DE2846202C3 - PNP-Stromspiegelschaltung - Google Patents
PNP-StromspiegelschaltungInfo
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Description
e) dritte und vierte NPN-Transistoren (Q8 und
Q9) vorgesehen sind, deren Basisanschlüsse miteinander sowie mit dem Collector des
Transistors (Q6) verbunden sind sowie außerdem mit den verbundenen Basis-Anschlüssen
de* Transistoren (Q6 und Q7), daß
der Collector des Transistors (Q9) an den Emitter des Transistors (Q4) angeschlossen
ist und daß die beiden Emitter der beiden Transistoren (Qg und Q9) mit der zweiten
Gleiehspannungsquelle ( K2) verbunden sind.
6. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe
der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschichten der genannten PNP-Transistoren (Q6 und Q7) im
gleichen Verhältnis stehen wie die Widerstandswerte der beiden Widerstände (1 und 2).
7. PNP-Stromspiegelschalt5,?!ig nach Anspruch
S, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleiehspannungsquelle (K3) gebildet wird, indem
zwischen ihr und der ersten Gleiehspannungsquelle (K1) ein fünfter Widerstand (5) liegt und
indem zwischen der dritten Gleiehspannungsquelle (K3) und der zweiten Gleiehspannungsquelle
( K2) eine Reihenschaltung bestehend aus einem sechsten Widerstand (6), zwei als Dioden
geschalteten NPN-Transistoren (Q10 und Q11) mit
einem ebenfalls als Diode geschalteten PNP-Transistor (Q12) liegt.
Die Erfindung betrifft eine PNP-Stromspiegelschaltung
nach dem Oberbegriff des ersten Anspruchs.
Bekanntlich besitzt eine solche Schaltung einen
Eingangstransistor, der als Diode geschaltet ist, und gewöhnlich einen identischen Ausgangstransistor,
wobei die Basis- und Emitteranschlüsse der beiden miteinander verbunden sind. Zum Betrieb liegen
beide Emitter an einer Spannungsquelle, und der
Strom durch den Collector des Ausgangstransistors wird von dem Strom im Collector-Basis-Anschluß des
Eingangstransistors gesteuert. Beide Transistoren können vom NPN- oder PNP-Typ sein. Obwohl iden-
tische Transistoren benutzt werden, differiert der Eingangsgleichstrom
als Betrag von dem Ausgangsgleichstrom um dje Summe der Basisströme beider
Transistoren, Der Eingangswechselstrom differiert in Betrag und Phase von dem Ausgangswechselstrom
wegen der anhaftenden parasitären und von der Laufzeit abhängigen Degradation, Alle bisherigen Verbesserungsversuche,
wie die sogenannte Wilson-Quelle und verschiedene Kaskadenschaltungen, verbesserten
nicht das Frequenzverhalten.
Eine gesteuerte Stromquellenschaltung oder Stromspiegelschaltung ist bei der Konstruktion und
Herstellung von integrierten Schaltungen bereits bekannt, da sie den speziellen Erfordernissen dieser
Technik entgegenkommt, insbesondere hinsichtlich geringstem Platzbedarf und der konsequenten Notwendigkeit,
große Kapazitäts- und Widerstandswerte zu vermeiden. Vorzugsweise wurde bei der Konstruktion
von Stromspiegelschaltungen mit NPN-Transistoren gearbeitet, weil die NPN-Transistor-Elemente
vertikale Geometrie-Struktur verwendeten und eine hohe Stromverstärkung sowie kurze Laufzeiten (short
transist time) erzielten. Wenn die Konstruktionsanforderungen
jedoch die Verwendung von PNP-Stromspiegelschaltungen diktieren und wenn Kostenüberlegungen
es verbieten, andere Fabrikationstechniken als die konventionelle laterale Geometrie-Struktur
von PNP-Transistor-Elementen zu verwenden, dann muß ein Ausgleich für geringe Stromverstärkung
und für lange Laufzeit sowie die hohen Werte
der Basisströme gefunden werden.
Eine PNP-Stromspiegelschaltung ist der US-PS
3909618 zu entnehmen. Diese Lösung bat jedoch Nachteile wie Versatzströme, schlechte Eignung für
hohe Frequenzen und keine Maßnahme zur Temperaturkompensation.
Dem Anmeldungsgegenstand liegt die Aufgabe zugrunde, Versatzströme zu vermeiden, die Eigenschaften
für hohe Frequenzen zu verbessern und außerdem die Maßnahme zur Temperaturkompensation vorzusehen.
Für eine gemäß dem Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 aufgebaute Stromspiegelschaltung wird
diese Aufgabe durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen sind den weiteren Ansprüchen und der Beschreibung zu
entnehmen.
Nach der Erfindung sind beide Emitter der beiden PNP-Transistoren über jeweils einen Widerstand,
wobei beide bzgl. ihrer Widerstandswerte in einem bestimmten Verhältnis stehen, an einer ersten Gleichspannungsquelle
angeschlossen. Die Collectoren der beiden Transistoren sind jeweils an eine Stromvorspannungsschaltung
angeschlossen, die zwei Stromquellen enthält. Die Emitterströme werden jeweils am
Emitteranschluß abgegriffen und stehen in einem bestimmten Verhältnis zueinander. Der hochimpedante
Ausgangsspiegelstrom wird über einen NPN-Transistor einer Ausgangsschaltung zugeführt., Die beiden
Gleichstromquellen in der Stromvorspannungsschaltung haben derartige feste Werte, daß die Basis-Emitter-Grenzschichteti-Ströme
und -Spannungen der beiden Transistoren auch identisch sind. Hierdurch wird erreicht, daß kein Gleichstromversatz auftritt
zwischen den Spiegelströmen. In der Stromvorspannungsschaltung ist dafür fßrge getragen, daß Ströme
mit gewünschter Verhältnisbeziehung geliefert werden, die bezüglich des Versatzes der Stromspannung
korrigiert sind, Diese Schaltung liefert vorteilhafterweise die Vermeidung von Versatzströmen, sie ist geeignet
für hohe Frequenzen und ist mit einer Tempe-
raturkompensation ausgestattet. Nachfolgend wird
ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung besprochen. Es zeigt
Fig. 1 eine prinzipielle Stromspiegelschaltung nach dem Stand der Technik,
Fig. 2 die erfindungsgemäße Stromspiegelschaltung,
Fig. 3 eine Zusatzschaltung zur Temperaturkompensation, die in die Schaltung der Fig. 2 einzufügen
ist.
Entsprechende Positionen in den Figuren besitzen gleiche Bezugsziffern.
In Fig. 1 sind die beiden PNP-Transisioren Q1 und
Q1 so geschaltet, daß die Emitter- und Basis-Anschlüsse
parallel liegen, Q1 ist außerdem als Diode
geschaltet, indem die Basis mit dem I.'ollector verbunden
ist. Wenn Q1 und Q2 identische Tra:isistoren sind,
so wie es üblich ist bei der Technik zur Herstellung von integrierten Schaltungen, dann sind die Ströme
J1 und J2 in einem Verhältnis, daß leicht als β + 2
zu β bestimmt werden kann, wobei β üblicherweise
als Verhältnis des CoIIectorstromes zum Basisstrom bezeichnet ist, wenn Veränderungen der Collector-Emitter-Spannung
eintreten. Für große Werte für ß, wie sie bei Anwendung der vertikalen Geometrie-
jo Struktur bei der Herstellung von integrierten Schaltungen
mit NPN-Transistoren üblich sind, ist das Verhältnis von ,/, zu J2 fast Einheit (eins). Jedoch bei
lateraler Geometrie-Struktur bei der Herstellung von integrierten Schaltungen mit PNP-Transistoren liegen
J5 /3-Werte zwischen 5 bis 15, wodurch Ströme /, und
J2 nicht mehr im Verhältnis Einheit sind. Zusätzlich
ist die Bandbreite des Frequenzverlaufs bei PNP-Stromspiegelschaltungen
sehr schmal, weil ein Verlust an Signalübertragung durch eine parasitäre Kapazität
und eine übermäßig lange Laufzeit eintritt.
F >g. 2 zeigt an dem Eingangsanschluß den J1 und
an dem Ausgangsanschluß den J2 entsprechenden Pfeil. Die Transistoren Q1, Q2 und Q3 sowie, die Widerstände
1 und 2 wie auch die Stromvorspannungs-
schaltung 10 bilden die Stromspiegelschaltung. Konstante oder Gleichstromquellen sind mit V , V2 und
V3 bezeichnet und haben eine Beziehung Vx
> V3> V2 zueinander. Eine der Quellen kann Masse- oder Referenzpotential
sein.
μ Gewöhnlich werden die Widerstände 1 und 2 gleichzeitig gebildet während der Fabrikation und haben
bei der Beziehung Einheit (oder eins) identische Werte Die Widerstände 1 und 2 liegen mit ihrem einen
Anschluß an der Quelle V1 und mit ihrem anderen
Anschluß jeweils an einem Emitteranschluß von Q1
bzw. Q2. Beide Basisanschlüsse von Q1 und Q2 sind
miteinander und mit dem Collector von Q1 verbunden.
Die Collectoren beider Transistoren Q1 und Q2
liegen respektiv an Anschlußpunkten der Stromvor-
spannungsschaltung IQ, die die Gleichströme JSi und
JS2 steuert. Der Ausgangstransistor Q3 ist eine NPN-Konstruktion,
wobei sein Collector mit dem Emitter von Q2 verbunden ist und seine Basis an dem Collectoranschluß
von Q2 liegt. Eine Eingangsschaltung ist
an die Verbindungsstelle des Emitters von Q1 und
dem Widerstand 1 angeschlossen. Die Eingangsschaltung setzt sich aus anderen Sektionen der integrierten
Schaltung und daran angeschlossenen Schaltungen
zusammen. Der Strom J1 hat gewöhnlich Gleich' und
Wechselstfomanteile. Eine Ausgangsschaltung ist am Emitter des Transistors Q3 angeschlossen und kann
ebenfalls aus anderen Sektionen der integrierten Schaltung und an diese angeschlossene Schattungen
bestehen. Die Eingangs- und die Ausgangsschaltung gen sind als separate Elemente dargestellt und sind
an die zweite Gleichstromquelle V1 angeschlossen,
obwohl es für Fachleute in dieser Technik selbstverständlich ist, daß tatsächliche Eingangs- und Aus*
gangsschaltungen nicht vollständig getrennt sind und in der Tat gemeinsame Komponenten haben können.
Die Ein- und Ausschaltungen können auch im allgemeinen bezogen werden auf irgendeine Quelle von
Gleichstrom, die eine feste Beziehung zur ersten, V1 π
oder zweiten, V2 Gleichstromquelle hat.
Die Stromvorspannungsschaltung 10 verursacht den Gleichstrom Jt, von dem Collector von O1. an
dem die Basis von Q1 und von Q2 angeschlossen ist,
zu fließen. Die Schaltung 10 veranlaßt auch den -'o Gleichstrom J52 zu fließen vom Collector von Q2,
ebenso den Basisstrom von Q3, der aber von vernachlässigbarer
Größe sein kann. Um die Einheits-Beziehung zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangsstrom
zu erreichen, werden diese Ströme J51 und J52
so eingestellt, daß sie im Betrag um die Summe der Basisströme JBX und JB2, die von den Transistoren Qx
beziehungsweise Q2 fließen, sich im wesentlichen unterscheiden,
wodurch der Basis-Emitter-Strom und die Spannungswerte der identischen Transistoren Q1 m
und Q2 grundsätzlich gleich werden.
Der Spannungsabfall am Widerstand 1 ist im wesentlichen gleich dem Spannungsabfall am Widerstand
2. Er kann sich nur unterscheiden durch irgendeine Differenzsspannung zwischen Basis und Emitter )5
der Transistoren Q1 und Q2. Diese Spannungen sind
aber weitgehend gleich durch die Einstellung der Ströme /5| und J52. Deshalb werden die Ströme Jx
und /, im wesentlichen gleich, da in der Fabrikation
die Widerstände 1 und 2 im wesentlichen gleiche -to Werte haben. Zur weiteren Erklärung kann die Bezie-
© '—-1 *-" ~3 «"■»-■■ wiv ui^iviiuiig gereuen weiden:
ströme Λ, und J51 geeignet ausgewählt sind.
Wie Fig. 2 weiter zeigt, ist die Stromvorspannungsschaltung 10 mit den beiden NPN-Transistoren Q4
und Q5 ausgestattet, deren Collectoren die Ströme J5x
und L1 ziehen. Die Basisanschlüsse beider Transistoren Q4 und Q5 sind miteinander verbunden und liegen
an einer dritten Potentialquelle V1 (deren Einzelheiten nicht dargestellt sind). Die Emitter sind mit den
Widerständen i resp, 4 verbunden und diese leiten
zu den Emitteranschlüssen der dritten fesp. vierten PNP-Transistoren Q6 und Q7, die normalerweise
gleichzeitig hergestellt werden, um identisch mit den PNP-Transistoren Q1 und Q2 zu sein. Die Basisanschlüsse
der Transistoren Q6 und Q7 sind miteinander
verbunden sowie mit dem Collector-Basis-Anschluß
des dritten NPN-Transistors Qg, der als Diode geschaltet
ist, und mit der Basis des vierten NPN-Transistors O5. Die Collectoren der Transistoren Q. und
Q7 sowie die Emitter der Transistoren Q8 und Q9 liegen
gemeinsam an der zweiten Gleichstromquelle V2. Die dritten und vierten NPN-Transistoren Q8 und Q9
bilden einen NPN-Stromspiegel. Die Basis-Emitter-Anschlüsse des Transistors Q9 sind parallel geschaltet
zu den Basis-Emitter-Anschlüssen des Transistors Q8.
Der Collector-Anschluß von Transistor Q9 ist mit dem
Emitteranschluß des Transistors Q4 verbunden.
Wenn es gewünscht wird, daß die Beträge der Ströme Jx und J1 das Einheits-Verhältnis (eins) haben,
werden die Widerstände 3 und 4 gleichzeitig gefertigt, um identische Werte zu erzielen. Dann ist der Strom
durch jeden der Widerstände im wesentlichen bestimmt durch die Spannungsdifferenz der Quellen V2
und K3, wenn man die Emitter-Basis-Spannungen der Transistoren Q4, Q5, Q6, Q7 und Q8 vernachlässigt.
Wenn man annimmt, daß die NPN-Transistoren Q4,
Q5, Qt und Q9 hohe Stromverstärkung und folglich
vernachlässigbare Basisströme haben, dann sind die Ströme J5x und J51 gleich den entsprechenden Strömen
durch die Widerstände 3 und 4, ausgenommen den Strom, der über die Verbindung am Emitter des Transistors
Q4 zum Collector des Transistors Q9 fließt.
-J^R1-J3R1 = J^R1-J11R1 + Vtbl- Vebv
wobei R1 und R2 die Werte der Widerstände 1 und
2 sind. JcX und Jr2 die Emitterströme der Transistoren
Qx und Q2, Krtlund Veb2 die Emitter-Basis-Spannungen
von Q1 und Q1. Wenn gleiche Werte von Rx und
R, vorliegen und die Vorspannungen von Q1 und Q2 ,o
übereinstimmen, dann löschen sich alle Ausdrücke auf der rechten Seite der Gleichung aus. Dadurch wird
J1 gleich Jy Die obige Gleichung enthält selbstverständlich
keine Ausdrücke für Wechselstromdifferenzen zwischen J1 und J3 durch parasitäre oder Laufzeit
bedingte Erscheinungen.
Der Ausgangsstrom J2 liegt im wesentlichen gleich
J3, dem Collectorstrom des NPN-Transistors Q3. Die
Transistoren Q2 und Q3 bilden einen zusammengesetzten
Transistor, wobei Q3 notwendig ist, um die geringe Verstärkung des PNP-Transistors Q1 zu kompensieren,
während Q3 gleichzeitig als stromgesteuerte Quelle mit hoher Impendanz für den Strom J2
dient. In einer Ausführung mit gleichen Widerständen 1 und 2 ist der Strom J2 weitgehend gleich dem es
Strom J1 über ein weites Frequenzband und somit der
Gleichstromversatz gleich Null, wenn die Widerstände 1 und 2 gleich sind und die Vorspannungs-
Qv Qv Ö3 ur|d Q4 im wesentlichen gleich sind, indem
sie festliegen durch die Spannungsabfälle an den Widerständen 3 und 4, werden die Basisströme JBV JB2,
JB6 und JBV die aus diesen Transistoren fließen, normalerweise
identisch sein. Die Basisströme JB6 und
Jg1 der Transistoren Q6 und Q7 werden an der elektrischen
Verbindungsstelle am Eingang des aus den Transistoren Q8 und Q9 gebildeten Stromsniegels
hinzugeben. Der Ausgang des Stromspiegels J86 plus
J81 wird dem Strom durch den Widerstand 3 hinzugefügt,
und zwar an der Verbindungsstelle des Emitters von Transistor Q4 mit dem Widerstand 3. Als Folge
davon ergibt es sich, daß die Ströme Z51 und J51 um
die Summe JB6 plus J81 differieren (das gleicht J8x
plus /BI), und hierdurch werden die Transistoren Q1
und Q2 so vorgespannt, daß die Basis-Emitter-Grenzschichten
mit im wesentlichen identischen Strömen und Spannungen gesteuert werden.
Die Stromvorspannungsschaltung 10 sollte vorzugsweise eine hohe Ausgangsimpedanz haben, um
so die Bandbreite des Frequenzganges des Stromspiegels zu vergrößern. In der gezeigten Ausbildung haben
die Ausgangsimpedanzen der NPN-Transistoren Q4 und Q5 die geforderte große Impedanz,
Der Stromspiegel dieser Erfindung kann zur Lieferung
eines von der Einheit »Eins« abweichenden
Stromverhältnisses zwischen Eingangs- und Ausgangsströmen benutzt werden, indem die entsprechenden von der Einheit »Eins« abweichenden
Stromverhältnisse zwischen den Widerstandswerten der Widerstände 1 und 2 wie auch zwischen den Werte·* der Widerstände 3 und 4 fabriziert werden. Eine
ähnliche Analyse ergibt, daß die Summe der Ströme JBt und JB7 im wesentlichen gleich der Summe der
Ströme JB] und A2 ist, vorausgesetzt, daß die Transistoren O1 und Q6 sowie Q2 Jnd Q7 grundsätzlich
identisch sind. Jedoch folgt aus der vorangehenden Gleichung ein geringfügiger Gleichstromversatz,
wenn ein von der Einheit »Eins« abweichendes Verhältnis der Widerstände Rx und R2 benutzt wird, das
von der Differenz zwischen K,M und Vrh2, den Emitter-Basis-Spannungen
der identischen Transistoren Q1 und Q,, verursacht wird. Wenn die Schaltung so
konzipiert wird, daß jene Emitter-Basis-Spannungen klein sind, verglichen mit den Spannungsabfällen an
den Widerständen 1 und 2, dann kann der geringfügige Gleichstromversatz zwischen den Eingangs- und
Ausgangsströmen vernachlässigt werden. Der Gleichstromversatzfehler kann im wesentlichen eliminiert
werden, indem die Emitter-Basis-Spannungen bei der Fabrikation gleich gemacht werden durch Herstellung
von Flächen unterschiedlicher Größen der Emitter-Basis-Grenzschicht der identischen Transistoren Q1
und Q6 verglichen mit den entsprechenden Flächen
der Emitter-Basis-Grenzschicht der im wesentlichen identischen Transistoren Q2 und Q1. Idealerweise
sollten diese genannten Grenzschichtflächen der Transistoren Qx und Q6 zu den entsprechenden
Grenzschichtflächen der Transistoren Q2 und Q7 sich
verhalten wie der Widerstandswert des Widerstandes 2 zu dem Widerstandswert des Widerstandes 1,
dadurch wird die Stromdichte in den Grenzschichten gleich. Das führt zu gleichen Grenzschichtspannungen,
während gleichzeitig korrekte Basisstrom-Kompensation erzielt wird.
Beim Betrieb der Schaltung wurde festgestellt, daß die Punktion nicht von den absoluten Werten der Wi
derstände 1,2,3 und 4 noch von den absoluten Wer ten der Transistorparameter abhängt. In Überein
Stimmung mit den bevorzugten Konstruktionsmetho den für lineare integrierte Schaltungen hängt dii
Funktion der Schaltung von der Tatsache ab, daß ahn
liehe Elemente, die auf einem einzelnen Halbleiter plättchen (chip) fabriziert werden, generell identisch*
Kenndaten haben, und solche identische Kenndatei können temperaturabhängig sein und abweichen be
den gleichen Elementen auf einem anderen Halblei terplättchen. Es ist auch noch festzuhalten, daß be
der gegenwärtigen Technologie für die Konstruktior der Schaltung die Platzbegrenzung es erforderlich
macht, daß die Widerstände 1, 2, 3 und 4 einige Hun dert Ohm aufweisen.
Die Schaltung nach Fig. 3 stellt eine temperaturkompensierte
Quelle für die dritte Gleichstromquelle V} dar, die in Verbindung mit der Stromvorspannungsschaltung
10 nach Fig. 2 verwendet werder kann, um so den separaten Anschluß für diese Quelle
einzusparen. Die Stromerfordernisse der Quelle V setzen sich zusammen aus den Basisströmen dei
NPN-Transistoren Q4 und Q5, die vernachlässigbai
sind. Der Strom J5 wird im wesentlichen bestimm1
durch die Differenz der Werte von Vx und V2, geteil·
durch die Summe der Werte des fünften und sechster Widerstandes 5 und 6. Die Transistoren Q10, Q11 unc
Q12 sind als Dioden geschaltet und sind in Reihe mil
dem Widerstand 6 geschaltet, um Temperaturkompensation für Änderungen der Parameter der Transistoren
Q5, Q1 und Q8 sowie parallel-operierendei
Transistoren zu liefern. Diese Schaltung arbeitet als Spannungsteiler und proportioniert die Potentialdifferenz
zwischen den Quellen Vx und V2. Der fünfte
Widerstand 5 verbindet die Quellen Vx und V3 miteinander,
und die Reihenschaltung, bestehend au; dem sechsten Widerstand 6 und dem PNP-Transistoi
Q11 und den NPN-Transistoren Q10 und Q12, verbindet
die Quellen V3 und K, miteinander.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Aus PNP-Transistoren aufgebaute Stromspiegelschaltung,
bestehend aus einem ersten und einem zweiten Transistor, hergestellt in lateraler
Geometrie-Struktur einer integrierten Schaltung, wobei die Emitter- und Basis-Anschlüsse des ersten
Transistors miteinander verbunden sind und wobei ein dritter Transistor vom NPN-Typ vorgesehen
ist, dessen Basis mit dem Collector des zweiten Transistors verbunden ist und der Collector
des dritten Transistors mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist und wobei je ein Widerstand
jeweils am Emitter der beiden ersten Transistoren angeschlossen ist, und die freien Anschlüsse
der Widerstände an eine erste Gleichspannungsquelle geführt sind, dadurch gekennzeichnet,
daß an den Collectoren der PNP-Transistoreft (Q1 und Q2) eine Stromvorspannungsschaltung
(IQ) angeschlossen ist und Ströme (Z51 und /S2) liefert, deren Beträge um die Summe
der Basisströme (4i und ^2) der Transistoren (Q1
und Q2) differiert, daß am Emitter des Transistors
(Q1) eine Eingangsschaltung und am Emitter des NPN-Transistors (Q3) eine Ausgangsschaltung
angeschlossen ist, und daß diese Stromvorspannungsschaltung (10) einen Anschluß hat, der mit
einer dritten Gleichspannungsquelle ( K3) verbunden 8ist.
2. PNP-Strgmspiegelschaltung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß die feste Beziehung der Ströme (J51 uiu/ /J2) dem Verhältnis
der Widerstandswertfc dar beiden Widerstände (1 und 2) entspricht.
3. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromvorspannungsschaltung (10) derart ausgebildet ist,
daß eine solche feste Beziehung zwischen den Strömen (Λ, und /,^besteht, daß der Strom (J51)
im wesentlichen gleich der Summe der Ströme durch die Basisverbindung der beiden PNP-Transistoren
(Q1 und Q2) ist und umgekehrt proportional
zu den Widerstandswerten der Widerstände (1 und 2) multipliziert mit dem Betrag des Stromes
CW ist-
4. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe
der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschicht des zweiten PNP-Transistors (Q2) in einem Verhältnis
zu der Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschicht des ersten PNP-Transistors (Q1)
steht, das im wesentlichen dem Verhältnis der Widerstandswerte der Widerstände (1 und 2) entspricht.
5. PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruchs,
dadurch gekennzeichnet, daß
a) die Stromvorspannungsschaltung (10) zwei NPN-Transistoren (Q4 und Q5) besitzt, die
Basis·, Emitter· und Collectoranschlüsse haben, daß die beiden Basisanschlüsse miteinander
verbunden sind und an der dritten Qleichspannungsquelle (K3) angeschlossen
sind;
b) der Collector des ersten NPN-Transistors (Q4) mit dem Collector-Basis-Anschluß des
PNP-Transistors (Q1) verbunden ist, daß der
Collector des zweiten NPN-Transistors (Q5)
mit dem Verbindungspunkt des Collectors des PNP-Transistors (Q2) mit der Basis des
NPN-Transistors (Q3) in Verbindung steht, daß die dritte Gleichspannungsquelle (K3)
mit einer zweiten Gleiehspannungsquelle (K2) verbunden ist;
c) je einer der zwei Widerstände (3 und 4), deren Werte im Verhältnis der Ströme (J?, und
T52) zueinander stehen, jeweils an einen der
Emitteranscblüsse der NPN-Transistoren (Q4 und Q5) angeschlossen ist;
d) dritte und vierte PNP-Transistoren (Q6 und
Q7) vorgesehen sind, deren Emitteranschluß jeweils an den freien Anschluß des Widerstandes
(3 resp, 4) angeschlossen ist und beide jeweils eine Emitter-Bäsis-Grenzschicht aufweisen, daß die Basen beider
Transistoren (Q6 und Q7) miteinander verbunden
sind und daß die Collectoren derselben an der zweiten Gleiehspannungsquelle
( K2) angeschlossen sind, und
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Family Cites Families (1)
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1978
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Also Published As
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