DE2846202A1

DE2846202A1 - Pnp-stromspiegelschaltung

Info

Publication number: DE2846202A1
Application number: DE19782846202
Authority: DE
Inventors: Kenneth J Burdick
Original assignee: GTE Sylvania Inc
Current assignee: Osram Sylvania Inc
Priority date: 1977-10-31
Filing date: 1978-10-24
Publication date: 1979-05-03
Also published as: US4103249A; DE2846202C3; DE2846202B2

Description

GTE Sylvania Inc., USA

2D. Oktober 1978 GTE-PA 155

PATENTANMELDUNG PNP-Stromspiegelschaltung

Beschreibung:

Die Erfindung betrifft eine PNP-Stromspiegelschaltung nach dem Oberbegriff des ersten Anspruchs.

Bekanntlich besitzt eine solche Sch.altung einen Eingangstransistor, der als Diode geschaltet ist, und gewöhnlich einen identischen Ausgangstransistor, wobei die Basis- und Emitteranschlüsse der beiden miteinander verbunden sind. Zum Betrieb liegen beide Emitter an einer Spannungsquelle und der Strom durch den Collector des Ausgangstransistors wird von dem Strom im Collector-Basis-Anschluß des Eingangstransistors gesteuert .Beide Transistoren können'vcim NPN- oder PNP-Typ sein. Obwohl identische Transistoren benutzt werden, differiert

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der Eingangsgleichstrom als Betrag von dem Ausgangsgleichstrom um die Summe der Basiss-trönne beider Transistoren. Der Eingangswechselstrom differiert in Betrag und Phase von dem Ausgangswechselstrom wegen der anhaftenden parasitären und von der Laufzeit abhängigen. Degradation. Alle bisherigen Verbesserungsversuche, wie die sogenannte Wilson-Quelle und verschiedene Kaskadenschaltungen, verbesserten nicht das Frequenzverhalten.

Eine gesteuerte Stromquellenschaltung Dder Stromspiegelschaltung ist bei der Konstruktion und Herstellung von integrierten Schaltungen bereits bekannt, da sie den speziellen Erfordernissen dieser Technik entgegenkommt, insbesondere hinsichtlich geringstem Platzbedarf und der konsequenten Notwendigkeit, große Kapazitäts- und Widerstandswerte zu vermeiden. Vorzugsweise wurde bei der Konstruktion von Stromspiegelschaltungen mit NPM-Transistoren gearbeitet, weil die NPN-Transistor-Elemente vertikale Geometrie-Struktur verwendeten und eine hohe Stromverstärkung sowie kurze Laufzeiten Cshort transist time] erzielten. Wenn die Konstruktionsanforderungen jedoch die Verwendung von PNP-Stromspiegelschaltungen diktieren und wenn Kastenüberlegungen es verbieten, andere Fabrikationstechniken als die konventionelle laterale Geometrie-Struktur von PNP-Transistor-Elementen zu verwenden, dann muß ein Ausgleich für geringe Stromverstärkung und für lange Laufzeit sowie die hohen Werte der Basisströme gefunden werden.

Eine PNP-Stromspiegelsctialtung ist der US-PS 3.90S.618 zu entnehmen. Diese Lösung hat jedoch Nachteile wie Versatzströme, schlechte Eignung für hohe Frequenzen und keine Maßnahme zur Temperaturkompensation.

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Die Lösung cfiese-r Aufgabe- lag der vorliegenden Erfindung zugrunde.

Die Losung_ dieser Aufgabe wird für den Oberbegriff des ersten Anspruchs gemäß dem Kennzeichen ermöglicht.

Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen sind den weiteren Ansprüchen zu entnehmen.

Nach der Erfindung sind beide Emitter der beiden PNP-Transistoren über jeweils einen Widerstand, wobei beide bzgl. ihrer Widerstandswerte in einem bestimmten Verhältnis stehen, an einer ersten Gleichspannungsquelle angeschlossen. Die Collectoren der beiden Transistoren sind jeweils an eine Stromvorspannungsschaltung angeschlossen, die zwei Stromquellen enthält. Die Emitterströme werden jeweils am Emitteranschluß abgegriffen und stehen in einem bestimmten Verhältnis zueinander. Der hochimpedante Ausgangsspiegelstrom wird über einen NPN-Transistor einer Ausgangsschaltung zugeführt. Die beiden Gleichstromquellen in der Stromvorspannungsschaltung haben derartige feste Werte, daß die Basis-Emitter-Grenzschichten-Ströme und - Spannungen der beiden Transistoren auch identisch sind. Hierdurch, wird erreicht, daß Gleichstromversatz auftritt zwischen den Spiegelströmen. In der Stromvorspannungsschaltung ist dafür Sorge getragen, daß Ströme mit gewünschter Verhältnisbeziehung geliefert werden, die bezüglich des Versatzes der Stromvorspannung korrigiert sind. Diese Schaltung liefert vorteilhafterweise die Vermeidung von Versatzströmen, sie ist geeignet für hohe Frequenzen und ist mit einer Temperaturkompensation ausgestattet. Nachfolgend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung besprochen. Diese zeigt in

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Figur 1 eine prinzipielle Stromspiegelschaltung nach dem Stand der Technik;

Figur 2 die erfindungsgemäße Stromspiegelschaltung;

Figur 3 eine Zusatzschaltung zur Tsmperaturkompensation, die in die Schaltung der Figur 2 einzufügen ist.

Entsprechende Positionen in den Figuren besitzen gleiche Bezugsziffern .

In Figur 1 sind die beiden PNP-Transistore.n Q- und Q„ so geschaltet, daß die Emitter- und Basis-Ansch.lüsse parallel liegen, GL ist außerdem als Diode geschaltet, indem die Basis mit dem Collector verbunden ist. Wenn EL und C^ identische Transistoren sind, so wie es üblich ist bei der Technik zur Herstellung von integrierten Schaltungen, dann sind die Ströme 3* und 3y iⁿ einem Verhältnis, daß leicht als /3+2 zu /3 bestimmt werden kann, wobei β üblicherweise als Verhältnis des Collectorstromes zum Basisstrom bezeichnet ist, wenn Veränderungen der Collector-Emitter-Spannung eintritt. Für große Werte für/3, wie sie bei Anwendung der vertikalen Geo-

metrie-Struktur bei der Herstellung von integrierten Schaltungen mit NPN-Transistoren üblich sind, ist das Verhältnis von J₁ zu J~ fast Einheit (eins). Jedoch bei lateraler Geo-

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metrie-Struktur bei der Herstellung integrierten Schaltungen mit PNP-Transistoren liegen ß-Werte zwisch 5 bis 15, wodurch die Ströme J,, und ^2 nicht mehr im Verhältnis Einheit sind. Zusätzlich ist die Bandbreite des Frequenzverlaufes bei PNP-Stromspiegelschaltungen sehr schmal, weil ein Verlust an Signalübertragung durch eine parasitäre Kapazität und eine übermäßig lange Laufzeit eintritt.

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Figur 2 zeigt an dem EingangsanschluB den 3. und an dem Ausgangsanschluß den 3y entsprechenden Pfeil. Die Transistoren Q,,, Qy und Q„ sowie die Widerstände 1 und 2'wie auch die Stromvorspannungsschaltung 10 bilden die Stromspiegelschaltung. Konstante oder Gleichstromquellen sind mit V., V~ und Vo bzeichnet und haben eine Beziehung V^V^^V- ^zue^-^nan^^er· Eine der Quellen kann Masse- oder Referenzpotential sein.

Gewöhnlich werden die Widerstände 1 und 2 gleichzeitig gebildet während der Fabrikation und haben bei der Beziehung Einheit (oder eins) identische Werte. Die Widerstände 1 und 2 liegen mit ihrem einen Anschluß an der Quelle V. und mit ihrem anderen Anschluß jeweils an einem Emitteranschluß von Q^ bzw. Q₂- Beide Basisanschlüsse von Q^ und Q₂ sind miteinander und mit dem Collector von Q₁ verbunden. Die Collectoren beider Transistoren Q^ und Q₂ liegen respektiv an Anschlußpunkten der Stromvorspannungsschaltung 10, die die Gleichströme Jp, und Jno steuert. Der Ausgangstransistor Q₃ ist eine NPN-Konstruktion, wobei sein Collector mit dem Emitter von Q₂ verbunden ist und seine Basis an dem Collectoranschluß von Q₂ liegt. Eine Eingangsschaltung ist an die Verbindungsstelle des Emitters von Q-] und dem Widerstand 1 angeschlossen. Die Eingangsschaltung setzt sich aus anderen Sektionen der integrierten Schaltung und daran angeschlossenen Schaltungen zusammen. Der Strom J. hat gewöhnlich Gleich- und Wechselstromanteile. Eine Ausgangsschaltung ist am Emitter des Transistors Q_ angeschlossen und kann ebenfalls aus anderen Sektionen der integrierten Schaltung und an diese angeschlossene Schaltungen bestehen. Die Eingangsund die Ausgangsschaltungen sind als separate Elemente dargestellt und sind an die zweite Gleichstromquelle My angeschlossen, obwohl es für Fachleute in dieser Technik selbstverständ-

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lieh ist, daß tatsächliche Eingangs- und Ausgangsschaltungen nicht vollständig getrennt sind und in der Tat gemeinsame
Komponenten haben können. Die Ein- und Ausschaltungen können auch im allgemeinen bezogen werden auf irgend eine Quelle
von Gleichstrom, die eine feste Beziehung zur ersten, V. oder zweiten, V„ Gleichstromquelle hat.

Die Stromvorspannungsschaltung 10 verursacht den Gleichstrom Jo₁ von dem Collector von CL, an dem die Basis von CL und
von Q_2 angeschlossen ist, zu fließen. Die Schaltung 10 veranlaßt auch den Gleichstrom Jq.-, zu fließen vom Collector von $2> ebenso den Basisstrom von CL, der aber von vernachläßigbarer Größe sein kann. Um die Einheits-Beziehung zwischen
dem Eingangs- und dem Ausgangsstrom zu erreichen, werden diese Ströme Jg. und J₀^ ^so eingestellt, daß sie im Betrag um
die Summe der Basisströme J_R1 und Jp₂' die von den Transistoren CL beziehungsweise Qy fließen, sich im wesentlichen
unterscheiden, wodurch die die Basis-Emitter-Strom und Spannungswerte der identischen Transistoren CL und Q~ grundsätzlich gleich werden.

Der Spannungsabfall am Widerstand 1 ist im wesentlichen gleich dem Spannungsabfall am Widerstand 2. Er kann sich nur unterscheiden durch irgendeine Differenzspannung zwischen Basis
und Emitter der Transistoren Q. und CL. Diese Spannungen sind aber weitgehend gleich durch die Einstellung der Ströme Jg.
und Jgn· Deshalb werden die Ströme J., und J₃ im wesentlichen gleich, da in der Fabrikation die Widerstände 1 und 2 im
wesentlichen gleiche Werte haben. Zur weiteren Erklärung kann die Beziehung von J,, zu J, durch die Gleichung gegeben werden:

³1^R1 - ^J3^R2 ^{= J}e2^R2 " ^Je1^R1 ^Veb2 " ^Veb1'

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wobei R. und R„ die Werte der Widerstände 1 und 2 sind, 3 . und J 2 die Emitterströme der Transistoren O₁ und Q„, V . . und V ,„ die Emitter-Basis-Spannungen von Q;und Q₂. Wenn gleiche Werte von R^ und R„ vorliegen und die Vorspannungen von GL· und Qy übereinstimmen, dann löschen sich alle Ausdrücke auf der rechten .Seite der Gleichung aus-. Dadurch wird J. gleich Jg. Di^e obige Gleichung enthält selbstverständlich keine Ausdrücke für Wechselstromdifferenzen zwischen J₁ und Jq durch parasitäre oder Laufzeit bedingte Erscheinungen.

Der Ausgangsstrom 3y i^s^ i-^m wesentlichen gleich Jg* dem CoI-lectorstrom des NPN-Transistors Q₃. Die Transistoren Qy und Qg bilden einen zusammengesetzten Transistor, wobei Q„ notwendig ist, um die geringe Verstärkung des PNP-Transistors Qy zu kompensieren, während Qq gleichzeitig als stromgesteuerte Quelle mit hoher Impedanz für den Strom 3y dient. In einer Ausführung mit gleichen Widerständen 1 und 2, ist der Strom 3y weitgehend gleich dem Strom 3. über ein weites Frequenzband und somit der Gleichstromversatz gleich Null, wenn die Widerstände 1 und 2 gleich sind die Vorspannungsströme Jo₁ und 3„y geeignet ausgewählt sind.

Wie Figur 2 weiter zeigt, ist die Stromvorspannungsschaltung 10 mit den beiden NPN-Transistoren Q« und Q,- ausgestattet, deren Collectoren die Ströme J₅₁, und J₃₂ ziehen. Die Basisanschlüsse beider Transistoren Q. und Q^sind miteinander verbunden und liegen an einer dritten Potentialquelle V [deren Einzelheiten nicht dargestellt sind). Die Emitter sind mit den Widerständen 3 resp. 4 verbunden und diese leiten zu den Emitteranschlüssen der dritten resp. vierten PNP-Transistoren Qg und Qy, die normalerweise gleichzeitig hergestellt werden, um identisch mit den PNP-Transistoren Q, und Q„ zu sein. Die

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Basisanschlüsse der Transistoren Q_c und Q-, sind miteinander

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verbunden sowie mit dem Collector-Basis-Anschluß des dritten NPN-Transistors Q„, der als Diode geschaltet ist, und mit der Basis des vierten NPN-Transistors Q_. Die Collectoren der Transistoren Qg und Q-, sowie die Emitter der Transistoren Qn und Q^ liegen gemeinsam an der zweiten Gleichstromquelle V₉. Die dritten und vierten NPN-Transistoren Q₀ und Q bilden einen IMPN-Stromspiegel. Die Basis-Emitter-Anschlüsse des Transistors Q„ sind parallel geschaltet zu den Basis-Emitter-Anschlüssen des Transistors Q_n. Der Collector-AnschluB von

Transistor Qq ist mit dem Emitteranschluß des Transistors Q₄ verbunden.

Wenn es gewünscht wird, daß die Beträge der Ströme 3* und 3 das Einheits-Verhältnis (eins) haben, werden die Widerstände 3 und 4 gleichzeitig gefertigt, um identische Werte zu erzielen. Dann ist der Strom durch jeden der Widerstände im wesentlichen bestimmt durch dis Spannungsdifferenz der Quellen Vy ^unQl Vq, wenn man die Emitter-Basis-Spannungen der Transistoren Q₄, Q₁-, Q_R, Q₇ und Q_fl vernachlässigt. Wenn man annimmt, daß die NPN-Transistoren Q₄, Q₅, Q_fl und Q„ hohe Stromverstärkung und folglich vernachlässigbare Basis-Ströme haben, dann sind die Ströme Jo₁ und J„_ gleich den entsprechenden Strömen durch die Widerstände 3 und 4, ausgenommen den Strom, der über die Verbindung am Emitter des Transistors Q₄ zum Collector des Transistors Q_q fließt. Weil die Collectorströme der identischen Transistoren Q., Q„, Q_ und Q. im wesentlichen gleich sind, indem sie festliegen durch die Spannungsabfälle an den Widerständen 3 und 4, werden die Basisströme Jg₁* ^B2' ^B6 ^unc* ^BV ^*~^e ^aüs ^ί^ΒΞ8η Transistoren fließen, normalerweise identisch sein. Die Basisströme 3_DC,

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und J_n-, der Transistoren Q^ und Q-, werden an der elektrischen u/ b /

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Verbindungsstelle am Eingang des aus den Transistoren Q~ und Qq gebildeten Stromspiegels hinzugeben. Der Ausgang des Stromspiegels, Jnc-plus J_R7, wird dem Strom durch'den Widerstand 3 hinzugefügt und zwar an der Verbindungsstelle des Emitters von Transistor Q- mit dem Widerstand 3. Als Folge davon, ergibt es sich, daß die Ströme Jg. und Jg.-, um die Summe J_RR plusJp-, differieren (das gleicht J plus J_no), und hierdurch werden die Transistoren CL und Q- so vorgespannt, daß die Basis-Emitter-Grenzschichten mit im wesentlichen identischen Strömen und Spannungen gesteuert werden.

Die Stromvorspannungsschaltung 10 sollte vorzugsweise eine hohe Ausgangsimpedanz haben, um so die Bandbreite des Frequenzganges des Stromspiegels zu vergrößern. In der gezeigten Ausbildung haben- die Ausgangsimpedanzen der NPN-Transistoren Q, und Q₅ die geforderte große Impedanz.

Der Stromspiegel dieser Erfindung kann zur Lieferung eines von der Einheit "Eins" abweichenden Stromverhältnisses zwischen Eingangs- und Ausgangsströmen benutzt werden, indem die entsprechenden von der Einheit "Eins" abweichenden Stromverhältnisse zwischen den Widerstandswerten der Widerstände 1 und 2 wie auch zwischen den Werten der Widerstände 3 und 4 fabriziert werden. Eine ähnliche Analyse ergibt, daß die Summe der Ströme J_nc und J_n-, im wesentlichen gleich der Summe der Ströme J₀. und Jg₂ ist, vorausgesetzt, daß die Transistoren Qy, und Q_R sowie Q, und Q₇ grundsätzlich identisch sind. Jedoch folgt aus der vorangehenden Gleichung ein geringfügiger» Gleichstromversatz, wenn ein von der Einheit "Eins"abweichendes Verhältnis der Widerstände R. und R„ benutzt wird, das von der Differenz zwischen V , * und V .-,

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den Emitter-Basis-Spannungen der identischen Transistoren Q. und Q₇, verursacht wird. Wenn die Schaltung so konzipiert wird, daß jene Emitter-Basis-Spannungen klein sind verglichen mit den Spannungsahfällen an den Widerständen 1 und 2, dann kann der geringfügige Gleichstromversatz zwischen den Eingangsund Ausgangsströmen vernachlässigt werden. Der Gleichstromversatzfehler kann im wesentlichen eliminiert werden,, indem die Emitter-Basis-Spannungen bei der Fabrikation gleich gemacht werden durch Herstellung von Flächen unterschiedlicher Größen der Emitter-Basis-Grenzschicht der identischen Transistoren CL und CJg verglichen mit den entsprechenden Flächen der Emitter-Basis-Grenzschicht der im wesentlichen identischen Transistoren Q2 ^unc' O7· Idealerweise sollten diese genannten Grenzschichtflächen der Transistoren CL und Q_n zu

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den entsprechenden Grenzschichtflachen der Transistoren Q_ und Q₇ sich verhalten wie der Widerstandswert des Widerstandes 2 zu dem Widerstandswert des Widerstandes 1, dadurch wird die Stromdichte in den Grenzschichten gleich. Das führt zu gleichen Grenzschichtspannungen, während gleichzeitig korrekte Basisstrom-Kompensation erzielt wird.

Beim Betrieb der Schaltung wurde festgestellt, daß die Funktion nicht von den absoluten Werten der Widerstände 1, 2, 3 und 4 noch von den absoluten Werten der Transistorparameter abhängt. In Übereinstimmung mit den bevorzugten Konstruktionsmethoden für lineare integrierte Schaltungen hängt die Funktion der Schaltung von der Tatsache ab, daß ähnliche Elemente, die auf einem einzelnen Halhleiterplättchen Cchip) fabriziert werden, generell identische Kenndaten haben, und solche identische Kenndaten können temperaturabhängig sein und abweichen bei den gleichen Elementen auf einem anderen Halbleiterplättchen. Es ist auch noch festzuhalten, daß bei der gegenwärtigen Technologie für die Konstruktion der Schal-

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tung die Platzbegrenzung es erforderlich macht , daß die Widerstände 1, 2, 3 und 4 einige Hundert Ohm aufweisen.

Die Schaltung nach Figur 3 stellt eine temperaturkompensierte Quelle für die dritte Gleichstromquelle V₃ dar, die in Verbindung mit der Stromvorspannungsschaltung 10 nach Figur 2 verwendet werden kann, um so den separaten Anschluß für diese Quelle einzusparen. Die Stromerfordernisse der Quelle V^ setzen sich zusammen aus den Basisströmen der NPN-Transistoren Q₄ und Q₁-, die vernachlässigbar sind. Der Strom Jj- wird im wesentlichen bestimmt durch die Differenz der Werte von V. und V~, geteilt durch die Summe der Werte des fünften und sechsten Widerstandes 5 und B. Die Transistoren Q.in> O-1-] und Q.2 sind als Dioden geschaltet und sind in Reihe mit dem Widerstand 6 geschaltet, um Temperaturkompensation für Änderungen der Parameter der Transistoren Q₁-, Qy und Q_R sowie parallel-operierender Transistoren zu liefern, diese Schaltung arbeitet als Spannungsteiler und proportioniert die Potentialdifferenz zwischen den Quellen V₁ und V„. Der fünfte Widerstand 5 verbindet die Quellen V₁ und Vo miteinander und die Reihenschaltung bestehend aus dem sechsten Widerstand 6 und dem PNP-Transistoren Q₁₁ und den NPN-Transistoren Q_1n und Q_1? verbindet die Quellen V„ und My miteinander.

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Claims

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Patentansprüche;

'1/ Eine PNP-Stromspiegelschaltung besteht aus einem ersten und einem zweiten Transistor, hergestellt in lateraler Geometrie-Struktur einer integrierten Schaltung, wobei die Emitter- und Basis-Anschlüsse des ersten Transistors miteinander verbunden sind und wobei ein dritter Transistor vom NPN-Typ ist und seine Basis mit dem Collector des zweiten Transistors verbunden ist und der Collector des dritten Transistors mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist und wobei je ein Widerstand jeweils am Emitter der beiden ersten Transistoren und jeweils ihr freier Anschluß an eine erste Gleichspannungsquelle angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß an den Collectoren der PNP-Transistoren CO₁ und Q₃) eine Stromvorspannungsschaltung (10) angeschlossen ist und Ströme CJc-i und J^t' lief ert, deren Beträge um die Summe der Basisströme Ci.^. und ij-,2^ der Transistoren (CL und CL) differiert, daß am Emitter des Transistors (CL) eine Eingangsschaltung und am Emitter des NPN-Transistors (CL) eine Ausgangsschaltung angeschlossen ist, und daß diese Stromvorspannungsschaltung (10) einen dritten Anschluß hat, der mit einer dritten Gleichspannungsquelle (V₃) verbunden ist.
2. Eine PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die feste Beziehung der Ströme (Jg, und JpJ dem Verhältnis der Widerstandswerte der beiden Widerstände (1 und 2) entspricht.

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3. Eine PNP-Stromspiegelsch.altung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromvorspannungsschaltung (1G) derart ausgebildet ist, daß eine solche feste Beziehung zwischen den Strömen (Jc₁ ^ur|d Jo_?) besteht, daß der Strom (Jq₁) im wesentlichen gleich der Summe der Ströme durch die Basisverbindung der beiden PNP-Transistoren (Q₁ und Q₇) ist und umgekehrt proportional zu den Widerstandswerten der Widerstände (1 und 2) multipliziert mit dem Betrag des Stromes (J₀₇) ist.
4. Eine PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschicht des zweiten PNP-Transistors (Q₇) in einem Verhältnis zu der Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschicht des ersten PNP-Transistors (Q„ ) steht, das

im wesentlichen dem Verhältnis der Widerstandswerte der Widerstände (1 und 2) entspricht.
5. Eine PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,

A. daß die 3tromvorapannungsschaltung( 1 D) zwei NPN-Transistoren (Q. und Q₁-) besitzt, die Basis-, Emitter und Collectoranschlüsse haben, daß die beiden Basisanschlüsse miteinander verbunden sind und an der dritten Gleichspannungsquelle (V_) angeschlossen sind.

B. daß der Collector des ersten NPN-Transistors (Qy₁) mit dem Collector-Dasis-Anschluß des PNP-Transistors (Q₁) verbunden ist, daß der Collector des zweiten NPN-Transistors [Ε]-] mit dem Verbindungspunkt des Collectors des PNP-Transistors (Q₇) mit der Basis des NPN-Transistors (Q„) in Verbindung steht, daß .die dritte Gleichspannungsquelle (V„) mit einer zweiten Gleichspannungsquelle (V₇) verbunden ist;

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C. daß je einer der zwei Widerstände C 3 und 4), deren Werte in dem bereits genannten Verhältnis zueinander stehen, jeweils an einen der Emitteranschlüsse der NPN-Transistoren (CK und Qt-] angeschlossen ist;

D. daß dritte und vierte PNP-Transistoren (Q_c und Q-.] vor-

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gesehen sind, deren Emitteranschluß jeweils an den freien Anschluß des Widerstandes C 3 resp. 4) angeschlossen ist und beide jeweils eine Emitter-Basis-Grenzschicht aufweisen, daß die Basen beider Transistoren (Or- und Q₇) miteinander verbunden sind und daß die Collectoren derselben an der zweiten Gleichspannungsquelle (V^) angeschlossen sind>

E. daß dritte und vierte NPN-Transistoren [Qn und Q₀) vorgesehen sind, deren Basisanschlüsse miteinander sowie mit dsm Collector des Transistors (Q_) verbunden sind

sowie außerdem mit den verbundenen Basis-Anschlüssen der

Transistoren (Q_c und Q-J, daß der Collector des Transib /

stors (Qq) an den Emitter des Transistors (Q₄) angeschlossen ist und daß die beiden Emitter der beiden Transistoren (Q_n und Q₀) mit der zweiten Gleichspannungsquelle (V₂) verbunden sind.
6. Eine PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Fläche der Emitter-Basis-Grenzschichten der genannten PNP-Transistoren (Q_Kund Q₇) im gleichen Verhältnis stehen wie die Widerstandswerte der beiden Widerstände (1 und 2).
7. Eine PNP-Stromspiegelschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Gleichspannungsquelle (V

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gebildet wird, indem zwischen ihr und der ersten Gleich-Spannungsquelle (V,.) ein fünfter Widerstand (5) liegt und in dem zwischen der dritten Gleichspannungsquelle (V„> und der zweiten Gleichspannungsquelle [V^) eine Reihenschaltung bestehend aus einem sechsten Widerstand C6), zwei als Dioden geschalteten NPN-Transistoren (Q_1n und GL,.) mit einem ebenfalls als Diode geschalteten PIMP-Transistors (EJ-vo) liegt.