JPS6059691B2 - 真空しや断器用接点及びその製造方法 - Google Patents
真空しや断器用接点及びその製造方法Info
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- JPS6059691B2 JPS6059691B2 JP2121079A JP2121079A JPS6059691B2 JP S6059691 B2 JPS6059691 B2 JP S6059691B2 JP 2121079 A JP2121079 A JP 2121079A JP 2121079 A JP2121079 A JP 2121079A JP S6059691 B2 JPS6059691 B2 JP S6059691B2
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- impregnated
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
- H01H1/0206—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches containing as major components Cu and Cr
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Contacts (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は大電流しや断能力がありかつさい断電流が
小さい真空しや断器用接点に関するものである。
小さい真空しや断器用接点に関するものである。
真空しや断器器の接点が満足すべき特性として次のも
のがある。
のがある。
１）大電流をしや断出来ること、２）さい断電流が小
さいこと、３）接触抵抗が小さいこと、４）溶着引外力
が低いこと、５）耐電圧が高いこと、６）消耗が小さい
ことである。
さいこと、３）接触抵抗が小さいこと、４）溶着引外力
が低いこと、５）耐電圧が高いこと、６）消耗が小さい
ことである。
然しながら実際の接点でこれらの特性を全て満足させ
ることは困難であり一般に用途に応じて特に重要な特性
を満足させ他の特性を幾分犠牲にした接点を使用してい
る。
ることは困難であり一般に用途に応じて特に重要な特性
を満足させ他の特性を幾分犠牲にした接点を使用してい
る。
例えは従来しや断器用接点として主としてＣｕ−Ｂｉ
が用いられて来たが我々の経験に依ればＣｕ−Ｂｉ中に
０．５重量％以下のＢｉを含む接点はさい断電流が大き
くＣｕ−Ｂｉ中に０．５重量％以上のＢｉを含む接点は
鑞付性が悪いことから実用化に困難が併う。
が用いられて来たが我々の経験に依ればＣｕ−Ｂｉ中に
０．５重量％以下のＢｉを含む接点はさい断電流が大き
くＣｕ−Ｂｉ中に０．５重量％以上のＢｉを含む接点は
鑞付性が悪いことから実用化に困難が併う。
このＣｕ−Ｂ１に関する背反現象はこの他の合金より
なる接点材料についても同様のことがいえる。
なる接点材料についても同様のことがいえる。
すなわち主成分としてはＣｕの他にＣｒを用いること
もある。
もある。
またＢｉのような低融点であること、主成分に対し低い
固溶源となること、蒸気圧が高いことの三要件を満足さ
せる金属としてＢｉの外にＴｅ）ＳｂがあるがＢｉと同
様の現象が問題となる。 この発明はＣｕ、Ｃｒ等の主
成分に対し上記背反現象を伴うＢ１、Ｔｅ、Ｓｂ等のも
つ欠点を解決し、大電流しや断能力がありさい断電流が
低くかつ鑞付性に優れた真空しや断器用接点及びその製
造方法を提供することを目的とする。即ち、本発明によ
る真空しや断器用接点は銅またはクロムを主成分とする
焼結体に、低融点でしかも上記主成分に対し低い固溶源
をもち、かつ蒸気圧の高いＢｌ，Ｔｅ，Ｓｂのいずれか
の添加成分を、その含浸量が上記焼結体の肉厚方向にお
いて傾斜状又は階段状になるように含浸させてなるもの
である。
固溶源となること、蒸気圧が高いことの三要件を満足さ
せる金属としてＢｉの外にＴｅ）ＳｂがあるがＢｉと同
様の現象が問題となる。 この発明はＣｕ、Ｃｒ等の主
成分に対し上記背反現象を伴うＢ１、Ｔｅ、Ｓｂ等のも
つ欠点を解決し、大電流しや断能力がありさい断電流が
低くかつ鑞付性に優れた真空しや断器用接点及びその製
造方法を提供することを目的とする。即ち、本発明によ
る真空しや断器用接点は銅またはクロムを主成分とする
焼結体に、低融点でしかも上記主成分に対し低い固溶源
をもち、かつ蒸気圧の高いＢｌ，Ｔｅ，Ｓｂのいずれか
の添加成分を、その含浸量が上記焼結体の肉厚方向にお
いて傾斜状又は階段状になるように含浸させてなるもの
である。
以下、主成分をＣｕ、付加成分をＢ１として本発明の一
実施例による真空しや断器用接点について説明する。
実施例による真空しや断器用接点について説明する。
本発明実施例第１の特徴は接点の肉厚方向の各部位にＢ
ｌ含有量を相違せしめることである。
ｌ含有量を相違せしめることである。
このＢｊ含有量の分布は傾斜状又は階段状である。本発
明実施例第２の特徴は相手方接点と対向する接点表面の
Ｂｌ含有量を０．５重量％以上とすることてある。０．
５重量％以上Ｂｉを含有せしめるとＣｕの結晶粒界にＢ
１が単体として析出する結果さい断電流が顕著に低減さ
れる。
明実施例第２の特徴は相手方接点と対向する接点表面の
Ｂｌ含有量を０．５重量％以上とすることてある。０．
５重量％以上Ｂｉを含有せしめるとＣｕの結晶粒界にＢ
１が単体として析出する結果さい断電流が顕著に低減さ
れる。
本発明実施例第３の特徴は相手方接点と対向せすかつ導
体棒等と鑞付れる接点表面のＢｌ含有量を０．５重量％
以下とすることである。
体棒等と鑞付れる接点表面のＢｌ含有量を０．５重量％
以下とすることである。
０．５重量％以下のＢ１を含有する場合Ｃｕの結晶粒界
にＢｉが単体として析出しない結果鑞付性が向上する。
にＢｉが単体として析出しない結果鑞付性が向上する。
ところで、通常の溶解法等では上述した各特徴を具現化
することは不可能である。Ｃｕ．．Ｃｒと共にＢｉを混
合して溶解すると上述したような例えば接点の肉厚方向
てＢ１含有量を相違させることはできず接点内ではＢｊ
が均一分布となる。そこて本発明実施例てはＣｕを主成
分とする焼，結体にＢｊを含浸させたものである。
することは不可能である。Ｃｕ．．Ｃｒと共にＢｉを混
合して溶解すると上述したような例えば接点の肉厚方向
てＢ１含有量を相違させることはできず接点内ではＢｊ
が均一分布となる。そこて本発明実施例てはＣｕを主成
分とする焼，結体にＢｊを含浸させたものである。
また、相手方接点に対向する接点表面のＢｉ含有量が０
．５重量％以上とし、導体棒と鑞付される表面のＢｌ含
有量は０．５重量％以下とした。次に、この発明の一実
施例による真空しや断器．の製造方法について述べる。
．５重量％以上とし、導体棒と鑞付される表面のＢｌ含
有量は０．５重量％以下とした。次に、この発明の一実
施例による真空しや断器．の製造方法について述べる。
本発明者は通常の粉末冶金法によつてＣＵ７５重量％Ｃ
ｒ２５重量％の焼結体を製作し、次にこの焼結体の表面
に所定量のＢ１粉末を載置し、水素雰囲気中でＢｉの融
点である２７１℃以上の所定温度（１０００℃）で加熱
した。
ｒ２５重量％の焼結体を製作し、次にこの焼結体の表面
に所定量のＢ１粉末を載置し、水素雰囲気中でＢｉの融
点である２７１℃以上の所定温度（１０００℃）で加熱
した。
なお上に述べたＣｕ−Ｃｒ焼結体は理論密度に対して９
５％以上の密度比率を有するものを使用した。このこと
は接点内部の空間は散在的にしか認められないこととな
り、ＢｉはこのＣｕ−Ｃｒの中を貫通して含浸すると考
えられる。
５％以上の密度比率を有するものを使用した。このこと
は接点内部の空間は散在的にしか認められないこととな
り、ＢｉはこのＣｕ−Ｃｒの中を貫通して含浸すると考
えられる。
上に述べた含浸量操作を施したＣｕ−Ｃｒ焼結体の肉厚
方向各部位におけるＢｉ含有量を定量した結ｌ果を第１
図に示す。
方向各部位におけるＢｉ含有量を定量した結ｌ果を第１
図に示す。
第１図に示すように例えば含浸表面から２ｗｎ切削加工
すれはＢｌ含有量１〜２重量％の部位が得られこの部位
を相手方接点と対向する接点表面とすればさい断電流を
顕著に低減することが可能であり場合によつては１Ａ以
下とすることも可能である。また鑞付性良好領域て鑞付
するようにすれは鑞付性が向上することも第１図から明
らかである。上に述べた含浸操作を施したＣｕ−Ｃｒ焼
結体を切削加工することに依つて得た接点のさい断電流
゛特性を第２図に示す。
すれはＢｌ含有量１〜２重量％の部位が得られこの部位
を相手方接点と対向する接点表面とすればさい断電流を
顕著に低減することが可能であり場合によつては１Ａ以
下とすることも可能である。また鑞付性良好領域て鑞付
するようにすれは鑞付性が向上することも第１図から明
らかである。上に述べた含浸操作を施したＣｕ−Ｃｒ焼
結体を切削加工することに依つて得た接点のさい断電流
゛特性を第２図に示す。
第２図から明らかな通り上に述べた接点のさい断電流は
既存の各種接点の中で最もさい断電流が小さいとされる
Ａｇ−ＷＣ接点と同等であり非常に優れている。本発明
者は他の特性例えは鑞付性，溶着力，接触抵抗しや断時
のアーク時間等についても検証したが、いづれも優れた
特性を示した。
既存の各種接点の中で最もさい断電流が小さいとされる
Ａｇ−ＷＣ接点と同等であり非常に優れている。本発明
者は他の特性例えは鑞付性，溶着力，接触抵抗しや断時
のアーク時間等についても検証したが、いづれも優れた
特性を示した。
以上のように、本発明によれば、銅またはクロムを主成
分とする焼結体に、低融点でしかも上記主成分に対し低
い固溶源をもち、かつ蒸気圧の高いＢｉ，Ｔｅ，Ｓｂの
いずれかの添加成分を、その含浸量が上記焼結体の肉厚
方向において傾斜状又は階段状になるように含浸させた
ので、さい断電流を低減でき、かつろう付性を向上でき
る効果がある。
分とする焼結体に、低融点でしかも上記主成分に対し低
い固溶源をもち、かつ蒸気圧の高いＢｉ，Ｔｅ，Ｓｂの
いずれかの添加成分を、その含浸量が上記焼結体の肉厚
方向において傾斜状又は階段状になるように含浸させた
ので、さい断電流を低減でき、かつろう付性を向上でき
る効果がある。
第１図はＢｉを含浸したＣｕ−Ｃｒ焼結体の肉厚方向各
部位おけるＢｉ含有量を示す特性図、第２図はＢｉを含
浸したＣｕ−Ｃｒ焼結体からなる接点及びＡｇ−ＷＣ接
点のさい断電流を示す特性図である。
部位おけるＢｉ含有量を示す特性図、第２図はＢｉを含
浸したＣｕ−Ｃｒ焼結体からなる接点及びＡｇ−ＷＣ接
点のさい断電流を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銅またはクロムを主成分とする焼結体に、低融点で
しかも上記主成分に対し低い固溶源をもち、かつ蒸気圧
の高いＢｉ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれかの添加成分を、その
含浸量が上記焼結体の肉厚方向において傾斜状又は階段
状になるように含浸させてなることを特徴とする真空し
や断器用接点。 ２ 上記焼結体の肉厚方向で相手方接点と対向する接点
表面の上記添加成分の含浸量が０．５重量％以上であり
、導体棒とろう付けされる表面の上記添加成分の含浸量
が０．５重量％以下である特許請求の範囲第１項記載の
真空しや断器用接点。 ３ ＣｕとＣｒとを混合する工程と、Ｃｕ又はＣｒを主
成分とする混合体を焼結する工程と、この工程により生
成された焼結体に、低融点でしかも主成分に対し低い固
溶源をもちかつ蒸気圧の高いＢｉ、Ｔｅ、Ｓｂのいずれ
かの添加成分を、その含浸量が上記焼結体の肉厚方向に
おいて傾斜状または階段状になるように含浸させる工程
と、この工程で得た添加成分を含浸させた焼結体を所定
位置で切削する工程とを有することを特徴とする真空し
や断器用接点の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121079A JPS6059691B2 (ja) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | 真空しや断器用接点及びその製造方法 |
| DE19803006275 DE3006275C2 (de) | 1979-02-23 | 1980-02-20 | Unterbrecherkontakt für Vakuumschalter |
| GB8005954A GB2045002B (en) | 1979-02-23 | 1980-02-21 | Vacuum type circuit breaker contact and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121079A JPS6059691B2 (ja) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | 真空しや断器用接点及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55113225A JPS55113225A (en) | 1980-09-01 |
| JPS6059691B2 true JPS6059691B2 (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=12048623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2121079A Expired JPS6059691B2 (ja) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | 真空しや断器用接点及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059691B2 (ja) |
| DE (1) | DE3006275C2 (ja) |
| GB (1) | GB2045002B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200239101A1 (en) * | 2019-01-29 | 2020-07-30 | Asahi Denso Co., Ltd. | Throttle grip device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR860001452B1 (ko) * | 1981-10-03 | 1986-09-25 | 이마이 마사오 | 진공 차단기 |
| JPS58108622A (ja) | 1981-12-21 | 1983-06-28 | 三菱電機株式会社 | 真空開閉器用電極材料 |
| DE3362624D1 (en) * | 1982-11-16 | 1986-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Contact material for vacuum circuit breaker |
| US4743718A (en) * | 1987-07-13 | 1988-05-10 | Westinghouse Electric Corp. | Electrical contacts for vacuum interrupter devices |
| JPH02500554A (ja) * | 1987-07-28 | 1990-02-22 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 真空開閉装置用接触材料及びその製法 |
| EP0538896A3 (en) * | 1991-10-25 | 1993-11-18 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Process for forming contact material |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS451489B1 (ja) * | 1966-03-28 | 1970-01-19 | ||
| GB1194674A (en) * | 1966-05-27 | 1970-06-10 | English Electric Co Ltd | Vacuum Type Electric Circuit Interrupting Devices |
| GB1219805A (en) * | 1967-06-21 | 1971-01-20 | Gen Electric | Improvements in vacuum type circuit interrupter |
| DE1805865B2 (de) * | 1968-10-29 | 1971-03-25 | Elektrode fuer vakuumschalter | |
| DE1960769B2 (de) * | 1969-12-03 | 1972-05-10 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Vakuumschalter-kontakt und verfahren zu seiner herstellung |
| DE2014638A1 (de) * | 1970-03-26 | 1971-10-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Zweischichten Kontaktstuckes |
| DE2822956C2 (de) * | 1977-05-27 | 1983-04-14 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Verfahren zur Herstellung von Schaltkontakten für einen Vakuumschalter |
-
1979
- 1979-02-23 JP JP2121079A patent/JPS6059691B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-02-20 DE DE19803006275 patent/DE3006275C2/de not_active Expired
- 1980-02-21 GB GB8005954A patent/GB2045002B/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200239101A1 (en) * | 2019-01-29 | 2020-07-30 | Asahi Denso Co., Ltd. | Throttle grip device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2045002B (en) | 1983-05-25 |
| DE3006275C2 (de) | 1982-12-16 |
| DE3006275A1 (de) | 1980-09-04 |
| JPS55113225A (en) | 1980-09-01 |
| GB2045002A (en) | 1980-10-22 |
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