DE2647132A1 - Halbleiter-bauelement - Google Patents

Halbleiter-bauelement

Info

Publication number
DE2647132A1
DE2647132A1 DE19762647132 DE2647132A DE2647132A1 DE 2647132 A1 DE2647132 A1 DE 2647132A1 DE 19762647132 DE19762647132 DE 19762647132 DE 2647132 A DE2647132 A DE 2647132A DE 2647132 A1 DE2647132 A1 DE 2647132A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
transistors
current
semiconductor component
component according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19762647132
Other languages
English (en)
Inventor
Adrian Paul Brokaw
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Analog Devices Inc
Original Assignee
Analog Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analog Devices Inc filed Critical Analog Devices Inc
Publication of DE2647132A1 publication Critical patent/DE2647132A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/06—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
    • H03M1/0602—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of deviations from the desired transfer characteristic
    • H03M1/0604—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of deviations from the desired transfer characteristic at one point, i.e. by adjusting a single reference value, e.g. bias or gain error
    • H03M1/0607—Offset or drift compensation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Description

Halbleit er-Baueleraent
Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1·
Bei Halbleiter-Bauelementen, insbesondere bei aus mehreren diskreten Halbleiter-Bauelementen bestehenden Halbleiteranordnungen, ist ein gleichmäßiges, überschaubares Temperaturverhalten von wesentlicher Bedeutung. Insbesondere sind temperaturabhängige Arbeitspunktverschiebungen, auch Temperaturdrift genannt, unerwünscht. So verursachen derartige Temperaturdrifts z.B. temperaturabhängige Fehler in dem Ausgangssignal von Digital-Analog-Umsetzern, wie sie aus den US-Patentschriften 3 685 045 und 3 747 088 bekannt sind, bei denen es erforderlich ist, den Emittern von mit einem den Strom wichtenden Widerstandsnetzwerk verbundenen Stromquellen-Transistoren gleiche Spannungen vorzugeben, da nur dann jeder Emitter einen Strom der entsprechenden Wertigkeit dem ihm zugeordneten Widerstand aufprägen kann. Bei ungleichen Emitterspannungen stehen daher die jeweils einem Bit zugeordneten Ströme nicht in dem entsprechenden Verhältnis zueinander. Während die Widerstände des
709812/1027
Widerstandsnetzwerkes derart abgeglichen werden können, daß sich anfängliche Fehler eliminieren lassen, ist eine derartige Korrektur hinsichtlich einer Temperaturdrift nicht möglich.
Gemäß der US-Patentschrift 3 74? 088 besteht eine bekannte Maßnahme zum Herstellen gleicher Emitterspannungen darin, die Emitterflächen derart zu bemessen, daß sämtliche Stromquellen-Transistoren mit der gleichen Stromdichte arbeiten und demzufolge die gleiche Basis-Emitter-Spannung und gleiche Temperaturkennlinien aufweisen. Da sämtliche Stromquellen-Transistoren mit einer gemeinsamen Basisspannung betrieben werden, sind die Emitterspannungen ebenfalls gleich, und zwar auch bei Temperaturänderungen. Da bei derartigen Digital-Analog-Umsetzern die Ströme im allgemeinen entsprechend einer binären Wertigkeit aufgeteilt sind, müssen die Emitterflächen ebenfalls binär gewichtet sein. Bei Aufteilen der Stromquellen-Transistoren in einzelne 4-Bit-Module gemäß der US-Patentschrift 3 747 088 benötigt somit jede 4-Bit-Einheit Emitterflächen im Verhältnis von 8:4:2:1. Dadurch sind für einen derartigen Modul insgesamt 15 Emitter-Flächeneinheiten· erforderlich, die bei Ausführung in integrierter Schaltkreistechnik nachteiligerweise einen wesentlichen Teil der gesamten, zur Verfügung stehenden Chip-Fläche in Anspruch nehmen.
Eine bekannte Maßnahme zur Vermeidung dieses Nachteils und Verringerung der Chip-Fläche bei weiterhin akzeptabler Leistungsfähigkeit eines derartigen Digital-Analog-Umsetzers besteht darin, Stromquellen-Transistoren mit gleichen Emitterflächen in Verbindung mit einer Reihe fester·Spannungswerte zwischen den Basen der Stromquellen-Transistoren zu verwenden.
709812/1027
- t-
Die festen Spannungswerte sind hierbei derart zu wählen, daß sie die Spannungsdifferenz über der jeweiligen Basis-Emitter-Strecke dem Stromdichteverhältnis von 2:1 bei aufeinanderfolgenden Transistoren annähern. Bei diesem Vorschlag besteht ein Problem darin, daß die Spannungsdifferenz über der Basis-Emitter-Strecke des jeweiligen Transistors entsprechend den verschiedenen Stromdichten eine Funktion der absoluten Temperatur ist· Dementsprechend läßt sich mit dieser Methode der festen Spannungswerte nur eine sehr geringe^ Kompensation der Temperaturdrift erzielen, was sich speziell bei multipilizierenden Digital-Analog-Umsetzern, bei denen die jeweilige Spannung über den Stromquellen-Transistoren auf sehr kleine Werte eingestellt ist, nachteilig auswirkt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, gute Temperaturkennwerte bzw. ein gutes Temperaturverhalten von gleichförmig ausgebildeten und daher mit verschiedenen Stromdichten arbeitenden Stromquellen-Transistoren mittels eines Halbleiter-Bauelementes zu erzielen, das vollständig kompatibel mit den Eingangs- und Ausgangs schaltungen von in integrierter Schaltkreistechnik hergestellten Digital-Analog-Umsetzern ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst, während die Unteransprüche vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung betreffen.
Erfindungsgemäß wird somit ein vorteilhaftes Halbleiter-Bauelement vorgeschlagen, das zumindest einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, deren leitfähige Flächen das gleiche Verhältnis, z.B. 2:1, wie das Verhältnis der Strom-
709812/1027
dichten von nachfolgenden Stromquellen-Transistoren aufweisen, wobei eine Einrichtung vorgesehen ist, tun den ersten und den zweiten Transistor zur Bildung unterschiedlicher Basis-Emitter-Spannungen entsprechend den unterschiedlichen Stromdichten gleiche Ströme aufzuprägen. Ein Bauelement, z.B. ein Widerstand, der zwischen die Emitter des ersten und zweiten Transistors geschaltet ist und den durch einen der Transistoren fließenden Strom führt, spricht auf die Differenz der Basis-Emitter-Spannungen an und erzeugt einen Strom, der der temperaturafchängigen Differenz der Basis-Emitter-Spannungen entspricht „
Eine Ausführungsxorm der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt in Form eines Schaltbildes ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelementes .
.Die in der Figur veranschaulichte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelementes dient zur Erzeugung eines Stromes I™, der sich linear mit der absoluten Temperatur ändert, und weist einen ersten Transistor 74 und einen zweiten Transistor 76 auf, deren Emitterflächen in einem Verhältnis von 1:2 zueinander stehen, sowie einen Emitterwiderstand 82, dessen Widerstandswert mit 2R bezeichnet ist. Durch die Transistoren 74 und 76 werden gleiche Ströme mittels eines regenerativ angekoppelten Transistorkreises 102 getrieben, wobei "der Transistorkreis 102 hinsichtlich des Einprägens gleicher Stromwerte sehr genau arbeitet. Wie in der Figur dargestellt ist, weist der Transistorkreis 102 ein erstes Transistorpaar
709812/10 2 7
aus zwei abgeglichenen NPN-Transistoren 104, 106, ein zweites Transistor paar aus zwei abgeglichenen PNP-Transi stören 108, und ein drittes Transistorpaar aus zwei abgeglichenen PNP-Transistoren 112 und 114 auf. Die Emitter der Transistoren und 114 sind mit einer Stromversorgungsleitung 71 verbunden, wobei die drei Transistorpaare regenerativ miteinander gekoppelt sind, wie der Figur zu entnehmen ist, damit die in den beiden Teilen der Schaltungsanordnung fließenden Ströme gleiche ¥erte annehmen. Durch einen Feldeffekttransistor i-tö wird ein Starkstrom vorgegeben, wobei die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors mit einer negativen Spannungsversorgungsleitung 72 verbunden ist und die Quellenelektrode und die Senkenelektrode des Feldeffekttransistors der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 104 parallel geschaltet sind, Der Feldeffekttransistor 116 bewirkt das Fließen eines gesteuerten Leckstroms, der einen für die Aufsteuerung der Schaltungsanordnung ausreichend hohen Wert aufweist, jedoch andererseits klein genug ist, um die gewünschte Wirkungsweise der. Schaltungsanordnung nicht ernsthaft zu beeinflußen, wenn deren regenerative Stromrückgewinnungsarbeitsweise einsetzt. Der von dem erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelement abgegebene Strom IT ist durch folgenden Ausdruck gegeben:
1T = BE = ± . kT__ . In 2 . R R q
Der von dem erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelement abgegebene Strom IT ist der Temperatur im hohem Maße proportional und gibt bei Digital-Analog-Umsetzern ein gutes Temperaturverhalten vor.
709812/1027
Entsprechend ermöglicht die Verwendung -von Zwischenbasis-Widerständen R in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelement die Verwendung von Stromquellen-Transistoren mit gleichförmigen Emitterflächen in Digital-Analog-Umsetzern, ohne daß durch Temperaturdrift bedingte Genauigkeitseinbüßen auftreten. Das erfindungsgemäße Halbleiter-Bauelement ist derart konzipiert, daß es vollständig kompatibel mit den weiteren Schaltungskomponenten eines in integrierter Schaltkreistechnik hergestellten Digital-Analog-Umsetzers ist, z.B. auch mit Stromquellen-Transistoren, die gerichtete Emitterflächen aufweisen. Da nunmehr sämtliche bzw. zumindest einige der in einem derartigen Digital-Analog-Umsetzer verwendeten Stromquellen-Transistoren eine gleichförmige Emitterfläche aufweisen können, lassen sich wesentliche Einsparungen hinsichtlich der für den Digital-Analog-Umsetzer erforderlichen IC-Chip-Fläche erzielen.
Die Wirkungsweise des erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelementes, das einen sich linear mit der absoluten Temperatur ändernden Strom abgibt, wird im wesentlichen dadurch erreicht, daß durch den ersten und den zweiten Transistor zwar der gleiche Strom fließt, die Transistoren jedoch verschiedene Stromdichten führen, so daß unterschiedliche Basis-Emitter-Spannungen auftreten, wobei ein Bauelement, in diesem Falle beispielhaft ein Emitterwiderstand, auf die Differenz der Basis-Emitter-Spannungen zur Bildung eines Stromes anspricht, der entsprechend der Differenz der Basis-Emitter-Spannungen sich linear mit der Temperatur ändert.
709812/1027

Claims (12)

  1. Patentansprüche
    Halbleiter-Bauelement mit zwei Anschlüssen, das nach Anlegen an eine externe Gleichspannungsquelle über die beiden Anschlüsse einen gesteuerten Strom abgibt, der sich linear zu der absoluten Temperatur des Halbleiter-Bauelementes ändert, gekennzeichnet durch einen ersten Transistor (74) und einen zweiten Transistor (76), die leitfähige Flächen vorgegebener Größe aufweisen, durch eine Schaltungsanordnung, die jeden der beiden Transistoren mit den beiden Anschlüssen zur Bildung des gesteuerten Stromes, der von der externen Gleichspannungsquelle über die beiden Anschlüsse zu den beiden Transistoren fließt, koppelt, wobei die Schaltungsanordnung eine von dem gesteuerten Strom aktivierte erste Einrichtung aufweist, die mit zumindest einem der beiden Transistoren gekoppelt ist, um die Relativbeträge der Ströme durch den ersten und den zweiten Transistor auf Werten zu halten, bei denen sich ein vorgegebenes Verhältnis einstellt, das sich von dem Verhältnis der Stromdichten durch die leitfähigen Flächen der Transistoren unterscheidet, wodurch der Wert ^V517 der beiden Transistoren der absoluten Temperatur direkt proportional wird, und wobei die Schaltungsanordnung eine auf den Wert £Vn„ ansprechende zweite Einrichtung aufweist, die den Betrag des den Wert AV-m? direkt proportionalen gesteuerten Stromes derart aufrechterhält, daß der über die beiden Anschlüsse fliessende Strom der absoluten Temperatur direkt proportional ist, wodurch das Halbleiter-Bauelement bei Anschluß an ein Ende einer Zweidrahtleitung, die an ihrem anderen Ende mit einer Gleichspannungsquelle verbunden ist, als Temperaturwandler dient.
    709812/1027 original inspected
  2. 2. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung durch den gesteuerten Strom vollständig mit Strom versorgt wird.
  3. 3. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor leitfähige Flächen unterschiedlicher Größe aufweisen, und daß eine Schaltungseinrichtung in Form zumindest eines regenerativ angekoppelten Transistorpaares (104, 106) mit den Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors verbunden ist, um gleiche Ströme durch den ersten und den zweiten Transistor zu treiben, so daß in den Transistoren Ströme unterschiedlicher Stromdichten fließen und dadurch unterschiedliche Basis-Emitter-Spannungen an dem ersten und dem zweiten Transistor ausgebildet werden«
  4. 4. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den ¥ertAVßE ansprechende Einrichtung einen Widerstand (82) umfaßt, der zwischen die Emitter des ersten (74) und des zweiten (76) Transistors zur Führung des Stromes durch einen der beiden Transistoren geschaltet ist.
  5. 5. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die durch den ersten und den zweiten Transistor fließenden Ströme zur Bildung des sich linear mit der absoluten Temperatur ändernden Stromes aufsummiert werden.
  6. 6. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor leitfähige Flächen aufweisen, die zueinander in einem Verhältnis von 2:1 stehen.
    709812/1027
  7. 7. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Basen des ersten und des zweiten Transistors miteinander verbunden sind, und daß die auf die Differenz der Basis-Emitter-Spannungen des ersten "und des zweiten Transistors ansprechende Einrichtung einen zwischen die Emitter des ersten und des zweiten Transistors geschalteten Widerstand (82) umfaßt, der derart angeordnet ist, daß er den durch denjenigen der beiden Transistoren fließenden Strom führt, der mit der niedrigeren Stromdichte betrieben wird.
  8. 8· Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3 j dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Betreiben des ersten und des zweiten Transistors mit gleichen Strömen zwei regenerativ gekoppelte Transistoren (112, 114) eines zu denjenigen des ersten und des zweiten Transistors komplementären Transistortyps aufweist, deren Basen miteinander verbunden sind und deren Emitter miteinander verbunden sind und die derart geschaltet sind, daß sie den Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors Ströme zuführen·
  9. 9· Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem mit der höheren Stromdichte betriebenene ersten oder zweiten Transistor die Basis mit dem Kollektor verbunden ist, und daß bei dem den jeweils anderen ersten oder zweiten Transistor Strom zuführenden komplementären Transistor die Basis ebenfalls mit dem Kollektor verbunden ist.
  10. 10. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Betrieb des ersten (74) und des
    709812/1027
    zweiten (?6) Transistors mit gleichen Strömen ein erstes Transistorpaar aus Transistoren (104, 106) des gleichen Transistortyps wie der erste und der zweite Transistor aufweist, deren Basen miteinander verbunden sind und die derart geschaltet sind, daß über ihre Emitter den Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors Ströme zugeführt werden, ein zweites Transistorpaar aus Transistoren (108, 110) eines zu demjenigen des ersten und des zweiten Transistors komplementären Transistortyps aufweist, deren Basen miteinander verbunden sind und die derart geschaltet sind, daß über ihre Kollektoren den Kollektoren des ersten Transistorpaares (104, 106) Ströme zugeführt werden, und ein drittes Transistorpaar aus Transistoren (112, 114) eines zu demjenigen des ersten und des zweiten Transistors komplementären Transistortyps aufweist, deren Basen miteinander verbunden sind und deren Emitter miteinander verbunden sind und die derart geschaltet sind, daß sie über ihre Kollektoren den Emittern des zweiten Transistorpaares (108, 110) Strom zuführen.
  11. 11· Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß bei demjenigen ersten oder zweiten Transistor, der mit der höheren Stromdichte betrieben wird, die Basis mit dem Kollektor verbunden ist, und daß bei abwechselnden Transistoren (106 bzw. 108 bzw. 114) des ersten, zweiten und dritten Transistorpaares (104, 106; 108, 110; 112,114) die Basen mit den jeweiligen Kollektoren verbunden sind.
  12. 12. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Auf Steuer einrichtung (116), die den regenerativ gekoppelten Transistoren zur Einleitung des Stromrückgewinnungsbetriebes einen Strom zuführt.
    709812/1027
DE19762647132 1975-03-21 1976-03-20 Halbleiter-bauelement Pending DE2647132A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/560,954 US3940760A (en) 1975-03-21 1975-03-21 Digital-to-analog converter with current source transistors operated accurately at different current densities

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2647132A1 true DE2647132A1 (de) 1977-03-24

Family

ID=24240053

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2611858A Expired DE2611858C2 (de) 1975-03-21 1976-03-20 Digital-Analog-Umsetzer
DE19762647132 Pending DE2647132A1 (de) 1975-03-21 1976-03-20 Halbleiter-bauelement

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2611858A Expired DE2611858C2 (de) 1975-03-21 1976-03-20 Digital-Analog-Umsetzer

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3940760A (de)
JP (2) JPS6013338B2 (de)
DE (2) DE2611858C2 (de)
FR (1) FR2305067A1 (de)
GB (1) GB1537542A (de)
NL (1) NL7602941A (de)
SE (1) SE412150B (de)

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961326A (en) * 1974-09-12 1976-06-01 Analog Devices, Inc. Solid state digital to analog converter
US3940760A (en) * 1975-03-21 1976-02-24 Analog Devices, Inc. Digital-to-analog converter with current source transistors operated accurately at different current densities
US4176344A (en) * 1975-05-28 1979-11-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Integrated circuit binary weighted digital-to-analog converter
US4092639A (en) * 1976-01-06 1978-05-30 Precision Monolithics, Inc. Digital to analog converter with complementary true current outputs
JPS52114250A (en) * 1976-03-22 1977-09-24 Nec Corp Transistor circuit
US4064506A (en) * 1976-04-08 1977-12-20 Rca Corporation Current mirror amplifiers with programmable current gains
JPS52139413A (en) * 1976-05-17 1977-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sound source device for electronic instrument
US4123698A (en) * 1976-07-06 1978-10-31 Analog Devices, Incorporated Integrated circuit two terminal temperature transducer
US4138671A (en) * 1977-02-14 1979-02-06 Precision Monolithics, Inc. Selectable trimming circuit for use with a digital to analog converter
US4131884A (en) * 1977-02-14 1978-12-26 Precision Monolithics, Inc. Trimming control circuit for a digital to analog converter
NL7803536A (nl) * 1977-04-07 1978-10-10 Analog Devices Inc Verbeterde analoog/digitaal-omvormer werkend volgens de zogenaamde successievelijke benaderingswerkwijze.
US4400689A (en) * 1977-04-07 1983-08-23 Analog Devices, Incorporated A-to-D Converter of the successive-approximation type
US4214233A (en) * 1977-06-17 1980-07-22 Motorola Inc. Serial parallel analog-to-digital converter using voltage level shifting of a minimum reference voltage
US4305064A (en) * 1977-09-26 1981-12-08 Motorola Inc. High density analog-to-digital converter
FR2404957A1 (fr) * 1977-09-30 1979-04-27 Ibm France Convertisseur numerique-analogique et son application a un convertisseur analogique-numerique
JPS55611A (en) * 1978-06-09 1980-01-07 Toshiba Corp Constant current circuit
DE2914108C2 (de) * 1979-04-07 1984-03-08 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung für einen Digital-Analog-Wandler
FR2468997A1 (fr) * 1979-10-26 1981-05-08 Thomson Csf Element de circuit integre fournissant un courant proportionnel a une tension de commande et ayant une dependance en temperature predeterminee
US4267550A (en) * 1980-01-25 1981-05-12 National Semiconductor Corporation Digital to analog conversion circuit including compensation FET'S
US4349811A (en) * 1980-07-30 1982-09-14 Analog Devices, Incorporated Digital-to-analog converter with improved compensation arrangement for offset voltage variations
DE3070532D1 (en) * 1980-11-27 1985-05-23 Itt Ind Gmbh Deutsche Monolithic integratable r-2r network
US4591828A (en) * 1981-05-07 1986-05-27 Cambridge Consultants Limited Digital-to-analog converter
US4529966A (en) * 1983-10-11 1985-07-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High-speed bipolar logarithmic analog-to-digital converter
GB2163614A (en) * 1984-08-22 1986-02-26 Philips Electronic Associated Battery economising circuit
NL8500086A (nl) * 1985-01-16 1986-08-18 Philips Nv Digitaal-analoog omzetter.
JPS61197732U (de) * 1985-05-29 1986-12-10
JPH0824264B2 (ja) * 1986-03-17 1996-03-06 株式会社 日立マイコンシステム Ｄ／ａ変換器
JPH077915B2 (ja) * 1986-03-17 1995-01-30 株式会社日立マイコンシステム Ｄ／ａ変換器
US4774497A (en) * 1986-07-10 1988-09-27 Tektronix, Inc. Digital-to-analog converter with gain compensation
US4701694A (en) * 1986-09-08 1987-10-20 Tektronix, Inc. Digitally selectable, multiple current source proportional to a reference current
US4899152A (en) * 1986-12-23 1990-02-06 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for temperature compensating a digital to analog converter
FR2620836B1 (fr) * 1987-09-21 1990-01-19 Thomson Semiconducteurs Source d e courant ajustable et convertisseur numerique/analogique a auto-calibration utilisant une telle source
NL8703128A (nl) * 1987-12-24 1989-07-17 Philips Nv Digitaal-analoog-omzetter.
FR2641626B1 (fr) * 1989-01-11 1991-06-14 Sgs Thomson Microelectronics Generateur de tension de reference stable
US5119094A (en) * 1989-11-20 1992-06-02 Analog Devices, Inc. Termination circuit for an r-2r, ladder that compensates for the temperature drift caused by different current densities along the ladder, using one type of biopolar transistor
US5070331A (en) * 1990-03-15 1991-12-03 Analog Devices, Incorporated High resolution D/A converter operable with single supply voltage
EP0448328B1 (de) * 1990-03-20 1995-12-06 Fujitsu Limited Digital-Analogwandler mit einer Schaltung zur Kompensierung von Ausgangsveränderungen, die von Temperaturänderungen abhängen
US5175550A (en) * 1990-06-19 1992-12-29 Analog Devices, Inc. Repetitive cell matching technique for integrated circuits
JPH04265019A (ja) * 1991-02-20 1992-09-21 Pioneer Electron Corp ディジタル／アナログ変換回路
US5446322A (en) * 1992-05-01 1995-08-29 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for determining when the frequency of an alternating signal is below a predetermined threshold
US5394078A (en) * 1993-10-26 1995-02-28 Analog Devices, Inc. Two terminal temperature transducer having circuitry which controls the entire operating current to be linearly proportional with temperature
US5663728A (en) * 1995-05-18 1997-09-02 Hughes Aircraft Company Digital-to-analog converted (DAC) and method that set waveform rise and fall times to produce an analog waveform that approximates a piecewise linear waveform to reduce spectral distortion
US5619430A (en) * 1995-10-10 1997-04-08 Microchip Technology Inc. Microcontroller with on-chip linear temperature sensor
EP0928688A4 (de) * 1997-07-03 2000-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tintenstrahlaufzeichnungskopf und verfahren zur herstellung
FR2784820B1 (fr) * 1998-10-06 2000-12-08 Thomson Multimedia Sa Dispositif amplificateur a gain commandable numeriquement et appareil lecteur de disques optiques incorporant un tel dispositif
US8176296B2 (en) 2000-10-26 2012-05-08 Cypress Semiconductor Corporation Programmable microcontroller architecture
US6798299B1 (en) * 2000-10-26 2004-09-28 Cypress Semiconductor Corporation Crystal-less oscillator circuit with trimmable analog current control for increased stability
US8103496B1 (en) 2000-10-26 2012-01-24 Cypress Semicondutor Corporation Breakpoint control in an in-circuit emulation system
US7765095B1 (en) 2000-10-26 2010-07-27 Cypress Semiconductor Corporation Conditional branching in an in-circuit emulation system
US6724220B1 (en) 2000-10-26 2004-04-20 Cyress Semiconductor Corporation Programmable microcontroller architecture (mixed analog/digital)
US8149048B1 (en) 2000-10-26 2012-04-03 Cypress Semiconductor Corporation Apparatus and method for programmable power management in a programmable analog circuit block
US8160864B1 (en) 2000-10-26 2012-04-17 Cypress Semiconductor Corporation In-circuit emulator and pod synchronized boot
US6753734B2 (en) 2001-06-06 2004-06-22 Anadigics, Inc. Multi-mode amplifier bias circuit
US6842075B2 (en) * 2001-06-06 2005-01-11 Anadigics, Inc. Gain block with stable internal bias from low-voltage power supply
US7406674B1 (en) 2001-10-24 2008-07-29 Cypress Semiconductor Corporation Method and apparatus for generating microcontroller configuration information
US8078970B1 (en) 2001-11-09 2011-12-13 Cypress Semiconductor Corporation Graphical user interface with user-selectable list-box
US8042093B1 (en) 2001-11-15 2011-10-18 Cypress Semiconductor Corporation System providing automatic source code generation for personalization and parameterization of user modules
US6971004B1 (en) 2001-11-19 2005-11-29 Cypress Semiconductor Corp. System and method of dynamically reconfiguring a programmable integrated circuit
US7844437B1 (en) * 2001-11-19 2010-11-30 Cypress Semiconductor Corporation System and method for performing next placements and pruning of disallowed placements for programming an integrated circuit
US7774190B1 (en) 2001-11-19 2010-08-10 Cypress Semiconductor Corporation Sleep and stall in an in-circuit emulation system
US8069405B1 (en) 2001-11-19 2011-11-29 Cypress Semiconductor Corporation User interface for efficiently browsing an electronic document using data-driven tabs
US7770113B1 (en) 2001-11-19 2010-08-03 Cypress Semiconductor Corporation System and method for dynamically generating a configuration datasheet
US8103497B1 (en) 2002-03-28 2012-01-24 Cypress Semiconductor Corporation External interface for event architecture
US7308608B1 (en) 2002-05-01 2007-12-11 Cypress Semiconductor Corporation Reconfigurable testing system and method
US6653961B1 (en) * 2002-05-08 2003-11-25 Analog Devices, Inc. Multiplying digital-to-analog converter structures that reduce signal distortion
US7761845B1 (en) 2002-09-09 2010-07-20 Cypress Semiconductor Corporation Method for parameterizing a user module
US7295049B1 (en) 2004-03-25 2007-11-13 Cypress Semiconductor Corporation Method and circuit for rapid alignment of signals
US8069436B2 (en) 2004-08-13 2011-11-29 Cypress Semiconductor Corporation Providing hardware independence to automate code generation of processing device firmware
US8286125B2 (en) 2004-08-13 2012-10-09 Cypress Semiconductor Corporation Model for a hardware device-independent method of defining embedded firmware for programmable systems
US7332976B1 (en) 2005-02-04 2008-02-19 Cypress Semiconductor Corporation Poly-phase frequency synthesis oscillator
US7400183B1 (en) 2005-05-05 2008-07-15 Cypress Semiconductor Corporation Voltage controlled oscillator delay cell and method
US8089461B2 (en) * 2005-06-23 2012-01-03 Cypress Semiconductor Corporation Touch wake for electronic devices
US8085067B1 (en) 2005-12-21 2011-12-27 Cypress Semiconductor Corporation Differential-to-single ended signal converter circuit and method
US8035455B1 (en) 2005-12-21 2011-10-11 Cypress Semiconductor Corporation Oscillator amplitude control network
US8067948B2 (en) 2006-03-27 2011-11-29 Cypress Semiconductor Corporation Input/output multiplexer bus
TWI363328B (en) * 2007-02-09 2012-05-01 Richtek Technology Corp Circuit and method for matching current channels
US8026739B2 (en) 2007-04-17 2011-09-27 Cypress Semiconductor Corporation System level interconnect with programmable switching
US8130025B2 (en) * 2007-04-17 2012-03-06 Cypress Semiconductor Corporation Numerical band gap
US8516025B2 (en) * 2007-04-17 2013-08-20 Cypress Semiconductor Corporation Clock driven dynamic datapath chaining
US8040266B2 (en) 2007-04-17 2011-10-18 Cypress Semiconductor Corporation Programmable sigma-delta analog-to-digital converter
US9564902B2 (en) 2007-04-17 2017-02-07 Cypress Semiconductor Corporation Dynamically configurable and re-configurable data path
US7737724B2 (en) 2007-04-17 2010-06-15 Cypress Semiconductor Corporation Universal digital block interconnection and channel routing
US8092083B2 (en) 2007-04-17 2012-01-10 Cypress Semiconductor Corporation Temperature sensor with digital bandgap
US9720805B1 (en) 2007-04-25 2017-08-01 Cypress Semiconductor Corporation System and method for controlling a target device
US8065653B1 (en) 2007-04-25 2011-11-22 Cypress Semiconductor Corporation Configuration of programmable IC design elements
US8266575B1 (en) 2007-04-25 2012-09-11 Cypress Semiconductor Corporation Systems and methods for dynamically reconfiguring a programmable system on a chip
US8049569B1 (en) 2007-09-05 2011-11-01 Cypress Semiconductor Corporation Circuit and method for improving the accuracy of a crystal-less oscillator having dual-frequency modes
US9448964B2 (en) 2009-05-04 2016-09-20 Cypress Semiconductor Corporation Autonomous control in a programmable system
US9726696B2 (en) * 2012-09-21 2017-08-08 Matthew Powell Precision reference circuit and related method
GB2568108B (en) 2017-11-07 2021-06-30 Analog Devices Global Current steering digital to analog converter
WO2020129884A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 株式会社村田製作所 温度検出回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6712081A (de) * 1967-09-02 1969-03-04
US3685045A (en) * 1969-03-24 1972-08-15 Analog Devices Inc Digital-to-analog converters
US3633005A (en) * 1970-02-26 1972-01-04 Ibm A four quadrant multiplier using a single amplifier in a balanced modulator circuit
US3747088A (en) * 1970-12-30 1973-07-17 Analog Devices Inc Solid state digital to analog converter
US3857021A (en) * 1972-04-03 1974-12-24 Hybrid Syst Corp Multiplying current mode digital-to-analog converter
US3842412A (en) * 1972-11-22 1974-10-15 Analog Devices Inc High resolution monolithic digital-to-analog converter
US3961326A (en) * 1974-09-12 1976-06-01 Analog Devices, Inc. Solid state digital to analog converter
US3940760A (en) * 1975-03-21 1976-02-24 Analog Devices, Inc. Digital-to-analog converter with current source transistors operated accurately at different current densities

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6238894B2 (de) 1987-08-20
FR2305067A1 (fr) 1976-10-15
JPS61210723A (ja) 1986-09-18
GB1537542A (en) 1978-12-29
JPS6013338B2 (ja) 1985-04-06
US3940760A (en) 1976-02-24
SE7603320L (sv) 1976-09-22
SE412150B (sv) 1980-02-18
DE2611858C2 (de) 1986-06-12
DE2611858A1 (de) 1977-02-03
FR2305067B1 (de) 1981-09-04
JPS51120160A (en) 1976-10-21
NL7602941A (nl) 1976-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2647132A1 (de) Halbleiter-bauelement
DE3836338A1 (de) Temperaturkompensierte stromquellenschaltung mit zwei anschluessen
DE3213838C2 (de)
DE3342735C2 (de)
DE2323478A1 (de) Datenuebertragungsanordnung
DE2455080C3 (de) Stromstabilisierungsschaltung
DE69221999T2 (de) Bezugsstromschleife
DE2508226A1 (de) Stromstabilisierungsschaltung
DE2941870C2 (de) Logikschaltung mit einem Strommodlogikkreis
DE3937501A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung einer vorspannung
DE2240971A1 (de) Torschaltung
DE2416534A1 (de) Komplementaer-symmetrische verstoerkerschaltung
DE3321556C2 (de)
DE3486360T2 (de) Differentialschalter.
DE2544000C3 (de) Wandler zur Umwandlung eines einseitigen Eingangssignals in ein Gegentaktausgangssignal
DE3318957C2 (de)
DE3224209A1 (de) Brueckengleichrichterschaltung mit transistoren fuer telefone
DE69320776T2 (de) Transkonduktanzverstärker
DE3329664C2 (de)
DE3110355A1 (de) "vorspannungsgenerator"
DE4416711C1 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzstroms
DE2408755A1 (de) Konstantstromquelle mit einem von der versorgungsspannung und der temperatur unabhaengigen strom
DE1952927A1 (de) Schaltungsanordnung zur Regelung der Daempfung einer Leitung,insbesondere Fernmeldeleitung
DE2842144A1 (de) Stromschalter fuer digitalanalogumsetzer
DE2943012C2 (de) Linearer Differenzverstärker

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee