DE3836338A1 - Temperaturkompensierte stromquellenschaltung mit zwei anschluessen - Google Patents
Temperaturkompensierte stromquellenschaltung mit zwei anschluessenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft temperaturkompensier
te Stromquellen und insbesondere Stromquellen mit zwei
Anschlüssen, die folgende Merkmale aufweisen:
- 1. "Δ V BE über R"-Schaltungen, die einen ersten Strom mit einem positiven Temperaturkoeffizienten erzeugen, und
- 2. eine andere Schaltung, bei der beispielsweise eine V BE -Spannung über einen Widerstand angelegt wird, die einen zweiten Strom mit einem negativen Temperatur koeffizienten erzeugt, wobei der erste und zweite Strom addiert werden, um einen insgesamt temperaturkompensier ten Strom zu erzeugen, der durch die beiden Anschlüsse der Stromquelle fließt.
Viele analoge Schaltungen und Systeme benötigen eine
Bezugsstromschaltung mit zwei Anschlüssen, die gegenüber
der Klemmenspannung unempfindlich ist, d. h. gegenüber
der Spannung zwischen den beiden Anschlüssen der Strom
quelle, wobei der Strom dieser Schaltung keinen Tempera
turkoeffizienten oder einen wählbaren Temperaturkoeffi
zienten haben soll. (Der in der vorliegenden Beschrei
bung verwendete Begriff "Bezugsschaltung mit zwei An
schlüssen" oder "Stromquelle mit zwei Anschlüssen" be
zieht sich auf eine solche Schaltung mit zwei Anschlüs
sen, die lediglich einen bestimmten Strom an einem
ersten Anschluß aufnimmt und lediglich den gleichen
Strom an einem anderen Anschluß abgibt.
Eine typische Anwendung für eine Stromquelle mit zwei
Anschlüssen liegt in der Erzeugung eines Vorstromes für
einen Zweig einer Brückenschaltung. Ein anderer, typi
scher Anwendungsfall bezieht sich auf eine integrierte,
bipolare Schaltung mit einer Anzahl von PNP-Stromspie
gelschaltungen und einer Anzahl von NPN-Stromspiegel
schaltungen, die durchweg in Reaktion auf eine einzige
Stromquelle mit zwei Anschlüssen, wie beispielsweise
einen JFET, gesteuert werden.
Die US-PS 44 60 865 offenbart eine genaue, temperatur
gesteuerte Bezugsspannungsschaltung, die eine Spannung
V BE mit einem negativen Temperaturkoeffizienten und eine
Spannung Δ V BE mit einem positiven Temperaturkoeffizien
ten erzeugt. Die Spannung V BE wird über einen ersten
Widerstand angelegt, um einen Strom mit einem negativen
Temperaturkoeffizienten zu erzeugen. Die Spannng Δ V BE
wird über einen zweiten Widerstand angelegt, um einen
Strom mit einem positiven Temperaturkoeffizienten zu
erzeugen. Die beiden Ströme werden addiert, um einen
Steuerstrom zu erzeugen, der durch einen dritten Wider
stand geschickt wird. Ein erster Anschluß des dritten
Widerstandes ist mit einem Versorgungsspannungsleiter
verbunden. Der zweite Anschluß des dritten Widerstandes
erzeugt eine temperaturkompensierte Bezugsspannung.
Durch geeignetes Bemessen des ersten und zweiten Wider
standes kann ein weiter Bereich von Temperaturkoeffi
zienten für die Ausgangsbezugsspannung ausgewählt wer
den. Der erste und zweite Widerstand sind mit einem
Masse-Leiter verbunden. Die Komponenten, die die Ströme
steuern, welche durch die Transistoren fließen, die die
V BE -Spannung und die Δ V BE -Spannung erzeugen, sind mit
einer positiven Versorgungsspannung verbunden. Obwohl
diese Schaltung in angemessener Weise als temperatur
kompensierte Spannungsbezugsschaltung arbeitet, ist sie
unpraktikabel zur Verwendung als Bezugsstromquelle mit
zwei Anschlüssen, deren Klemmenspannung oder Anschluß
spannung unbestimmt sein kann, da eine elektrisch nicht
festgelegte Leistungsversorgung als Bezug für einen
Anschluß der Bezugsstromquelle benötigt würde.
Die US-PS 44 72 675 offenbart eine Bezugsspannungserzeu
gungsschaltung, deren Anschlüsse mit einem Masseleiter
und einem Leiter für eine positive Versorgungsbezugs
spannung verbunden sind. Die Schaltung erzeugt eine Δ V BE -
Spannung über einen ersten Widerstand zum Erzeugen eines
ersten Stromes mit einem positiven Temperaturkoeffizien
ten. Eine zweite Schaltung erzeugt eine V BE -Spannung
über einen zweiten Widerstand zum Erzeugen eines zweiten
Stromes mit einem negativen Temperaturkoeffizienten. Der
erste Strom wird verwendet, um eine erste Stromspiegel
schaltung zu betreiben und um einen dritten Strom mit
einem positiven Temperaturkoeffizienten zu erzeugen. Der
zweite Strom wird verwendet, um eine zweite Stromspie
gelschaltung zum Erzeugen eines vierten Stromes mit
einem negativen Temperaturkoeffizienten zu betreiben.
Der dritte und vierte Strom werden addiert. Der sich
ergebende Strom fließt durch einen dritten Widerstand zu
dem Massespannungsleiter zum Erzeugen einer temperatur
kompensierten Bezugsspannung. Die Temperaturabhängigkeit
dieser Bezugsspannung kann gewählt werden, indem der
Widerstandswert des ersten bzw. zweite Widerstandes
geeignet ausgewählt werden. Diese Schaltung ist kompli
ziert, da sie 13 Transistoren und drei Widerstände auf
weist.
Obwohl diese Entgegenhaltung keinen Hinweis darauf ent
hält, da die beschriebene Schaltung als Stromquelle mit
zwei Anschlußklemmen beschaltbar ist, ist der Strom, der
von der positiven Leistungsversorgung zu dem Anschluß T 1
fließt, der gleiche wie derjenige, der von dem Anschluß
T 2 zu dem Massebezugsleiter fließt. Dieser Strom stellt
die Summe der fünf Ströme mit positiven Temperatur
koeffizienten dar, die durch die Transistoren Q 9, Q 10,
Q 11, Q 12 und Q 13 fließen, während die Summe der Ströme
mit negativen Temperaturkoeffizienten durch die Transi
storen Q 5, Q 6 und Q 7 fließt. Die große Anzahl der Tran
sistoren dieser bekannten Schaltung erfordert eine er
heblich größere Halbleiterchipfläche, als dies für eine
Stromquelle mit zwei Anschlüssen praktikabel ist. Die
große Anzahl von Stromspiegelschaltungen bewirkt ein
höheres Rauschen der durch die Anschlüsse T 1 und T 2
fließenden Ströme, als dies für viele Schaltungsanwen
dungen akzeptierbar ist, bei denen eine genaue, tempera
turkompensierte Stromquelle mit zwei Anschlüssen benö
tigt wird. Diese bekannte Technik zum Koppeln der
Δ V BE -Erzeugungsschaltung und der V BE -Erzeugungsschal
tung erfordert, daß zwei Transistoren, die direkt die
Δ V BE -Spannung erzeugen, und ein Transistor, der die
V BE -Spannung erzeugt, ausreichend beabstandet angeordnet
sind, so daß thermische Temperaturgradienten in dem
Silizium eine weitere Fehlerquelle hervorrufen. Wenn
ferner die bekannte Schaltung als Stromquelle mit zwei
Anschlüssen verwendet wird, würde eine nicht hinnehmbar
komplizierte Anfangsschaltung zum Liefern von anfängli
chen Versorgungsströmen für viele Transistorkollektoren
benötigt, die anfänglich elektrisch unbestimmt
("schwimmend") wären. Eine derartige Anfangsschaltung
müßte derart ausgebildet sein, daß ihr Einfluß auf die
verschiedenen Kollektorströme nach Beenden einer
Anfangsoperation oder Startoperation vernachlässigbar
ist. Aufgrund derartiger Überlegungen ist es noch
praxisfremder, diese bekannte Schaltung als Stromquelle
mit zwei Anschlüssen einzusetzen.
Es besteht daher eine bislang nicht zufriedengestellte
Nachfrage nach einer einfachen, hochgenauen, temperatur
kompensierten Stromquellenschaltung mit niedrigem
Rauscheinfluß und zwei Anschlußklemmen, die über einen
hohen Grad an Spannungsnachgiebigkeit bzw. einen breiten
Spannungsschwankungsbereich verfügt.
Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung,
eine verbesserte, temperaturkompensierte Stromquellen
schaltung mit zwei Anschlußklemmen zu schaffen.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltung liegt in
ihrem niedrigen Preis sowie in der Tatsache, daß der
Temperaturkoeffizient durch einstellbare Widerstands
werte eingestellt werden kann.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltung
liegt in ihrer niedrigen "Nachgiebigkeits"-Spannung und
ihrer niedrigen Empfindlichkeit gegenüber Veränderungen
dieser Spannung.
Ein weiterer Vorteil liegt in dem sehr niedrigen Rausch
pegel.
Wiederum ein weiterer Vorteil liegt darin, daß die er
findungsgemäße Schaltung Ungenauigkeiten aufgrund eines
thermischen Gradienten im Halbleitermaterial, aus dem
die Schaltung hergestellt ist, vermeidet.
Ein zusätzlicher Vorteil liegt darin, daß bei der erfin
dungsgemäßen Stromquelle nur eine einfache Betriebs
startschaltung oder Anfangsschaltung verwendet wird, die
nicht den normalen Betrieb beeinflußt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine
Stromquelle mit zwei Anschlüssen geschaffen, die einen
ersten und zweiten Anschluß, erste und zweite und dritte
Transistoren jeweils mit einer Basis, einem Emitter und
einem Kollektor aufweist, wobei der Emitterbereich des
zweiten Transistors größer ist als derjenige des ersten
Transistors und die Basis des ersten und zweiten Tran
sistors miteinander verbunden sind und eine V BE -Spannung
über einen ersten Widerstand erzeugen, der zwischen dem
Emitter des zweiten Transistors und dem zweiten Anschluß
geschaltet ist, wobei der Emitter des ersten Transistors
mit dem zweiten Anschluß verbunden ist und die Kollek
toren des ersten und zweiten Transistors gleiche Ströme
von einer Stromspiegelschaltung empfangen, die sämtliche
ihrer Ströme von dem ersten Anschluß empfängt. Der
zweite Widerstand ist zwischen der Basis und dem Emitter
des ersten Transistors geschaltet. Ein dritter Transis
tor ist mit seiner Steuerelektrode an den Kollektor des
ersten Transistors angeschlossen. Eine erste stromfüh
rende Elektrode ist mit der Basis des ersten Transistors
verbunden, der eine zweite stromführende Elektrode auf
weist, die mit dem ersten Anschluß verbunden ist. Ein
konstanter Strom mit einem positiven Temperaturkoeffi
zienten fließt durch den Kollektor des zweiten Tran
sistors. Ein Strom mit gleicher Größe und gleichem,
positivem Temperaturkoeffizienten fließt durch den
Kollektor des ersten Transistors. Ein Strom mit einem
negativen Temperaturkoeffizienten fließt durch den
zweiten Widerstand und durch den ersten und zweiten
stromführenden Anschluß des dritten Transistors. Die
Ströme, die durch den ersten und zweiten Anschluß
fließen, haben einen Temperaturkoeffizienten, der durch
das Verhältnis der Widerstandswerte des ersten und zwei
ten Widerstandes bestimmt ist. Bei einem beschriebenen
Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt eine Verstärker
schaltung zwischen dem Stromspiegel und den Kollektoren
des ersten und zweiten Widerstandes zum Vermindern von
beta-Fehlern und von Rauschen, das durch typische,
laterale PNP-Stromspiegelschaltungen erzeugt wird.
Mehrere Betriebsstartschaltungen sind offenbart, um
einen Anfangsstromweg zwischen dem ersten und zweiten
Anschluß zu gewährleisten. Bei einem anderen Ausfüh
rungsbeispiel der Erfindung liegt der zweite Widerstand
zwischen der Basis und dem Emitter eines Transistors
eines Stromspiegels und nicht zwischen der Basis und dem
Emitter des ersten Transistors. Bei wiederum einem ande
ren Ausführungsbeispiel der Erfindung beinhaltet die
Konstantstromquelle mit zwei Anschlüssen eine erste
Schaltung zum Erzeugen eines Zenerdiodenspannungsabfalls
über den ersten Widerstand zum Erzeugen eines ersten
Stromes mit einem niedrigen, sehr linearen positiven
Temperaturkoeffizienten, und umfaßt eine zweite Schal
tung zum Erzeugen eines V BE -Spannungsabfalls über einen
zweiten Widerstand zum Erzeugen eines zweiten Stromes
mit einem negativen Temperaturkoeffizienten. Der erste
und zweite Strom werden aufsummiert, um einen sehr
genauen Strom zwischen den beiden Anschlüssen mit einem
Temperaturkoeffizienten zu erzeugen, der durch das Ver
hältnis des ersten Widerstandes zu dem zweiten Wider
stand bestimmt ist. In wiederum einem anderen Ausfüh
rungsbeispiel wird eine Stromkomponente mit negativen
Temperaturkoeffizienten in einer Stromquelle mit zwei
Anschlüssen durch Hervorrufen einer Gate-Source-
Spannung eines JFET über einen Widerstand erzeugt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfin
dung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein schematisches Schaltungsdiagramm der
temperaturkompensierten Stromquellen
schaltung mit zwei Anschlußklemmen gemäß
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ein schematisches Schaltungsdiagramm
eines anderen Ausführungsbeispiels der
Erfindung;
Fig. 3 ein schematisches Diagramm eines weite
ren Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 4 ein schematisches Diagramm eines weite
ren Ausführungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 5 ein schematisches Schaltungsdiagramm
wiederum eines anderen Ausführungsbei
spiels der Erfindung;
Fig. 6 ein schematisches Diagramm wiederum
eines anderen Ausführungsbeispiels der
Erfindung mit einer Δ V BE -Stromquelle
mit positiven Temperaturkoeffizienten
und einer JEFT-Stromquelle mit einem
negativen Temperaturkoeffizienten;
Fig. 7 ein schematisches Diagramm eines anderen
Ausführungsbeispiels der Erfindung unter
Verwendung einer Zenerdiode zum Erzeugen
einer Stromquelle mit einem positiven
Temperaturkoeffizienten und einer V BE -
Spannung, um eine Stromquelle mit einem
negativen Temperaturkoeffizienten zu er
zeugen.
Wie in Fig. 1 dargestellt ist, beinhaltet eine Strom
quelle 1 mit zwei Anschlüssen die beiden Anschlüsse 2
und 3. Der temperaturkompensierte Bezugsstrom I REF ver
läßt den Anschluß 2 und fließt in den Anschluß 3.
(Selbstverständlich können die Transistortypen umgekehrt
werden, d. h. von NPN nach PNP, wodurch die Richtung von
I REF umgekehrt werden kann.) Der Anschluß 3 ist mit
einer Stromspiegelschaltung 4 verbunden. Zwei gleiche
Ströme I P mit jeweils einem positiven Temperaturkoeffi
zienten fließen durch die Leiter 5 und 12 in die Kollek
toren der NPN-Transistoren 7 und 10. Der Leiter 5 ist
gleichfalls mit der Basis des NPN-Transistors 6 verbun
den, dessen Basisstrom vernachlässigbar ist. Der Kollek
tor des Transistors 6 ist mit dem Anschluß 3 verbunden.
Der Emitter des Transistors 6 ist mittels eines Leiters
8 mit den Basiselektroden der NPN-Transistoren 7 und 10
und mit einem Anschluß des Widerstandes 11 verbunden,
dessen Widerstandswert R 2 ist. Der andere Anschluß des
Widerstandes 11 ist mit dem Anschluß 2 verbunden. Der
Emitter des Transistors 7 ist mit dem Anschluß 2 ver
bunden. Der Emitter des Transistors 10 ist mittels eines
Widerstandes 13, dessen Widerstandswert R 1 ist, mit dem
Anschluß 2 verbunden.
Die Widerstände R 1 und R 2 können temperaturunempfindli
che Nickelchrom-Widerstände sein. Ein Strom I N hat einen
negativen Temperaturkoeffizienten und fließt durch den
Kollektor-Emitter-Weg des Transistors 6 und durch den
Widerstand R 2. Daher ist I REF gleich der Summe I N plus
2 I P .
Die Emitterfläche des Transistors 10 ist N-fach größer
als die Emitterfläche des Transistors 7, wobei N typi
scherweise in dem Bereich zwischen 2 und 20 liegt. Da
der gleiche Kollektorstrom I P durch die Transistoren 7
und 10 fließt, ist die Basis-Emitter-Spannung V BE (10)
des Transistors 10 kleiner als die Basis-Emitter-
Spannung V BE (7) des Transistors 7. Die Differenz der
V BE -Spannungen wird als Δ V BE bezeichnet. (Die Schaltung
mit den Transistoren 7 und 10 und dem Widerstand R 1 wird
als "Δ V BE über R"-Schaltung bezeichnet.) Für Fachleute
ist es offenkundig, daß Δ V BE proportional zur absoluten
Temperatur T ist. Bei Siliziumtransistoren ist Δ V BE
gleich +3300 Teilen pro Million (ppm) pro °C. Daher wird
ein Strom I P (der gleich Δ V BE geteilt durch R 1 ist)
durch den Transistor 10 eingeprägt und fließt aus der
Stromspiegelschaltung 4 durch den Leiter 12. Die Strom
spiegelschaltung 4 verursacht einen identischen Strom
I P , der durch den Leiter 5 in den Kollektor des
Transistors 7 fließt.
Der gleiche Transistor 7, der Δ V BE erzeugt, erzeugt
eine Spannung V BE (7) über den Widerstand R 2, welche
einen Strom I N durch den Widerstand R 2 erzeugt, wodurch
I N B BE (7) geteilt durch R 2 entspricht. (Die Schaltung
mit den Transistoren 6 und 7 und dem Widerstand R 2 wird
als "V BE über R"-Schaltung bezeichnet.) Die Basisströme
der Transistoren 7 und 10 beeinträchtigen nicht den
Temperaturkoeffizienten von I P .
Man erkennt, daß die Schaltung gemäß Fig. 1 eine
Konstantstromquelle mit zwei Anschlußklemmen ist, die
eine "Mischung" von Strömen I P mit positiven Tempera
turkoeffizienten und einem Strom I N mit einem negativen
Temperaturkoeffizienten ist. Für Fachleute ist es offen
kundig, daß der Temperaturkoeffizient V BE (7) für
Siliziumtransistoren -3500 ppm pro °C beträgt. Der Tem
peraturkoeffizient von I REF kann auf jeden Wert zwischen
-3500 ppm pro °C und +3300 ppm pro °C durch geeignete
Auswahl der Widerstandswerte R 1 und R 2 eingestellt wer
den. Die Widerstände R 1 und R 2 bestehen typischerweise
aus Nickelchrom mit einem Temperaturkoeffizienten von
ungefähr 0, die ohne weiteres mittels eines Laserstrahls
in ihrem Wert einstellbar oder trimmbar sind.
Man erkennt ohne weiteres, daß die Spannungsschwankungs
empfindlichkeit der Stromquellenschaltung 1 mit zwei
Anschlußklemmen niedrig ist, da sowohl I P als auch I N im
wesentlichen unabhängig von der Klemmenspannung an den
Anschlüssen 2 und 3 sind, solange die Spannung des An
schlusses 3 wenigstens 3 V BE größer ist als die Spannung
am Anschluß 2. Es ist nicht erforderlich, daß Anschluß 2
oder Anschluß 3 mit einem Masseleiter oder positiven
Spannungsversorgungsleiter verbunden sind oder daß eine
elektrisch nicht festgelegte (potentialmäßig verschieb
bare, schwimmende) Leistungsversorgung als Bezugsgröße
mit den Anschlüssen 2 oder 3 verbunden ist, wie dies bei
vielen aus dem Stand der Technik bekannten Spannungs
bezugsschaltungen erforderlich ist. Fig. 2 zeigt ein
Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Spannun
gen V BE und Δ V BE durch PNP-Transistoren anstelle von
NPN-Transistoren erzeugt werden. Um einen anfänglichen
Startstrom zu gewährleisten, ist der Leiter 8 mit der
Klemme 3 durch die Reihenverbindung von drei dioden
verbundenen Transistoren 16, 17, 18 und eines P-Kanal-
JFET des "Ein"-Types 19 verbunden, dessen Quelle mit dem
Emitter des Transistors 18 und dessen Drain mit dem An
schluß 3 verbunden ist, um eine kontinuierliche elektri
sche Verbindung zwischen dem Leiter 8 und dem Anschluß 3
herzustellen. Die Gate-Elektrode des JEFT 19 ist mit
einem Leiter 5 verbunden. Ein zweiter p-Kanal-JFET 20
ist mit seiner Gate-Elektrode an einen Leiter 5 ange
schlossen, dessen Source-Elektrode mit einem Leiter 12
verbunden ist und dessen Drain-Elektrode mittels eines
Leiters 23 mit dem Kollektor des NPN-Stromspiegeltran
sistors 25 verbunden ist und dessen Emitter mit dem An
schluß 3 verbunden ist. Der NPN-Transistor 22 ist mit
seinem Kollektor an den Leiter 5 angeschlossen und ist
mit seiner Basis an den Leiter 23 mit seinem Emitter an
die Basis und den Kollektor des NPN-Stromspiegel-
Steuertransistors 24 angeschlossen. Der Emitter des
Transistors 24 ist an den Anschluß 3 angeschlossen. Die
Basis des Stromspiegeltransistors 25 ist an die Basis
des Transistors 24 über den Leiter 26 angeschlossen.
(Die Transistoren 22, 24 und 25 bilden einen sogenann
ten "Wilson"-Stromspiegel.) In der Schaltung gemäß
Fig. 2 erhöht der Anschluß des JFET 20 in erheblichem
Maße die Ausgangsimpedanz der Stromquellenschaltung mit
zwei Anschlußklemmen gemäß Fig. 2. Der Strom mit negati
vem Temperaturkoeffizienten I N fließt durch die dioden
verbundenen Transistoren 16 bis 18 und den JFET 19 von
dem Widerstand R 2 zu dem Anschluß 3. Der Strom mit posi
tivem Temperaturkoeffizienten I P fließt, wie dies in
Fig. 1 gezeigt ist. Die Gate-Elektrodenströme und die
Basiselektrodenströme sind durchwegs vernachlässigbar.
Die Schaltung der Stromquelle mit zwei Anschlüssen gemäß
Fig. 1 kann sehr einfach sein. Die einfachste Version
ist die Schaltung gemäß Fig. 3, bei der die Stromspie
gelschaltung 4 lediglich zwei PNP-Transistoren 24 und 25
aufweist. Der gleiche Transistor 7 erzeugt sowohl die
V BE -Spannung, die den Strom mit negativen Temperatur
koeffizienten I N erzeugt, als auch den Strom mit posi
tiven Temperaturkoeffizienten I P . Daher können keine
Fehler aufgrund der thermischen Gradienten innerhalb des
Halbleiterchips verursacht werden, auf dem die Strom
quelle mit zwei Anschlüssen hergestellt ist, wenn die
geometrischen Mittelpunkte der Transistoren 7 und 10 an
dem gleichen Punkt liegen. Dies kann bewerkstelligt
werden, in dem die Hälfte der aktiven Emitterfläche des
größeren Transistors 10 auf gegenüberliegenden Seiten
des Transistors 7 angeordnet wird. Die niedrige Anzahl
der Transistoren dieser Stromquelle mit zwei Anschlüs
sen bewirkt, daß die Schaltung einen niedrigen Rausch
pegel hat. Da die oben beschriebene Stromquellenschal
tung mit zwei Anschlüssen lediglich wenige Transistoren
widerstände benötigt, kann sie überall dort eingesetzt
werden, wo sie innerhalb einer integrierten Schaltung
gebracht wird, ohne daß man in einem erheblichen Maße
wegen der benötigten Chipfläche besorgt sein müßte.
Die Schaltung gemäß Fig. 4 entspricht der Schaltung
gemäß Fig. 3 mit Ausnahme der Tatsache, daß die zum
Erzeugen von I N verwendete V BE -Spannung durch die PNP-
Stromspiegeltransistoren 24 und 25 anstatt durch den
Δ V BE -Erzeugungs-Transistor 10 erzeugt wird.
Die Schaltungen nach den Fig. 3 und 4 verwenden PNP-
Stromspiegelschaltungen. Bei dem momentanen Stand der
Technik werden PNP-Stromspiegelschaltungen üblicherweise
durch laterale PNP-Transistoren ausgeführt, die ohne
weiteres in einem bekannten Herstellungsverfahren für
bipolare integrierte Schaltungen verfügbar sind. Aller
dings haben derartige PNP-Stromspiegelschaltungen be
kannterweise beta-Fehler und Rauschen, wodurch Ungenau
igkeiten in der Linearität der Temperaturdrift der
Stromquellen und ein Rauschpegel in Bezugsstromschal
tungen verursacht werden.
Fig. 5 zeigt eine Schaltung eines Ausführungsbeispiels
der Erfindung, bei der Rückkopplung eingesetzt wird,
sowie eine Verstärkung in der "Last"-Schaltung verwendet
wird, die mit den Kollektoren der Transistoren 7 und 8
verbunden sind, um Ungenauigkeiten zu vermindern, die
durch diese beta-Fehler und das Rauschen verursacht wer
den, das die lateralen PNP-Stromspiegelschaltungen er
zeugen.
In Fig. 5 ist der Kollektor des Transistors 7 mittels
des Leiters 5 mit der Basis des NPN-Transistors 30 und
mit einem Anschluß des Widerstandes 29 verbunden. Der
andere Anschluß ist mittels des Leiters 40 mit dem
Emitterfolger-NPN-Transistor 35 verbunden. Der Emitter
des Transistors 30 ist mittels eines Leiters 8 mit den
Basen der Transistoren 7 und 10 und dem Widerstand R 2
verbunden. Der Kollektor des Transistors 30 ist mit dem
Emitter des NPN-Transistors 33 verbunden, dessen Basis
mittels eines Leiters 34 mit dem Kollektor eines NPN-
Transistors und der Basis eines Emitterfolgertransistors
35 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 33 ist
mittels eines Leiters 37 mit dem Kollektor eines PNP-
Stromspiegeltransistors 38 und mit der Basis des PNP-
Transistors 36 verbunden. Der Emitter des Transistors 36
ist mit dem Kollektor und der Basis des PNP-Stromspie
gelstransistors 39 verbunden, während der Kollektor des
Transistors 36 mit dem Leiter 34 verbunden ist. Die
Emitter der Transistoren 38 und 39 sind mit dem Anschluß
3 verbunden.
Der Kollektor des Transistors 10 ist mittels eines
Leiters 12 auf der Basis des NPN-Transistors 6 und mit
einer Klemme des Nickelchromwiderstandes 31 verbunden,
dessen andere Klemme mit dem Leiter 40 verbunden ist.
Der Kollektor des Transistors 6 ist mit dem Leiter 34
verbunden. Der Emitter des Transistors 6 ist mit dem
Leiter 8 verbunden. Der Kollektor des Emitterfolge
transistors 35 ist mit dem Anschluß 3 verbunden. Der
P-Kanal-JFET 45 ist mit seiner Gate-Elektrode mit dem
Anschluß 3 verbunden, dessen Source mit dem Emitter des
Transistors 36 verbunden ist und dessen Drain mit dem
Leiter 34 verbunden ist. Ein Kondensator 47 liegt
zwischen dem Leiter 34 und dem Leiter 12, um eine Fre
quenzkompensation zu erzeugen. Der JFET 45 erzeugt einen
Anfangsstrom, der dem Leiter 34 zugeführt wird, um eine
anfängliche Operation der Schaltung zu gewährleisten.
In der Fig. 5 bilden die Transistoren 6 und 30 eine
Differentialeingangsstufe einer Schaltung, die tatsäch
lich einen Operationsverstärker bildet, dessen Differen
tialeingänge mit den Leitern 5 und 12 verbunden sind.
Identische Nickelchrom-Widerstände 29 und 31 bilden eine
Rückkopplungsschleife von dem Leiter 40 zu den Eingangs
leitern 5 und 12, wobei der Leiter 40 als Ausgang des in
Rede stehenden Operationsverstärkers arbeitet. PNP-
Stromspiegeltransistoren 38 und 39 arbeiten als Hoch
impedanz-Lasten für den Operationsverstärker, wobei eine
jede einen Strom I N /2 liefert, der durch die Kollektoren
der Transistoren 30 und 36 fließt und aufsummiert wird,
um einen Strom I N mit negativen Temperaturkoeffizienten
zu erzeugen, der durch den Widerstand R 2 fließt. Die
Transistoren 36, 38 und 39 bilden einen Wilson-Strom
spiegel, der, wie Fachleute wissen, eine hohe Impedanz
hat und beta-Fehler beseitigt. Der Transistor 33 hat die
Funktion des Konstanthaltens der Kollektor-Basis-
Spannung des Transistors 30 trotz Variationen der
Anschlußspannungen der Stromquelle mit zwei Anschlüssen,
wodurch deren Genauigkeit verbessert wird. Wenn eine
Spannungsdifferenz zwischen den Leitern 5 und 12 auf
tritt, erzeugt die Verstärkung des oben beschriebenen
Operationsverstärkers eine entsprechend verstärkte, in
vertierte Änderung auf den Leiter 34. Der Emitterfolger
transistor 35 koppelt diese Änderung auf den Leiter 40
und erzeugt die auch immer benötigten Ströme für die
Transistoren 29 und 31, damit die beiden Ströme einan
der gleich sind. Eine Rückkopplungsschleife mit den
Transistoren 7 und 10 und dem Widerstand R 1 arbeitet, um
die Größe von I P zu ermitteln, während der Operations
verstärker die Ströme durch die Kollektoren der Tran
sistoren 7 und 10 gleichhält.
Fig. 6 zeigt ein abweichendes Ausführungsbeispiel der
Erfindung, bei dem I p durch eine "Δ V BE über R"-Schal
tung mit den NPN-Transistoren 7 und 10 und dem Nickel
chromwiderstand R 1 wie in den obigen Schaltungen erzeugt
wird. Jedoch wird der Strom I N mit negativen Temperatur
koeffizienten durch die Reihenschaltung des P-Kanal-JFET
50 mit dem Widerstand 11 erzeugt. Das Gate des JFET 50
ist an den Anschluß 3 angeschlossen. Gleichfalls ist der
obere Anschluß des Widerstandes R 2 an den Anschluß 3
angeschlossen. Die Drain-Elektrode des JFET 50 ist an
die Anoden der Dioden 51 und 52 angeschlossen. Die
Kathode der Diode 51 ist an die Basen der Transistoren 7
und 10 angeschlossen. Die Kathode der Diode 52 ist an
den Leiter 2 angeschlossen. Dioden 51 und 52 gewähr
leisten ein anfängliches Inbetriebnehmen der Stromquelle
mit zwei Anschlüssen.
Fig. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfin
dung, bei der der Strom I P mit positiven Temperatur
koeffizienten durch Anlegen einer sehr linearen Umkehr
spannung einer Zenerdiode 65 über einen Nickelchrom-
Widerstand 64 erzeugt wird, dessen Widerstandswert R 3
beträgt. Die Dioden 59 und 60 und der JFET 58 erzeugen
eine Vorspannung auf dem Leiter 66, die an die Basen der
PNP-Transistoren 62 und 63 angelegt wird. Der Strom I N
mit negativen Temperaturkoeffizienten wird durch Anlegen
der V BE -Spannung der NPN-Transistoren 55 und 56 über den
Widerstand R 2 erzeugt. In dieser Stellung hat I P einen
Temperaturkoeffizienten von 300 ppm pro °C, während I N
einen negativen Temperaturkoeffizienten von -3300 ppm
pro °C hat, wobei der gesamte Stromkoeffizient von I REF
in dem Bereich zwischen diesen beiden Grenzen einstell
bar ist. Der positive Temperaturkoeffizient von I P in
dieser Schaltung hat eine niedrige Größe und ist linear
von -55°C bis +125°C, so daß ein sehr linearer, tempe
raturkompensierter Gesamtstrom zwischen den beiden An
schlüssen 2 und 3 durch geeignetes Schalten des Verhält
nisses von R 2 und R 3 erzielt werden kann.
Claims (8)
1. Stromquelle mit zwei Anschlüssen, gekennzeichnet
durch folgende Merkmale:
- (a) ein erster Anschluß und ein zweiter Anschluß;
- (b) ein erster, zweiter und dritter Transistor, wobei der erste und zweite Transistor jeweils eine Basis, einen Kollektor und einen Emitter haben, wobei der zweite Transistor eine wesentlich größere Emitter fläche als der erste Transistor hat, wobei der dritte Transistor eine Steuerelektrode, eine erste strom führende Elektrode und eine zweite stromführende Elektrode aufweist und wobei die Basis des ersten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, wobei die erste stromführende Elektro de, die Steuerelektrode und die zweite stromführende Elektrode des dritten Transistors mit der Basis des ersten Transistors, dem Kollektor des ersten Tran sistors und dem ersten Anschluß jeweils verbunden sind und wobei der Emitter des ersten Transistors mit dem zweiten Anschluß verbunden ist;
- (c) eine erste Widerstandseinrichtung, die zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem zweiten Anschluß liegt, um einen ersten Strom in dem Kollek tor des zweiten Transistors zu erzeugen;
- (d) eine zweite Widerstandseinrichtung, die zwischen der ersten stromführenden Elektrode des dritten Tran sistors und dem zweiten Anschluß liegt, um einen zweiten Strom in der ersten und zweiten stromführen den Elektrode des dritten Transistors zu erzeugen;
- (e) eine Stromspiegeleinrichtung, die zwischen den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors und dem ersten Anschluß liegt, um einen dritten Strom in dem Kollektor des ersten Transistors zu erzeugen, der proportional zu dem ersten Strom ist, wodurch der erste und dritte Strom einen positiven Temperatur koeffizienten und der zweite Strom einen negativen Korrekturkoeffizienten hat und einen Strom in dem ersten und zweiten Anschluß fließt, dessen Tempera turkoeffizient durch das Verhältnis der Widerstands werte der ersten und zweiten Widerstandseinrichtung festgelegt ist.
2. Stromquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromspiegeleinrichtung einen vierten Tran
sistor aufweist, der eine erste stromführende Elek
trode hat, die mit dem ersten Anschluß verbunden ist,
eine zweite, stromführende Elektrode hat, die mit dem
Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, und
eine Steuerelektrode hat, die mit der zweiten strom
führenden Elektrode verbunden ist, und einen fünften
Transistor aufweist, der eine erste stromführende
Elektrode hat, die mit dem ersten Anschluß verbunden
ist, eine zweite stromführende Elektrode hat, die mit
dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist,
und eine Steuerelektrode aufweist, die mit der
Steuerelektrode des vierten Transistors verbunden
ist.
3. Stromquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet
daß die Stromspiegelvorrichtung einen vierten Tran
sistor aufweist, der eine mit dem ersten Anschluß
verbundene erste stromführende Elektrode, eine mit
dem Kollektor des zweiten Transistors verbundene
zweite stromführende Elektrode und eine Steuerelek
trode hat, die mit der zweiten stromführenden Elek
trode verbunden ist, und einen fünften Transistor
aufweist, der eine mit dem ersten Anschluß verbundene
erste stromführende Elektrode, eine mit dem Kollektor
des ersten Transistors verbundene zweite stromführen
de Elektrode und eine mit der Steuerelektrode des
vierten Transistors verbundene Steuerelektrode auf
weist.
4. Stromquelle nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
einen vierten Transistor, der eine mit der Strom
spiegeleinrichtung verbundene erste stromführende
Elektrode, eine mit dem Kollektor des zweiten Tran
sistors verbundene zweite stromführende Elektrode und
eine mit dem Kollektor des ersten Transistors ver
bundene Steuerelektrode aufweist.
5. Stromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet,
daß der dritte Transistor ein bipolarer Transistor
ist, dessen Steuerelektrode eine Basis, dessen erste
stromführende Elektrode ein Emitter und dessen zweite
stromführende Elektrode ein Kollektor ist.
6. Stromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet,
daß der dritte Transistor ein Feldeffekttransistor
ist, dessen Steuerelektrode ein Gate, dessen erste
oder zweite stromführende Elektrode eine Source und
dessen andere stromführende Elektrode ein Drain ist.
7. Stromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekenn
zeichnet durch
einen vierten Transistor,
wobei der dritte und vierte Transistor NPN-Transisto ren sind,
wobei der vierte Transistor mit einem Emitter an den Emitter des dritten Transistors und die Basis des zweiten Transistors angeschlossen ist,
wobei der dritte und vierte Transistor eine Differen tialverstärkerschaltung mit einer Stromspiegelein richtung bilden, welche als Lastschaltung für den dritten und vierten Transistor angeschlossen sind,
wobei die Differentialverstärkerschaltung einen fünf ten Transistor aufweist, der eine Basis, einen Emitter und einen Ausgangsknoten hat, der mit dem Kollektor entweder des dritten oder des vierten Tran sistors verbunden ist und mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist, und
wobei der Emitter des fünften Transistors mit dem dritten und dem vierten Widerstand verbunden ist, um einen ersten und einen dritten Strom zu den Kollek toren des ersten und zweiten Transistors zuzuführen.
einen vierten Transistor,
wobei der dritte und vierte Transistor NPN-Transisto ren sind,
wobei der vierte Transistor mit einem Emitter an den Emitter des dritten Transistors und die Basis des zweiten Transistors angeschlossen ist,
wobei der dritte und vierte Transistor eine Differen tialverstärkerschaltung mit einer Stromspiegelein richtung bilden, welche als Lastschaltung für den dritten und vierten Transistor angeschlossen sind,
wobei die Differentialverstärkerschaltung einen fünf ten Transistor aufweist, der eine Basis, einen Emitter und einen Ausgangsknoten hat, der mit dem Kollektor entweder des dritten oder des vierten Tran sistors verbunden ist und mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist, und
wobei der Emitter des fünften Transistors mit dem dritten und dem vierten Widerstand verbunden ist, um einen ersten und einen dritten Strom zu den Kollek toren des ersten und zweiten Transistors zuzuführen.
8. Stromquelle mit zwei Anschlüssen, gekennzeichnet
durch folgende Merkmale:
- (a) einen ersten und einen zweiten Anschluß;
- (b) eine erste Stromquelleneinrichtung, die zwischen dem ersten und zweiten Anschluß liegt, um lediglich einen Strom mit positiven Temperaturkoeffizienten von dem ersten Anschluß aufzunehmen und um lediglich einen Strom mit einem positiven Temperaturkoeffizien ten zu dem zweiten Anschluß zuzuführen;
- (c) eine zweite Stromquelleneinrichtung, die zwischen dem ersten und zweiten Anschluß liegt, um lediglich einen Strom mit negativen Temperaturkoeffizienten von dem ersten Anschluß aufzunehmen und lediglich einen Strom mit negativen Temperaturkoeffizienten zu dem zweiten Anschluß zuzuführen; und
- (d) eine Einrichtung zum wahlweisen Steuern der Größe der Ströme mit positiven und negativen Temperatur koeffizienten eines Gesamtstromes zu steuern, der gleich der Summe der Ströme mit positiven und nega tiven Temperaturkoeffizienten ist, die durch den ersten und zweiten Anschluß fließen.
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---|---|---|---|
US07/121,652 US4792748A (en) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | Two-terminal temperature-compensated current source circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3836338A1 true DE3836338A1 (de) | 1989-05-24 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3836338A Withdrawn DE3836338A1 (de) | 1987-11-17 | 1988-10-25 | Temperaturkompensierte stromquellenschaltung mit zwei anschluessen |
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DE (1) | DE3836338A1 (de) |
FR (1) | FR2623307B1 (de) |
GB (1) | GB2212633B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004004305A1 (de) * | 2004-01-28 | 2005-08-18 | Infineon Technologies Ag | Bandabstands-Referenzstromquelle |
DE10047620B4 (de) * | 2000-09-26 | 2012-01-26 | Infineon Technologies Ag | Schaltung zum Erzeugen einer Referenzspannung auf einem Halbleiterchip |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4943737A (en) * | 1989-10-13 | 1990-07-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | BICMOS regulator which controls MOS transistor current |
US5038053A (en) * | 1990-03-23 | 1991-08-06 | Power Integrations, Inc. | Temperature-compensated integrated circuit for uniform current generation |
US5121049A (en) * | 1990-03-30 | 1992-06-09 | Texas Instruments Incorporated | Voltage reference having steep temperature coefficient and method of operation |
IT1244341B (it) * | 1990-12-21 | 1994-07-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Generatore di tensione di riferimento con deriva termica programmabile |
US5198701A (en) * | 1990-12-24 | 1993-03-30 | Davies Robert B | Current source with adjustable temperature variation |
IT1252324B (it) * | 1991-07-18 | 1995-06-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito integrato regolatore di tensione ad elevata stabilita' e basso consumo di corrente. |
US5241261A (en) * | 1992-02-26 | 1993-08-31 | Motorola, Inc. | Thermally dependent self-modifying voltage source |
US5334929A (en) * | 1992-08-26 | 1994-08-02 | Harris Corporation | Circuit for providing a current proportional to absolute temperature |
GB9223338D0 (en) * | 1992-11-06 | 1992-12-23 | Sgs Thomson Microelectronics | Low voltage reference current generating circuit |
US5430367A (en) * | 1993-01-19 | 1995-07-04 | Delco Electronics Corporation | Self-regulating band-gap voltage regulator |
GB9304954D0 (en) * | 1993-03-11 | 1993-04-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Reference current generating circuit |
US5402061A (en) * | 1993-08-13 | 1995-03-28 | Tektronix, Inc. | Temperature independent current source |
DE4416711C1 (de) * | 1994-05-11 | 1995-08-03 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzstroms |
US5621307A (en) * | 1995-07-21 | 1997-04-15 | Harris Corporation | Fast recovery temperature compensated reference source |
US5701071A (en) * | 1995-08-21 | 1997-12-23 | Fujitsu Limited | Systems for controlling power consumption in integrated circuits |
US5637993A (en) * | 1995-10-16 | 1997-06-10 | Analog Devices, Inc. | Error compensated current mirror |
US5818294A (en) * | 1996-07-18 | 1998-10-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature insensitive current source |
GB2332760A (en) * | 1997-12-24 | 1999-06-30 | Motorola Inc | Low voltage stabilised current source |
GB2338803B (en) * | 1998-06-24 | 2002-10-09 | Motorola Inc | Temperature compensation arrangement and current reference circuit |
US6124753A (en) * | 1998-10-05 | 2000-09-26 | Pease; Robert A. | Ultra low voltage cascoded current sources |
JP2001092545A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | セルフバイアス回路 |
US6351111B1 (en) * | 2001-04-13 | 2002-02-26 | Ami Semiconductor, Inc. | Circuits and methods for providing a current reference with a controlled temperature coefficient using a series composite resistor |
US6630818B1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-07 | Intel Corporation | Current mirror circuits |
US6667608B2 (en) * | 2002-04-22 | 2003-12-23 | King Billion Electronics Co., Ltd. | Low voltage generating circuit |
WO2003093848A1 (en) | 2002-05-03 | 2003-11-13 | Mcgill University | Method and device for use in dc parametric tests |
US6737849B2 (en) * | 2002-06-19 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Constant current source having a controlled temperature coefficient |
EP1561153A4 (de) * | 2002-09-16 | 2007-08-01 | Atmel Corp | Temperaturkompensierte stromreferenzschaltung |
US7286002B1 (en) * | 2003-12-05 | 2007-10-23 | Cypress Semiconductor Corporation | Circuit and method for startup of a band-gap reference circuit |
US7498868B2 (en) * | 2005-08-05 | 2009-03-03 | Denso Corporation | Current mirror circuit and constant current circuit having the same |
AU2010206053B2 (en) | 2009-07-31 | 2014-08-07 | ResMed Pty Ltd | Wire Heated Tube with Temperature Control System, Tube Type Detection, and Active Over Temperature Protection for Humidifier for Respiratory Apparatus |
JP5554134B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-07-23 | ローム株式会社 | 電流生成回路およびそれを用いた基準電圧回路 |
NZ743034A (en) * | 2013-02-01 | 2019-12-20 | ResMed Pty Ltd | Wire heated tube with temperature control system for humidifier for respiratory apparatus |
CN114546019B (zh) * | 2021-08-24 | 2022-12-23 | 南京航空航天大学 | 一种温度系数可调的基准电压源 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5221649A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-18 | Toshiba Corp | Constant-voltage circuit |
US4030023A (en) * | 1976-05-25 | 1977-06-14 | Rockwell International Corporation | Temperature compensated constant voltage apparatus |
US4123698A (en) * | 1976-07-06 | 1978-10-31 | Analog Devices, Incorporated | Integrated circuit two terminal temperature transducer |
US4091321A (en) * | 1976-12-08 | 1978-05-23 | Motorola Inc. | Low voltage reference |
US4447784B1 (en) * | 1978-03-21 | 2000-10-17 | Nat Semiconductor Corp | Temperature compensated bandgap voltage reference circuit |
US4302718A (en) * | 1980-05-27 | 1981-11-24 | Rca Corporation | Reference potential generating circuits |
US4342926A (en) * | 1980-11-17 | 1982-08-03 | Motorola, Inc. | Bias current reference circuit |
US4352056A (en) * | 1980-12-24 | 1982-09-28 | Motorola, Inc. | Solid-state voltage reference providing a regulated voltage having a high magnitude |
US4460865A (en) * | 1981-02-20 | 1984-07-17 | Motorola, Inc. | Variable temperature coefficient level shifting circuit and method |
US4380728A (en) * | 1981-05-19 | 1983-04-19 | General Motors Corporation | Circuit for generating a temperature stabilized output signal |
NL8103813A (nl) * | 1981-08-14 | 1983-03-01 | Philips Nv | Stroomstabilisatieschakeling. |
JPS5880718A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 基準電圧発生回路 |
US4450367A (en) * | 1981-12-14 | 1984-05-22 | Motorola, Inc. | Delta VBE bias current reference circuit |
CA1215434A (en) * | 1984-01-09 | 1986-12-16 | James A. Mckenzie | Bias current reference circuit having a substantially zero temperature coefficient |
US4590419A (en) * | 1984-11-05 | 1986-05-20 | General Motors Corporation | Circuit for generating a temperature-stabilized reference voltage |
JPS61154303A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-14 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
US4622512A (en) * | 1985-02-11 | 1986-11-11 | Analog Devices, Inc. | Band-gap reference circuit for use with CMOS IC chips |
US4673867A (en) * | 1986-06-30 | 1987-06-16 | Motorola, Inc. | Current mirror circuit and method for providing zero temperature coefficient trimmable current ratios |
US4677368A (en) * | 1986-10-06 | 1987-06-30 | Motorola, Inc. | Precision thermal current source |
US4683416A (en) * | 1986-10-06 | 1987-07-28 | Motorola, Inc. | Voltage regulator |
-
1987
- 1987-11-17 US US07/121,652 patent/US4792748A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-25 GB GB8812432A patent/GB2212633B/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-27 JP JP63159022A patent/JPH01143510A/ja active Granted
- 1988-08-11 FR FR888810831A patent/FR2623307B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-25 DE DE3836338A patent/DE3836338A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10047620B4 (de) * | 2000-09-26 | 2012-01-26 | Infineon Technologies Ag | Schaltung zum Erzeugen einer Referenzspannung auf einem Halbleiterchip |
DE102004004305A1 (de) * | 2004-01-28 | 2005-08-18 | Infineon Technologies Ag | Bandabstands-Referenzstromquelle |
US7112947B2 (en) | 2004-01-28 | 2006-09-26 | Infineon Technologies Ag | Bandgap reference current source |
DE102004004305B4 (de) * | 2004-01-28 | 2007-05-10 | Infineon Technologies Ag | Bandabstands-Referenzstromquelle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2623307B1 (fr) | 1991-08-09 |
JPH0570326B2 (de) | 1993-10-04 |
GB2212633A (en) | 1989-07-26 |
JPH01143510A (ja) | 1989-06-06 |
US4792748A (en) | 1988-12-20 |
GB8812432D0 (en) | 1988-06-29 |
FR2623307A1 (fr) | 1989-05-19 |
GB2212633B (en) | 1992-01-08 |
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DE1921936C3 (de) | Stromversorgungsschaltung insbesondere für eine Differenzverstärkerstufe |
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