JP5838704B2 - 撮像素子 - Google Patents
撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5838704B2 JP5838704B2 JP2011223529A JP2011223529A JP5838704B2 JP 5838704 B2 JP5838704 B2 JP 5838704B2 JP 2011223529 A JP2011223529 A JP 2011223529A JP 2011223529 A JP2011223529 A JP 2011223529A JP 5838704 B2 JP5838704 B2 JP 5838704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- layer
- conductivity type
- type
- type layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態における撮像素子が複数組み合わされてなる撮像装置の一部を示す平面模式図である。
上記第1実施形態において、N型ソース領域21の不純物濃度はN型ドレイン領域22の不純物濃度と同じであってもよいし、高くされていてもよい。
10 シリコン基板
20 回路部
21 N型ソース領域
22 N型ドレイン領域
24 ゲート電極
30 フォトダイオード
31 N型InAs層
32 P型InxGa(1−x)As層(0<x<1)
33 P型InAs層
35 電極
Claims (5)
- 単結晶基板(10)と、
当該単結晶基板(10)に形成された回路部(20)と、
前記回路部(20)の一部と直接接触する状態で前記単結晶基板(10)の一面に配置された単結晶第1導電型層(31)と、前記単結晶第1導電型層(31)上に配置された単結晶第2導電型層(33)とを有するフォトダイオード(30)と、
前記単結晶第2導電型層(33)と電気的に接続される電極(35)と、を備え、
前記単結晶基板(10)の一面にはコンタクトホール(23a)が形成された絶縁膜(23)が配置されており、
前記単結晶第1導電型層(31)は、一部が前記コンタクトホール(23a)を介して前記回路部(20)の一部と直接接触しており、
前記単結晶第2導電型層(33)は、前記第1導電型層(31)を覆う状態で配置され、前記コンタクトホール(23a)が形成された絶縁膜(23)と接触しており、
前記フォトダイオード(30)は、前記単結晶第1導電型層(31)と前記単結晶第2導電型層(33)との間に、前記単結晶第1導電型層(31)がN型である場合には伝導体側に、前記単結晶第1導電型層(31)がP型である場合には価電子帯側に、前記単結晶第1導電型層(31)のエネルギーバンドに対して突出するエネルギーバンドを有する単結晶バリア層(32)を備え、
前記単結晶第1導電型層(31)は、単結晶第1導電型InAs層であり、
前記単結晶第2導電型層(33)は、単結晶第2導電型InAs層であり、
前記単結晶バリア層(32)は、単結晶In x Ga (1−x) As層(0<x<1)であり、
前記単結晶In x Ga (1−x) As層(0<x<1)は、Gaの組成比が0.17以上であることを特徴とする撮像素子。 - 前記単結晶基板(10)は第2導電型の半導体基板とされ、
前記回路部(20)は、前記単結晶基板(10)の表層部に互いに離間して形成された第1導電型の第1、第2領域(21、22)と、前記単結晶基板(10)の一面のうち前記第1領域(21)と前記第2領域(22)との間に配置された前記絶縁膜(23)上に形成されたゲート電極(24)と、を有し、
前記単結晶第1導電型層(31)は、前記第1領域(21)と直接接触する状態で配置されていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1領域(21)は、前記単結晶第1導電型層(31)がN型である場合には前記第2領域(22)より不純物濃度が低くされ、前記単結晶第1導電型層(31)がP型である場合には前記第2領域(22)より不純物濃度が高くされていることを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
- 前記単結晶第1導電型層(31)は、N型であり、
前記単結晶第2導電型層(33)は、P型であって、当該第2導電型層(33)を覆う絶縁膜(34)に形成されたコンタクトホール(34a)を介して前記電極(35)と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の撮像素子。 - 前記電極(35)は、前記単結晶基板(10)と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223529A JP5838704B2 (ja) | 2011-10-10 | 2011-10-10 | 撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223529A JP5838704B2 (ja) | 2011-10-10 | 2011-10-10 | 撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084757A JP2013084757A (ja) | 2013-05-09 |
JP5838704B2 true JP5838704B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=48529659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011223529A Expired - Fee Related JP5838704B2 (ja) | 2011-10-10 | 2011-10-10 | 撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5838704B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5732683A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS6271270A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Nec Corp | 赤外線検出器およびその製造方法 |
JPH0715979B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | 超格子撮像素子 |
JPH0228373A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Sony Corp | 積層型固体撮像素子の製造方法 |
JPH04107968A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5400280B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US8519379B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-08-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer |
US8274096B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-09-25 | University Of Rochester | Semiconductor device and method |
US7986022B2 (en) * | 2009-11-19 | 2011-07-26 | International Business Machines Corporation | Semispherical integrated circuit structures |
-
2011
- 2011-10-10 JP JP2011223529A patent/JP5838704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013084757A (ja) | 2013-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9881967B2 (en) | Imaging device | |
US9929194B2 (en) | Image sensor including vertical transfer gate | |
US9923006B2 (en) | Optical detection element and solid-state image pickup device | |
JP2013016675A (ja) | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 | |
US9443896B2 (en) | Imaging device | |
US10164123B2 (en) | Imaging device including semiconductor substrate and unit pixel cell | |
CN106449861A (zh) | 光传感器元件和光电转换装置 | |
CN101901819B (zh) | 固体摄像装置 | |
US20090144354A1 (en) | Imaging device | |
WO2016111192A1 (ja) | 撮像パネル及びx線撮像装置 | |
WO2012132098A1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
US20210288115A1 (en) | Imaging device | |
US11715748B2 (en) | Imaging device | |
US10600840B1 (en) | Imaging device having a diffusion region electrically connected to a photoelectric converter and overlapping a region penetrating another region of opposite conductivity | |
JP2007235029A (ja) | 光電変換装置、イメージセンサ、及び、光電変換装置の製造方法 | |
JP2016072271A (ja) | 撮像装置 | |
JP2011166394A (ja) | 撮像デバイス、撮像方法および画像入力装置 | |
JP6689936B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP5838704B2 (ja) | 撮像素子 | |
US20160064428A1 (en) | Solid-State Image Capturing Device And Manufacturing Method Thereof | |
US20230022384A1 (en) | Multiplying image sensor | |
WO2020170658A1 (ja) | 撮像装置 | |
WO2019097971A1 (ja) | 固体撮像素子及びその形成方法 | |
WO2019221095A1 (ja) | 固体撮像素子及びその形成方法 | |
WO2019221093A1 (ja) | 半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20131115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141103 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151013 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5838704 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |