DE2846202C3

DE2846202C3 - PNP-Stromspiegelschaltung

Info

Publication number: DE2846202C3
Application number: DE2846202A
Authority: DE
Inventors: Kenneth J. Trumansburg N.Y. Burdick (V.St.A.)
Original assignee: GTE Sylvania Inc
Current assignee: Osram Sylvania Inc
Priority date: 1977-10-31
Filing date: 1978-10-24
Publication date: 1980-08-07
Also published as: US4103249A; DE2846202A1; DE2846202B2

Description

e) dritte und vierte NPN-Transistoren (Q₈ und Q₉) vorgesehen sind, deren Basisanschlüsse miteinander sowie mit dem Collector des Transistors (Q₆) verbunden sind sowie außerdem mit den verbundenen Basis-Anschlüssen de* Transistoren (Q₆ und Q₇), daß der Collector des Transistors (Q₉) an den Emitter des Transistors (Q₄) angeschlossen ist und daß die beiden Emitter der beiden Transistoren (Q_g und Q₉) mit der zweiten Gleiehspannungsquelle ( K₂) verbunden sind.

6. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschichten der genannten PNP-Transistoren (Q₆ und Q₇) im gleichen Verhältnis stehen wie die Widerstandswerte der beiden Widerstände (1 und 2).

7. PNP-Stromspiegelschalt5,?!ig nach Anspruch S, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleiehspannungsquelle (K₃) gebildet wird, indem zwischen ihr und der ersten Gleiehspannungsquelle (K₁) ein fünfter Widerstand (5) liegt und indem zwischen der dritten Gleiehspannungsquelle (K₃) und der zweiten Gleiehspannungsquelle ( K₂) eine Reihenschaltung bestehend aus einem sechsten Widerstand (6), zwei als Dioden geschalteten NPN-Transistoren (Q₁₀ und Q₁₁) mit einem ebenfalls als Diode geschalteten PNP-Transistor (Q₁₂) liegt.

Die Erfindung betrifft eine PNP-Stromspiegelschaltung nach dem Oberbegriff des ersten Anspruchs.

Bekanntlich besitzt eine solche Schaltung einen

Eingangstransistor, der als Diode geschaltet ist, und gewöhnlich einen identischen Ausgangstransistor, wobei die Basis- und Emitteranschlüsse der beiden miteinander verbunden sind. Zum Betrieb liegen beide Emitter an einer Spannungsquelle, und der

Strom durch den Collector des Ausgangstransistors wird von dem Strom im Collector-Basis-Anschluß des Eingangstransistors gesteuert. Beide Transistoren können vom NPN- oder PNP-Typ sein. Obwohl iden-

tische Transistoren benutzt werden, differiert der Eingangsgleichstrom als Betrag von dem Ausgangsgleichstrom um dje Summe der Basisströme beider Transistoren, Der Eingangswechselstrom differiert in Betrag und Phase von dem Ausgangswechselstrom wegen der anhaftenden parasitären und von der Laufzeit abhängigen Degradation, Alle bisherigen Verbesserungsversuche, wie die sogenannte Wilson-Quelle und verschiedene Kaskadenschaltungen, verbesserten nicht das Frequenzverhalten.

Eine gesteuerte Stromquellenschaltung oder Stromspiegelschaltung ist bei der Konstruktion und Herstellung von integrierten Schaltungen bereits bekannt, da sie den speziellen Erfordernissen dieser Technik entgegenkommt, insbesondere hinsichtlich geringstem Platzbedarf und der konsequenten Notwendigkeit, große Kapazitäts- und Widerstandswerte zu vermeiden. Vorzugsweise wurde bei der Konstruktion von Stromspiegelschaltungen mit NPN-Transistoren gearbeitet, weil die NPN-Transistor-Elemente vertikale Geometrie-Struktur verwendeten und eine hohe Stromverstärkung sowie kurze Laufzeiten (short transist time) erzielten. Wenn die Konstruktionsanforderungen jedoch die Verwendung von PNP-Stromspiegelschaltungen diktieren und wenn Kostenüberlegungen es verbieten, andere Fabrikationstechniken als die konventionelle laterale Geometrie-Struktur von PNP-Transistor-Elementen zu verwenden, dann muß ein Ausgleich für geringe Stromverstärkung und für lange Laufzeit sowie die hohen Werte der Basisströme gefunden werden.

Eine PNP-Stromspiegelschaltung ist der US-PS 3909618 zu entnehmen. Diese Lösung bat jedoch Nachteile wie Versatzströme, schlechte Eignung für hohe Frequenzen und keine Maßnahme zur Temperaturkompensation.

Dem Anmeldungsgegenstand liegt die Aufgabe zugrunde, Versatzströme zu vermeiden, die Eigenschaften für hohe Frequenzen zu verbessern und außerdem die Maßnahme zur Temperaturkompensation vorzusehen.

Für eine gemäß dem Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 aufgebaute Stromspiegelschaltung wird diese Aufgabe durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen sind den weiteren Ansprüchen und der Beschreibung zu entnehmen.

Nach der Erfindung sind beide Emitter der beiden PNP-Transistoren über jeweils einen Widerstand, wobei beide bzgl. ihrer Widerstandswerte in einem bestimmten Verhältnis stehen, an einer ersten Gleichspannungsquelle angeschlossen. Die Collectoren der beiden Transistoren sind jeweils an eine Stromvorspannungsschaltung angeschlossen, die zwei Stromquellen enthält. Die Emitterströme werden jeweils am Emitteranschluß abgegriffen und stehen in einem bestimmten Verhältnis zueinander. Der hochimpedante Ausgangsspiegelstrom wird über einen NPN-Transistor einer Ausgangsschaltung zugeführt., Die beiden Gleichstromquellen in der Stromvorspannungsschaltung haben derartige feste Werte, daß die Basis-Emitter-Grenzschichteti-Ströme und -Spannungen der beiden Transistoren auch identisch sind. Hierdurch wird erreicht, daß kein Gleichstromversatz auftritt zwischen den Spiegelströmen. In der Stromvorspannungsschaltung ist dafür fßrge getragen, daß Ströme mit gewünschter Verhältnisbeziehung geliefert werden, die bezüglich des Versatzes der Stromspannung korrigiert sind, Diese Schaltung liefert vorteilhafterweise die Vermeidung von Versatzströmen, sie ist geeignet für hohe Frequenzen und ist mit einer Tempe-

raturkompensation ausgestattet. Nachfolgend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung besprochen. Es zeigt

Fig. 1 eine prinzipielle Stromspiegelschaltung nach dem Stand der Technik,

Fig. 2 die erfindungsgemäße Stromspiegelschaltung,

Fig. 3 eine Zusatzschaltung zur Temperaturkompensation, die in die Schaltung der Fig. 2 einzufügen ist.

Entsprechende Positionen in den Figuren besitzen gleiche Bezugsziffern.

In Fig. 1 sind die beiden PNP-Transisioren Q₁ und Q₁ so geschaltet, daß die Emitter- und Basis-Anschlüsse parallel liegen, Q₁ ist außerdem als Diode

geschaltet, indem die Basis mit dem I.'ollector verbunden ist. Wenn Q₁ und Q₂ identische Tra:isistoren sind, so wie es üblich ist bei der Technik zur Herstellung von integrierten Schaltungen, dann sind die Ströme J₁ und J₂ in einem Verhältnis, daß leicht als β + 2

zu β bestimmt werden kann, wobei β üblicherweise als Verhältnis des CoIIectorstromes zum Basisstrom bezeichnet ist, wenn Veränderungen der Collector-Emitter-Spannung eintreten. Für große Werte für ß, wie sie bei Anwendung der vertikalen Geometrie-

jo Struktur bei der Herstellung von integrierten Schaltungen mit NPN-Transistoren üblich sind, ist das Verhältnis von ,/, zu J₂ fast Einheit (eins). Jedoch bei lateraler Geometrie-Struktur bei der Herstellung von integrierten Schaltungen mit PNP-Transistoren liegen

J5 /3-Werte zwischen 5 bis 15, wodurch Ströme /, und J₂ nicht mehr im Verhältnis Einheit sind. Zusätzlich ist die Bandbreite des Frequenzverlaufs bei PNP-Stromspiegelschaltungen sehr schmal, weil ein Verlust an Signalübertragung durch eine parasitäre Kapazität und eine übermäßig lange Laufzeit eintritt.

F >g. 2 zeigt an dem Eingangsanschluß den J₁ und an dem Ausgangsanschluß den J₂ entsprechenden Pfeil. Die Transistoren Q₁, Q₂ und Q₃ sowie, die Widerstände 1 und 2 wie auch die Stromvorspannungs-

schaltung 10 bilden die Stromspiegelschaltung. Konstante oder Gleichstromquellen sind mit V , V₂ und V₃ bezeichnet und haben eine Beziehung V_x > V₃> V₂ zueinander. Eine der Quellen kann Masse- oder Referenzpotential sein.

μ Gewöhnlich werden die Widerstände 1 und 2 gleichzeitig gebildet während der Fabrikation und haben bei der Beziehung Einheit (oder eins) identische Werte Die Widerstände 1 und 2 liegen mit ihrem einen Anschluß an der Quelle V₁ und mit ihrem anderen

Anschluß jeweils an einem Emitteranschluß von Q₁ bzw. Q₂. Beide Basisanschlüsse von Q₁ und Q₂ sind miteinander und mit dem Collector von Q₁ verbunden. Die Collectoren beider Transistoren Q₁ und Q₂ liegen respektiv an Anschlußpunkten der Stromvor-

spannungsschaltung IQ, die die Gleichströme J_Si und J_S2 steuert. Der Ausgangstransistor Q₃ ist eine NPN-Konstruktion, wobei sein Collector mit dem Emitter von Q₂ verbunden ist und seine Basis an dem Collectoranschluß von Q₂ liegt. Eine Eingangsschaltung ist

an die Verbindungsstelle des Emitters von Q₁ und dem Widerstand 1 angeschlossen. Die Eingangsschaltung setzt sich aus anderen Sektionen der integrierten Schaltung und daran angeschlossenen Schaltungen

zusammen. Der Strom J₁ hat gewöhnlich Gleich' und Wechselstfomanteile. Eine Ausgangsschaltung ist am Emitter des Transistors Q₃ angeschlossen und kann ebenfalls aus anderen Sektionen der integrierten Schaltung und an diese angeschlossene Schattungen bestehen. Die Eingangs- und die Ausgangsschaltung gen sind als separate Elemente dargestellt und sind an die zweite Gleichstromquelle V₁ angeschlossen, obwohl es für Fachleute in dieser Technik selbstverständlich ist, daß tatsächliche Eingangs- und Aus* gangsschaltungen nicht vollständig getrennt sind und in der Tat gemeinsame Komponenten haben können. Die Ein- und Ausschaltungen können auch im allgemeinen bezogen werden auf irgendeine Quelle von Gleichstrom, die eine feste Beziehung zur ersten, V₁ π oder zweiten, V₂ Gleichstromquelle hat.

Die Stromvorspannungsschaltung 10 verursacht den Gleichstrom J_t, von dem Collector von O₁. an dem die Basis von Q₁ und von Q₂ angeschlossen ist, zu fließen. Die Schaltung 10 veranlaßt auch den -'o Gleichstrom J₅₂ zu fließen vom Collector von Q₂, ebenso den Basisstrom von Q₃, der aber von vernachlässigbarer Größe sein kann. Um die Einheits-Beziehung zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangsstrom zu erreichen, werden diese Ströme J₅₁ und J₅₂ so eingestellt, daß sie im Betrag um die Summe der Basisströme J_BX und J_B2, die von den Transistoren Q_x beziehungsweise Q₂ fließen, sich im wesentlichen unterscheiden, wodurch der Basis-Emitter-Strom und die Spannungswerte der identischen Transistoren Q₁ m und Q₂ grundsätzlich gleich werden.

Der Spannungsabfall am Widerstand 1 ist im wesentlichen gleich dem Spannungsabfall am Widerstand 2. Er kann sich nur unterscheiden durch irgendeine Differenzsspannung zwischen Basis und Emitter )5 der Transistoren Q₁ und Q₂. Diese Spannungen sind aber weitgehend gleich durch die Einstellung der Ströme /_5| und J₅₂. Deshalb werden die Ströme J_x und /, im wesentlichen gleich, da in der Fabrikation die Widerstände 1 und 2 im wesentlichen gleiche -to Werte haben. Zur weiteren Erklärung kann die Bezie- © '—-1 *-" ~3 «"■»-■■ wiv ui^iviiuiig gereuen weiden:

ströme Λ, und J₅₁ geeignet ausgewählt sind.

Wie Fig. 2 weiter zeigt, ist die Stromvorspannungsschaltung 10 mit den beiden NPN-Transistoren Q₄ und Q₅ ausgestattet, deren Collectoren die Ströme J_5x und L₁ ziehen. Die Basisanschlüsse beider Transistoren Q₄ und Q₅ sind miteinander verbunden und liegen an einer dritten Potentialquelle V₁ (deren Einzelheiten nicht dargestellt sind). Die Emitter sind mit den Widerständen i resp, 4 verbunden und diese leiten zu den Emitteranschlüssen der dritten fesp. vierten PNP-Transistoren Q₆ und Q₇, die normalerweise gleichzeitig hergestellt werden, um identisch mit den PNP-Transistoren Q₁ und Q₂ zu sein. Die Basisanschlüsse der Transistoren Q₆ und Q₇ sind miteinander verbunden sowie mit dem Collector-Basis-Anschluß des dritten NPN-Transistors Q_g, der als Diode geschaltet ist, und mit der Basis des vierten NPN-Transistors O₅. Die Collectoren der Transistoren Q. und Q₇ sowie die Emitter der Transistoren Q₈ und Q₉ liegen gemeinsam an der zweiten Gleichstromquelle V₂. Die dritten und vierten NPN-Transistoren Q₈ und Q₉ bilden einen NPN-Stromspiegel. Die Basis-Emitter-Anschlüsse des Transistors Q₉ sind parallel geschaltet zu den Basis-Emitter-Anschlüssen des Transistors Q₈. Der Collector-Anschluß von Transistor Q₉ ist mit dem Emitteranschluß des Transistors Q₄ verbunden.

Wenn es gewünscht wird, daß die Beträge der Ströme J_x und J₁ das Einheits-Verhältnis (eins) haben, werden die Widerstände 3 und 4 gleichzeitig gefertigt, um identische Werte zu erzielen. Dann ist der Strom durch jeden der Widerstände im wesentlichen bestimmt durch die Spannungsdifferenz der Quellen V₂ und K₃, wenn man die Emitter-Basis-Spannungen der Transistoren Q₄, Q₅, Q₆, Q₇ und Q₈ vernachlässigt. Wenn man annimmt, daß die NPN-Transistoren Q₄, Q₅, Qt und Q₉ hohe Stromverstärkung und folglich vernachlässigbare Basisströme haben, dann sind die Ströme J_5x und J₅₁ gleich den entsprechenden Strömen durch die Widerstände 3 und 4, ausgenommen den Strom, der über die Verbindung am Emitter des Transistors Q₄ zum Collector des Transistors Q₉ fließt.

-J^R₁-J₃R₁ = J^R₁-J₁₁R₁ + V_tbl- V_ebv wobei R₁ und R₂ die Werte der Widerstände 1 und 2 sind. J_cX und J_r2 die Emitterströme der Transistoren Q_x und Q₂, K_rtlund V_eb2 die Emitter-Basis-Spannungen von Q₁ und Q₁. Wenn gleiche Werte von R_x und R, vorliegen und die Vorspannungen von Q₁ und Q₂ ,o übereinstimmen, dann löschen sich alle Ausdrücke auf der rechten Seite der Gleichung aus. Dadurch wird J₁ gleich Jy Die obige Gleichung enthält selbstverständlich keine Ausdrücke für Wechselstromdifferenzen zwischen J₁ und J₃ durch parasitäre oder Laufzeit bedingte Erscheinungen.

Der Ausgangsstrom J₂ liegt im wesentlichen gleich J₃, dem Collectorstrom des NPN-Transistors Q₃. Die Transistoren Q₂ und Q₃ bilden einen zusammengesetzten Transistor, wobei Q₃ notwendig ist, um die geringe Verstärkung des PNP-Transistors Q₁ zu kompensieren, während Q₃ gleichzeitig als stromgesteuerte Quelle mit hoher Impendanz für den Strom J₂ dient. In einer Ausführung mit gleichen Widerständen 1 und 2 ist der Strom J₂ weitgehend gleich dem es Strom J₁ über ein weites Frequenzband und somit der Gleichstromversatz gleich Null, wenn die Widerstände 1 und 2 gleich sind und die Vorspannungs-

TT cn uic WUIiCiIUf Mfuiilc uci luclitiscncii l f aiisisiui cn

Qv Qv Ö3 ^ur|d Q₄ im wesentlichen gleich sind, indem sie festliegen durch die Spannungsabfälle an den Widerständen 3 und 4, werden die Basisströme J_BV J_B2, J_B6 und J_BV die aus diesen Transistoren fließen, normalerweise identisch sein. Die Basisströme J_B6 und Jg₁ der Transistoren Q₆ und Q₇ werden an der elektrischen Verbindungsstelle am Eingang des aus den Transistoren Q₈ und Q₉ gebildeten Stromsniegels hinzugeben. Der Ausgang des Stromspiegels J₈₆ plus J₈₁ wird dem Strom durch den Widerstand 3 hinzugefügt, und zwar an der Verbindungsstelle des Emitters von Transistor Q₄ mit dem Widerstand 3. Als Folge davon ergibt es sich, daß die Ströme Z₅₁ und J₅₁ um die Summe J_B6 plus J₈₁ differieren (das gleicht J_8x plus /_BI), und hierdurch werden die Transistoren Q₁ und Q₂ so vorgespannt, daß die Basis-Emitter-Grenzschichten mit im wesentlichen identischen Strömen und Spannungen gesteuert werden.

Die Stromvorspannungsschaltung 10 sollte vorzugsweise eine hohe Ausgangsimpedanz haben, um so die Bandbreite des Frequenzganges des Stromspiegels zu vergrößern. In der gezeigten Ausbildung haben die Ausgangsimpedanzen der NPN-Transistoren Q₄ und Q₅ die geforderte große Impedanz,

Der Stromspiegel dieser Erfindung kann zur Lieferung eines von der Einheit »Eins« abweichenden

Stromverhältnisses zwischen Eingangs- und Ausgangsströmen benutzt werden, indem die entsprechenden von der Einheit »Eins« abweichenden Stromverhältnisse zwischen den Widerstandswerten der Widerstände 1 und 2 wie auch zwischen den Werte·* der Widerstände 3 und 4 fabriziert werden. Eine ähnliche Analyse ergibt, daß die Summe der Ströme J_Bt und J_B7 im wesentlichen gleich der Summe der Ströme J_B] und A₂ ist, vorausgesetzt, daß die Transistoren O₁ und Q₆ sowie Q₂ Jnd Q₇ grundsätzlich identisch sind. Jedoch folgt aus der vorangehenden Gleichung ein geringfügiger Gleichstromversatz, wenn ein von der Einheit »Eins« abweichendes Verhältnis der Widerstände R_x und R₂ benutzt wird, das von der Differenz zwischen K,_M und V_rh2, den Emitter-Basis-Spannungen der identischen Transistoren Q₁ und Q,, verursacht wird. Wenn die Schaltung so konzipiert wird, daß jene Emitter-Basis-Spannungen klein sind, verglichen mit den Spannungsabfällen an den Widerständen 1 und 2, dann kann der geringfügige Gleichstromversatz zwischen den Eingangs- und Ausgangsströmen vernachlässigt werden. Der Gleichstromversatzfehler kann im wesentlichen eliminiert werden, indem die Emitter-Basis-Spannungen bei der Fabrikation gleich gemacht werden durch Herstellung von Flächen unterschiedlicher Größen der Emitter-Basis-Grenzschicht der identischen Transistoren Q₁ und Q₆ verglichen mit den entsprechenden Flächen der Emitter-Basis-Grenzschicht der im wesentlichen identischen Transistoren Q₂ und Q₁. Idealerweise sollten diese genannten Grenzschichtflächen der Transistoren Q_x und Q₆ zu den entsprechenden Grenzschichtflächen der Transistoren Q₂ und Q₇ sich verhalten wie der Widerstandswert des Widerstandes 2 zu dem Widerstandswert des Widerstandes 1, dadurch wird die Stromdichte in den Grenzschichten gleich. Das führt zu gleichen Grenzschichtspannungen, während gleichzeitig korrekte Basisstrom-Kompensation erzielt wird.

Beim Betrieb der Schaltung wurde festgestellt, daß die Punktion nicht von den absoluten Werten der Wi derstände 1,2,3 und 4 noch von den absoluten Wer ten der Transistorparameter abhängt. In Überein Stimmung mit den bevorzugten Konstruktionsmetho den für lineare integrierte Schaltungen hängt dii Funktion der Schaltung von der Tatsache ab, daß ahn liehe Elemente, die auf einem einzelnen Halbleiter plättchen (chip) fabriziert werden, generell identisch* Kenndaten haben, und solche identische Kenndatei können temperaturabhängig sein und abweichen be den gleichen Elementen auf einem anderen Halblei terplättchen. Es ist auch noch festzuhalten, daß be der gegenwärtigen Technologie für die Konstruktior der Schaltung die Platzbegrenzung es erforderlich macht, daß die Widerstände 1, 2, 3 und 4 einige Hun dert Ohm aufweisen.

Die Schaltung nach Fig. 3 stellt eine temperaturkompensierte Quelle für die dritte Gleichstromquelle V_} dar, die in Verbindung mit der Stromvorspannungsschaltung 10 nach Fig. 2 verwendet werder kann, um so den separaten Anschluß für diese Quelle einzusparen. Die Stromerfordernisse der Quelle V setzen sich zusammen aus den Basisströmen dei NPN-Transistoren Q₄ und Q₅, die vernachlässigbai sind. Der Strom J₅ wird im wesentlichen bestimm¹ durch die Differenz der Werte von V_x und V₂, geteil· durch die Summe der Werte des fünften und sechster Widerstandes 5 und 6. Die Transistoren Q₁₀, Q₁₁ unc Q₁₂ sind als Dioden geschaltet und sind in Reihe mil dem Widerstand 6 geschaltet, um Temperaturkompensation für Änderungen der Parameter der Transistoren Q₅, Q₁ und Q₈ sowie parallel-operierendei Transistoren zu liefern. Diese Schaltung arbeitet als Spannungsteiler und proportioniert die Potentialdifferenz zwischen den Quellen V_x und V₂. Der fünfte Widerstand 5 verbindet die Quellen V_x und V₃ miteinander, und die Reihenschaltung, bestehend au; dem sechsten Widerstand 6 und dem PNP-Transistoi Q₁₁ und den NPN-Transistoren Q₁₀ und Q₁₂, verbindet die Quellen V₃ und K, miteinander.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Aus PNP-Transistoren aufgebaute Stromspiegelschaltung, bestehend aus einem ersten und einem zweiten Transistor, hergestellt in lateraler Geometrie-Struktur einer integrierten Schaltung, wobei die Emitter- und Basis-Anschlüsse des ersten Transistors miteinander verbunden sind und wobei ein dritter Transistor vom NPN-Typ vorgesehen ist, dessen Basis mit dem Collector des zweiten Transistors verbunden ist und der Collector des dritten Transistors mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist und wobei je ein Widerstand jeweils am Emitter der beiden ersten Transistoren angeschlossen ist, und die freien Anschlüsse der Widerstände an eine erste Gleichspannungsquelle geführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß an den Collectoren der PNP-Transistoreft (Q₁ und Q₂) eine Stromvorspannungsschaltung (IQ) angeschlossen ist und Ströme (Z₅₁ und /_S2) liefert, deren Beträge um die Summe der Basisströme (4i und ^₂) der Transistoren (Q₁ und Q₂) differiert, daß am Emitter des Transistors (Q₁) eine Eingangsschaltung und am Emitter des NPN-Transistors (Q₃) eine Ausgangsschaltung angeschlossen ist, und daß diese Stromvorspannungsschaltung (10) einen Anschluß hat, der mit einer dritten Gleichspannungsquelle ( K₃) verbunden 8ist.

2. PNP-Strgmspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die feste Beziehung der Ströme (J₅₁ uiu/ /_J2) dem Verhältnis der Widerstandswertfc dar beiden Widerstände (1 und 2) entspricht.

3. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromvorspannungsschaltung (10) derart ausgebildet ist, daß eine solche feste Beziehung zwischen den Strömen (Λ, und /,^besteht, daß der Strom (J₅₁) im wesentlichen gleich der Summe der Ströme durch die Basisverbindung der beiden PNP-Transistoren (Q₁ und Q₂) ist und umgekehrt proportional zu den Widerstandswerten der Widerstände (1 und 2) multipliziert mit dem Betrag des Stromes CW ^ist-

4. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschicht des zweiten PNP-Transistors (Q₂) in einem Verhältnis zu der Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschicht des ersten PNP-Transistors (Q₁) steht, das im wesentlichen dem Verhältnis der Widerstandswerte der Widerstände (1 und 2) entspricht.

5. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruchs, dadurch gekennzeichnet, daß

a) die Stromvorspannungsschaltung (10) zwei NPN-Transistoren (Q₄ und Q₅) besitzt, die Basis·, Emitter· und Collectoranschlüsse haben, daß die beiden Basisanschlüsse miteinander verbunden sind und an der dritten Qleichspannungsquelle (K₃) angeschlossen sind;

b) der Collector des ersten NPN-Transistors (Q₄) mit dem Collector-Basis-Anschluß des PNP-Transistors (Q₁) verbunden ist, daß der Collector des zweiten NPN-Transistors (Q₅)

mit dem Verbindungspunkt des Collectors des PNP-Transistors (Q₂) mit der Basis des NPN-Transistors (Q₃) in Verbindung steht, daß die dritte Gleichspannungsquelle (K₃) mit einer zweiten Gleiehspannungsquelle (K₂) verbunden ist;

c) je einer der zwei Widerstände (3 und 4), deren Werte im Verhältnis der Ströme (J_?, und T₅₂) zueinander stehen, jeweils an einen der Emitteranscblüsse der NPN-Transistoren (Q₄ und Q₅) angeschlossen ist;

d) dritte und vierte PNP-Transistoren (Q₆ und Q₇) vorgesehen sind, deren Emitteranschluß jeweils an den freien Anschluß des Widerstandes (3 resp, 4) angeschlossen ist und beide jeweils eine Emitter-Bäsis-Grenzschicht aufweisen, daß die Basen beider Transistoren (Q₆ und Q₇) miteinander verbunden sind und daß die Collectoren derselben an der zweiten Gleiehspannungsquelle ( K₂) angeschlossen sind, und