DE3822509A1

DE3822509A1 - Vakuumunterbrecherkontakte

Info

Publication number: DE3822509A1
Application number: DE3822509A
Authority: DE
Inventors: Vincent Joseph Santilli
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: Eaton Corp
Priority date: 1987-07-13
Filing date: 1988-07-04
Publication date: 1989-01-26
Also published as: JP2530484B2; US4743718A; JPS6436738A; KR890002931A; CA1327131C; IN170712B; ZA884424B; GB8816480D0; CN1030999A; GB2208234A; GB2208234B; KR970006439B1; CN1023270C

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Vakuumunterbrecherkontakte für elektrische Geräte.

Vakuumunterbrecher werden als Schaltkreisschutzeinrichtungen in elektrischen Energieverteilungsnetzen und für Motorsteuersysteme angewendet und umfassen einen abgedichteten Kolben mit innerhalb des Kolbens angeordneten beweglichen Kontakten, um einen elektrischen Weg herzustellen oder zu unterbrechen. Wenn die Kontakte sich in geschlossener, stromübertragender Position in Kontakt miteinander befinden, muß der Kontakt große Ströme wirksam mit niedrigen Widerstandswerten übertragen. Wenn die Kontakte zum Öffnen des Schaltkreises zunächst getrennt werden, wird zwischen den Kontakten ein Lichtbogen gezündet, wodurch ein Teil des Kontaktes verdampft wird, gefolgt durch ein schnelles Auslöschen des Lichtbogens, wenn die Kontakte voll geöffnet sind, wodurch der Schaltkreis unterbrochen wird. Die Kontakte müssen leicht voneinander trennbar sein, d. h., sie müssen Antischweißeigenschaften besitzen, so daß der Betriebsmechanismus keine unnötig große Kraft aufwenden muß, um die Kontakte voneinander weg zu bewegen. Zwar ist etwas Verdampfung des Kontaktmaterials notwendig, um den Lichtbogen aufrechtzuerhalten, jedoch ist eine starke Erosion der Kontakte zu vermeiden, da dieses zu einem hohen Kontaktwiderstand führen würde, wenn die Kontakte zum stromübertragenden Betrieb geschlossen sind.

Die Auswahl der Kontaktmaterialien ist daher ein sehr kritischer Aspekt in der Funktion des gesamten Vakuumunterbrechergerätes. Ein im großen Umfang verwendetes Kontaktmaterial ist eine Mischung aus hochleitendem Material wie Kupfer, mit einem einen höheren Schmelzpunkt besitzenden refraktorischen Material, wie beispielsweise Chrom oder Wolfram. Es sind eine Mehrzahl von metallurgischen Prozessen bekannt, durch welche derartige Kontakte hergestellt werden können.

Beispielsweise werden in der US-Patentschrift 44 24 429 herkömmliche Kontakte beschrieben, die 60 Gew.-% Kupfer, 25 Gew.-% Chrom und 15 Gew.-% Wismut enthalten, und von denen gesagt wird, daß sie grobe Körner von Wismut aufweisen. Dies Problem wurde gelöst durch Lieferung von Kontakten, die folgendes enthielten: 60 Gew.-% Kupfer oder Silber; 25 Gew.-% Chrom, Wolfram, Molbdän, Kobalt oder Eisen; 15 Gew.-% eines additiven Oxides mit einem Schmelzpunkt niedriger als der von Kupfer (Schmelzpunkt: 1380°C) oder Silber (Schmelzpunkt: 961°C), ausgewählt aus Wismutoxid (Schmelzpunkt 820°C), Talliumoxid (Schmelzpunkt: 300°C), Indiumoxid (Indiumschmelzpunkt 155°C) Antimonoxid (Schmelzpunkt 655°C) oder Telluroxid (Schmelzpunkt 733°C); und optional eine Titanverbindung. Diese Komponenten wurden als trockene Pulver vermischt, komprimiert und in einer nichtoxidierenden Atmosphäre, in einem Vakuum oder in einem Wasserstoffofen mit hoher Reinheit bei einer Temperatur von 1000°C zwei Stunden lang gesintert. Zwar liefert dieses Verfahren eine feine, gleichförmige Wismutschicht in einer ununterbrochenen Netzwerkform, jedoch ist ein noch weiter verbesserter Vakuumunterbrecherkontakt wünschenswert.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Vakuumunterbrecherkontaktmateial zu liefern, das hohe Stromunterbrechung, niedrige Verschweißfestigkeit, niedrige Unterbrechungsströme bei einer gegebenen Spannung niedrige Erosionseigenschaften und feste Bindung der Wismutkomponente aufweist.

Gelöst wird die Aufgabe durch einen dichten, gesinterten Vakuumnterbrecherkontakt zur Verwendung in einer Vakuumunterbrechereinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt 2,5 bis 15 Gew.-% Wismut umfaßt, hochdispergiert zwischen 50 bis 75 Gew.-% Kupferkörnern, wobei der Rest des Kontaktes Chrom und eine Mischung von Cr₂O₃ und CrO₃ enthält, wobei die Oxide des Chroms das Kupfer, Wismut und Chrom in einem bindenden, gleichförmig verteilten Netzwerk umgeben. Vorzugsweise sollen die Kupferkörner eine Teilchengröße unterhalb von 300 µ aufweisen.

Die Erfindung umfaßt auch ein Verfahren zur Herstellung eines Vakuumunterbrecherkontaktes, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: (1) Liefern einer Mischung, die (a) 50 bis 75 Gew.-% Kupfer, (b) 15 bis 30 Gew.-% Chrom, (c) 2,5 bis 15 Gew.-% Wismut, und (d) 0,5 bis 7,5 Gew.-% Chromoxid umfassen, (2) Kaltpressen der Mischung, um einen Kontaktpreßling zu bilden, (3) Sintern des Preßlings in einer Strömung eines Gases, das Wasserdampf enthält, so daß Chrom oxidiert wird, um so einen dichten Kontakt zu erzeugen, und (4) Kühlen des gesinterten Kontaktes. Vorzugsweise ist das Gas ein Wasserstoffgas, wobei Wasserdampf in dem Wasserstoffgas vorhanden ist.

Der Unterbrecherkontakt wird geformt durch Reaktionssinterung dieser gepulverten, gepreßten Mischung bei einer Temperatur und in einem Gas, das einen niedrigen Taupunkt aufweist, welche wirksam sind, um einige zusätzliche Oxide des Chroms zu bilden und das Cr₂O₃ in seiner oxidierten Form zu halten. Dies erhöht die Gesamtkonzentration des Chromoxides, während gleichzeitig das übrige Chrom und die anderen Hauptbestandteile in reduzierter Form beibehalten werden. Dieses Gas ist teilweise oxidierend für Chrom und reduzierend für Kupfer und Wismut. Der Ausdruck "teilweise oxidierend für Chrom" bedeutet, daß nur ein Teil der Hauptmenge des Chroms bei den Sinterungstemperaturen oxidiert wird.

Der sich ergebende gesinterte Kontakt enthält vorzugsweise feinkörniges Kupfer, hochdispergiertes Wismut, 10 bis 25 Gew.-% Chrom und 4 bis 15 Gew.-% Chromoxide, hauptsächlich das Chromoxid Cr₂O₃ mit einigem CrO₃. Die Bildung von Chromoxid (Cr₂O₃) in einer zwischen den Teilchen befindlichen, bindenden, umgebenden Zellstruktur, die die Kupfer-Wismut-Chrom-Matrixkomponente durchdringt, unterbindet das Wachstum von großen Kupferkörnern, hilft bei der Verdichtung der Pulvermischung durch Schmelzvorgänge zwischen Teilchen und Teilchen mittels der Oxidbindung, und, sehr wichtig riegelt feindispergiertes Wismut in der Matrix ein. Der Unterbrecher gemäß dieser Erfindung verwendet Kontakte, die Chromoxid und große, steuerbare Mengen von Wismut enthalten, zeigen einen niedrigen Unterbrechungsstrom, bei um 10% bis 35% erhöhter elektrischer Vakuumfestigkeit bei einem Luftspalt zwischen 2 und 4 mm, bei einer sehr niedrigen Versagensrate bei hoher Spannung und hohem Strom.

Die beigefügte Zeichnung ist eine Draufsicht, teilweise geschnitten, eines Vakuumunterbrechers 11, der die Art von Einrichtung illustrieren soll, bei der die erfindungsgemäßen Vakuumunterbrecherkontakte benutzt werden können. Der Vakuumunterbrecher 11 umfaßt einen im wesentlichen zylindrischen isolierenden Körperteil 13, der abdichtende Endplattenglieder 15 und 17 an entgegengesetzten Enden des Körpers 13 umfaßt. Eine feste Kontaktanordnung 19 ist durch Endplatte 15 hindurchgeführt und besitzt einen ersten Kontakt 21 von zwei Kontakten 21, 27, der an dem Anschlußende des leitenden Pfostens der Kontaktanordnung angeordnet ist. Die andere Kontaktanordnung 23 ist durch die Endplatte 17 beweglich hindurchgeführt und umfaßt ein Balgenglied 25, das eine Bewegung des zweiten Kontaktes 27 ermöglicht, angeordnet am Ende der Anordnung. Somit sind die zwei Kontakte 21 und 27 entweder in eine geschlossene Schaltkreisstellung bewegbar, oder in eine offene Schaltkreisstellung, mit Abstandsbeziehung zueinander. Eine Mehrzahl von Dampfabschirmungen, wie bei 29, ist innerhalb des abgedichteten Kolbens um die Kontakte, das Lichtbogengebiet und die Balgen 25 herum angeordnet. Die verschiedenen Abschirmungen verhindern die direkte Ablagerung von Lichtbogenmaterial auf der isolierenden Umhüllung und auf den Balgen.

Der Körperteil 13 des Vakuumunterbrechers 11 ist mit Evakuierungstoreinrichtungen 33 versehen, mittels denen unter Verwendung von daran angebrachten Pumpeneinrichtungen o. dgl. die innere Atmosphäre des Unterbrechers 11 evakuiert wird, um eine Vakuumeinrichtung zu erhalten. Die Toreinrichtungen 33, die hier als ein rohrartiges Glied erläutert sind, werden dann abgeschmolzen oder auf andere Weise vakuumgedichtet, um den Vakuumzustand in der Einrichtung aufrechtzuerhalten.

Die Vakuumunterbrecherkontakte 21 und 27 können einfache scheibenartige Glieder sein, häufiger wird es sich jedoch um komplizierte Formen handeln, die spiralförmig ausgerichtete Arme umfassen, um eine kreisförmig wirkende Lichtbogenantriebskraft zu erzeugen, um den gebildeten Lichtbogen um den Kontakt herum in Bewegung zu halten und lokalisierte Erhitzung möglichst klein zu machen. Ein typischer Kontakt wird als eine geformte Scheibe hergestellt, die einige strukturelle Einzelheiten haben mag. Für zusätzliche Festigkeit kann der Kontakt durch eine Metallscheibe gestützt sein.

Die Kontakte können dadurch geformt werden, daß die Komponentenmaterialien homogen gemischt werden, die Mischung in eine geeignete Preßform gebracht und dann bei etwa 54 545 kg vorzugsweise in einer isostatischen Presse kaltgeformt wird, um einen zu 50 bis 65% porösen, niedrig dichten, "grünen" Preßling oder Pille zu bilden. Der Preßling wird dann bei etwa 750 bis 1000°C in einem fließenden Gasstrom, wie gecracktes Ammonia, Wasserstoffgas o. dg., das einen niedrigen Taupunkt besitzt, vorzugsweise in Wasserstoffgas, gesintert.

Wie aus den Metall-Metall-Oxid-Gleichgewichtstabellen, bei denen die Temperatur über dem Taupunkt aufgetragen ist, bekannt ist, werden Chrom und Titan in gewissen Gasen, wie beispielsweise in Wasserstoff oder in gecracktem Ammonia, die einen niedrigen Taupunkt besitzen, bei bestimmten Temperaturen oxidiert, während andere Metalle, wie beispielsweise Kupfer oder Wismut reduziert werden. Das bei diesem Sinterungsverfahren benutzte Gas besitzt einen niedrigen Taupunkt zwischen -34°C und -50°C und enthält zumindest 0,006 Vol.-% Wasserdampf, gewöhnlich 0,006 Vol.-% bis 0,03 Vol.-% Wasserdampf. Diese kleine vorhandene Menge Wasserdampf liefert einen teilweise oxidierenden Effekt für einiges von dem Vorrat an Chrom und verhindert eine Reduktion des gebildeten oder vorhandenen Cr₂O₃ oder CrO₃. Jedoch wird der Rest des Chroms und die anderen Hauptkomponenten, wie beispielsweise Kupfer und Wismut, nach Beendigung des Sinterungsschrittes in reduzierter Form sein. Von den geringeren Komponenten, die vorhanden sein mögen, wird Silber und Eisen reduziert, aber Titan wird zumindest teilweise oxidiert. Ein Wassergehalt von über 0,03 Vol.-% in dem Gas kann zuviel Cr₂O₃ liefern, d. h. eine Gesamtmenge über ungefähr 7,5 Gew.-%, wodurch zu starker isolierender Effekt geliefert wird.

Obwohl dies z. Z. nicht vollständig verstanden wird, so ist das Chromoxidpulver (Cr₂O₃) als Additiv wesentlich, um "Saat"-Material für die Oxidation von Vorratschrom und eine Teilchen-zu-Teilchen-Anheftung zu liefern. Nach der Sinterung, wo Druck benutzt oder auch nicht benutzt werden kann, werden die geformten Kontakte eine Dichte von 90 bis 95% besitzen. Der Kontakt kann dann wiederum bei einem hohen Druck gepreßt und ein zweites Mal in einem ähnlichen Gas gesintert werden, mit einem niedrigen Taupunkt, um höhere Dichten bis zu etwa 98% zu liefern.

Die gemäß der Erfindung hergestellten Vakuumunterbrecherkontakte enthalten eine Mischung von Materialien, bei denen durch elektrische Hochleistungsversuche gezeigt worden ist, daß sie hoch wünschenswerte Eigenschaften aufweisen, wie beispielsweise hohe Stromunterbrechung, niedrige Verschweißfestigkeit und geringe Erosionen bei gegebenen Spannungen. Die bequeme Zusammensetzung, durch die diese Eigenschaften erhalten werden, liefert einen Vielkomponentenkontakt, bestehend aus Kupfer (Cu), Chrom (Cr), Wismut (Wi) und Chromoxid (Cr₂O₃), mit einer möglichen nominalen Anwesenheit von Silber (Ag), Eisen (Fe), Titan (Ti) u. dgl. Mit "nominaler Anwesenheit" ist das Vorhandensein dieser Elemente in der Zusammensetzung in einer kleineren Menge oberhalb eines Unreinheitspegels gemeint, d. h., ungefähr 0,5 bis 2% oder mehr, bezogen auf das Gewicht der Mischung. Es wurde als am besten gefunden, eine kleine Menge von "Saat"-Cr₂O₃ und teilweise oxidiertes Roh-Cr hinzuzufügen, um den geeigenten endgültigen Gehalt an Cr₂O₃ plus CrO₃ zu erhalten, anstatt daß das gesamte Oxid als Cr₂O₃ hinzugefügt wird.

Eine Ausführungsform der Pulvermischung und des Preßlings ist in Tabelle I wiedergegeben, welche Tabelle die Komponenten den annehmbaren Gew.-%-Bereich der Komponenten und den Prozentwert der Komponenten in dem Preßling wiedergibt.

Tabelle I

Durch Experimente wurde ermittelt, daß ein Kontakt mit einem endgültigen Gehalt von Wismut, der annähernd 12 bis 15 Gew.-% beträgt, ausgezeichnete Vakuumunterbrecherkontakteigenschaften erhalten werden, verbunden mit niedriger Kontakterosion, wenn die unterbrochenen Ströme im Bereich von annähernd 7 bis 9 kA liegen. Eine Menge von zumindest 0,5 Gew.-% Cr₂O₃, das einen Schmelzpunkt höher als von Kupfer und Wismut aufweist (chromisches Oxid oder Chromoxid, Schmelzpunkt 2435°C) stellt eine weitere Oxidation von Cr während der Sinterung in Wasserstoffgas, das zumindest 0,006 Vol.-% H₂O enthält, sicher, außerdem die Bildung von bis zu 5 Gew.-% Oxide des Chroms, wie beispielsweise Cr₂O₃ und CrO₃ in der Hauptmenge des endgültigen, gesinterten Kontaktes, und Dispersion von Wismut innerhalb der feinen Matrix der festen Lösung.

Die Bereiche von 50 Gew.-% bis 75 Gew.-% Kupfer und 2,5 Gew.-% bis 15 Gew.-% Wismut bleiben während der Sinterung im wesentlichen die gleichen, mit weniger an Cr und Hinzufügung von Oxiden des Chroms, ausgewählt aus Cr₂O₃, CrO und deren Mischungen. Das Wismut wird fein und homogen verteilt und mit kleinen Körnern von Kupferteilchen in der Kupfer-Chrom-Wismut-Matrix eingeschlossen. Die Oxide des Chroms werden wirksam, um die Matrix in einem interdispergierten, gleichförmig verteilten, zellulären Netzwerk zu binden. Die Verwendung von mehr als 7,5 Gew.-% Cr₂O₃ in der Mischung vor der Sinterung erzeugt praktische Probleme der Härte für die Bearbeitung, bei der Matrixgleichförmigkeit, bei der Löcherung des Kontaktes und liefert einen zu starken isolierenden Effekt.

Zwar kann die vorzugsweise Ausführungsform einige kleine Mengen von Silber, Eisen oder Titan enthalten, so kann doch ein zufriedenstellender Kontakt hergestellt werden unter Verwendung von lediglich Kupfer, Chrom, Wismut und chromischem Oxid. Jedoch ist es in einem gesinterten Cu-Cr-Wi-Cr₂O₃/CrO₃-Kontakt wichtig, daß Wismut in der Mischung vor der Sinterung vorhanden ist, und zwar im Bereich zwischen 2,5 und 15%, vorzugsweise mehr als 5 Gew.-%. Vorzugsweise wird die Teilchengröße der Cu- und Cr-Pulver vor der Sinterung von etwa 37 µm (Mikron) bis 150 µm reichen, und die Teilchengröße von Wi und Cr₂O₃ hinsichtlich der Pulver vor der Sinterung von etwa 1 µm bis 25 µm.

Die dielektrische Festigkeit des Cu-Cr-Wi-Cr₂O₃/CrO₃-Kontaktes, der einen nominalen Durchmesser von 3 cm besitzt, wurde als ausreichend gefunden, um ein Überspringen bei etwa 50 kV bei einem Spalt von 4 mm zu verhindern. Geringere Spalte führen zu verringerten dieelektrischen Festigkeiten, wobei ein Spalt von 2 mm eine verringerte Spannungsfestigkeit von annähernd 25 kV besitzt. Jedoch ist ein Spalt von 4 mm der normale Spalt, der verwendet wird, um Ströme im Bereich von 7 bis 9 kA zu unterbrechen.

Es wurde ein Kontaktmaterial für Vakuumunterbrechereinrichtungen beschrieben, bei dem die Stromunterbrechung bei mittleren Spannungen von 5 bis 7 kV hoch ist. Zusätzlich ist die Verschweißungsfestigkeit gering und die Erosion aufgrund der hohen Ströme niedrig. Erreicht wird dies durch die Verwendung von vier Hauptbestandteilen, Kupfer, Chrom, Wismut und chromischem Oxid, und in der vorzugsweisen Ausführungsform können Silber, Eisen und Titan in nominalen Mengen zu der Mischung hinzugefügt werden. Der Einschluß von Wismut in die Kontaktmischung gibt dem Kontakt die Eigenschaft der kurzen Abschaltzeit. Der Einschluß von chromischem Oxid verstärkt den gesinterten Kontakt, behindert Kupferkornwachstum, hält im wesentlichen alle Kupferkörner unter einem Durchmesser von 300 µm (Mikron), und vorzugsweise 85% davon unter 250 µm im Durchmesser, hilft dabei, das gleichförmig verteilte Wismut zu binden, um Wismutverdampfung während der Lichtbogenbildung zu unterdrücken, und liefert Verbesserung hinsichtlich dielektrischer Vakuumfestigkeit.

Die Erfindung sei nun anhand eines nachfolgenden Beispiels erläutert.

Beispiel

Ein Vakuumunterbrecher mit Kontakten von 3 cm Durchmesser, ähnlich denen mit der Bezifferung 21 und 27 in der Darstellung, wurde hergestellt. Die Pulvermischung für die Kontakte vor der Sinterung enthielt 60 Gew.-% Kupferpulver mit einer Teilchengröße zwischen 38 µm und 150 µm, 24 Gew.-% Cr-Pulver mit einer Teilchengröße von 38 µm bis 150 µm, 13 Gew.-% Wismutpulver mit einer Teilchengröße von 1 µm bis 25 µm, 1 Gew.-% Cr₂O₃-Pulver mit einer Teilchengröße von 1 µm bis 25 µm, 2 Gew.-% Ag-Pulver mit einer Teilchengröße von 1 µm bis 25 µm. Als eine Kontrollprobe wurden die gleichen Kontakte ohne Cr₂O₃ oder Ag-Pulver hergestellt.

Beide Proben wurden etwa ½ Stunde lang homogen gemischt, in einer geeigneten Kontaktform angeordnet und isostatisch kaltgepreßt, um eine "grüne", 60% poröse Preßlingsstruktur zu erhalten, die die gleiche Zusammensetzung besaß wie die Pulvermischung. Beide Preßlingsproben wurden dann in einem Ofen 2 Stunden lang bei 58°C in einem fortlaufenden Strom von reinem Wasserstoffgas gesintert, welches einen Taupunkt von -30°C aufwies, d. h., etwa 0,03 Vol.-% H₂O-Dampf enthielt, um Kontaktproben zu bilden. Dieses Gas war bezüglich des Chroms teilweise oxidierend und für das Kupfer und das Wismut reduzierend, so daß nur etwas von dem Cr umgesetzt wurde zu Cr₂O₃. Beide Kontaktproben besaßen nach der Sinterung und Abkühlung eine Dichte von etwa 92%. Sie wurden dann getestet und die Ergebnisse wie auch die anfänglichen und endgültigen Zusammensetzungen sind in Tabelle II unten wiedergegeben.

Tabelle II

Die Verbesserung bei der Absenkung der Kupferkorngröße und die Vergrößerung der dielektrischen Vakuumfestigkeit ist das Ergebnis des Einschlusses von Cr₂O₃ und der Bildung von Cr₂O₃ aus dem Vorratschrom. Der Einschluß von Silber würde in keinem dieser Bereiche helfen.

Nach der Lichtbogenauslöschung und der nachfolgenden mikroskopischen Analyse zeigte die Probe gemäß der Erfindung nur geringfügiges Wismutmetallspritzenwachstum auf der Oberfläche des Kontaktes, aufgrund von Wismutverdampfung, während derartige Spitzen viel deutlicher waren auf der Kontrollprobe, was zeigt, daß das Wismut bei der erfindungsgemäßen Probe viel stärker dispergiert und innerhalb der Matrix festgehalten wird. Mikrografische Fotografien zeigten Chromoxide interdispergiert in einer bindenden, interpartikulären Zellulärstruktur, die in einer gleichförmig verteilten, fortlaufenden Gewebeweise die anderen Komponenten des Kontaktes umgab und imprägnierte. Wie aus Tabelle II zu erkennen ist, ist die erfindungsgemäße Probe dramatisch verbessert gegenüber der Kontrollprobe.

Claims

1. Ein dichter, gesinterter Vakuumunterbrecherkontakt zur Verwendung in einer Vakuumunterbrechereinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontakt 2,5 bis 15 Gew.-% Wismut enthält, hochdispergiert innerhalb 50 bis 75 Gew.-% Kupferkörnern, wobei der Rest des Kontaktes Chrom und eine Mischung von Cr₂O₃ und CrO₃ enthält, wobei die Oxide des Chroms das Kupfer, das Wismut und das Chrom in einem bindenden, gleichförmig verteilten Netzwerk umgeben.

2. Vakuumunterbrecherkontakt gemäß Anspruch 1, wobei die Kupferkörner eine Teilchengröße unterhalb von 300 µm aufweisen.

3. Vakuumunterbrecherkontakt nach Anspruch 1 oder 2, der 10 bis 25 Gew.-% Chrom und 4 bis 15 Gew.-% Oxide des Chroms enthält, wobei das Cr₂O₃ die Kupfer-Wismut-Chrom-Komponenten durchdringt und das Wachstum von großen Körnern des Kupfers unterdrückt.

4. Ein Verfahren zur Herstellung eines Vakuumunterbrecherkontaktes, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

A) Liefern einer Mischung, die folgendes umfaßt:
- (a) 50 bis 75 Gew.-% Kupfer,
- (b) 15 bis 30 Gew.-% Chrom,
- (c) 2,5 bis 15 Gew.-% Wismut, und
- (d) 0,5 bis 7,5 Gew.-% chromisches Oxid (chromic oxide).
B) Kaltpressen der Mischung, um einen Kontaktpreßling zu bilden.
C) Sintern des Preßlings in einer Strömung eines Gases, das Wasserdampf enthält, so daß das Chrom oxidiert wird, um einen dichten Kontakt zu bilden, und
D) Kühlen des gesinterten Kontaktes.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung 1 bis 3 Gew.-% chromisches Oxid enthält.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas Wasserstoffgas ist und daß Wasserdampf in dem Wasserstoffgas in einer Menge von über 0,006 Vol.-% vorhanden ist, und daß die Sinterung bei einer Temperatur von 750°C bis 1000°C ausgeführt wird.