DE3829003C2 - Abbildungseinrichtung mit Lawinen-Photodiode - Google Patents

Abbildungseinrichtung mit Lawinen-Photodiode

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Abbildungseinrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zur Umwandlung des Bildes eines Objektes in ein elektrisches Signal. Derartige Abbildungseinrichtungen sind allgemein bekannt; vgl. US-PS 4 498 013.
Die Fig. 8 zeigt beispielsweise den Aufbau eines derartigen herkömmlichen ladungsgekoppelten Abbildungselementes (CCD-Element). Das Abbildungselement nach Fig. 8 enthält ein Halbleitersubstrat 28 vom n-Typ, eine auf dem Halbleitersubstrat 28 liegende Epitaxieschicht 27 vom p-Typ sowie einen Photodetektor 23 aus einer Schicht vom n-Typ, die an bzw. innerhalb der Oberfläche der Schicht 27 liegt. Der Photodetektor 23 sammelt Elektronen, die in Abhängigkeit einfallenden Lichtes erzeugt werden. Ein CCD-Übertragungsabschnitt 26 enthält eine innerhalb der Schicht 27 liegende Schicht vom n-Typ zum Empfang gespeicherter Elektronen vom Photodetektor 23. Eine erste CCD-Übertragungselektrode 24 bildet einen Kanal innerhalb der Schicht 27, um die Menge der Elektronen auszulesen, die im Photodetektor 23 gespeichert sind. Eine zweite CCD- Übertragungselektrode 25 auf der ersten CCD-Übertragungselektrode 24 dient zur Übertragung der Elektronen am CCD-Übertragungsabschnitt 26. Innerhalb eines aus diesen Abbildungselementen aufgebauten Feldes ist jedes Element von benachbarten Elementen durch einen Oxidfilm 22 getrennt.
Fällt Licht von einem Objekt auf den Photodetektor 23, so entstehen Elektronen- Lochpaare. Die Elektronen dieser Paare werden durch den Photodetektor 23 gesammelt, wobei die Menge der gesammelten Elektronen der Intensität des einfallenden Lichtes entspricht. Wird eine Spannung an die erste Übertragungselektrode 24 angelegt, so wird innerhalb der Epitaxieschicht 27 vom p- Typ und gegenüber der Übertragungselektrode 24 eine Inversionsschicht gebildet (eine sich nicht im Gleichgewicht befindende Schicht vom n-Typ). Die Inversionsschicht bildet einen Kanal, durch den Elektronen hindurchfließen können, und zwar zwischen der n-Typ Schicht des Photodetektors 23 und der n-Typ Schicht des CCD-Übertragungsabschnittes 26. Die im Photodetektor 23 gesammelten Elektronen fließen in den CCD-Übertragungsabschnitt 26, der eine Schicht vom n-Typ enthält. Die in den CCD-Übertragungsabschnitt 26 fließenden Elektronen werden in Übereinstimmung mit der Potentialmulde bzw. Potentialsenke am CCD-Übertragungsabschnitt 26 angetrieben. Diese Potentialmulde (Potentialtopf) wird durch Taktsignale erzeugt, die zur ersten Übertragungselektrode 24 und zur zweiten Übertragungselektrode 25 geliefert werden, so daß die Elektronenmenge in Form eines Signals ausgelesen werden kann. Mit Hilfe eines Feldes von CCD-Elementen, die sich entlang zweier quer zueinander verlaufender Richtungen erstrecken, ist es möglich, das von einem Bild kommende Lichtsignal in ein elektrisches Lichtsignal umzuwandeln.
Bei der herkömmlichen Abbildungseinrichtung wird einfallendes Licht in ein elektrisches Signal umgewandelt, und zwar durch eine Photodiode mit einem pn- Übergang. Durch diese Umwandlung erzeugte Elektronen werden über eine vorbestimmte Zeit gespeichert und anschließend unter Steuerung der Übertragungselektrode 24 zum CCD-Übertragungsabschnitt 26 geliefert. Die in den CCD- Übertragungsabschnitt 26 fließenden Elektronen werden weiter übertragen, und zwar in Abhängigkeit der Modulation der Potentialmulde infolge der Taktsignale, die an die Übertragungselektroden 24 und 25 angelegt werden. Auf diese Weise läßt sich ein elektrisches Signal in Übereinstimmung mit dem Bild eines Objektes erhalten.
Es ist nicht möglich, die Empfindlichkeit der Bildelemente auf einfallende Strahlung über einen gegebenen Schwellenwert hinaus zu verbessern, der einer Photodiode mit pn-Übergang zur Umwandlung von Licht in Elektrizität entspricht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Abbildungseinrichtung mit einer größeren Empfindlichkeit für das einfallende Licht zu schaffen.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung lassen sich den nachgeordneten Unteransprüchen entnehmen.
In Übereinstimmung mit der Erfindung wird eine p-i-n Lawinen-Photodiode (Avalanche-Photodiode) als Einrichtung zur Umwandlung von Licht in Elektrizität verwendet. Eine Übergitterschicht enthält abwechselnd Halbleiterschichten mit unterschiedlichen Energiebandlücken, wobei die Übergitterschicht als eigenleitende Schicht der Lawinen- Photodiode verwendet wird. Die Übergitterschicht der Lawinen-Photodiode läßt sich zum Beispiel mit Hilfe des Molekularstrahl-Epitaxieverfahrens herstellen (MBE-Verfahren). Ein Licht in Elektrizität umwandelndes Element kann auf einem Bereich eines Schalttransistors hergestellt werden, durch den das Signal von der Photodiode verarbeitet wird. Da das Licht in Elektrizität umwandelnde Element eine p-i-n Lawinen-Photodiode enthält, ergibt sich eine sehr hohe Empfindlichkeit für die Abbildungseinrichtung nach der Erfindung. Die Übergitterschicht, die als eigenleitende Schicht der Photodiode verwendet wird, unterdrückt Rauscherscheinungen, zum Beispiel den Dunkelstrom, so daß die Abbildungseinrichtung neben einer hohen Arbeitsgeschwindigkeit nur ein geringes Rauschen aufweist. Diese Abbildungseinrichtung läßt sich darüber hinaus vorteilhaft in Größtintegrationstechnik herstellen.
Lawinen-Photodioden mit Übergitterschichten sind an sich aus "Appl. Phys. Lett." 40 (1982) S. 38-40 bekannt.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Abbildungseinrichtung nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung im Bereich einer Photodiode,
Fig. 2 den schematischen Aufbau der Abbildungseinrichtung in perspektivischer Darstellung mit sehr vielen der in Fig. 1 gezeigten Photodioden,
Fig. 3 ein Ersatzschaltbild der Abbildungseinrichtung nach Fig. 2,
Fig. 4(a) bis 4(c) Darstellungen zur Erläuterung des Betriebs der Abbildungseinrichtung nach Fig. 1,
Fig. 5 einen Querschnitt durch eine Abbildungseinrichtung nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 6 einen Querschnitt durch eine Abbildungseinrichtung nach einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 7 ein Energiebanddiagramm zur Erläuterung des Betriebs einer Lawinen- Photodiode mit einer Übergitterschicht und
Fig. 8 eine Abbildungseinrichtung nach dem Stand der Technik.
Bevor die einzelnen Ausführungsbeispiele nach der Erfindung näher beschrieben werden, soll zunächst die Wirkungsweise einer in der Erfindung verwendeten Lawinen- (Avalanche-)Photodiode näher erläutert werden, die eine zusammengesetzte Übergitterschicht aufweist. Die Fig. 7 zeigt ein Energiebandprofil einer p-i-n Lawinen-Photodiode mit einer zusammengesetzten Übergitterschicht für die eigenleitende Schicht, wie sie in "Applied Physics Letters", 40 (1982), Seite 38-40, beschrieben worden ist. Schichten (a) und Schichten (b) haben unterschiedliche Energiebandlücken und sind zueinander abwechselnd angeordnet, um eine eigenleitende Schicht zu bilden, die zwischen einer Schicht vom p⁺-Typ und einer Schicht vom n⁺-Typ liegt, um Licht in Elektrizität umzuwandeln. Die unterschiedlichen Energiebandlücken erzeugen Diskontinuitäten in den Bandkanten. Die Energiebarrierendiskontinuität ΔEc im Leitungsband und die Energiebarrierendiskontinuität ΔEv im Valenzband weisen unterschiedliche Höhen auf, wobei ΔEc größer als ΔEv ist.
Wird keine Vorspannung angelegt, so befinden sich die Schichten (a) innerhalb des Übergitterbereichs in einem Verarmungszustand, in welchem keine freien Elektronen und keine freien Löcher existieren. Wird eine Spannung an die Lawinen-Photodiode angelegt, die größer ist als die Lawinen- Einschaltspannung für eine konventionelle p-i-n Diode, so ist es möglich, ein gleichförmiges elektrisches Feld im Übergitterbereich aufzubauen, ohne einen Strom zu erzeugen, der größer als der Dunkelstrom der Photodiode ist.
Bei der Lawinen-Photodiode mit Übergitterschicht wird zu Beginn des Betriebs eine große Rückwärtsvorspannung zwischen der p⁺-Typ Schicht und der n⁺-Typ Schicht angelegt. Fällt in diesem Zustand Licht auf die p⁺-Typ Schicht auf, so werden Elektronen-Lochpaare erzeugt. Aufgrund der Rückwärtsvorspannung erreichen die durch dieses Licht erzeugten Elektronen nach Passieren der ersten Übergitter- Quantenbarriere in der eigenleitenden Schicht eine Schicht (a), in der sie gesammelt werden. Bei diesen Elektronen handelt es sich um heiße Elektronen, die eine relativ hohe Energie aufweisen, und zwar aufgrund des großen elektrischen Feldes, das durch die Rückwärtsvorspannung erzeugt wird. Die eingesammelten Elektronen können aus der Schicht (a) durch Stoßionisation herausgestoßen werden, so daß sie die nächste Schicht (a) erreichen können, wobei sie die dazwischen liegende Schicht (b) der Übergitterschicht passieren. Diejenigen Elektronen, die die nächste Schicht (a) erreichen, schlagen wiederum durch Stoßionisation die in dieser Schicht (a) gesammelten Elektronen aus dieser Schicht (a) heraus. Die aus der zweiten Schicht (a) herausgeschlagenen Elektronen erreichen die nächstfolgende Schicht (a) und bewirken ein Heraustreten von Elektronen aus dieser Schicht (a). Wenn diese Elektronenejektionen wiederholt erfolgen, tritt der sogenannte Lawineneffekt auf. Es werden daher sehr viele Elektronen erzeugt, wobei ein Elektronenfluß zur n⁺-Typ Schicht strömt.
Ist die Bandstruktur der Übergitterschicht geeignet gewählt, bestehen beispielsweise die Schichten (a) aus GaAs und die Schichten (b) aus AlxGa1-xAs, so lassen sich die Energiebanddiskontinuitäten im Leitungsband und Valenzband genau einstellen. Der Elektronenionisationskoeffizient α und der Löcherionisationskoeffizient β können verschieden voneinander sein, so daß sich Rausch- und Dunkelströme unterdrücken lassen.
In Übereinstimmung mit der Erfindung wird eine Lawinen-Photodiode, wie sie oben beschrieben worden ist, zur Steuerung der Umwandlung einfallenden Lichtes in ein meßbares elektrisches Signal verwendet. Die Lawinen-Photodiode weist der Reihe nach eine Schicht vom p-Typ, eine eigenleitende Schicht und eine Schicht vom n-Typ auf und enthält eine zusammengesetzte Übergitterschicht als eigenleitende Schicht, so daß sie rauscharm ist und die Umwandlung von Licht in Elektrizität mit hoher Empfindlichkeit und hoher Geschwindigkeit durchführen kann. Mit der Lawinen-Photodiode verbundene Schalteinrichtungen können einen ersten Betriebszustand einnehmen, um durch die einfallende Lichtenergie erzeugte Ladungen zu sammeln. Sie können ferner einen zweiten Betriebszustand einnehmen, um die gesammelten Ladungen auszulesen, wobei ein meßbares elektrisches Signal erzeugt wird, das ein Maß für die einfallende Lichtenergie ist. Werden mehrere solcher Photodioden/Schalteinrichtungen matrixförmig zueinander angeordnet, so lassen sie sich der Reihe nach auslesen, um ein elektrisches Maß des sichtbaren Bildes zu gewinnen, das auf der matrixförmigen Abbildungseinrichtung abgebildet worden ist.
Die Fig. 1 enthält ein Halbleiter-Abbildungselement der Abbildungseinrichtung nach der Erfindung auf einem Halbleitersubstrat 11 vom p-Typ, das einen Ladungsspeicherbereich 10 vom n⁺-Typ aufweist. Der Ladungsspeicherbereich 10 wird vorzugsweise durch Eindiffundieren von Verunreinigungen in das Halbleitersubstrat 11 vom p-Typ gebildet. Eine Übergitterschicht 90 liegt auf dem Ladungsspeicherbereich 10 und enthält abwechselnd Schichten 8 mit kleiner Energiebandlücke, zum Beispiel aus GaAs, und Schichten 9 mit größerer Energiebandlücke, aus zum Beispiel AlxGa1-xAs. Eine Schicht 7 vom p⁺-Typ liegt auf der Übergitterschicht 90 und enthält einen Bereich zur Umwandlung von Licht in Elektrizität. Eine Steuerelektrode 13 dient zum Auslesen der Menge der in der Schicht 10 gespeicherten Ladung, während eine Schicht 12 vom n⁺-Typ zur Weiterleitung von Elektronen dient, die ihr von der Schicht 10 zugeführt worden sind. Die Schicht 12 wird vorzugsweise durch Eindiffundieren von Verunreinigungen innerhalb des Substrats 11 gebildet, und zwar zu der Zeit, zu der auch die Schicht 10 vom n⁺-Typ gebildet wird. Die Schicht 12 liegt an bzw. in der Oberfläche des Substrats 11. In der Struktur nach Fig. 1 enthält die Einrichtung zur Umwandlung von Licht in Elektrizität die Schicht 7, die Übergitterschicht 90 und die Schicht 10. Die Schalteinrichtung zum Auslesen der Ladungsmenge umfaßt die Schicht 10, die Steuerelektrode 13 und die Schicht 12 vom n⁺-Typ. Die Steuerelektrode 13 ist gegenüber dem Substrat 11 durch einen elektrisch isolierenden Film 14 getrennt. Die Steuerelektrode 13 und die Bereiche 10 und 12 bilden einen MOSFET, der als Schalter arbeitet.
Die Fig. 2 zeigt schematisch den Aufbau der Abbildungseinrichtung mit einer großen Anzahl von Halbleiter-Abbildungselementen nach Fig. 1 in einer zweidimensionalen Feldanordnung auf einem Halbleiterchip 1. Die in Fig. 2 gezeigten Abbildungselemente 2 erstrecken sich in quer zueinander liegenden Richtungen, sind also in Horizontalrichtung und in Vertikalrichtung auf der Oberfläche des Chips 1 angeordnet. Eine Schaltung 3 zur Abtastung in Horizontalrichtung und eine Schaltung 4 zur Abtastung in Vertikalrichtung dienen zum Auslesen von Information aus den Abbildungselementen durch aufeinanderfolgendes bzw. sequentielles Abfragen der Elemente. Die Schaltung 3 zur Abtastung in Horizontalrichtung steuert die in Horizontalrichtung nebeneinander liegenden Abbildungselemente über Horizontalrichtungs- Abtastleitungen 6 an. Die Schaltung 4 zur Abtastung in Vertikalrichtung steuert die in Vertikalrichtung untereinander liegenden Abbildungselemente über Vertikal-Abtastleitungen 5 an.
In der Fig. 3 ist ein Ersatzschaltbild der Abbildungseinrichtung nach der Erfindung dargestellt. Wie zu erkennen ist, enthält jedes Halbleiter- Abbildungselement 2 eine Lawinen-Photodiode APD, die ihrerseits eine Übergitterschicht enthält, sowie einen MOS-Schalter S zur Übertragung von Elektronen von der Lawinen-Photodiode zur Signalleitung 6. Unter Bezugnahme auf die Struktur nach Fig. 1 enthält das Schaltungsdiagramm nach Fig. 3 eine Steuerelektrode 13, die mit einer Vertikalrichtungs-Abtastleitung 5 verbunden ist, sowie eine Verunreinigungsdiffusionsschicht 12, die mit einer Horizontalrichtungs- Abtastleitung 6 verbunden ist. Ein Übertragungstorschalter T ist für jede Horizontalrichtungs-Abtastleitung 6 vorhanden, um die jeweiligen Horizontalrichtungs-Abtastleitungen 6 nacheinander mit einer Ausgangssignalleitung 100 zu verbinden, und zwar in Übereinstimmung mit dem Steuersignal von der Horizontalrichtungs-Abtastschaltung 3.
In Abhängigkeit vom Steuersignal der Horizontalrichtungs-Abtastschaltung 3 wird jede der Horizontalrichtungs-Abtastleitungen 6 nacheinander und sequentiell mit der Ausgangssignalleitung 100 verbunden. Nachdem die Abtastung eines Abbildungselementes beendet worden ist, das mit einer Vertikalrichtungs-Abtastleitung 5 verbunden ist, wird die nächste Vertikalrichtungs-Abtastleitung mit Hilfe des Steuersignals von der Vertikalrichtungs-Abtastschaltung 4 ausgewählt. Auf diese Weise läßt sich ein elektrisches Signal in Übereinstimmung mit einem Bild eines Objektes erzeugen.
Die Fig. 4(a) bis 4(c) zeigen ein Potentialprofil des Leitungsbandes eines Abbildungselementes mit Übergitterschicht. Der Betrieb des Abbildungselementes wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 sowie auf die Fig. 4(a) bis 4(c) näher erläutert. Zunächst wird eine Rückwärtsvorspannung von geeigneter Größe zwischen den Schichten 7 und 10 angelegt, so daß die Schicht 7 als Einrichtung zur Umwandlung von Licht in Elektrizität arbeiten kann. Durch die Vorspannung wird ein hohes elektrisches Feld erzeugt, so daß innerhalb der Übergitterschicht der Lawineneffekt auftritt. Ein Potential ΦTG wird an die Steuerelektrode 13 des MOS Schalters gelegt. In Fig. 4(a) beträgt das Potential ΦTG Null Volt. In diesem Fall speichert die Einrichtung zur Umwandlung von Licht in Elektrizität Ladungen. Fällt Licht h · ν auf die Schicht 7 auf, so werden Elektronen-Lochpaare erzeugt, wobei die Elektronen durch das elektrische Feld beschleunigt werden und die nächste Schicht 8 erreichen. Die Elektronen, die die erste Schicht 8 erreichen, stoßen andere Elektronen aus dieser Schicht 8 aufgrund von Stoßionisationen heraus. Diese herausgestoßenen Elektronen erreichen die nächste Schicht 8, nachdem sie eine dazwischen liegende Schicht 9 durchlaufen haben. Diejenigen Elektronen, die die nächste Schicht 8 erreichen, stoßen wiederum mehrere Elektronen aus dieser Schicht 8 heraus, und zwar wiederum aufgrund von Stoßionisation, so daß letztlich ein Elektronenfluß in Richtung der nachfolgenden Schichten 8 entsteht. In Übereinstimmung mit dem Lawinen-Effekt erhöhen diese wiederholten Stoßionisationen die Anzahl der fließenden Elektronen, so daß letztlich sehr viele Elektronen in der Schicht 10 gespeichert werden, also im Ladungsspeicherbereich.
Wird gemäß Fig. 4(b) ein Abbildungselement abgetastet, und ist das an der Steuerlelektrode 13 anliegende Potential ΦTG größer als Null, wird also die Steuerelektrode 13 durch das Ausgangssignal der Vertikalabtastschaltung 4 auf einen hohen Pegel vorgespannt, so wird eine Inversionsschicht im Substrat gegenüber der Steuerelektrode 13 erzeugt. Es bildet sich daher ein Kanal- bzw. Elektronenweg zwischen den Schichten 10 und 12 aus. In der Schicht 10 gespeicherte Elektronen fließen durch den Kanal in die Schicht 12, in der sie über die Signalleitung 6, das Steuertor T und die Signalleitung 100 ausgelesen werden, wie die Fig. 3 zeigt, und zwar unter Steuerung der Horizontalrichtungs-Abtastschaltung 3.
Wird das von der Vertikalrichtungs-Abtastschaltung an die Steuerelektrode 13 gelieferte Potential ΦTG wieder Null, so steigt das Potential unterhalb der Steuerelektrode 13 an, wobei der Elektronenweg verschwindet. Die Schicht 10 wird wiederum als Ladungsspeicherschicht verwendet. Durch aufeinanderfolgende Wiederholung dieses Betriebs bei einer vorbestimmten Frequenz ist es möglich, das Lichtsignal aus dem Feld der Abbildungselemente bei einer vorbestimmten Rate zu extrahieren, um ein elektrisches Signal in Übereinstimmung mit dem Bild des Objektes zu gewinnen. Da eine Lawine-Photodiode mit einer Übergitterschicht als Umwandlungselement zur Umwandlung von Licht in Elektrizität verwendet wird, ist es möglich, eine relativ große Anzahl von Elektronen auch bei einer relativ schwachen Intensität des einfallenden Lichts zu speichern. Damit ist es möglich, die Empfindlichkeit der Abbildungseinrichtung zu erhöhen.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird eine Übergitterschicht verwendet, die abwechselnd Schichten mit kleinerer und Schichten mit größerer Energiebandlücke aus GaAs bzw. AlxGa1-xAs aufweist. Es kann aber auch eine Übergitterschicht zum Einsatz kommen, bei der die Schichten mit kleinerer Energiebandlücke aus Indiumphosphid und die Schichten mit größerer Energiebandlücke aus Indium-Gallium-Arsenid bestehen. In diesem Fall wird derselbe Effekt wie zuvor erreicht.
Das in Fig. 1 gezeigte Substrat 11 kann aus Silizium bestehen. während der Isolator 14 Siliziumdioxid sein kann, so daß das Schaltelement ein MOSFET ist. Die Schicht 7 kann eine GaAs- Schicht vom p⁺-Typ sein, während die Schichten mit kleinerer Energiebandlücke und die Schichten mit größerer Energiebandlücke in der Übergitterschicht 90 jeweils aus GaAs bzw. AlxGa1-xAs aufgebaut sind. Die einzelnen Schichten lassen sich mit Hilfe des Molekularstrahl-Epitaxieverfahrens der Reihe nach herstellen.
Alternativ dazu können die Schicht 7 und die Übergitterschicht 90 auch aus amorphem Silizium zusammengesetzt sein, das Wasserstoff, Fluor oder andere Elemente oder Mischungen von Elementen enthält, die freie Bindungen passivieren. Dabei kann die Schicht 7 mit Wasserstoff verbundenes amorphes Silizium vom p⁺-Typ sein, während die Schichten mit geringerer Energiebandlücke aus mit Wasserstoff verbundenem amorphem Silizium bestehen können. Die Schichten mit größerer Energiebandlücke können dagegen aus mit Wasserstoff verbundenem amorphem Siliziumnitrid oder aus hydriertem amorphem Silizium bestehen, das ein Bandlücken-Einstellelement aufweist, wie zum Beispiel Stickstoff oder Kohlenstoff.
Es wurde bisher erwähnt, daß eine p⁺-Typ Schicht als Lichteinfallsschicht und ein n⁺-Typ Bereich als Bereich 10 verwendet werden. Bei diesen Dotierungsverhältnissen werden die Beweglichkeit und die Lebensdauer der Elektronen ausgenutzt. Die Leitfähigkeitstypen der einzelnen Bereiche innerhalb der Einrichtung nach der Erfindung lassen sich aber auch umgekehrt wählen. So können die Photodetektorschicht 7 eine Schicht vom n⁺-Typ und die Bereiche 10 und 12 jeweils Bereiche vom p⁺-Typ sein. Das Substrat 11 wäre dann ein n-Substrat. Bei diesen Verhältnissen würden sich andere Energiebandlücken-Diskontinuitäten ergeben, wobei ΔEv größer als ΔEc wäre. Die gesammelten und übertragenen Ladungsträger wären Löcher und keine Elektronen.
Beim Abbildungselement nach Fig. 1 liegen die Einrichtungen zur Umwandlung von Licht in Elektrizität und die Schalteinrichtung auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats und quer zu dieser Oberfläche. Beide Einrichtungen liegen also nebeneinander. Es ist aber auch möglich, ein Element zur Umwandlung von Licht in Elektrizität und ein Schaltelement im selben Bereich auf der Oberfläche eines Substrats zu bilden, so daß ein Aperturverhältnis von nahezu einhundert Prozent erhalten wird. Die Fig. 5 und 6 zeigen Abbildungselemente nach der Erfindung mit vergrößertem Aperturverhältnis.
Entsprechend der Fig. 5 enthält ein Abbildungselement eine Kollektorschicht 17 vom n⁺-Typ, die vorzugsweise durch Ionenimplantation von Verunreinigungen in das Substrat 11 erhalten wird, eine Basisschicht 16 vom p-Typ, die vorzugsweise durch Ionenimplantation von Verunreinigungen in die Kollektorschicht 17 erhalten wird und eine Emitterschicht 15 vom n⁺-Typ, die vorzugsweise durch Ionenimplantation von Verunreinigungen in die Basisschicht 16 erhalten wird. Entsprechend dem zuvor geschriebenen Ausführungsbeispiel ist auch hier eine Übergitterschicht 90 vorhanden, die mehrere aufeinander liegende Schichten 8 und 9 mit jeweils unterschiedlichen Bandlücken aufweist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel liegt die Übergitterschicht 90 auf dem Emitterbereich 15, wobei auf der Übergitterschicht 90 ein Bereich 7 vom p⁺- Typ zur Umwandlung von Licht in Elektrizität liegt. Bei diesem Aufbau bilden die Emitterschicht 15, die Basisschicht 16 und die Kollektorschicht 17 einen bipolaren Transistor, der als Schaltelement arbeitet, um Information aus einem Element auslesen zu können, das Licht in Elektrizität umwandelt.
Beim Betrieb werden Elektronen in der Emitterschicht 15 gespeichert und zur Kollektorschicht 17 in Übereinstimmung mit einer Spannung übertragen, die an eine Basiselektrode B der Basisschicht 16 angelegt wird. Die zur Kollektorschicht 17 übertragenen Elektronen werden über eine Kollektorelektrode C ausgelesen. Die Übergitterschicht 90 enthält abwechselnd Schichten 8 mit geringerer Energiebandlücke und Schichten 9 mit größerer Energiebandlücke und wird mit Hilfe einer herkömmlichen Niederschlagstechnik gebildet, beispielsweise mit Hilfe des MBE-Verfahrens (Molekularstrahl-Epitaxieverfahren). Eine Rückwärtsvorspannung V wird an die Schicht 7 gelegt, um das Licht in Elektrizität umwandelnde Element in geeigneter Weise vorzuspannen. Das Substrat 11 liegt auf Erdpotential. Beim Aufbau nach Fig. 5 liegen die Lawinen-Photodiode und das Schaltelement auf demselben Bereich des Abbildungselementes. Hierdurch läßt sich ein Abbildungselement-Aperturverhältnis von nahezu einhundert Prozent erreichen.
Die Fig. 6 zeigt einen Querschnitt durch einen anderen Aufbau eines Abbildungselementes nach der Erfindung mit Übergitter-Struktur. Bei diesem Aufbau nach Fig. 6 ist der Schalttransistor zum Auslesen von Information ein MOSFET. Teile der Schicht 7, der Schichten 8 und der Schichten 9 liegen oberhalb des Schalttransistors. Der Schalttransistor enthält eine Steuerelektrode 13, eine Schicht 10 vom n⁺-Typ, vorzugsweise durch Diffusion von Verunreinigungen hergestellt, sowie eine Schicht 12 vom n⁺-Typ, die ebenfalls vorzugsweise in einem Diffusionsschritt gebildet worden ist. Die durch das Licht in Elektrizität umwandelnde Element gebildeten Elektronen werden über die Schicht 12 und eine Signalleitung 18 ausgelesen. Die Signalleitung 18 und die Steuerelektrode 13 sind durch einen Isolationsfilm 14 voneinander getrennt. Die Signalleitung 18 und die Übergitterschicht 90 sind durch einen zweiten Isolationsfilm 19 voneinander getrennt, der beispielsweise aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder aus Glas besteht. Die Übergitterschicht 90 und die Schicht 7 liegen beide wenigstens zum Teil auf dem Isolationsfilm 19 und sind gegenüber benachbarten Abbildungselementen durch einen Isolationstrennfilm 21 isoliert. Der Film 21 kann zum Beispiel aus demjenigen Isolator bestehen, der auch zur Bildung des Films 19 verwendet worden ist. Eine Elektrode 20 zum Anlegen einer Rückwärtsvorspannung an die Schicht 7 liegt auf einem Teil der Schicht 7. Mit der dargestellten Struktur wird ein Aperturverhältnis von nahezu einhundert Prozent erhalten, wobei sich diese Struktur zur Herstellung in Größtintegrationstechnik eignet, so daß sich eine komplexe Abbildungseinrichtung realisieren läßt.
Beim Aufbau nach Fig. 6 ist das Abbildungselement gegenüber benachbarten Abbildungselementen durch einen Isolationsfilm 21 isoliert, wobei die gewünschte Isolation aber auch durch Bildung eines Luftspalts zwischen benachbarten Abbildungselementen erreicht werden kann. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel liegt eine metallische Elektrode auf der Oberfläche der Schicht 7, um eine Vorspannung an das Licht in Elektrizität umwandelnde Element anlegen zu können. Die metallische Elektrode kann durch eine transparente Elektrode ergänzt oder ersetzt werden, zum Beispiel durch eine Elektrode aus einem transparenten, elektrisch leitenden Oxid, wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid.
Bei den obigen Ausführungsbeispielen wird das Schaltelement zum Auslesen von Information ein MOSFET oder ein bipolarer Transistor verwendet. Das Schaltelement kann aber auch ein MESFET sein. Die Einrichtung zum Auslesen des Signals kann alternativ auch eine CCD-Struktur mit einem Kanal enthalten, wie im Zusammenhang mit Fig. 8 beschrieben worden ist.

Claims (9)

1. Abbildungseinrichtung mit
- einem halbleitenden Substrat (11),
- mehreren auf dem Substrat (11) angeordneten Diodeneinrichtungen zum Umwandeln einfallenden Lichts in elektrische Signale, und
- jeweils einer für jede Diodeneinrichtung auf dem Substrat (11) vorgesehenen Schalteinrichtung, die einen mit der Diodeneinrichtung gemeinsamen ersten Dotierungsbereich aufweist und zum Schalten der elektrischen Signale dient, dadurch gekennzeichnet, daß jede Diodeneinrichtung eine Lawinen-Photodiode mit einer zwischen einer p-leitenden Begrenzungsschicht (7) und einer n-leitenden Begrenzungsschicht (10, 15) ausgebildeten, intrinsischleitenden Übergitterschicht (90) aus Materialien mit unterschiedlichem Bandabstand ist, und daß der erste Dotierungsbereich durch eine der Begrenzungsschichten (7; 10, 15) gebildet wird.
2. Abbildungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergitterschicht (90) nur auf dem ersten Dotierungsbereich ausgebildet ist.
3. Abbildungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergitterschicht (90) den ersten Dotierungsbereich überragt und die übrigen Teile der Schalteinrichtung wenigstens zum Teil bedeckt.
4. Abbildungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (11) Silizium oder Galliumarsenid ist und die Übergitterschicht (90) abwechselnd Schichten (8, 9) aus GaAs und AlxGa1-xAs enthält.
5. Abbildungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Übergitterschicht (90) abwechselnd Schichten aus mit Wasserstoff verbundenem, amorphem Silizium und aus mit Wasserstoff verbundenem, amorphem Silizium enthält, das durch ein Element der Gruppe modifiziert ist, die Stickstoff oder Kohlenstoff enthält, wobei durch das Element die Bandlücke verändert wird.
6. Abbildungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Licht durch die p-leitende Begrenzungsschicht (7) einfällt.
7. Abbildungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Dotierungsbereich vom n-Typ ist sowie zur Ausbildung der Schalteinrichtung als Bipolartransistor der Reihe nach im Substrat (11) von einem p-Typ Basisbereich (16) und einem n-Typ Kollektorbereich (17) umgeben ist.
8. Abbildungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf der dem einfallenden Licht ausgesetzten Begrenzungsschicht eine transparente, elektrisch leitende Elektrode (20) angeordnet ist.
9. Abbildungseinrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Elektrode (20) aus Metall besteht.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3839513A1 (de) * 1988-11-23 1990-05-31 Messerschmitt Boelkow Blohm Bildsensor
DE58908801D1 (de) * 1988-11-23 1995-02-02 Telefunken Microelectron Bildsensor.
DE69033657T2 (de) * 1989-08-04 2001-05-03 Canon K.K., Tokio/Tokyo Photoelektrischer umwandler
US6127692A (en) * 1989-08-04 2000-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus
US5260560A (en) * 1990-03-02 1993-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric transfer device
US5162885A (en) * 1990-09-07 1992-11-10 Georgia Tech Research Corporation Acoustic charge transport imager
EP0592400B1 (de) * 1990-11-08 1998-08-19 Xsirius Scientific Corporation Matrix von silizium-lawinenphotodioden
US5203587A (en) * 1990-12-18 1993-04-20 Trw Inc. Method of assembly of a combustion cup, filter, and diffuser cup for a vehicle occupant restraint inflator
ATE166183T1 (de) * 1991-09-30 1998-05-15 Luminis Pty Ltd Gallium-arsenid-mesfet-bildaufnehmer
US5401952A (en) * 1991-10-25 1995-03-28 Canon Kabushiki Kaisha Signal processor having avalanche photodiodes
JPH05198787A (ja) * 1991-11-08 1993-08-06 Canon Inc 固体撮像装置及びその製造方法
DE69231398T2 (de) * 1991-11-22 2001-02-22 Canon K.K., Tokio/Tokyo Photoelektrischer Wandler und Steuerverfahren dafür
US5274246A (en) * 1992-05-04 1993-12-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optical modulation and switching with enhanced third order nonlinearity multiple quantum well effects
US5444280A (en) * 1993-12-20 1995-08-22 Scientific Imaging Technologies, Inc. Photodetector comprising avalanche photosensing layer and interline CCD readout layer
US5557114A (en) * 1995-01-12 1996-09-17 International Business Machines Corporation Optical fet
JP3103064B2 (ja) * 1998-04-23 2000-10-23 松下電子工業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2001332759A (ja) 2000-03-16 2001-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd アバランシェフォトダイオード
US6858829B2 (en) * 2001-06-20 2005-02-22 Agilent Technologies, Inc. Avalanche photodiode array biasing device and avalanche photodiode structure
WO2005065326A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 Pettit John W Optically controlled electrical switching device based on wide bandgap semiconductors
WO2006008746A2 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Integrated active pixel sensor and method of its fabrication
FR2971888A1 (fr) 2011-02-23 2012-08-24 St Microelectronics Crolles 2 Dispositif et procédé de mesure d'énergie lumineuse reçue par au moins un photosite.
JP5799538B2 (ja) * 2011-03-18 2015-10-28 セイコーエプソン株式会社 テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置
GB201116780D0 (en) * 2011-09-29 2011-11-09 Secr Defence Imaging sensor
JP5838704B2 (ja) * 2011-10-10 2016-01-06 株式会社デンソー 撮像素子
JP5910064B2 (ja) * 2011-12-20 2016-04-27 セイコーエプソン株式会社 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置
US9614112B2 (en) 2013-09-11 2017-04-04 The University Of Connecticut Imaging cell array integrated circuit
KR102660806B1 (ko) * 2019-02-26 2024-04-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 이득 엘리먼트를 갖는 하전 입자 검출기
GB2624158A (en) * 2022-11-03 2024-05-15 Sumitomo Chemical Co Device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6042666B2 (ja) * 1978-02-01 1985-09-24 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US4492810A (en) * 1978-03-08 1985-01-08 Sovonics Solar Systems Optimized doped and band gap adjusted photoresponsive amorphous alloys and devices
JPS5772369A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Hitachi Ltd Semiconductor device building in light receiving element
JPS57162364A (en) * 1981-03-30 1982-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid state image pickup device
JPS6118183A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Fuji Photo Film Co Ltd 固体光検出デバイス
JPS61226973A (ja) * 1985-04-01 1986-10-08 Hitachi Ltd アバランシエホトダイオ−ド

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Publication number Publication date
DE3829003A1 (de) 1989-03-16
JPS6455859A (en) 1989-03-02
JPH0715979B2 (ja) 1995-02-22
US4933731A (en) 1990-06-12

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