DE3832902A1 - Verfahren zum aufwachsen von gaas-filmen auf si- oder gaas-substrate - Google Patents

Verfahren zum aufwachsen von gaas-filmen auf si- oder gaas-substrate

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Molekular­ strahlepitaxieverfahren (MBE) zum Aufwachsen eines GaAs-Films auf ein Si oder GaAs-Substrat.
Auf Siliziumsubstraten aufgewachsene Gallium­ arsenschichten vertreten eine versprechende Möglich­ keit, die besten Eigenschaften von Si- und GaAs-Ver­ fahrenstechniken zu vereinigen. Vorteile eines Sili­ ziumsubstrats sind der billigere Preis und eine bessere mechanische Festigkeit im Vergleich zu einem teuren und zerbrechlichen GaAs-Substrat. Bei Verwen­ dung eines Siliziumsubstrats ist es möglich, außer GaAs-Kreisen auch andere konventionelle Kreise auf demselben Siliziumsubstrat zu integrieren.
Wenn man einen GaAs-Film auf ein Silizumsub­ strat mit einer verschiedenen chemischen Zusammen­ setzung aufwachsen läßt, besteht das kritischste Problem in der auf die Verschiedenheit der Gitterkon­ stanten zurückzuführenden Fehlanpassung der Kristall­ gitter zwischen Galliumarsen und Silizium, welche Fehlanpassung eine große Versetzungsdichte und Ober­ flächendefektdichte in den aufgewachsenen Filmen ver­ ursacht. Die große Defektdichte hat wieder zur Folge, daß der GaAs-Film als Bauelementschicht unanwendbar ist, und führt zu einer schlechten Ausbeute.
Wenn man GaAs-Schichten gemäß einem konven­ tionellen MBE-Verfahren (MBE = Molecular Beam Epitaxy = Molekularstrahlepitaxie) auf Si-Substrate aufwachsen läßt, erfolgt die Keimbildung von GaAs als dreidimen­ sionale Inseln, die kohärent gespannt, d. h. frei von Fehlanpassungsversetzungen sind. Dieser Keimbildungs­ prozeß ist kompliziert und ungleichmäßig und ist von der Wachstumstemperatur (T s), der Wachstumsrate und der Orientierung des Substrats abhängig. Wenn die Menge von aufgedampften GaAs zunimmt, wachsen die Inseln und vereinigen sich, wobei sie Versetzungen er­ zeugen, um sich der Fehlanpassung der Kristallgitter anzupassen. Auf der Basis von in mehreren Schriften angeführten Beobachtungen läßt sich folgern, daß die Inseln sich bei einer Dicke von etwa 7 nm und bei T s 200°C zu vereinigen und Übergänge von gespannten zu versetzten Zuständen stattzufinden beginnen.
Es gibt zwei Typen von Fehlanpassungsverset­ zungen. Entweder sind sie reine Kantenversetzungen (Typ I) oder gemischte Versetzungen (Typ II). Die Ver­ setzungen vom Typ I lösen die von der Fehlanpassung der Kristallgitter verursachte Spannung effektiver aus als die Versetzungen vom Typ II. Dazu fungieren die Versetzungen vom Typ II wahrscheinlich als Quellen zum Entstehen von fadenförmigen Versetzungen, die tief in die GaAs-Schicht eindringen und somit die Qualität des Materials verschlechtern. Was die Versetzungen vom Typ I betrifft, verlaufen die Versetzungen entlange der Grenzfläche und nur der Grenzflächenbereich wird ver­ schlechtert.
In einem Artikel "Low-Temperature Growth of GaAs and AlAs-GaAs Quantum Well Layers by Modified Molecular Beam Epitaxy", von Y. Horikoshi et al., Japanese Journal of Applied Physics, Vol 25, No. 10, Oktober 1986, Seiten L868-L870, wird eine sogenannte pulsierte Form von MBe angeführt, die von den Ver­ fassern MEE (Migration Enhanced Epitaxy = verbesserte Migrationsepitaxie) genannt wird. Bei MEE-Verfahren werden aus zwei Effusionszellen erzeugte Molekular­ strahlen wechselweise pulsiert, und zwar durch Öffnen und Schließen von Blenden zwischen den Zellen und dem Substrat. Gemäß dem erwähnten Artikel ließ man GaAs- Filme zweidimensional Schicht für Schicht in einer sehr niedrigen Temperatur von sogar 200°C auf GaAs- Substrate aufwachsen, was zu guten kristallogra­ phischen und elektrischen Eigenschaften führt, wenn die Anzahl der in jedem Impuls zugeführten Ga-Atome gleich groß oder beinahe gleich groß ist, wie die Anzahl von Reaktionsstellen auf der Oberfläche des aufwachsenden Films. Arsen wird bei dem folgenden Im­ puls von As₄-Molekülen auf die Oberfläche übertragen, während die Ga-Zelle geschlossen ist. Arsen wird durch katalytische Zersetzung und Reaktionen mit Ga in die Gitterkonstruktion eingebaut. Durch eine Aufdampf­ ung dieser Art entsteht ungefährt eine Molekülschicht pro Arbeitszyklus, wobei dickere Filme durch Wieder­ holung dieser Zyklen erzeugt werden.
Das MEE-Verfahren gemäß dem erwähnten Artikel ist jedoch langsamer als das MBE-Verfahren, und bei heutigen MBE-Wachstumsanordnungen halten die Blenden, die geplant sind, um am Anfang des MBE-Prozesses ge­ öffnet und am Ende des Prozesses geschlossen zu wer­ den, das von MEE geforderte Schließen und Öffnen etwa einmal pro Sekunde nicht aus.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, das die Nachteile der vorbekannten Verfahren vermeidet und GaAs-Filme von besserer Qualität als bis jetzt besonders auf ein Siliziumsubstrat zustandebringt.
Diese Aufgabe wird mittels eines erfindungs­ gemäßen Molekularstrahlepitaxieverfahrens (MBE) ge­ löst, das hauptsächlich dadurch gekennzeichnet ist, was in Patentanspruch 1 angeführt wird.
Der Grundgedanke der Erfindung besteht darin, daß man zuerst nach dem MEE-Verfahren eine GaAs- Pufferschicht in einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur aufwachsen läßt, welche Schicht im Ver­ gleich zu der Gesamtdicke des GaAs-Films relativ dünn ist, bevor man den Rest des GaAs-Films, d. h. eine Bauelementschicht, in einer höheren Temperatur nach dem herkömmlichen MBE-Verfahren aufwachsen läßt.
Dies basiert seinerseits auf der Beobachtung der Anmelderin, daß die Anfangsstufe des Aufwachsens für die Eigenschaften der endgültigen GaAs-Schicht sehr wichtig ist, wenn man die GaAs-Schicht auf Sili­ ziumsubstrat (GaAs/Si-Heteroepitaxie) aufwachsen läßt. Wie früher erläutert wurde, erfolgt die An­ fangskeimbildung bei herkömmlichem MBE-Wachstum durch dreidimensionale Inseln. Andererseits, wenn man eine Pufferschicht mittels MEE aufwachsen läßt, kann das Wachstum mehr planar, wie ein "Stapeln" Schicht für Schicht, gefunden werden, d. h., die Keimbildung ist beinahe zweidimensional und parallel zu der Si/GaAs- Grenzfläche. Es scheint, daß zweidimensionales Wachstum seinerseits durch Erzeugen von Fehlanpassungs­ versetzungen (Typ I) Erleichterung in der Gitter­ spannung bewirkt, welche Versetzungen ein verhältnis­ mäßig niedriges Wirkungsgebiet haben und infolge­ dessen zu einer Verminderung nachteiliger, tief in die GaAs-Schicht eindringender, fadenförmiger Versetzungen und zu einer Beschränkung bei Aufwachsen entstehender Fehler auf einen schmäleren Grenzflächenbereich als bei MBE führen.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können GaAs-Filme von besserer Qualität als früher sogar mit sehr kleinen Pufferschichtdicken auf ein Si-Substrat erzeugt werden, wobei die Minimaldicke der Puffer­ schicht etwa 4-5 nm (40-50 Å) ist. Man hat gefun­ den, daß nach dem erfindungsgemäßen Verfahren aufge­ wachsene GaAs-Filme eine niedrige Oberflächendefekt­ dichte und eine hohe Elektronenbeweglichkeit auf­ weisen, wobei ein Film von 1,85 µm nahezu die Eigen­ schaften eines GaAs-Bulkkristalls aufweist.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren sind GaAs-Filme von guter Qualität auch auf ein GaAs-Sub­ strat erzeugt worden. Die Oberfläche des GaAs-Sub­ strats weist im allgemeinen viel Oberflächendefekte oder Ovaldefekte (200-500 St./cm²) auf, wobei ein großer Teil davon bei MBE-Verfahren auch auf die Oberfläche des GaAs-Films übertragen wird. Was Wachs­ tum auf GaAs-Substraten betrifft, wird als Entgegen­ haltung auf den Artikel "Synthesis of III-V Compound Semiconductor Materials", D. G. Collins, American Institute of Physics Conference Proceedings no. 138, New York 1986, Seiten 208-222, hingewiesen. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist die Defektdichte auf der Oberfläche eines GaAs-Films etwa 10-20 St./cm². Sogar ohne Reinraumeinrichtungen wird eine Oberflä­ chendefektdichte von 70 St./cm² erreicht.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist die MEE-Stufe sehr kurz, und der Hauptteil des Wachstums geschieht in der MBE-Stufe, weshalb das Verfahren die Blenden nicht beansprucht und sich für zur Zeit ver­ wendete MBE-Wachstumsanordnungen gut eignet.
Im folgenden wird das vorliegende, erfindungs­ gemäße Verfahren unter Hinweis auf beigefügte Zeich­ nungen ausführlicher erläutert, wobei
Fig. 1A-1B die verschiedenen Stufen des erfindungsgemäßen Verfahrens veranschaulichen,
Fig. 2 einen erfindungsgemäß aufgewachsenen GaAs-Film veranschaulicht,
Fig. 3-5 mittels des Rutherford-Rück­ streuverfahrens erhaltene Ergebnisse für einen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren aufgewachsene GaAs- Film zeigen.
Das vorliegende Verfahren wird bei im Fach wohlbekannten und im allgemeinen verwendeten MBE-Wachstums­ anordnungen benutzt, um die es sich in dieser Erfin­ dung eigentlich nicht handelt, weshalb die Konstruk­ tion der eigentlichen Wachstumsanordnung hier nicht genauer behandelt wird.
Fig. 1A zeigt schematisch in einer unter Va­ kuum befindlichen Wachstumskammer 7 angeordnete Effu­ sionszellen 2 und 4 und ein Substrat 1. Die Effusions­ zelle 3 enthält die Ga-Elementarkomponente der GaAs- Verbindung z. B. als Ga-Atome und die Effusionszelle 4 enthält die As-Elementarkomponente z. B. als As₄-Mole­ küle. Die Substanzen in den Effusionszellen werden zur Aufdampfung der Substanzen aufgeheizt und der Dampf wird auf die Unterfläche des Substrats gerichtet. Die Strömung des Dampfes aus den Effusionszellen kann durch besondere Blenden zugelassen und verhindert werden, die in der Figur durch Blenden 5 und 6 veranschaulicht werden. Das Substrat 1 wird z. B. mittels eines elek­ trischen Widerstands 8 auf die Wachstumstemperatur aufgeheizt.
Fig. 1A zeigt die Ausgangssituation, in der das Substrat 1 in der Vakuumkammer 7 angeordnet und auf eine erste Wachstumstemperatur im Bereich 100-500°C aufgeheizt ist. As und Ga in den Effusionszellen 2 und 3 werden auf Aufdampfungstemperaturen aufge­ heizt, die von der Größenordnung 300°C (As) und 800°C (Ga) sind. Die Blenden 5 und 6 verhindern den Dampf­ auslaß aus den Zellen.
Die Fig. 1B und 1C veranschaulichen die Aus­ bildung der GaAs-Pufferschicht nach dem MEE-Verfahren. In Fig. 1B wird die Blende 6 vor der As-Zelle 2 ge­ öffnet und der Dampfstrahl (As₄-Moleküle) darf die Oberfläche des Substrats 1 während einer Zeit beein­ flussen, die für die Ausbildung einer Atomschicht er­ forderlich ist. Diese Zeit ist nicht kritisch, weil die As-Atome nicht miteinander verbunden sind, sondern das überflüssige Arsen wird durch Rückaufdampfung ent­ fernt und die aufwachsende Oberfläche wächst nur etwa eine Atomschicht auf. Nach dieser Zeit (Größenordnung 1 s) wird die Blende 6 geschlossen und die Blende 5 geöffnet (Fig. 1C).
In Fig. 1C darf ein Ga-Atome enthaltender Dampfstrahl auf die aufwachsende Oberfläche so lange einwirken, bis eine höchstens einer Atomschicht ent­ sprechende Menge Ga-Atome die aufwachsende Oberfläche erreicht. Die Öffnungszeit der Blende 5 ist kri­ tischer, weil die Ga-Atome auch miteinander verbunden sind und den GaAs-Film mehr als etwa eine Atomschicht aufwachsen lassen können. Nach dieser Zeit wird die Blende 5 geschlossen und die Blende 6 für die folgende As-Atomschicht geöffnet.
Die Stufen der Fig. 1B und 1C werden wieder­ holt, indem der GaAs-Film mit je einer Atomschicht aufwächst, bis die erwünschte Dicke der GaAs-Puffer­ schicht erreicht ist. Danach geht man zum MBE-Verfah­ ren über, das in den Fig. 1D und 1E gezeigt wird.
Nach dem Aufwachsen der Pufferschicht wird das Substrat 1 auf eine zweite Wachstumstemperatur aufge­ heizt, die im Bereich 500-700°C ist. Dann werden die beiden Blenden 5 und 6 geöffnet, wobei die Ga- und As- Dampfstrahlen gleichzeitig die aufwachsende Oberfläche beeinflussen. Die Blenden werden während der ganzen MBE-Stufe offengehalten, bis die erwünschte Dicke des GaAs-Films erreicht ist. Danach werden die beiden Blenden geschlossen, und der Prozeß ist zu Ende.
Fig. 2 zeigt einen auf ein Siliziumsubstrat aufgewachsene GaAs-Film. Die Dicke der Pufferschicht kann im Bereich von 4 bis 300 nm, vorzugsweise im Be­ reich von 50 bis 150 nm, variieren. Die Gesamtdicke des GaAs-Films ist typisch 1 bis 2 µm.
Beispiel 1
Der Versuch umfaßte eine Erzeugung von Si (100) Substraten, die 4° gegen [011] geneigt waren, ein Aufwachsen von GaAs-Schichten und eine Unter­ suchung der Proben durch Rutherford-Rückstreuung/Kana­ lisation (RBS), Röntgenstrahldiffraktion und Hall- Beweglichkeitsmessungen.
Si-Substrate in einer Größe von 8×8 mm² wurden auf einen Mo-Heizblock (frei von Indium) montiert und in dem MBE-System angeordnet. Vor dem Wachstum von GaAs wurden die Substrate 30 Minuten bei einer Tempe­ ratur von 850°C in der Wachstumskammer aufgeheizt.
Die Filme durften mittels sowohl des erfin­ dungsgemäßen MEE/MBE-Verfahrens als auch vergleichs­ weise nur mittels des MBE-Verfahrens bis auf Dicken von 0,45 bis 1,9 µm aufwachsen, wobei ein MBE-System mit drei Kammern der Firma Kryovak Ltd. verwendet wurde.
Bei MBE-Wachstum wurde die erste GaAs-Schicht von etwa 40 nm bei einer Temperatur von T s ≈ 280°C des Substrats mit einer Wachstumsrate von 0,2 µm/h aufge­ dampft. Dann wurde das Substrat auf die Temperatur von 600°C aufgeheizt und die Wachstumsrate wurde bis auf 0,8 µm/h erhöht.
Bei MEE/MBE-Wachstum wurde zuerst eine Puffer­ schicht von etwa 100 nm mittels MEE bei einer Tempe­ ratur von T s ≈ 300°C mit einer Wachstumsrate von 0,5 µm/h aufgedampft. Nach der Aufdampfung der Puffer­ schicht setzte das Wachstum mittels MBE bei einer Temperatur von 600°C und mit einer Rate von 1,0 µm/h fort.
Die RBS-Kanalisationsmessungen wurden durch Verwendung eines ⁴He-Ionenstrahls von 2,3 MeV ausge­ führt, dessen Winkelabweichung kleiner als 0,02° war und der aus einem Van de Graaf-Generator von 2,5 MeV erzeugt wurde. Der Ionenstrahl wurde parallel zu der [100]-Gitterachse von GaAs justiert. Die Justierung war mit einer besseren Genauigkeit als 0,05° reproduzier­ bar. Die Röntgenstrahlmessungen wurden durch Anwendung eines mit einer Cu-Anode versehenen Röntgenstrahldiff­ raktormeters vom Standardtyp und mit einem Kristall ausgeführt. An einer der Proben wurde auch die Hall- Beweglichkeit der Elektronen gemessen.
Fig. 3 zeigt Rückstreuspektra von GaAs- Schichten in einer Dicke von 0,45 und 0,48 µm, welche Schichten mittels MEE/MBE respektive mittels MBE auf Si(100)-Substrate aufgewachsen sind, und von einem GaAs(100)-Bulkwafer.
Bei RBS-Versuch erhält man die Dichte N D der versetzten Ge- und As-Atome im Verhältnis zu der Ge­ samtdichte N der Atome in (unvorbereitetem) GaAs-Bulk als Funktion der Tiefe x aus der Gleichung
N D/N = [H A(x) - HV(x)] / [H R(x) - HV(x)],
wobei H A und H V die gerichteten Rückstreuaus­ beuten von einem GaAs-Film respketive einem GaAs-Bulk­ kristall bezeichnen. H R ist die Ausbeute, die von Zu­ fallsorientierung erhalten wird. Es ist zu bemerken, daß die Gleichung (1) nur im Oberflächenbereich X = 0-1 µm der Probe mit vernünftiger Genautigkeit gültig ist, was auf eine Dekanalisatinserscheinung zurückzu­ führen ist, die die Ausbeute in größeren Tiefen vermehrt.
Fig. 4 zeigt das Verhältnis N D/N (Gleichung 1) als Funktion der Tiefe für die Filmdicken 0,45 µm (niedrigere Kurve) und 0,48 µm (obere Kurve) aus den Spektren der Fig. 3 berechnet.
Fig. 5 zeigt das Verhältnis N D/N für die Film­ dicken 1,85 µm (niedrigere Kurve) und 1,89 µm (obere Kurve) nach Korrigierung der Dekanalisationserschei­ nung. Regelmäßige Kurven sind durch Konvolution des ursprünglichen Spektrums mit einer 20 keV breiten Gauss-Verteilung erhalten.
Die folgende Tabelle I zeigt die (100)-gerich­ teten Minimalausbeuten der Rutherford-Rückstreuung und die FWMH-Werte (full widthe at half maximum) der (400)-Röntgenstrahldiffraktion.
Tabelle I
Die Fig. 3 bis 5 zeigen, daß die Qualität der GaAs-Schichten bei erhöhter Dicke verbessert wird und daß die Qualität der Anfangsaufdampfungen die Entwicklungsrate der Kristallstruktur stark beein­ flußt. Die Dichte der versetzten Atome als Funktion von X zusammen mit den X min- und FWHM-Werten liefern einen deutlichen Beweis dafür, daß die mittels des MEE-Verfahrens ausgeformte Pufferschicht der Kristall­ struktur durch den ganzen Film hindurch bedeutend verbessert. Effekte von MEE sind am deutlichsten aus den dünnen Filmen der Fig. 4 ersichtlich, wo keine Korrigierung der Dekanalisation erforderlich ist. Be­ sonders interessant ist auch die Beobachtung, daß ein niedriger X min-Wert von 0,033, der mit dem des GaAs- Bulkkristalls identisch ist, schon bei Schichtdicken von 1,85 µm erhalten wird, wenn das Wachstum mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens (MEE/MBE) geschieht.
Zum Bewerten der elektrischen Qualität der 1,85 µm dicken GaAs-Schicht (MEE/MBE) wurde eine 0,5 µm dicke Oberfläche auf dem Niveau N d-Na ≈ 4×10¹⁷ cm-3 mit Si dotiert. Van der Pauw-Hall-Messungen dieses Films gaben der Elektronenbeweglichkeit µ H einen Wert 3100 cm²/Vs in der Raumtemperatur. Ver­ gleichsweise soll erwähnt werden, daß der µ H -Wert der auf demselben Niveau dotierten, mittels des MBE-Ver­ fahrens erzeugten GaAs/GaAs-Filme von n-Typ normaler­ weise etwa 3300 cm²/Vs war.
Beispiel 2
Man ließ 1 µm dicke GaAs-Filme mittels des MBE-Verfahrens (600°C, 1 µm/h) und des MEE/MBE Verfahrens (zuerst eine Pufferschicht von 50-200 nm MEE/300°C und dann MBE/600°C) auf ein GaAs-Substrat aufwachsen.
Im Mikroskopbild gefundene Ovaldefekte gehörten zu zwei Hauptklassen: Defekte vom Typ A nahe bei einander und kleinere, vereinzelte Fehler B. Die MEE/MBE Filme enthielten beinache nur Defekte vom Typ A mit augenscheinlichen Kernpartikeln. Defekte vom Typ A hatten ab und zu Galliumtropfen anstatt von Staub­ partikeln in ihren Zentren. Defekte vom Typ A waren sehr selten, gewöhnlich weniger als 10 pro Probe, was praktisch für alle Proben gilt. Die MBE-Filme enthiel­ ten hauptsächlich Defekte vom Typ B mit kleinen oder keinen Kernpartikeln. Somit kann festgestellt werden, daß die verminderte Defektdichte bei MEE/MBE-Wachstum durch Eliminierung von Defekten vom Typ B, d. h. des Effekts von kleinen Partikeln oder anderen mikrosko­ pischen Oberflächenverunreinigungen auf das Substrat, erreicht wird.
Außerdem ist es so, daß viele auf einer vor­ aufgewachsenen Oberfläche befindliche Partikeln und andere Verunreinigungen, die bei MBE-Wachstum Oval­ defekte entwickeln, das nicht bei MEE/MBE-Wachstum tun. Diese Verminderung der Defekte kann sich an die Ausformung einer (nahezu) vollständigen, monoatomaren Schicht anschließen, die mittels jedes MEE-Impulses erreicht wird. Es wird angenommen, daß leicht beweg­ liche Ga-Atome die Oberfläche ziemlich homogen in der arsenfreien Umgebung befeuchtet. Der folgende As₄- Impuls war lang genug, um es den As-Atomen möglich zu machen, alle Kristallstrukturstellen des Gleichgewichts­ zustandes auf der mit Ga gesättigten Oberfläche zu er­ obern. Es ist somit ausdenkbar, daß wenn das Wachstum durch Stapeln von Atomen Schicht für Schicht beginnt, kleine Abscheidungen auf der ursprünglichen Oberfläche des Substrats "begraben" werden und keine Ovaldefekte verursachen, wenn der Film dicker wird. Diese Ansicht wird durch verschiedene Defekttypen in MBE- und MEE/MBE-Filmen gestützt.
Die Beschreibung und die daran angeschlossenen Zeichnungen sind nur beabsichtigt, den Gedanken der Erfindung zu veranschaulichen. Was die Einzelheiten betrifft, kann die Erfindung im Rahmen der beigefügten Patentansprüche variieren.

Claims (3)

1. Molekularstrahlepitaxieverfahren zum Aufwachsen eines GaAs-Films (25) auf der Oberfläche eines Si- oder GaAs-Substrats, bei dem die Wachstumsoberfläche des Substrats (1) in einer Vakuumkammer (7) wenigstens einem Dampfstrahl (11), der die Ga-Elementarkomponente der GaAs-Verbindung enthält, und wenigstens einem Dampf­ strahl (10), der die As-Elementarkomponente der GaAs-Ver­ bindung enthält, ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
  • A) Aufwachsen einer GaAs-Pufferschicht (20) durch wechselweise Zuführung der Elementarstoffe der GaAs-Verbindung auf die Oberfläche eines auf eine erste Temperatur aufgeheizten Substrats (1), so daß je eine Atomschicht entsteht, wobei bei Ausformung jeder Atomschicht die Wachstumsoberfläche einem Dampfstrahl (10,11) ausgesetzt wird, der nur eine Elementarkomponente der GaAs-Verbindung enthält.
  • B) Auheizen des Substrats (1) auf eine zweite Temperatur, die höher als die erste Temperatur ist, und Aufwachsen einer anderen GaAs-Schicht (22) auf die Puffer­ schicht (20) durch gleichzeitige Zuführung der beiden Elementarkomponenten der GaAs-Verbindung.
2. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die erste Temperatur im Bereich von 100 bis 600°C und die zweite Temperatur im Bereich von 500 bis 700°C ist.
3. Verfahren nach Patentanspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Minimaldicke der Pufferschicht (20) etwa 4 bis 5 nm ist.
DE3832902A 1987-09-29 1988-09-28 Verfahren zum aufwachsen von gaas-filmen auf si- oder gaas-substrate Granted DE3832902A1 (de)

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