 2 oder 7 verbundenen Speicherzelle
ausgelesen wird, so daß das Potential auf der Bitleitung 2 in
einem Zustand 0 V ist und das Potential auf der Bitleitung 7 in
einem Zustand Vcc ist. Dieser Zustand ist nicht ausschließlich.
Abhängig von in der Speicherzelle gespeicherten Daten, die in dem
vorhergehenden Zyklus ausgelesen sind, ist der umgekehrte Zustand
möglich. Nachdem ein Pegel einer Wortleitung (nicht gezeigt), die
die Speicherzelle in dem vorhergehenden Zyklus auswählte, 0 V
wird, beginnen die Leseverstärkertreibersignale Φ S bzw. Φ R beim
Zeitpunkt t 0 abzufallen bzw. anzusteigen, so daß beide MIS-
Transistoren 27 und 24 nichtleitend gemacht werden, wodurch der
Leseverstärker 50 deaktiviert wird.
Zum Zeitpunkt t 1 beginnt das Abgleichsignal Φ E anzusteigen, der
abgleichende MIS-Transistor 12 wird leitend gemacht. Als Ergebnis
werden Ladungen von einer auf hohem Potential liegenden Bitleitung
7 auf die auf niedrigem Potential liegende Bitleitung 2 bewegt, so
daß beide Potentiale auf den Bitleitungen 2 und 7 auf Vcc/2 abgeglichen
werden. Bevor das Potential auf jeder der Bitleitungen 2
und 7 Vcc/2 wird, wird die Leitung zwischen den Leseverstärkertreibersignalleitungen
14 und 17 durch die in dem Leseverstärker
50 enthaltenen MIS-Transistoren beeinflußt, so daß Ladungen von
der auf hohem Potential liegenden Leseverstärkertreibersignalleitung
14 auf die auf niedrigem Potential liegenden Leseverstärkertreibersignalleitung
17 bewegt werden. Im besonderen wird ein
Potential auf der Leseverstärkertreibersignalleitung 14 das
Potential Vcc/2+|V TP |, das um den Absolutwert der Schwellenspannung
V TP der MIS-Transistoren 15 und 16 höher als das Abgleichpotential
Vcc/2 auf den Bitleitungen ist. Auf der anderen
Seite wird ein Potential auf der Leseverstärkertreibersignalleitung
17 Vcc/2-V TN , das um die Schwellenspannung V TN der MIS-
Transistoren 18 und 19 niedriger als das Abgleichpotential Vcc/2
auf den Bitleitungen ist.
Zum Zeitpunkt t 2 steigt das Vorladungstaktsignal Φ P von 0 V an,
um die Potentiale auf den Bitleitungen 2 und 7 auf einem Vcc/2-
Pegel zu stabilisieren, so daß die Vorladungs-MIS-Transistoren 9
und 10 leitend gemacht werden, wodurch die Versorgungsleitung 8
mit einem Potential Vcc/2 mit den Bitleitungen 2 und 7 verbunden
wird. Das Vorladungspotential V B wird auf einhalb eines Betriebsversorgungspotentiales
Vcc, d. h., Vcc/2 gesetzt.
Zum Zeitpunkt t 3 ist der Anstieg des Vorladungstaktsignales Φ P
beendet, so daß der Betrieb in dem vorhergehenden Zyklus abgeschlossen
ist.
Zum Zeitpunkt t 4 ist das Abgleichen und Vorladen der Bitleitungen
2 und 7 zum Vervollständigen des vorigen Zyklus beendet, und
der laufende Zyklus wird gestartet. Folglich beginnen sowohl das
Bitleitungsabgleichsignal Φ E als auch das Vorladungstaktsignal Φ P
abzufallen, wodurch die MIS-Transistoren 9, 10 und 12 nichtleitend
gemacht werden.
Zum Zeitpunkt t 5 wird die Wortleitung 3 als Reaktion auf das
zeilenadreßdekodierte Signal von dem X-Dekoder ausgewählt. Folglich
wird das Wortleitungsauswahlsignal Rn auf die Wortleitung 3
übertragen, wodurch das Potential auf der Wortleitung 3 angehoben
wird. Als Ergebnis wird der MIS-Transistor 5 leitend gemacht, so
daß in der Kapazität 6 gespeicherte Ladungen auf die Bitleitung 2
bewegt werden, wodurch das Potential auf der Bitleitung 2 beginnt
anzusteigen. Die Potentialänderung auf der Bitleitung 2 bewirkt,
daß der in dem Leseverstärker 50 enthaltene MIS-Transistor 19
leitend gemacht wird. Als Ergebnis werden die Potentiale auf
der Bitleitung 7 und jeweils der Leseverstärkertreibersignalleitungen
14 und 17 geändert. Die Einzelheiten der Potentialänderungen
auf der Bitleitung 7 und der Leseverstärkertreibersignalleitungen
14 und 17 werden im folgenden beschrieben. Die Potentialänderung
auf der Bitleitung 2 ist sehr klein (einige hundert mV)
und weist im allgemeinen eine konstante Anstiegszeit von einigen
10 ns auf.
Zum Zeitpunkt t 6 steigt das Leseverstärkertreibersignal Φ S an, so
daß ein sehr kleiner Signalunterschied zwischen den Bitleitungen
2 und 7 durch Treiben des Leseverstärkers 50 verstärkt wird. An
dieser Stelle ist es wünschenswert, daß ein Eingangssignal des
Leseverstärkers 50, d. h. der Potentialunterschied zwischen den
Bitleitungen 2 und 7, so groß wie möglich gemacht wird, um den
Leseverstärker 50 stabil zu betreiben. Um die Potentialdifferenz
zwischen den Bitleitungen 2 und 7 zu erhöhen, muß ein Zeitintervall
zwischen dem Zeitpunkt t 5 und dem Zeitpunkt t 6 vergrößert
werden. Um jedoch die Auslesegeschwindigkeit der in der Speicherzelle
gespeicherten Daten zu verbessern, wird im allgemeinen das
Zeitintervall zwischen dem Zeitpunkt t 5 und dem Zeitpunkt t 6 auf
eine Dauer zwischen 15 und 25 ns eingestellt.
Zum Zeitpunkt t 7 ist die Verstärkung der Potentialdifferenz der
Signale durch den Leseverstärker 50 beendet, so daß das Potential
auf der Bitleitung 7 ein Massepotential wird, wodurch die
Potentialdifferenz zusätzlich erhöht wird.
Dann, zum Zeitpunkt t 7, fällt auch das Bitleitungsladesignal Φ R
ab, so daß der Lade-MIS-Transistor 24 leitend gemacht wird,
wodurch das Potential auf der Leseverstärkertreibersignalleitung
14 auf das Versorgungspotential Vcc angehoben wird. Als Ergebnis
wird die Bitleitung 2 auf den Versorgungspotentialpegel Vcc über
den MIS-Transistor 15 in dem Leseverstärker 50 geladen. Dadurch
wird ein durch den Leseverstärker 50 durchgeführter Lesebetrieb
vervollständigt. In diesem Fall können ein durch das Signal Φ S
getriggerter Betrieb und ein durch das Signal Φ R getriggerter
Betrieb voneinander als ein Lesebetrieb bzw. als ein Umspeicherbetrieb
unterschieden werden. Bei der folgenden Beschreibung werden
jedoch beide Betriebsarten als Lesebetrieb definiert.
Nachdem die Potentiale auf den Bitleitungen 2 bzw. 7 als
Versorgungspotential Vcc bzw. Massepotential 0 V eingerichtet
sind, werden die Bitleitungen 2 bzw. 7 mit den Dateneingangs/
Ausgangsleitungen I/O bzw. als Reaktion auf einen
Ausgang eines Y-Dekoders verbunden, so daß Daten ausgelesen
werden.
Gemäß den Fig. 5 und 6 wird eine sehr kleine Potentialänderung
beim Auslesen von Daten auf der Bitleitung im Detail beschrieben.
Fig. 5 zeigt in einem Diagramm ein Potential nach der Bewegung
von Ladungen zwischen einer Leseverstärkertreibersignalleitung
und einer Bitleitung über einen Leseverstärker und die Potentialänderung
auf jeder Signalleitung.
Fig. 6 zeigt in einem Diagramm die Potentialänderung auf jeder
Signalleitung beim Auslesen von Daten in einer Speicherzelle.
Es wird angenommen, daß ein logischer Wert "1" von der Speicherzelle
1 ausgelesen wird. Wenn das an die Wortleitung 3 angelegte
Wortleitungstreibersignal Rn ansteigt, so daß der Potentialpegel
der Wortleitung 3 Vcc/2+V TN übersteigt, beginnt in diesem Fall
der MIS-Transistor 5 in der Speicherzelle 1 leitend gemacht zu
werden, wodurch die Bitleitung 2 und der Knoten 4 miteinander
verbunden werden. Folglich werden Ladungen von dem Knoten 4 zu
der Bitleitung 2 bewegt, so daß das Potential auf der Bitleitung
2 angehoben wird. Wegen des Potentialanstieges auf der Bitleitung
2 beginnt der MIS-Transistor 19 leitend zu werden, so daß Ladung
von der Bitleitung 7 zu der Leseverstärkertreibersignalleitung 17
bewegt wird. Folglich wird das Potential auf der Leseverstärkertreibersignalleitung
17 angehoben und das Potential auf der
Bitleitung 7 verringert. Wegen des Potentialabfalles auf der
Bitleitung 7 wird der MIS-Transistor 15 leitend gemacht, so daß
Ladung von der Leseverstärkertreibersignalleitung 14 zur
Bitleitung 2 fließt. Folglich wird das Potential auf der
Bitleitung 2 angehoben. Wenn das oben beschriebene Phänomen
wiederholt wird, würde angenommen, daß das Potential auf der
Bitleitung 2 nach und nach angehoben wird. Da der Kapazitätswert
der parasitären Kapazität 23 der Leseverstärkertreibersignalleitung
17 kleiner als der Kapazitätswert der parasitären Kapazität
21 der Bitleitung 7 ist, wird in der Praxis das Potential auf der
Leseverstärkertreibersignalleitung 17 schneller als die Abfallrate
des Potentiales auf der Bitleitung 7 angehoben. Folglich
wird der MIS-Transistor 19 nicht leicht mehr leitend gemacht,
so daß der Potentialanstieg auf der Bitleitung 2 bei einem
relativ kleinen Wert beendet ist. Um das Potential auf der
Bitleitung 2 weiter anzuheben, kann man einen Ansatz betrachten,
bei dem eine Kapazität zur Leseverstärkertreibersignalleitung 17
hinzugefügt wird. Bei diesem Ansatz jedoch wird die Entladezeitkonstante
eines Entladungsweges von der Bitleitung 7 erhöht, so
daß das Potential auf der Bitleitung 7 nicht so verringert werden
kann.
Das oben beschriebene Phänomen der Potentialänderung auf den
Bitleitungen 2 und 7 ist ein vorübergehendes Phänomen. Für dessen
Einzelheiten bedarf es einer rechnerischen Analyse. Zum Zwecke
eines groben Vergleiches mit dem Aufbau in dieser Erfindung wie
unten beschrieben erfolgt nun unter Bezugnahme auf Fig. 5 die
Beschreibung des abschließenden Zustandes, bei dem die Bewegung
der Ladungen beendet ist.
Wie in Fig. 5 gezeigt, wird angenommen, daß die Potentialänderungen
auf den Bitleitungen 2 und 7 nach der Bewegung der Ladungen
auf den Leseverstärkertreibersignalleitungen 14 und 17 jeweils Δ V
+Δ V 2, Δ V 7, Δ V 14 und Δ V 17 sind, wobei Δ V die Größe der Potentialverschiebung,
die durch Auslesen von logischen Werten "1" von der
Speicherzelle 1 verursacht wird, bezeichnet. Zusätzlich wird
angenommen, daß die Kapazitätswerte der parasitären Kapazität 20,
21, 22 und 23 jeweils C 20, C 21, C 22 und C 23 sind.
Zuerst wird der Fall betrachtet, bei dem Ladungen zwischen der
Bitleitung 2 und der Leseverstärkertreibersignalleitung 14 bewegt
werden. In diesem Fall erhält man aus dem Ladungserhaltungsgesetz
die folgende Gleichung:
(Vcc/2 + Δ V) · C 20 + (Vcc/2 + | V TP |) · C 22
= (Vcc/2 + Δ V + Δ V 2) · C 20 + (Vcc/2 + | V TP | - Δ V 14) · C 22,
= (Vcc/2 + Δ V + Δ V 2) · C 20 + (Vcc/2 + | V TP | - Δ V 14) · C 22,
also:
C 20 · Δ V 2 = C 22 · Δ V 14 (1)
Ganz ähnlich erhält man aus dem Ladungserhaltungsgesetz der
Ladungen zwischen der Bitleitung 7 und der Leseverstärkertreibersignalleitung
17 die folgende Gleichung:
C 21 · Δ V 7 = C 23 · Δ V 17 (2)
Desweiteren wird der MIS-Transistor 19 nichtleitend gemacht, so
daß die Bewegung von Ladungen auf die Leseverstärkertreibersignalleitung
17 angehalten wird. Daher erhält man die folgende
Gleichung:
Vcc/2 + Δ V + Δ V 2 - V TN = Vcc/2 - V TN + Δ V 17
also:
Δ V + Δ V 2 = Δ V 17 (3)
Ganz ähnlich wird der MIS-Transistor 15 nichtleitend gemacht, um
die Bewegung von Ladungen auf die Bitleitung 2 anzuhalten. Daraus
erhält man die folgende Gleichung:
Vcc/2 - Δ V 7 + | V TP | = Vcc/2 + | V TP | - Δ V 14
also:
Δ V 7 = Δ V 14 (4)
Einsetzen von Gleichung (4) in Gleichung (2) ergibt:
C 21 · Δ V 14 = C 23 · Δ V 17 (5)
Auf der anderen Seite erhält man aus der oben beschriebenen
Gleichung (1) die folgende Gleichung:
Δ V 14 = (C 20/C 22) · Δ V 2 (6)
Einsetzen von Gleichung (6) in Gleichung (5) ergibt:
(C 20 · C 21/C 22) · Δ V 2 = C 23 · Δ V 17
also:
Δ V 17 = (C 20 · C 21/C 22 · C 23) Δ V 2 (7)
Einsetzen von Gleichung (7) in Gleichung (3) ergibt:
Δ V = ((C 20 · C 21/C 22 · C 23) - 1) Δ V 2
also:
Δ V 2 = Δ V/((C 20 · C 21/C 22 · C 23) - 1) (8)
Ganz analog erhält man die folgenden Gleichungen:
Δ V 7 = Δ V 14
= Δ V/((C 21/C 23) - (C 22/C 20)) (9)
= Δ V/((C 21/C 23) - (C 22/C 20)) (9)
Δ V 17 = (C 21/C 23) · Δ V 14
= Δ V/(1 - (C 22 · C 23/C 20 · C 21)) (10)
= Δ V/(1 - (C 22 · C 23/C 20 · C 21)) (10)
Unter der Annahme, daß (C 20 = C 21) : (C 22 = C 23)≈10 : 1 und
Δ V ∼ 200 mV erhält man die folgenden Werte:
Δ V 2 = 200/99 mV = 2 mV,
Δ V 7 = Δ V 14 = 1.1 × 200 mV = 220 mV,
Δ V 17 = 100 · 200/99 mV = 202 mV
Δ V 7 = Δ V 14 = 1.1 × 200 mV = 220 mV,
Δ V 17 = 100 · 200/99 mV = 202 mV
Unter Verwendung der oben beschriebenen Werte wird die Differenz
Vs des Eingangspotentials, die an den Leseverstärker 15 angelegt
ist, wie folgt:
Vs = V 2 - V 7 (11)
= Vcc/2 + Δ V + Δ V 2 - (Vcc/2 - Δ V 7)
= Δ V + Δ V 2 + Δ V 7
= (200 + 2 + 220) mV
= 422 mV
= Vcc/2 + Δ V + Δ V 2 - (Vcc/2 - Δ V 7)
= Δ V + Δ V 2 + Δ V 7
= (200 + 2 + 220) mV
= 422 mV
Dieser Wert ist ein Wert, den man erhält, wenn das Zeitintervall
zwischen t 5 und t 6 gemäß Fig. 4 bis unendlich erhöht wird.
Tatsächlich muß der Wert auf eine relativ kurze, endliche Zeit
(zum Beispiel 15 bis 25 ns) gesetzt werden, um Daten von der
Speicherzelle mit hoher Geschwindigkeit auszulesen.
Auf der anderen Seite wird ein Potential zwischen benachbarten
Bitleitungen auf einen Wert von etwa eindrittel bis einviertel
des oben beschriebenen Wertes aufgrund von Spannungsrauschen, das
sowohl durch kapazitive Kopplung zwischen den Bitleitungen als
auch elektrischen Ungleichmäßigkeiten zwischen den Bitleitungen,
die unvermeidbar mit einer praktikablen Herstellung der Speichereinrichtung
zugeordnet sind, verursacht wird, wodurch eine Verschlechterung
des Betriebsspielraumes der Leseverstärkerschaltung
resultiert. Im besonderen ist es wünschenswert, daß die Potentialdifferenz
zwischen den Eingangssignalen so groß wie möglich
gemacht wird, um den Leseverstärker zuverlässig zu betreiben.
Jedoch wird die Potentialdifferenz zwischen den Eingangssignalen
des Leseverstärkers wie oben beschrieben verringert, so daß der
Betriebsspielraum der Leseverstärkerschaltung verringert wird,
wodurch ein zuverlässiger Lesebetrieb nicht durchgeführt werden
kann.
Aus der US 46 27 033 ist eine Vorrichtung und ein Verfahren
zum Treiben einer Leseverstärkerschaltung der eingangs
beschriebenen Art bekannt. Diese bekannte Vorrichtung
entspricht in den relevanten Merkmalen im wesentlichen
der unter Bezugnahme auf Fig. 3 beschriebenen Vorrichtung.
Bei der bekannten Vorrichtung tritt insbesondere auch
das Problem auf, daß die Potentialverstärkung über die
erste und zweite Signalleitung nicht ausreicht, um innerhalb
kurzer Zeit eine ausreichende Potentialdifferenz auf den
beiden Bitleitungen zu erzeugen. Somit kann ein Lesebetrieb
nicht gleichzeitig schnell und doch zuverlässig durchgeführt
werden.
Aufgabe dieser Erfindung ist es,
eine Vorrichtung und
ein Verfahren der eingangs genannten Art zum Treiben eines Leseverstärkers so zu schaffen,
daß der Betrieb des
Leseverstärkers stabilisiert und/oder schneller gemacht werden
kann.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Leseverstärkertreibervorrichtung,
die durch die Merkmale des Patentanspruches 1 gekennzeichnet ist.
Die Potentialverschiebungübertragungseinrichtung wird vor einem
aktiven Betrieb des Leseverstärkers deaktiviert.
Bevorzugte Ausführungsformen
sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die oben genannte Aufgabe wird weiterhin durch ein Leseverstärkertreiberverfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 11
gelöst.
Entsprechend der Leseverstärkertreibervorrichtung und dem Verfahren
gemäß dieser Erfindung wird die Potentialverschiebung
auf einer der gepaarten Bitleitungen, die beim Auslesen von
in einer Speicherzelle gespeicherten Daten erscheint, von der
einen der Leseverstärkertreibersignalleitungen auf die andere Leseverstärkertreibersignalleitung
über die Potentialverschiebungübertragungseinrichtung
übertragen, und ferner über einen in dem
Leseverstärker enthaltenen Transistor auf die andere Bitleitung
übertragen. Folglich kann die Potentialdifferenz zwischen dem
Bitleitungspaar beim Auslesen von in der Speicherzelle gespeicherten
Daten erhöht werden und der Betriebsspielraum des Leseverstärkers
kann verbessert werden.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung anhand der
Figuren. Von den Figuren zeigt
Fig. 1 ein Diagramm eines schematischen Aufbaues eines Datenausleseabschnittes
eines dynamischen Speichers mit wahlfreiem
Zugriff, auf den diese Erfindung angewendet wird,
Fig. 2 ein Blockdiagramm eines detaillierten Aufbaues eines in
Fig. 1 gezeigten Speicherzellenfeldabschnittes,
Fig. 3 ein Diagramm eines Aufbaues eines Bitleitungspaares und
eines Leseverstärkers und eines Leseverstärkertreiber
systems,
Fig. 4 ein Diagramm, das die Potentialverschiebung auf jeder
Signalleitung in dem Leseverstärkertreibersystem zeigt,
Fig. 5 ein Diagramm, das den Ladungsfluß und die Potentialverschiebung
auf Bitleitungen und Leseverstärkertreibersignalleitungen
beim Auslesen von in einer Speicherzelle
gespeicherten Daten zeigt,
Fig. 6 ein Diagramm, das die Potentialverschiebung auf jeder
Signalleitung beim Auslesen von in der Speicherzelle
gespeicherten Daten in den Leseverstärker zeigt,
Fig. 7 ein Diagramm eines Aufbaues einer Leseverstärkertreibervorrichtung
in einem dynamischen Speicher mit wahlfreiem
Zugriff entsprechend eines Ausführungsbeispieles dieser
Erfindung,
Fig. 8 ein Zeitablaufdiagramm, das die Potentialverschiebung auf
jeder Signalleitung zeigt, wenn die Leseverstärkertreibervorrichtung
entsprechend des in Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispiels dieser
Erfindung betrieben wird,
Fig. 9 ein Diagramm eines Beispieles eines Schaltungsaufbaues zum
Erzeugen eines Taktsignales zur Steuerung eines Betriebes
einer Potentialverschiebungübertragungsschaltung entsprechend
des in Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispieles dieser Erfindung,
Fig. 10 ein Diagramm eines ersten modifizierten Beispieles für
die in Fig. 7 gezeigte Potentialverschiebungübertragungs
schaltung,
Fig. 11 ein Diagramm eines zweiten modifizierten Beispieles für
die in Fig. 7 gezeigte Potentialverschiebungübertragungs
schaltung,
Fig. 12 ein Diagramm eines dritten modifizierten Beispieles der
in Fig. 7 gezeigte Potentialverschiebungübertragungs
schaltung,
Fig. 13 ein Diagramm eines vierten modifizierten Beispieles für
die in Fig. 7 gezeigten Potentialverschiebungübertragungs
schaltung, und
Fig. 14 ein Diagramm eines Beispieles eines Aufbaues, bei dem
eine Hilfszellenkonfiguration auf einen Bitleitungsaufbau
in einem weiteren Ausführungsbeispiel dieser Erfindung
angewendet ist.
Gemäß Fig. 7 wird nun ein Ausführungsbeispiel dieser Erfindung
beschrieben.
In Fig. 7 haben Abschnitte, die denen des in Fig. 3 gezeigten
Leseverstärkersystems entsprechen, dieselben Bezugszeichen.
Wie sich aus einem Vergleich des Aufbaues der in Fig. 7
gezeigten Vorrichtung mit dem Aufbau der in Fig. 3 gezeigten
Vorrichtung ergibt, ist in diesem Ausführungsbeispiel
zwischen der ersten Leseverstärkertreibersignalleitung
14 und der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung 17
eine Potentialverschiebungübertragungsschaltung 44 zum Übertragen
der Potentialverschiebung, die auf einer der Leseverstärkertreibersignalleitungen
erscheint, auf die andere Leseverstärkertreibersignalleitung
vorgesehen.
Die Potentialverschiebungübertragungsschaltung 44 weist einen p-
Kanal-MIS-Transistor 38 mit einem an die erste Leseverstärkertreibersignalleitung
14 verbundenen Leitungsanschluß, einen anderen
mit einem Knoten 37 verbundenen Leitungsanschluß und das mit
einem Taktsignal gekoppelte Gate, eine Kapazität 41, die
zwischen dem Knoten 37 und einem Knoten 40 vorgesehen ist, und
einen n-Kanal-MIS-Transistor 42 mit einem Knoten 40 verbundenen
Leitungsanschluß, einen anderen mit der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung
17 verbundenen Leitungsanschluß und das über
eine Signalleitung 43 mit einem Taktsignal gekoppelte Gate
auf. Die Potentialverschiebungübertragungsschaltung 44 weist eine
Funktion des Übertragens der Potentialverschiebung auf, die auf
der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung 17 erscheint, auf
die erste Leseverstärkertreibersignalleitung 14 durch kapazitives
Koppeln und dadurch Übertragen von Ladungen von einer Bitleitung
auf die andere Bitleitung über einen in einem Leseverstärker
enthaltenen Transistor.
Fig. 8 zeigt in einem Zeitablaufdiagramm den Betrieb, der
auftritt, wenn die in Fig. 7 gezeigte Leseverstärkertreibervorrichtung
verwendet wird, und zeigt die Potentialverschiebung auf
jeder Signalleitung beim Auslesen von in einer Speicherzelle
gespeicherten Daten. Bei dem Zeitablaufdiagramm nach Fig. 8 wird
angenommen, daß die Betriebszeitabläufe der Leseverstärkertreibersignale
Φ R und Φ S, des Vorladungssignales Φ P, des Abgleichsignales
Φ E, und eines Wortleitungstreibersignales Rn die gleichen
wie die im vorhergehenden Beispiel darstellen. In der folgenden
Beschreibung wird angenommen, daß das Potential V B zur
Vorladung jeder Bitleitung einhalb eines Betriebsversorgungspotentials
Vcc, d. h. Vcc/2 beträgt. Unter Bezugnahme auf die
Fig. 7 und 8 erfolgt nun die Beschreibung des Betriebes der
Leseverstärkertreibervorrichtung entsprechend eines Ausführungsbeispieles
dieser Erfindung.
Auf die gleiche Weise wie beim vorherigen Beispiel wird als
Reaktion auf ein zeilenadreßdekodiertes Signal eine Wortleitung 3
ausgewählt, so daß das Wortleitungstreibersignal Rn auf die
Wortleitung 3 übertragen wird. Dann beginnt das Wortleitungstreibersignal
Rn anzusteigen. Zum Zeitpunkt tA erreicht das Wortleitungstreibersignal
Rn Vcc/2+V TN (wobei V TN die Schwellenspannung
eines in seiner Speicherzelle 1 enthaltenen Übertragungsgattertransistors
ist), und dann beginnt der n-Kanal-MIS-Transistor
5 in der Speicherzelle 1 leitend gemacht zu werden. Folglich
werden Daten der logischen "1" von der Speicherzelle 1 ausgelesen.
Im besonderen werden in der Kapazität 6 in der Speicherzelle
1 gespeicherte Ladungen zu eine Bitleitung 2 seitlich durch
den MIS-Transistor 5 bewegt, so daß ein Potential auf der Bitleitung
2 beginnt anzusteigen. Da das Potential auf der Bitleitung
2 ansteigt, beginnt der MIS-Transistor 19 leitend zu
werden. Als Ergebnis werden in der parasitären Kapazität 21
einer Bitleitung 7 gespeicherte Ladungen zu der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung
17 über einen MIS-Transistor 19
bewegt und bewirken darauf einen Anstieg eines Potentiales. Auf
der anderen Seite sind an dieser Stelle die Taktsignale bzw.
Φ T auf einem niedrigen Pegel von Null Volt bzw. Vcc-Pegel, so daß
beide MIS-Transistoren 38 und 42 in der Potentialverschiebungübertragungsschaltung
44 zufriedenstellend leitend gemacht werden.
Als ein Ergebnis wird die Potentialverschiebung, die auf der
zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung 17 erscheint, ohne
irgendeine Modifikation auf die erste Leseverstärkertreibersignalleitung
14 über die Kopplungskapazität 41 übertragen. An
dieser Stelle wird aufgrund der Entladung über den MIS-Transistor
19 ein Potential auf der Bitleitung 7 verringert, so daß der MIS-
Transistor 15 leitend gemacht wird. Daher wird die gesamte
Potentialverschiebung, die auf die erste Leseverstärkertreibersignalleitung
14 übertragen ist, über den MIS-Transistor 15 auf
die Bitleitung 2 übertragen, so daß das Potential auf der
Bitleitung 2 zusätzlich angehoben wird. Da der MIS-Transistor 19
wegen des Potentialanstieges auf der Bitleitung 2 leitend bleibt
und der n-Kanal-MIS-Transistor 15 wegen des Potentialabfalles auf
der Bitleitung 7 in einem Ein-Zustand bleibt, werden daher
Ladungen auf der Bitleitung 7 über den MIS-Transistor 19, die
zweite Leseverstärkertreibersignalleitung 17, den MOS-Transistor
42, die Kapazität 41, den MIS-Transistor 38, die erste Leseverstärkertreibersignalleitung
14 und den MIS-Transistor 15 auf die
Bitleitung 2 übertragen. Als ein Ergebnis wird das Potential auf
der Bitleitung 2 bis zu einem Pegel, der mehr als ein Potential
von der Speicherzelle 1 ausgelesenes Potential beträgt, geändert,
während das Potential auf der Bitleitung 7 nach und nach
verringert wird. An dieser Stelle funktionieren die Leseverstärkertreibersignalleitungen
14 und 17 lediglich als das oben
beschriebene Ladungsübertragungsmedium, so daß Potentiale Φ A
bzw. Φ B darauf nicht geändert werden, d. h. Vcc/2+|V TP | bzw.
Vcc/2-V TN . Zum Zeitpunkt tB werden die Taktsignale bzw. Φ T
angehoben bzw. verringert, so daß die MIS-Transistoren 38 und 42
beide nichtleitend gemacht werden, wodurch die Leseverstärkertreibersignalleitungen
14 und 17 voneinander elektrisch getrennt
werden.
Zum Zeitpunkt tC steigt das Leseverstärkertreibersignal Φ S an,
so daß ein Lesebetrieb von in der Speicherzelle gespeicherten
Daten durchgeführt wird. An dieser Stelle erschien in diesem
Ausführungsbeispiel die Potentialverschiebung bereits in entgegengesetzten
Richtungen auf den Bitleitungen 2 und 7, so daß die
Potentialdifferenz erscheint, die ungefähr zweimal soviel wie im
vorherigen Beispiel beträgt. Folglich kann ein Lesespielraum für
einen Leseverstärker 50 erhöht werden und ein Betrieb dafür
stabilisiert werden.
Falls der Leseverstärker 50 bei dem Zeitpunkt der gleichen
Potentialdifferenz zwischen dem Bitleitungspaar wie die in der
vorhergehenden Speichereinrichtung aktiviert wird, wird zusätzlich
die zum Erreichen der Potentialdifferenz benötigte Zeit
erheblich reduziert, im Vergleich mit dem vorhergehenden Beispiel,
so daß der Leseverstärker 50 bei einem früheren Zeitpunkt
als in der vorhergehenden Speichereinrichtung aktiviert werden
kann, wodurch Daten bei einer hohen Geschwindigkeit ausgelesen
werden können.
Ferner ist die Aktivierung des Leseverstärkers 50 durch das
Ansteigen des Leseverstärkertreibersignales Φ S zum Zeitpunkt tC
zum Einschalten des MIS-Transistors vorgesehen, gefolgt von einem
Verringern des Potentiales auf der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung
17 von Vcc/2-V TN auf eine Massepotential 0 V.
Jedoch sind die ersten und zweiten Leseverstärkertreibersignalleitungen
elektrisch voneinander getrennt, wenn die MIS-Transistoren
38 und 42 beide bei diesem Zeitpunkt tB unmittelbar vor dem
Zeitpunkt tC nichtleitend gemacht sind, so daß die Potentialverschiebung
nicht auf die erste Leseverstärkertreibersignalleitung
14 über die Kapazität 41 übertragen wird.
Obwohl in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel die Beschreibung
eines Zustandes erfolgte, bei dem die Speicherzelle 1 "1"
speichert, gilt die gleiche Beschreibung für einen Zustand, bei
dem die Speicherzelle 1 "0" speichert. In diesem Fall wird das
Potential auf der Bitleitung 2 verringert, so daß Ladungen über
einen Pfad gebildet aus der Bitleitung 2, dem MOS-Transistor 18,
der Kapazität 41, dem MOS-Transistor 16 und der Bitleitung 7,
bewegt werden.
Fig. 9 zeigt in einem schematischen Diagramm einen Schaltungsaufbau
zur Erzeugung eines Taktsignales zum Steuern eines Betriebes
der Potentialverschiebungübertragungsschaltung 44. Der in Fig. 9
gezeigte Aufbau weist eine Verzögerungsschaltung 200 zum Verzögern
eines Wortleitungstreibersignales Rn durch eine vorbestimmte
Zeitdauer zum Ausgeben desselben, eine Taktsignalerzeugungsschaltung
201, die auf ein Signal von der Verzögerungsschaltung
200 zum Erzeugen von Taktsignalen Φ T und reagiert, eine
Verzögerungsschaltung 202 zum Verzögern des Taktsignales Φ T um
eine vorbestimmte Zeitdauer zum Ausgeben desselben, und eine
Leseverstärkertreibersignalerzeugungsschaltung 203, die auf ein
Signal von der Verzögerungsschaltung 202 zur Erzeugung der beiden
Leseverstärkertreibersignale Φ S und Φ R reagiert, auf. Bei diesem
Aufbau verringert bzw. erhöht die Taktsignalerzeugungsschaltung
201 die Taktsignale Φ T bzw. , da sich ein Verstreichen einer
vorbestimmten Zeitdauer nach dem Wortleitungstreibersignal Rn
ergab. Die Leseverstärkertreibersignale Φ S bzw. Φ R steigen an
bzw. fallen ab, nach einem Ablauf einer vorbestimmten Zeitdauer,
da das Taktsignal Φ T abfiel.
Der jeweilige Anstiegsstartzeitpunkt und Abfallstartzeitpunkt der
Taktsignale Φ T und sind nicht klar gezeigt. Die Startzeitpunkte
können jedoch irgendwelche Zeitpunkte, nachdem das Leseverstärkertreibersignal Φ S ansteigt, sein, so daß die Potentialdifferenz
zwischen dem Bitleitungspaar erhöht wird. Da die
Potentialverschiebungübertragungsschaltung 44 die Potentialdifferenz
zwischen dem Bitleitungspaar beim Auslesen der in der
Speicherzelle gespeicherten Daten zum Erhöhen der Differenz
zwischen den Eingangspotentialen an den Leseverstärker verstärkt,
kann im besonderen der Zeitpunkt, wenn die erste Leseverstärkertreibersignalleitung
14 und die zweite Leseverstärkertreibersignalleitung
17 elektrisch voneinander isoliert sind, irgendein
Zeitpunkt bei einem solchen Zeitablauf sein, bei dem der Potentialabfall
auf der zweiten Treibersignalleitung nicht auf die
erste Treibersignalleitung beim Nachweisen der Potentialdifferenz
zwischen dem Bitleitungspaar übertragen ist. Bei dem in Fig. 9
gezeigten Aufbau sind die Verzögerungszeiten der Verzögerungsschaltungen
200 und 202 jeweils auf passende Werte beim Entwurf
der jeweiligen Speichereinrichtungen gesetzt.
Obwohl in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ein einzelner
p-Kanal-MIS-Transistor und ein einzelner n-Kanal-MIS-Transistor
zum Trennen der Leseverstärkertreibersignalleitungen 14 und 17
voneinander verwendet werden, kann dieser Aufbau durch MIS-
Transistoren mit Kanälen desselben Leitfähigkeitstypes wie
jeweils in den Fig. 10 und 11 gezeigt ersetzt werden, um den
gleichen Effekt wie beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel zu
erhalten. Fig. 10 zeigt einen Schaltungsaufbau, bei dem zwei n-
Kanal-MIS-Transistoren 42 und 42′ verwendet werden, und Fig. 11
zeigt einen Aufbau, bei dem p-Kanal-MIS-Transistoren 38 und 38′
verwendet werden. Bei diesem Aufbau muß jedoch die Polarität von
jedem Taktsignal umgekehrt sein.
Obwohl in den gemäß der Fig. 10 und 11 gezeigten Strukturen
zwei MIS-Transistoren verwendet werden, kann dieser Aufbau ferner
durch einen Aufbau ersetzt werden, bei dem ein einzelner MIS-
Transistor eine wie in den Fig. 12 und 13 gezeigte Übertragungsschaltung
44 bildet, um den gleichen Effekt wie bei dem
oben beschriebenen Ausführungsbeispiel zu erhalten. In dem gemäß
Fig. 12 gezeigten Aufbau ist im besonderen ein n-Kanal-MIS-
Transistor 42 zwischen einer Kapazität 41 und einer zweiten
Leseverstärkertreibersignalleitung 17 vorgesehen. Der n-Kanal-
MIS-Transistor 42 weist ein Gate zum Empfangen eines Taktsignales
Φ T über eine Signalleitung 43 auf. In der gemäß Fig. 13 gezeigten
Struktur ist ein n-Kanal-MIS-Transistor 42′ zwischen einer ersten
Leseverstärkertreibersignalleitung 14 und einer Kapazität 41
vorgesehen. In den gemäß den Fig. 12 und 13 gezeigten
Strukturen können weiterhin die n-Kanal-MIS-Transistoren 42 und
42′ jeweils durch p-Kanal-MIS-Transistoren ersetzt sein, um den
gleichen Effekt zu erhalten. In diesem Fall fließt ein unnötiger
Strom durch die Kapazität 41 bei einem Lesebetrieb, was eine
leichte Erhöhung des Leistungsverbrauches bewirkt. In der Praxis
jedoch ist es kein Problem, den gleichen Effekt wie den bei den
oben beschriebenen Ausführungsbeispielen zu erhalten. Wenn die in
den Fig. 12 und 13 gezeigten n-Kanal-MIS-Transistoren jeweils
durch die p-Kanal-MIS-Transistoren ersetzt werden, muß die Polarität
des Taktsignales Φ T umgedreht sein.
Desweiteren ist in dem in Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispiel
eine sogenannte Hilfszelle bzw. Dummy-Zelle weggelassen. Wenn
jedoch die Hilfszelle mit der Bitleitung verbunden ist, wird der
Effekt dieser Erfindung weiter verbessert.
Bei diesem Hilfszellenschema sind Hilfswortleitungen 62 und 65
vorgesehen und ein MIS-Transistor 64, der die gleiche Gestalt wie
die eines MIS-Transistors 5 in einer Speicherzelle 1 aufweist,
ist, wie zum Beispiel in Fig. 14 gezeigt, bei einem Schnittpunkt
einer Bitleitung 2 und der Hilfswortleitung 65 angeordnet.
Zusätzlich ist ein MIS-Transistor 61, der die gleiche Gestalt wie
die des MIS-Transistors 5 aufweist, bei einem Schnittpunkt der
Hilfswortleitung 62 und einer Bitleitung 7 vorgesehen. Wenn eine
Wortleitung 3 ausgewählt ist, wird ein Wortleitungstreibersignal
Rn zu der Wortleitung 3 übertragen und ein Potential auf der
Wortleitung 3 wird von 0V bis Vcc angehoben, die Wortleitung 3
und die Bitleitung 2 werden miteinander durch eine parasitäre
Kapazität 60 zwischen der Wortleitung 3 und der Bitleitung 2
gekoppelt, so daß ein Potential auf der Bitleitung 2 leicht
angehoben werden kann. Um dies zu vermeiden, ist eine ähnliche
parasitäre Kapazität 63 zwischen der Hilfswortleitung 62 und der
Bitleitung 7 durch den MIS-Transistor 61 gebildet, der bei einem
Schnittpunkt der Hilfswortleitung 62 und der Bitleitung 7 auf der
Seite der Bitleitung 7 vorgesehen ist und die gleiche Gestalt wie
die des MIS-Transistors 5 aufweist, so daß die gleichen Kopplungsspannungen
wie die auf der Bitleitung 2 an die Bitleitung 7
angelegt sind, womit durch kapazitives Koppeln verursachtes
Spannungsrauschen aufgehoben wird. Wenn die Wortleitung 3 ausgewählt
ist, wird im besonderen die Hilfswortleitung 62 ausgewählt,
so daß ein Hilfswortleitungstreibersignal DRn auf die Hilfswortleitung
62 übertragen wird. Auf der anderen Seite, wenn die
Bitleitung 7 ausgewählt ist, wird die Hilfswortleitung 65 ausgewählt,
so daß ein Hilfswortleitungstreibersignal auf die
Hilfswortleitung 65 übertragen wird. Die Hilfswortleitungstreibersignale DRn und werden beide bei dem gleichen Zeitablauf
wie bei dem des Wortleitungstreibersignales Rn erzeugt und weisen
jeweils Wellenformen mit der gleichen Gestalt auf. Zusätzlich
können die Hilfswortleitungstreibersignale DRn und leicht als
Reaktion auf ein zeilenadreßdekodiertes Signal erzeugt werden.
Wie oben beschrieben kann der Betrieb des Leseverstärkers weiterhin
stabilisiert werden, wenn das in Fig. 14 gezeigte Hilfszellenschema
auf den in Fig. 7 gezeigten Aufbau angewendet wird.
Obwohl in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel zuerst ein
Entladebetrieb unter Benutzung der Leseverstärkertreibersignalleitung
17 zum Treiben des Leseverstärkers 50 durchgeführt wird,
kann desweiteren ein Entladebetrieb zuerst ausgeführt werden
unter Benutzung der Leseverstärkertreibersignalleitung 14, um den
gleichen Effekt wie den des oben beschriebenen Ausführungsbeispieles
zu erhalten. Im besonderen kann auch eines der Leseverstärkertreibersignale
Φ S und Φ R zuerst auf einen Aktivzustand geändert
werden.
Obwohl in dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel die Beschreibung
einer Speichereinrichtung mit einem 1/2 Vcc-Vorladungs-Schema
erfolgte, sollte zusätzlich bemerkt werden, daß die Anwendung der vorliegenden
Erfindung nicht auf diesen Fall beschränkt ist. Zum Beispiel kann
diese Erfindung auf eine Speichereinrichtung mit einem Vcc-Vorladungs-
Schema angewendet werden. In diesem Fall muß die erste
Treibersignalleitung 14 auf einem Potential, das höher als das
Vorladungspotential ist, gehalten werden. Daher muß das gemäß
Fig. 7 an die Signalleitung 28 angelegte Versorgungspotential Vcc
zu einem Potential Vcc′ gemacht werden, das höher als dieses
Betriebs-Versorgungspotential Vcc ist.
Da die Potentialverschiebungübertragungsschaltung zum Übertragen
der Potentialverschiebung, die auf der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung
beim Auslesen von in der Speicherzelle
gespeicherten Daten erscheint, zu der ersten Leseverstärkertreibersignalleitung
zwischen der ersten Leseverstärkertreibersignalleitung
und der zweiten Leseverstärkertreibersignalleitung vorgesehen
ist, werden entsprechend dieser Erfindung wie im vorhergehenden
beschrieben diese übertragenen Ladungen (d. h. die Potentialverschiebung)
zwischen dem Bitleitungspaar über den Leseverstärker
übertragen, so daß die Potentialdifferenz zwischen dem
Bitleitungspaar beim Auslesen von in der Speicherzelle gespeicherten
Daten erhöht werden kann. Folglich kann die Differenz
zwischen den Eingangspotentialen beim Lesebetrieb erhöht werden,
so daß der Betriebsspielraum des Leseverstärkers erhöht werden
kann. Desweiteren kann der Leseverstärker bei dem früheren
Zeitpunkt als bei dem des im vorigen Beispiel aktiviert werden,
wenn der Leseverstärker an dem Zeitpunkt getrieben wird, wenn
die Potentialdifferenz zwischen dem Bitleitungspaar die gleiche
wird wie die im vorigen Beispiel, so daß Daten bei höheren
Geschwindigkeiten ausgelesen werden können.
Claims (11)
1. Leseverstärkertreibervorrichtung in einem dynamischen Speicher
mit wahlfreiem Zugriff mit
einer Mehrzahl von Bitleitungspaaren (BL 0, bis BLn, ) mit jeweils einer erster und zweiter Bitleitung (2, 7), mit denen jeweils eine Mehrzahl von Speicherzellen (1) so verbunden sind, daß die ersten und zweiten Bitleitungen (2, 7) ein Paar bilden und
einer Mehrzahl von Leseverstärkern (50), von denen jeweils einer für jeweils ein Bitleitungspaar (2, 7) vorgesehen ist und auf ein über erste und zweite Signalleitungen (14, 17) übertragenes Signal reagiert, das zum differentiellen Verstärken eines Signales auf einem entsprechenden Bitleitungspaar (2, 7) aktiviert wird,
gekennzeichnet durch
eine Potentialverschiebungübertragungseinrichtung (44), die zwischen den ersten und zweiten Signalleitungen (14, 17) zum Übertragen der Potentialverschiebung auf der zweiten Signalleitung (17) auf die erste Signalleitung (14) vorgesehen ist, und
eine Steuersignalerzeugungseinrichtung (200, 201), die auf ein Steuersignal (Rn) zum Definieren der zeitlichen Abfolge zum Auslesen der in den Speicherzellen (1) gespeicherten Informa tion reagiert, zum Erzeugen eines Signales (Φ T, ) zur Steuerung des Betriebes der Potentialverschiebungübertragungseinrichtung (44).
einer Mehrzahl von Bitleitungspaaren (BL 0, bis BLn, ) mit jeweils einer erster und zweiter Bitleitung (2, 7), mit denen jeweils eine Mehrzahl von Speicherzellen (1) so verbunden sind, daß die ersten und zweiten Bitleitungen (2, 7) ein Paar bilden und
einer Mehrzahl von Leseverstärkern (50), von denen jeweils einer für jeweils ein Bitleitungspaar (2, 7) vorgesehen ist und auf ein über erste und zweite Signalleitungen (14, 17) übertragenes Signal reagiert, das zum differentiellen Verstärken eines Signales auf einem entsprechenden Bitleitungspaar (2, 7) aktiviert wird,
gekennzeichnet durch
eine Potentialverschiebungübertragungseinrichtung (44), die zwischen den ersten und zweiten Signalleitungen (14, 17) zum Übertragen der Potentialverschiebung auf der zweiten Signalleitung (17) auf die erste Signalleitung (14) vorgesehen ist, und
eine Steuersignalerzeugungseinrichtung (200, 201), die auf ein Steuersignal (Rn) zum Definieren der zeitlichen Abfolge zum Auslesen der in den Speicherzellen (1) gespeicherten Informa tion reagiert, zum Erzeugen eines Signales (Φ T, ) zur Steuerung des Betriebes der Potentialverschiebungübertragungseinrichtung (44).
2. Leseverstärkertreibervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die
Potentialverschiebungübertragungseinrichtung (44) eine Einrichtung
(38, 42) aufweist, die auf das Signal (Φ T, ) hin der Steuersig
nalerzeugungseinrichtung (200, 201) deaktiviert wird, bevor
der Leseverstärker (50) aktiviert wird, zum elektrischen Trennen
der ersten Signalleitung (14) und der zweiten Signalleitung
(17).
3. Leseverstärkertreibervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die elektrische Trenneinrichtung (38, 42) vor
dem Übertragen der in einer ausgewählten Speicherzelle (1)
gespeicherte Information auf eine entsprechende Bitleitung
als Reaktion auf das Steuersignal zum Definieren des Zeitablaufes
zum Auslesen der in der Speicherzelle (1) gespeicherten Informa
tion aktiviert wird.
4. Leseverstärkertreibervorrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Potentialverschiebungüber
tragungseinrichtung (44) eine kapazitive Kopplungseinrichtung
(41) zum kapazitiven Koppeln der ersten Signalleitung (14)
und der zweiten Signalleitung (17) aufweist.
5. Leseverstärkertreibervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Potentialverschiebungübertragungseinrich
tung (44) eine Schaltungseinrichtung (38, 42), die auf den
Ausgang der Steuersignalerzeugungseinrichtung (200, 201) reagiert
und nichtleitend gemacht wird, und eine Kapazitätseinrichtung
(41), die in Reihe mit der Schaltungseinrichtung (38, 42) verbunden
ist, aufweist.
6. Leseverstärkertreibervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Potentialverschiebungübertragungseinrich
tung (44)
eine Kapazität (41),
einen ersten Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (38 oder 42′), der zwischen der Kapazität (41) und der ersten Signallei tung (14) vorgesehen ist - und auf den Ausgang der Steuersignal erzeugungseinrichtung (200, 201) reagiert und nichtleitend gemacht wird, und
einen zweiten Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (42 oder 38′), der zwischen der Kapazität (41) und der zweiten Signalleitung (17) vorgesehen ist, und auf den Ausgang der Steuersignalerzeugungseinrichtung (200, 201) reagiert und nicht leitend gemacht wird,
aufweist.
eine Kapazität (41),
einen ersten Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (38 oder 42′), der zwischen der Kapazität (41) und der ersten Signallei tung (14) vorgesehen ist - und auf den Ausgang der Steuersignal erzeugungseinrichtung (200, 201) reagiert und nichtleitend gemacht wird, und
einen zweiten Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (42 oder 38′), der zwischen der Kapazität (41) und der zweiten Signalleitung (17) vorgesehen ist, und auf den Ausgang der Steuersignalerzeugungseinrichtung (200, 201) reagiert und nicht leitend gemacht wird,
aufweist.
7. Leseverstärkertreibervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Potentialverschiebungübertragungsein
richtung (44) eine Kapazität (41), mit einer Elektrode, die
an die erste Signalleitung (14) gekoppelt ist, und eine andere
Elektrode, und einen dritten Feldeffekttransistor mit isoliertem
Gate (42), der zwischen der anderen Elektrode der Kapazität
(41) und der zweiten Signalleitung (17) vorgesehen ist und
auf den Ausgang der Steuersignalerzeugungseinrichtung (200,
201) reagiert und nichtleitend gemacht wird, aufweist.
8. Leseverstärkertreibervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Potentialverschiebungübertragungsein
richtung (44) eine Kapazität (41) mit einer Elektrode, die
an die zweite Signalleitung (17) gekoppelt ist, und einer anderen
Elektrode, und einen vierten Feldeffekttransistor mit isoliertem
Gate (42′), der zwischen der anderen Elektrode der Kapazität
(41) und der ersten Signalleitung (14) vorgesehen ist und auf
den Ausgang der Steuersignalerzeugungseinrichtung (200, 201)
reagiert und nichtleitend gemacht wird, aufweist.
9. Leseverstärkertreibervorrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Leseverstärker (50)
ein Paar von überkreuzgekoppelten n-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (18, 19), die zwischen der ersten Bitleitung (2) und der zweiten Bitleitung (7) vorgesehen sind, wobei deren jeweiligen verbleibenden Elektroden an die zweite Signalleitung (17) gekoppelt sind, und
ein Paar von über Kreuz gekoppelten p-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (15, 16), die zwischen der ersten Bitleitung (2) und der zweiten Bitleitung (7) vorgesehen sind, wobei deren jeweiligen verbleibenden Elektroden an die erste Signalleitung (14) gekoppelt sind
aufweist,
wobei die erste Signalleitung (14) eine Einrichtung (100) aufweist zum Halten des Potentiales auf der ersten Signalleitung (14) auf einem Wert um den Absolutwert jeder Schwellenspannung des Paares von p-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (15, 16) höher als ein Vorladepotential während einer Vorladungs dauer der Bitleitungen (2, 7).
ein Paar von überkreuzgekoppelten n-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (18, 19), die zwischen der ersten Bitleitung (2) und der zweiten Bitleitung (7) vorgesehen sind, wobei deren jeweiligen verbleibenden Elektroden an die zweite Signalleitung (17) gekoppelt sind, und
ein Paar von über Kreuz gekoppelten p-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (15, 16), die zwischen der ersten Bitleitung (2) und der zweiten Bitleitung (7) vorgesehen sind, wobei deren jeweiligen verbleibenden Elektroden an die erste Signalleitung (14) gekoppelt sind
aufweist,
wobei die erste Signalleitung (14) eine Einrichtung (100) aufweist zum Halten des Potentiales auf der ersten Signalleitung (14) auf einem Wert um den Absolutwert jeder Schwellenspannung des Paares von p-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (15, 16) höher als ein Vorladepotential während einer Vorladungs dauer der Bitleitungen (2, 7).
10. Leseverstärkertreibervorrichtung nach einem der Ansprüche
1 bis 9, gekennzeichnet durch eine Hilfszelle (61, 64), die
sowohl mit der ersten Bitleitung (2), als auch der zweiten Bit
leitung (7) verbunden ist und den Kapazitätswert der Kapazität
in jeder der Mehrzahl von Speicherzellen (1) aufweist.
11. Verfahren zum Treiben eines Leseverstärkers in einem dyna
mischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff mit einer Mehrzahl
von Bitleitungspaaren (2, 7), die durch Anordnen erster (2)
und zweiter Bitleitungen (7), von denen jede eine Mehrzahl
von Speicherzellen (1) aufweist, die daran so verbunden sind,
daß die ersten und zweiten Bitleitungen (2, 7) miteinander
gepaart sind, aufgebaut ist, und einer Mehrzahl von Leseverstär
kern (50), von denen jeder für jedes der Mehrzahl von Bitleitungs
paaren (2, 7) vorgesehen ist, und auf ein über die erste und
zweite Signalleitung (14, 17) übertragenes Signal reagiert,
und zum differentiellen Verstärken eines Signales auf einem
entsprechenden Bitleitungspaar (2, 7) aktiviert wird, gekennzeich
net durch die Schritte:
Kapazitives Koppeln der ersten Signalleitung (14) und der zweiten Signalleitung (17),
Durchführen des Zugriffes auf die Mehrzahl von Speicherzellen (1) zum Übertragen von in der ausgewählten Speicherzelle (1) gespeicherter Informationen auf eine entsprechende Bitleitung, und elektrisches Trennen der ersten Signalleitung (14) und der zweiten Signalleitung (17) voneinander, vor der Aktivierung der Leseverstärker (50).
Kapazitives Koppeln der ersten Signalleitung (14) und der zweiten Signalleitung (17),
Durchführen des Zugriffes auf die Mehrzahl von Speicherzellen (1) zum Übertragen von in der ausgewählten Speicherzelle (1) gespeicherter Informationen auf eine entsprechende Bitleitung, und elektrisches Trennen der ersten Signalleitung (14) und der zweiten Signalleitung (17) voneinander, vor der Aktivierung der Leseverstärker (50).
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