JP2007235029A - 光電変換装置、イメージセンサ、及び、光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の半導体基板3と、該半導体基板3上に配された前記第1導電型とは反対導電型である第2導電型の光電変換領域7と、該光電変換領域7の下方を覆うように前記半導体基板3の内部に形成され、前記半導体基板3よりも不純物濃度の高い前記第1導電型の埋め込み層17とを備えることを特徴とする光電変換装置1を提供する。
【選択図】 図1
Description
上記光電変換装置を構成する各画素は、例えば第1導電型であるP+型の半導体基板上に、半導体基板よりも第1導電型の不純物濃度が低い第1導電型層(例えばP型層)を形成しておき、この第1導電型層の上側位置に第2導電型からなる光電変換素子としての光電変換領域(例えばN型領域)を形成して構成される。すなわち、半導体基板及び光電変換領域によって画素となるフォトダイオードが構成されることになる。なお、上記第1導電型層はエピタキシャル層によって形成されている。
また、CMOS回路は、例えば第1導電型あるいは第2導電型のMOSトランジスタを含んで構成されるが、特に、上記半導体基板に第1導電型のMOSトランジスタ(例えばPMOSトランジスタ)を設ける場合には、第1導電型層の表面から半導体基板の表面まで到達する第2導電型のウェル(例えばNウェル)が形成されることになる。
また、MOSトランジスタを構成する第2導電型のウェルは、第1導電型層よりも第1導電型の不純物濃度が高い半導体基板とPN接合されるため、このPN接合の相対的な不純物濃度が高くなり、第2導電型のウェルの電気的な耐圧が低下するという問題もある。
また、MOSトランジスタを構成する第2導電型のウェルの電気的な耐圧の向上を図ることができる光電変換装置の製造方法を提供することも目的としている。
本発明の光電変換装置は、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に配された前記第1導電型とは反対導電型である第2導電型の光電変換領域と、該光電変換領域の下方を覆うように前記半導体基板の内部に形成され、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い前記第1導電型の埋め込み層とを備えることを特徴とする。
この光電変換装置においては、埋め込み層よりも半導体基板の下方側で発生した光電子は、埋め込み層において再結合することで消滅させることができる。
さらに、本発明のイメージセンサは、前記光電変換装置と、前記半導体基板上に設けられる前記第1導電型のMOSトランジスタとを備え、該MOSトランジスタを構成する前記第2導電型のウェルが前記埋め込み層から離間して配置されることを特徴とする。
また、埋め込み層を光電変換領域の下方のみに形成することができるため、同一の半導体基板上に第1導電型のMOSトランジスタを構成する第2導電型のウェルを形成しても、このウェルが埋め込み層に接触することがない。すなわち、第2導電型のウェルは埋め込み層よりも第1導電型の不純物濃度が低い半導体基板とPN接合されるため、従来と比較して、上記PN接合の相対的な不純物濃度を低く設定することができる。
このように製造された光電変換装置においては、埋め込み層よりも半導体基板の下方側で発生した光電子は、埋め込み層において再結合することで消滅させることができる。
また、シールド層形成工程においては、シールド層の形成領域を規定するフォトレジストのパターンを半導体基板上に形成した状態でイオン注入等を行うことにより、光電変換領域上の所定位置にシールド層を形成することができる。そして、シールド層形成工程が終了した後に、上記フォトレジストのパターンを残した状態で埋め込み層形成工程を行うことにより、埋め込み層を光電変換領域の下方のみに形成することができる。
また、半導体基板に直接光電変換領域を形成することができる、すなわち、従来のように、エピタキシャル層を形成する必要もないため、光電変換装置の製造コスト削減を図ることもできる。
また、上記光電変換装置に加えてMOSトランジスタを備える場合には、第1導電型の半導体基板と第2導電型のウェルとのPN接合の相対的な不純物濃度を低く設定することができるため、上述したクロストークやイメージラグを低減しながら、第2導電型のウェルの電気的な耐圧も向上させることができる。
また、光電変換領域上にシールド層を形成しておくことにより、電気的なノイズが外方から光電変換領域内に侵入することを防ぐことができるため、ノイズに基づく画質の低下を防止することができる。
この光電変換装置1の各画素5は、P-型半導体基板3上に第2導電型であるN型の光電変換領域7を配して構成されており、これらP-型半導体基板3及びN型の光電変換領域7によりフォトダイオードが構成されている。P-型半導体基板3の不純物濃度は、例えば1×1015個/cm3となっており、N型の光電変換領域7の不純物濃度は、例えば、5×1015個/cm3となっている。
P型のシールド層13はP-型半導体基板3と電気的に導通されており、電気的なノイズが外方からシールド層13に到達した際に、上記ノイズをP-型半導体基板3に逃がすようになっている。すなわち、上記シールド層13は、電気的なノイズが光電変換領域7内に侵入することを防ぐ役割を有している。また、上記シールド層13は、P-型半導体基板3上面におけるリーク電流の低減の役割も果たすようになっている。なお、P型のシールド層13の不純物濃度は、P-型半導体基板3の不純物濃度よりも高く、例えば8×1016個/cm3となっている。
以上のように構成された各画素5の周囲に位置するP-型半導体基板3上面には、相互に隣接する画素5を電気的に分離するP型のP+分離領域19と、N+層9から上方に延びるアルミ配線等の環状金属配線21とが形成されている。
なお、上述したフィールド酸化膜15やN+層9、P+分離領域19を含むP-型半導体基板3の上面全体には、電気的な絶縁材料からなる層間絶縁膜23及び絶縁保護膜25が順次積層されている。N+層9に接続された金属配線11やP+分離領域19に接続された環状金属配線21は、上記層間絶縁膜23の上面から突出しており、その突出部分が上記絶縁保護膜25によって被覆されている。
この光電変換装置1を製造する際には、はじめに、図2に示すように、P-型半導体基板3の上面に厚さが300Åのシリコン酸化膜31を形成する(酸化膜形成工程)。次いで、シリコン酸化膜31の上面に光電変換領域7の形成領域を規定するパターンのフォトレジスト33を形成した状態で、燐イオンをイオン注入してP-型半導体基板3の上面側にN型の光電変換領域7を形成する(光電変換領域形成工程)。
そして、図3に示すように、上記フォトレジスト33を残した状態で、ホウ素イオンを例えば1.2MeVのエネルギーでイオン注入して、P型の埋め込み層17を光電変換領域7の下方に形成する(埋め込み層形成工程)。この工程においては、光電変換領域7用のフォトレジスト33のパターンにより埋め込み層17を形成しているため、埋め込み層17が光電変換領域7の下方のみに形成されることになる。また、上述した所定のエネルギーでイオン注入を行うことで、光電変換領域7との間に隙間を介して埋め込み層17が形成されることになる。
その後、図4に示すように、シリコン酸化膜31の上面のうち、能動素子形成領域(N+層9やP+分離領域19を形成する領域)に窒化シリコン膜35を形成する。さらに、シリコン酸化膜31の上面にシールド層13の形成領域をさらに規定するパターンのフォトレジスト37を形成した状態で、2フッ化ホウ素イオンをイオン注入して、N型の光電変換領域7上にP型のシールド層13を形成する(シールド層形成工程)。このシールド層13の形成領域は、上記フォトレジスト37及び窒化シリコン膜35によって規定されている。
なお、この工程においては、上記フォトレジスト37にCMOS回路のMOSトランジスタを構成する素子分離(P型フィールドドープ)の形成領域を規定するパターンも形成しておくことで、上記イオン注入によりシールド層及びP型フィールドドープを同時に形成することができる。
次いで、CMOS回路を構成するMOSトランジスタのゲート酸化膜(不図示)を形成しておく。その後、トランジスタのゲート電極(不図示)を形成し、図6に示すように、フィールド酸化膜15が形成されていない光電変換領域7上にN+層9を形成すると共に、フィールド酸化膜15の周囲に位置するP-型半導体基板3の上面にP+分離領域19を形成する(導電層形成工程)。この工程においては、N+層9やP+分離領域19の形成と同時に、MOSトランジスタのソース領域やドレイン領域となるN+拡散層、P+拡散層を形成することができる。
また、光電変換装置1及びその製造方法によれば、P-型半導体基板3に直接光電変換領域7を形成することができる、すなわち、従来のように、エピタキシャル層を形成する必要もないため、光電変換装置1の製造コスト削減を図ることもできる。
また、光電変換領域形成工程の直後に埋め込み層形成工程を行うことにより、光電変換領域7と同一のフォトレジスト33を用いて埋め込み層17を形成することができるため、光電変換装置1の製造効率の向上を図ることができる。
また、上記製造方法によれば、同一のP-型半導体基板3に光電変換装置1と同時にCMOS回路のMOSトランジスタを設けることもできるため、光電変換装置1及びCMOS回路からなるイメージセンサの製造効率の向上を図ることもできる。
図7に示すように、この光電変換装置41の各画素43においては、P型の埋め込み層17がN+層9とP-型半導体基板3の厚さ方向に重ならない位置に形成されている。すなわち、P型の埋め込み層17はN+層9の形成領域を除く光電変換領域7の下方に形成されている。また、埋め込み層17は、光電変換領域7の周縁よりも外側まで形成されており、その周縁はP+分離領域19や後述するP型フィールドドープ47の下方に位置している。
PMOSトランジスタ45は、P-型半導体基板3の上面に形成されるN型のNウェル(第2導電型のウェル)49内に、ソース領域やドレイン領域となるP+拡散層(不図示)を形成して構成される。このNウェル49は、埋め込み層17やP型フィールドドープ47から離間した位置に配されている。
これら光電変換装置41及びPMOSトランジスタ45を含むCMOS回路によってイメージセンサが構成されている。
そして、図9に示すように、シリコン酸化膜31の上面のうち、能動素子形成領域(N+層9やP+分離領域19を形成する領域)に窒化シリコン膜35を形成する。その後、第1実施形態と同様のシールド層形成工程を行ってシールド層13を形成する。
その後、図10に示すように、上記フォトレジスト37を残した状態で、第1実施形態と同様の埋め込み層形成工程を行ってP型の埋め込み層17を光電変換領域7の下方に形成する。この工程のイオン注入では、ホウ素イオンが窒化シリコン膜35を貫通するため、埋め込み層17はフォトレジスト37のパターンのみで形成されることになる。すなわち、埋め込み層17は、フォトレジスト37と重ならない光電変換領域7の下方に形成されることになる。
次いで、CMOS回路を構成するPMOSトランジスタ45やNMOSトランジスタ(不図示)のゲート酸化膜(不図示)を形成しておく。その後、第1実施形態と同様の導電層形成工程を行って、図12に示すように、N+層9及びP+分離領域19を形成する。
最後に、図7に示すように、第1実施形態と同様にP-型半導体基板3の上面全体に層間絶縁膜23及び絶縁保護膜25を積層すると共に、金属配線11や環状金属配線21、ゲート領域、ソース領域及びドレイン領域の配線を形成することで、光電変換装置41及びCMOS回路を含むイメージセンサの製造が完了する。
また、シールド層形成工程の直後に埋め込み層形成工程を行うことにより、シールド層13と同一のフォトレジスト37のパターンを用いて埋め込み層17を形成することができるため、光電変換装置1の製造効率の向上を図ることができる。
はじめに、図13に示すように、第1実施形態と同様に、酸化膜形成工程を行ってシリコン酸化膜31を形成した後に、光電変換領域形成工程を行って光電変換領域7を形成して、フォトレジスト33を除去する。次いで、図14に示すように、シリコン酸化膜31の上面のうち、能動素子形成領域に窒化シリコン膜35を形成した状態で、フィールド酸化膜形成工程を行ってフィールド酸化膜15を形成する。そして、上記窒化シリコン膜35及びこれに被覆されたシリコン酸化膜(不図示)を除去してから、Nウェル49を形成する。なお、これらフィールド酸化膜15及びNウェル49を形成する順番は、上述のものと逆でも構わない。
さらに、上記同一のフォトレジスト51を残した状態で、埋め込み層形成工程を行ってP型の埋め込み層17を光電変換領域7の下方に形成する。そして、この工程の終了後にフォトレジスト51を除去する。
また、上記実施形態における各層の導電型を反転させても良い。すなわち、例えば、P-型半導体基板3、N型の光電変換領域7、P型の埋め込み層17を、それぞれN-型半導体基板、P型の光電変換領域、N型の埋め込み層に代えてもよい。
3 P-型半導体基板
7 光電変換領域
17 埋め込み層
45 PMOSトランジスタ(第1導電型のMOSトランジスタ)
49 Nウェル(第2導電型のウェル)
Claims (6)
- 第1導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に配された前記第1導電型とは反対導電型である第2導電型の光電変換領域と、
該光電変換領域の下方を覆うように前記半導体基板の内部に形成され、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い前記第1導電型の埋め込み層とを備えることを特徴とする光電変換装置。 - 前記埋め込み層と前記光電変換領域とが、隙間を介して配されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 請求項1又は請求項2に記載の光電変換装置と、前記半導体基板上に設けられる前記第1導電型のMOSトランジスタとを備え、
該MOSトランジスタを構成する前記第2導電型のウェルが前記埋め込み層から離間して配置されることを特徴とするイメージセンサ。 - 第1導電型の半導体基板上に、前記第1導電型とは反対導電型である第2導電型の光電変換領域を形成する光電変換領域形成工程と、
前記光電変換領域の下方を覆うように前記半導体基板の内部に、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い前記第1導電型の埋め込み層を形成する埋め込み層形成工程とを備えることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記光電変換領域上に、前記半導体基板と電気的に導通される前記第2導電型のシールド層を形成するシールド層形成工程を備え、
該シールド層形成工程が、前記埋め込み層形成工程の直前もしくは直後に行われることを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板の上面に酸化膜を形成する工程と、
前記第1導電型の半導体基板の上面側に第2導電型の光電変換領域を形成する工程と、
前記第2導電型の光電変換領域の下方に、前記第2導電型の光電変換領域と自己整合的になるように第1導電型の埋め込み層を形成する工程と、
能動素子形成領域の上にのみ窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化膜の下となる前記第2導電型の光電変換領域の表面近傍に第1導電型のシールド層を前記窒化シリコン膜と自己整合的に形成する工程と、
フィールド酸化膜を形成してから前記窒化シリコン膜および前記シリコン膜下方の前記酸化膜を除去する工程と、
前記能動素子形成領域の上にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜の一部にゲート電極を形成する工程と、
前記能動素子形成領域に第1導電型および第2導電型の拡散層を形成する工程と、
からなる光電変換装置の製造方法。
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