JP2530484B2 - 真空遮断器用接点及びその製造方法 - Google Patents
真空遮断器用接点及びその製造方法Info
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- JP2530484B2 JP2530484B2 JP63176203A JP17620388A JP2530484B2 JP 2530484 B2 JP2530484 B2 JP 2530484B2 JP 63176203 A JP63176203 A JP 63176203A JP 17620388 A JP17620388 A JP 17620388A JP 2530484 B2 JP2530484 B2 JP 2530484B2
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- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、電気機器のための真空遮断器用接点に関す
る。
る。
真空遮断器は配電及びモータ制御系統の回路保護装置
として用いられているが、該真空遮断器は電気的な断続
を行う可動接点を収納した密閉エンベロープを有してい
る。接点が互いに接触して電流を流す閉位置にあるとき
は接点は大電流を小さな抵抗値で効率的に流さなければ
ならない。回路を開くために接点を開離させた直後は接
点間でアークが発弧し、接点の一部が蒸発するが、次い
で、接点が完全に開いたときにアークが急速に消弧して
回路が遮断される。接点の開離の際に操作機構に過度の
力を及ぼす必要がないように、接点は開離し易くなけれ
ばならず、換言すると、接点は溶着し難い特性を持って
いなければならない。接点材料の或る程度の蒸発はアー
クの持続のために必要であるが、接点の甚だしい腐食は
回避すべきである。というのは、接点の甚だしい腐食が
生じると、通電のために接点を閉じるときに大きな接触
抵抗が生じることになるからである。
として用いられているが、該真空遮断器は電気的な断続
を行う可動接点を収納した密閉エンベロープを有してい
る。接点が互いに接触して電流を流す閉位置にあるとき
は接点は大電流を小さな抵抗値で効率的に流さなければ
ならない。回路を開くために接点を開離させた直後は接
点間でアークが発弧し、接点の一部が蒸発するが、次い
で、接点が完全に開いたときにアークが急速に消弧して
回路が遮断される。接点の開離の際に操作機構に過度の
力を及ぼす必要がないように、接点は開離し易くなけれ
ばならず、換言すると、接点は溶着し難い特性を持って
いなければならない。接点材料の或る程度の蒸発はアー
クの持続のために必要であるが、接点の甚だしい腐食は
回避すべきである。というのは、接点の甚だしい腐食が
生じると、通電のために接点を閉じるときに大きな接触
抵抗が生じることになるからである。
したがって、真空遮断器全体の機能発揮の点で、接点
材料の選定は非常に重要な検討事項である。多用されて
いる接点材料は、銅のような高導電率の材料と、クロム
又はタングステンのような高融点の耐熱材料との混合物
である。かかる接点を製造できる種々の金属学的手法は
公知である。
材料の選定は非常に重要な検討事項である。多用されて
いる接点材料は、銅のような高導電率の材料と、クロム
又はタングステンのような高融点の耐熱材料との混合物
である。かかる接点を製造できる種々の金属学的手法は
公知である。
たとえば、米国特許第4,424,429号明細書において、
発明者であるヤマナカ氏等は、銅を60重量％、クロムを
25重量％、ビスマスを15重量％含有した従来型接点を説
明しているが、かかる接点中のビスマスの粒子は粗いと
言われている。この問題は、銅又は銀を60重量％、クロ
ム、タングステン、モリブデン、コバルト又は鉄を25重
量％、銅（融点1,083℃）又は銀（融点961℃）よりも融
点が低い、酸化ビスマス（融点820℃）、酸化タリウム
（融点300℃）、酸化インジウム（融点155℃）、酸化ア
ンチモン（融点655℃）又は酸化テルル（融点733℃）か
ら選択された酸化物添加剤を15重量％含有し、場合に応
じてチタン化合物を含有する接点の提供により解決され
た。これらの成分は乾燥粉末として混合されて圧縮さ
れ、真空又は高純度の水素を用いる炉内において非酸化
性雰囲気中で1,000℃の温度で２時間かけて焼結され
る。この方法により連続網状組織の形態の良質で均質の
ビスマス層が得られるが、真空遮断器用接点のさらに一
層の改良が望まれる。
発明者であるヤマナカ氏等は、銅を60重量％、クロムを
25重量％、ビスマスを15重量％含有した従来型接点を説
明しているが、かかる接点中のビスマスの粒子は粗いと
言われている。この問題は、銅又は銀を60重量％、クロ
ム、タングステン、モリブデン、コバルト又は鉄を25重
量％、銅（融点1,083℃）又は銀（融点961℃）よりも融
点が低い、酸化ビスマス（融点820℃）、酸化タリウム
（融点300℃）、酸化インジウム（融点155℃）、酸化ア
ンチモン（融点655℃）又は酸化テルル（融点733℃）か
ら選択された酸化物添加剤を15重量％含有し、場合に応
じてチタン化合物を含有する接点の提供により解決され
た。これらの成分は乾燥粉末として混合されて圧縮さ
れ、真空又は高純度の水素を用いる炉内において非酸化
性雰囲気中で1,000℃の温度で２時間かけて焼結され
る。この方法により連続網状組織の形態の良質で均質の
ビスマス層が得られるが、真空遮断器用接点のさらに一
層の改良が望まれる。
本発明の目的は、所定電圧における電流遮断能力が高
く、溶着強さが低く、電流さい断値が小さく、また、ビ
スマス成分の結合が強固な真空遮断器用接点材料を提供
することにある。
く、溶着強さが低く、電流さい断値が小さく、また、ビ
スマス成分の結合が強固な真空遮断器用接点材料を提供
することにある。
この目的に鑑みて、本発明の要旨は、真空遮断器に用
いられる密度の高い焼結接点であって、接点が50〜75重
量％の銅粒子の間に高い分散度で分散した2.5〜15重量
％のビスマスを含み、接点の残部がクロム及びCr2O3とC
rO3の混合物を含有し、クロムの酸化物が、結合状態で
均一に分布した網状組織中で銅、ビスマス及びクロムを
包囲していることを特徴とする真空遮断器用接点にあ
る。好ましくは、銅粒子の粒度は300マイクロメートル
未満である。
いられる密度の高い焼結接点であって、接点が50〜75重
量％の銅粒子の間に高い分散度で分散した2.5〜15重量
％のビスマスを含み、接点の残部がクロム及びCr2O3とC
rO3の混合物を含有し、クロムの酸化物が、結合状態で
均一に分布した網状組織中で銅、ビスマス及びクロムを
包囲していることを特徴とする真空遮断器用接点にあ
る。好ましくは、銅粒子の粒度は300マイクロメートル
未満である。
本発明の要旨は又、真空遮断器用接点の製造方法であ
って、50〜75重量％の銅、15〜30重量％のクロム、2.5
〜15重量％のビスマス及び0.5〜7.5重量％の酸化クロム
を含む混合物を形成し、該混合物を常温圧縮して接点ブ
リケットを形成し、該ブリケットを、水蒸気を含有した
ガスの流れの中で焼結しクロムを酸化して密度の高い接
点を生ぜしめ、焼結された接点を冷却することを特徴と
する製造方法にある。好ましくは、ガスは、水蒸気を含
有した水素ガスである。
って、50〜75重量％の銅、15〜30重量％のクロム、2.5
〜15重量％のビスマス及び0.5〜7.5重量％の酸化クロム
を含む混合物を形成し、該混合物を常温圧縮して接点ブ
リケットを形成し、該ブリケットを、水蒸気を含有した
ガスの流れの中で焼結しクロムを酸化して密度の高い接
点を生ぜしめ、焼結された接点を冷却することを特徴と
する製造方法にある。好ましくは、ガスは、水蒸気を含
有した水素ガスである。
真空遮断器用接点を形成するには、この焼結されて圧
縮された混合物を、クロムの酸化物を幾らかさらに生成
させてCr2O3をその酸化形態に保つことができるような
低い露点のガス中で、且つそのように保つことができる
温度において反応により焼結する。これにより、残りの
クロム及び他の主要成分が還元形態に保たれた状態でク
ロム酸化物の全濃度が増大する。このガスはクロムに対
して部分酸化性、銅及びビスマスに対して還元性であ
る。「クロムに対して部分酸化性」という用語は、Cr集
合体、即ち粉塊状Crの一部だけが焼結温度で酸化される
ことを意味している。
縮された混合物を、クロムの酸化物を幾らかさらに生成
させてCr2O3をその酸化形態に保つことができるような
低い露点のガス中で、且つそのように保つことができる
温度において反応により焼結する。これにより、残りの
クロム及び他の主要成分が還元形態に保たれた状態でク
ロム酸化物の全濃度が増大する。このガスはクロムに対
して部分酸化性、銅及びビスマスに対して還元性であ
る。「クロムに対して部分酸化性」という用語は、Cr集
合体、即ち粉塊状Crの一部だけが焼結温度で酸化される
ことを意味している。
その結果得られた焼結接点は好ましくは、細かい粒子
状の銅、高い分散度で分散したビスマス、10重量％〜25
重量％のクロム、及び４重量％〜15重量％のクロム酸化
物（クロム酸化物は大部分が酸化クロム、即ちCr2O3で
あるがCrO3を若干含む）を含有している。結合状態にあ
る粒子間細胞状組織を構成し、銅−ビスマス−クロム・
マトリックスの成分を包囲し且つこれらにしみ込む酸化
クロムの生成により、大きな銅粒子の成長が妨げられ、
酸化物の結合作用による粒子と粒子との融着によって粉
末混合物の高密度化が助長され、また、非常に重要なこ
とには、高い分散度で分散したビスマスがマトリックス
中に固定される。酸化クロム及び多量ではあるが制御可
能な量のビスマスを含有した本発明の接点を用いた真空
遮断器は、電流さい断値が小さく、2mm〜4mmの間隙にお
ける真空絶縁耐力が10％〜35％増大し、高電圧・大電流
の条件下でも故障率が非常に低い。
状の銅、高い分散度で分散したビスマス、10重量％〜25
重量％のクロム、及び４重量％〜15重量％のクロム酸化
物（クロム酸化物は大部分が酸化クロム、即ちCr2O3で
あるがCrO3を若干含む）を含有している。結合状態にあ
る粒子間細胞状組織を構成し、銅−ビスマス−クロム・
マトリックスの成分を包囲し且つこれらにしみ込む酸化
クロムの生成により、大きな銅粒子の成長が妨げられ、
酸化物の結合作用による粒子と粒子との融着によって粉
末混合物の高密度化が助長され、また、非常に重要なこ
とには、高い分散度で分散したビスマスがマトリックス
中に固定される。酸化クロム及び多量ではあるが制御可
能な量のビスマスを含有した本発明の接点を用いた真空
遮断器は、電流さい断値が小さく、2mm〜4mmの間隙にお
ける真空絶縁耐力が10％〜35％増大し、高電圧・大電流
の条件下でも故障率が非常に低い。
添付の図面は、本発明の真空遮断器用接点を用いるこ
とのできるような種類の真空遮断器11の部分断面側面図
である。真空遮断器11は、互いに反対側に位置した端に
封止端プレート部材15,17を備えた全体的に円筒形の絶
縁性本体部分13を有する。固定接点組立体19が端プレー
ト15を貫通した状態で設けられているが、この接点組立
体19の導電性ポストの末端には、２つの接点21,27のう
ち第１の接点21が設けられている。他方の接点組立体23
は端プレート17を貫通した状態で可動的に設けられてい
るが、該組立体23の端に設けられた第２の接点27を移動
させることができるベローズ部材25を含む。かくして、
２つの接点21,27は、互いに接触した閉回路状態か又は
互いに離隔した開回路状態かのいずれかの状態になるよ
うに動くことができる。参照番号29で示すような複数の
蒸気用シールドが、密封エンベロープ内で接点、発弧領
域及びベローズ25のまわりに設けられている。種々のシ
ールドにより、絶縁性エンベロープ及びベローズへの発
弧により蒸発した材料の直接的な付着が防止される。
とのできるような種類の真空遮断器11の部分断面側面図
である。真空遮断器11は、互いに反対側に位置した端に
封止端プレート部材15,17を備えた全体的に円筒形の絶
縁性本体部分13を有する。固定接点組立体19が端プレー
ト15を貫通した状態で設けられているが、この接点組立
体19の導電性ポストの末端には、２つの接点21,27のう
ち第１の接点21が設けられている。他方の接点組立体23
は端プレート17を貫通した状態で可動的に設けられてい
るが、該組立体23の端に設けられた第２の接点27を移動
させることができるベローズ部材25を含む。かくして、
２つの接点21,27は、互いに接触した閉回路状態か又は
互いに離隔した開回路状態かのいずれかの状態になるよ
うに動くことができる。参照番号29で示すような複数の
蒸気用シールドが、密封エンベロープ内で接点、発弧領
域及びベローズ25のまわりに設けられている。種々のシ
ールドにより、絶縁性エンベロープ及びベローズへの発
弧により蒸発した材料の直接的な付着が防止される。
真空遮断器11の本体部分13は排気ポート手段33を備え
ているが、この排気ポート手段に取付けられたポンプ手
段等を用いることにより、真空遮断器11の内部雰囲気が
排気ポート手段を介して排気されて真空装置に流入す
る。次に、ポート手段33は図面に示すように管状の部材
であるが、真空遮断器の真空状態を保つためにこのポー
ト手段33をピンチオフし、或いはその他の方法で真空封
止する。
ているが、この排気ポート手段に取付けられたポンプ手
段等を用いることにより、真空遮断器11の内部雰囲気が
排気ポート手段を介して排気されて真空装置に流入す
る。次に、ポート手段33は図面に示すように管状の部材
であるが、真空遮断器の真空状態を保つためにこのポー
ト手段33をピンチオフし、或いはその他の方法で真空封
止する。
真空遮断器の接点21,27は単純なディスク状部材で良
いが、接点の形状はもっと複雑であるのがより一般的で
あり、接点は発生したアークを接点のまわりを運動する
ように維持して局部加熱を最少限に抑えるための、アー
クを円形に駆動する力を生ぜしめる螺旋状アームを含む
場合がある。代表的な接点は、構造に特徴のある成形デ
ィスクとして製作される。強度を増すために接点を金属
ディスクで支持するのが良い。
いが、接点の形状はもっと複雑であるのがより一般的で
あり、接点は発生したアークを接点のまわりを運動する
ように維持して局部加熱を最少限に抑えるための、アー
クを円形に駆動する力を生ぜしめる螺旋状アームを含む
場合がある。代表的な接点は、構造に特徴のある成形デ
ィスクとして製作される。強度を増すために接点を金属
ディスクで支持するのが良い。
接点を成形するためには、成分材料を均質混合し、そ
の結果得られた混合物を適当なプレス型内に配置し、好
ましくは等圧プレス型内で約54,545kgで常温成形し、間
隙率が50％〜65％で低密度の「未焼結」ブリケット状コ
ンパクト又はピルを形成するのが良い。次に、このブリ
ケットを、露点が低いガス、例えば分解アンモニア、水
素ガス等、好ましくは水素ガスの流れの中で約750℃〜
約1000℃の温度で焼結する。
の結果得られた混合物を適当なプレス型内に配置し、好
ましくは等圧プレス型内で約54,545kgで常温成形し、間
隙率が50％〜65％で低密度の「未焼結」ブリケット状コ
ンパクト又はピルを形成するのが良い。次に、このブリ
ケットを、露点が低いガス、例えば分解アンモニア、水
素ガス等、好ましくは水素ガスの流れの中で約750℃〜
約1000℃の温度で焼結する。
温度と露点の関係を表した金属−金属酸化物平衡表か
ら周知のように、露点が低い或る特定のガス、例えば水
素ガス又は分解アンモニア中のクロム及びチタンは或る
特定の温度で酸化されるが、銅及びビスマスのような他
の金属は還元されることになる。この焼結方法で用いら
れるガスの露点は−34℃〜−50℃と低く、また、該ガス
は水蒸気を少なくとも0.006容量％、通常0.006容量％〜
0.03容量％含有する。このように少量の水蒸気が存在す
ることにより粉塊状Crのうち何割かについて部分的酸化
作用が及ぼされ、また、生成した又は存在しているCr2O
3又はCrO3の還元が防止される。しかしながら、クロム
の残部及びその他の主要成分、例えば銅やビスマスは焼
結段階の完了後は還元形態の状態にある。存在しても良
いが重要ではない成分のうち銀及び鉄は還元されるが、
チタンは少なくとも部分的に酸化されることになる。水
分がガス中に0.03容量％以上存在すると、Cr2O3の生成
量が多くなりすぎることがあり、換言すると、全体で約
7.5重量％以上にもなる場合があり、したがって絶縁効
果が強すぎることになってしまう。
ら周知のように、露点が低い或る特定のガス、例えば水
素ガス又は分解アンモニア中のクロム及びチタンは或る
特定の温度で酸化されるが、銅及びビスマスのような他
の金属は還元されることになる。この焼結方法で用いら
れるガスの露点は−34℃〜−50℃と低く、また、該ガス
は水蒸気を少なくとも0.006容量％、通常0.006容量％〜
0.03容量％含有する。このように少量の水蒸気が存在す
ることにより粉塊状Crのうち何割かについて部分的酸化
作用が及ぼされ、また、生成した又は存在しているCr2O
3又はCrO3の還元が防止される。しかしながら、クロム
の残部及びその他の主要成分、例えば銅やビスマスは焼
結段階の完了後は還元形態の状態にある。存在しても良
いが重要ではない成分のうち銀及び鉄は還元されるが、
チタンは少なくとも部分的に酸化されることになる。水
分がガス中に0.03容量％以上存在すると、Cr2O3の生成
量が多くなりすぎることがあり、換言すると、全体で約
7.5重量％以上にもなる場合があり、したがって絶縁効
果が強すぎることになってしまう。
添加剤としての酸化クロム粉末（Cr2O3）は、粉塊状C
rの酸化のための「種（シード）」材料の構成及び粒子
と粒子との付着に欠かせない（なお、この因果関係は現
時点では完全には分かっていない）。焼結後は圧縮を行
う行わないにかかわらず成形接点の密度は90％〜95％で
あろう。次に、接点を一層高い圧力で再び圧縮してから
もう一度、露点の低い同様なガス中で焼結し、最高約98
％までの高い密度を得るのが良い。
rの酸化のための「種（シード）」材料の構成及び粒子
と粒子との付着に欠かせない（なお、この因果関係は現
時点では完全には分かっていない）。焼結後は圧縮を行
う行わないにかかわらず成形接点の密度は90％〜95％で
あろう。次に、接点を一層高い圧力で再び圧縮してから
もう一度、露点の低い同様なガス中で焼結し、最高約98
％までの高い密度を得るのが良い。
本発明に従って製造された真空遮断器用接点は、大電
力電気的試験によって非常に望ましい特性、例えば、一
定電圧における高い電流遮断能力、低い溶着強さ及び低
い腐食性を備えることが判明した材料の混合物を含有し
ている。これらの特性が得られる有利な組成により、銅
（Cu）、クロム（Cr）、ビスマス（Bi）及び酸化クロム
（Cr2O3）を含み、場合によっては、銀（Ag）、鉄（F
e）、チタン（Ti）等が名目上存在する多成分（複合）
接点が得られる。「名目上存在する」とは、組成中に、
これらの元素が不純物レベルよりも少し多い量、即ち、
混合物の重量で約0.5％〜２％以上存在することを意味
している。適当なCr2O3＋CrO3最終含有量を得るために
は、酸化物全てをCr2O3として添加するのではなく、
「種」となるCr2O3を少量添加して粉塊状Crを部分的に
酸化することが最善策であるということが判明した。
力電気的試験によって非常に望ましい特性、例えば、一
定電圧における高い電流遮断能力、低い溶着強さ及び低
い腐食性を備えることが判明した材料の混合物を含有し
ている。これらの特性が得られる有利な組成により、銅
（Cu）、クロム（Cr）、ビスマス（Bi）及び酸化クロム
（Cr2O3）を含み、場合によっては、銀（Ag）、鉄（F
e）、チタン（Ti）等が名目上存在する多成分（複合）
接点が得られる。「名目上存在する」とは、組成中に、
これらの元素が不純物レベルよりも少し多い量、即ち、
混合物の重量で約0.5％〜２％以上存在することを意味
している。適当なCr2O3＋CrO3最終含有量を得るために
は、酸化物全てをCr2O3として添加するのではなく、
「種」となるCr2O3を少量添加して粉塊状Crを部分的に
酸化することが最善策であるということが判明した。
粉末状混合物及びブリケットの一態様を表Ｉに示して
いるが、この表Ｉでは、成分、成分の許容重量百分率範
囲、及びブリケット中に存在する成分の百分率が記載さ
れている。
いるが、この表Ｉでは、成分、成分の許容重量百分率範
囲、及びブリケット中に存在する成分の百分率が記載さ
れている。
実験により確かめられたことは、ビスマスの最終含有
率が約12重量％〜15重量％である接点は、約7kA〜9kAの
範囲の電流を遮断するときに接点の腐食が少ないという
ことに加え、真空遮断器用接点として優れた特性を発揮
するということである。銅及びビスマスよりも融点の高
いCr2O3の量が少なくとも0.5重量％であると（なお、Cr
2O3又はCrO3の融点は2,435℃である）、少なくとも0.00
6容量％の水蒸気を含有した水素ガス中での焼結中のCr
の酸化、最終生成物としての焼結接点の塊状物中におけ
るクロムの酸化物、例えば、Cr2O3及びCrO3の最高５重
量％までの生成、及び固溶体の良質なマトリックス全体
にわたるビスマスの分散が一層確実になる。
率が約12重量％〜15重量％である接点は、約7kA〜9kAの
範囲の電流を遮断するときに接点の腐食が少ないという
ことに加え、真空遮断器用接点として優れた特性を発揮
するということである。銅及びビスマスよりも融点の高
いCr2O3の量が少なくとも0.5重量％であると（なお、Cr
2O3又はCrO3の融点は2,435℃である）、少なくとも0.00
6容量％の水蒸気を含有した水素ガス中での焼結中のCr
の酸化、最終生成物としての焼結接点の塊状物中におけ
るクロムの酸化物、例えば、Cr2O3及びCrO3の最高５重
量％までの生成、及び固溶体の良質なマトリックス全体
にわたるビスマスの分散が一層確実になる。
Crの量が少なくても、Cr2O3、CrO3及びこれらの混合
物から選択されたクロムの酸化物を添加すれば、Cuの50
重量％〜75重量％の範囲及びBiの2.5重量％〜15重量％
の範囲は焼結を行っても本質的には同一範囲のままであ
る。ビスマスは高い分散度で且つ均一に分散して、銅−
クロム−ビスマス・マトリックス中の低い粒度の銅粒子
と結合することになる。クロムの酸化物は、マトリック
スを結合して、相互分散し且つ均一に分布した細胞状網
状組織にするのに効果的である。予備焼結混合物中に7.
5重量％以上のCr2O3が存在するようにすると、接点の機
械加工の困難性の問題、接点のマトリックスの均一性が
得られ難いという問題及び接点のピッチング問題が事実
上生じ、また、絶縁効果が強すぎることになる。
物から選択されたクロムの酸化物を添加すれば、Cuの50
重量％〜75重量％の範囲及びBiの2.5重量％〜15重量％
の範囲は焼結を行っても本質的には同一範囲のままであ
る。ビスマスは高い分散度で且つ均一に分散して、銅−
クロム−ビスマス・マトリックス中の低い粒度の銅粒子
と結合することになる。クロムの酸化物は、マトリック
スを結合して、相互分散し且つ均一に分布した細胞状網
状組織にするのに効果的である。予備焼結混合物中に7.
5重量％以上のCr2O3が存在するようにすると、接点の機
械加工の困難性の問題、接点のマトリックスの均一性が
得られ難いという問題及び接点のピッチング問題が事実
上生じ、また、絶縁効果が強すぎることになる。
好ましい実施例は少量の銀、鉄又はチタンを含有する
のが良いが、銅、クロム、ビスマス及び酸化クロムだけ
用いても満足のゆく接点を得ることができる。しかしな
がら、焼結されたCu−Cr−Bi−Cr2O3/CrO3接点では、ビ
スマスが予備焼結混合物中に2.5重量％〜15重量％、好
ましくは５重量％以上存在することが重要である。好ま
しくは、Cu及びCrの予備焼結粉末の粒度は約37マイクロ
メートル（ミクロン）〜150マイクロメートルの範囲に
あり、Bi及びCr2O3の予備焼結粉末の粒度は約１マイク
ロメートル〜25マイクロメートルの範囲にある。
のが良いが、銅、クロム、ビスマス及び酸化クロムだけ
用いても満足のゆく接点を得ることができる。しかしな
がら、焼結されたCu−Cr−Bi−Cr2O3/CrO3接点では、ビ
スマスが予備焼結混合物中に2.5重量％〜15重量％、好
ましくは５重量％以上存在することが重要である。好ま
しくは、Cu及びCrの予備焼結粉末の粒度は約37マイクロ
メートル（ミクロン）〜150マイクロメートルの範囲に
あり、Bi及びCr2O3の予備焼結粉末の粒度は約１マイク
ロメートル〜25マイクロメートルの範囲にある。
呼び直径が3cmのCu−Cr−Bi−Cr2O3/CrO3接点の絶縁
耐力は間隙が4mmでは約50kVのフラッシオーバの防止に
十分であることが判明した。間隙が狭くなると絶縁耐力
が減少する。すなわち、間隙が2mmの場合のフラッシオ
ーバは低くなり、約25KVである。しかしながら、4mmの
間隙は7kA〜9kAの範囲の電流の遮断に用いられる呼び間
隙である。
耐力は間隙が4mmでは約50kVのフラッシオーバの防止に
十分であることが判明した。間隙が狭くなると絶縁耐力
が減少する。すなわち、間隙が2mmの場合のフラッシオ
ーバは低くなり、約25KVである。しかしながら、4mmの
間隙は7kA〜9kAの範囲の電流の遮断に用いられる呼び間
隙である。
以上説明したものは、5kV〜7kVの中程度の電圧におけ
る電流遮断能力が高い真空遮断器用接点材料である。加
えて、溶着強さが低く、大電流による腐食性も低い。こ
れは４種類の主要な成分、すなわち、銅、クロム、ビス
マス及び酸化クロムの使用により達成されるが、好まし
い実施例では、混合物に銀、鉄及びチタンを少量添加す
るのが良い。接点混合物中にビスマスが含有されている
ことにより、その低いさい断特性が接点に付与されてい
る。酸化クロムが含有されていることにより、焼結接点
が強化され、銅の粒子成長が妨げられて実質的に全ての
銅粒子が直径300マイクロメートル（ミクロン）未満、
好ましくはその85％、即ち250マイクロメートル未満に
保たれ、均一に分布したビスマスの結合が助長されて発
弧中のビスマスの蒸発が抑制され、真空絶縁耐力が増大
する。
る電流遮断能力が高い真空遮断器用接点材料である。加
えて、溶着強さが低く、大電流による腐食性も低い。こ
れは４種類の主要な成分、すなわち、銅、クロム、ビス
マス及び酸化クロムの使用により達成されるが、好まし
い実施例では、混合物に銀、鉄及びチタンを少量添加す
るのが良い。接点混合物中にビスマスが含有されている
ことにより、その低いさい断特性が接点に付与されてい
る。酸化クロムが含有されていることにより、焼結接点
が強化され、銅の粒子成長が妨げられて実質的に全ての
銅粒子が直径300マイクロメートル（ミクロン）未満、
好ましくはその85％、即ち250マイクロメートル未満に
保たれ、均一に分布したビスマスの結合が助長されて発
弧中のビスマスの蒸発が抑制され、真空絶縁耐力が増大
する。
今、本発明を以下の実験例を参照して説明する。
実 験 例 図面に示す接点21,27と類似した直径3cm（1.2イン
チ）の接点を有する真空遮断器を製造した。接点を得る
ための予備焼結粉末混合物は、粒度38マイクロメートル
〜150マイクロメートルのCu粉末を60重量％、粒度38マ
イクロメートル〜150マイクロメートルのCr粉末を24重
量％、粒度１マイクロメートル〜25マイクロメートルの
Bi粉末を13重量％、粒度１マイクロメートル〜25マイク
ロメートルのCr2O3粉末を１重量％、粒度１マイクロメ
ートル〜25マイクロメートルのAg粉末を２重量％含有し
た。対照サンプルとして、Cr2O3又はAg粉末を含有しな
い同一の接点を複数個製造した。
チ）の接点を有する真空遮断器を製造した。接点を得る
ための予備焼結粉末混合物は、粒度38マイクロメートル
〜150マイクロメートルのCu粉末を60重量％、粒度38マ
イクロメートル〜150マイクロメートルのCr粉末を24重
量％、粒度１マイクロメートル〜25マイクロメートルの
Bi粉末を13重量％、粒度１マイクロメートル〜25マイク
ロメートルのCr2O3粉末を１重量％、粒度１マイクロメ
ートル〜25マイクロメートルのAg粉末を２重量％含有し
た。対照サンプルとして、Cr2O3又はAg粉末を含有しな
い同一の接点を複数個製造した。
両方のサンプルを約1/2時間かけて均質混合し、適当
な接点用プレス型内に配置して常温等圧で圧縮し、間隙
率が60％の「未焼結」ブリケットを形成したが、該ブリ
ケットは粉末混合物と同一の組成を有していた。次に、
両方のブリケットサンプルを炉内で、露点が−30℃、す
なわち、約0.03容量％の水蒸気を含有した純粋な水素ガ
スの連続流れの中において850℃の温度で２時間かけて
焼結し、接点サンプルを成形した。このガスはクロムに
対して部分酸化性、銅及びビスマスに対しては還元性で
あったので、クロムの何割かだけがCr2O3に変換された
ことになる。焼結してから冷却した後の接点サンプルの
それぞれの密度は両方とも92％であった。次に、これら
接点サンプルを試験したが、その試験結果並びに最初の
組成及び最終の組成を次頁の表IIに示している。
な接点用プレス型内に配置して常温等圧で圧縮し、間隙
率が60％の「未焼結」ブリケットを形成したが、該ブリ
ケットは粉末混合物と同一の組成を有していた。次に、
両方のブリケットサンプルを炉内で、露点が−30℃、す
なわち、約0.03容量％の水蒸気を含有した純粋な水素ガ
スの連続流れの中において850℃の温度で２時間かけて
焼結し、接点サンプルを成形した。このガスはクロムに
対して部分酸化性、銅及びビスマスに対しては還元性で
あったので、クロムの何割かだけがCr2O3に変換された
ことになる。焼結してから冷却した後の接点サンプルの
それぞれの密度は両方とも92％であった。次に、これら
接点サンプルを試験したが、その試験結果並びに最初の
組成及び最終の組成を次頁の表IIに示している。
銅の粒度の減少及び真空絶縁耐力の増大という効果
は、Cr2O3が含有されていたこと及び粉塊状CrからCr2O3
が生成したことにより得られている。銀が含有されてい
たことは、これらの効果の何れを得るにも役立ってはい
ない。
は、Cr2O3が含有されていたこと及び粉塊状CrからCr2O3
が生成したことにより得られている。銀が含有されてい
たことは、これらの効果の何れを得るにも役立ってはい
ない。
アークの消弧後、顕微鏡により分析すると、本発明の
サンプルでは接点の表面上にBiの蒸発に起因したBiウイ
スカ成長が僅かに認められただけであったが、かかるウ
イスカは対照サンプルではより一層顕著に認められ、し
たがって、Biが本発明のサンプルのマトリックス中に高
い分散度で保持されていることが分かる。顕微鏡写真の
示すところによれば、クロム酸化物は結合状態にある粒
子間細胞状組織中で相互分散し、均一に分布した連続ウ
ェブの状態で接点のその他の成分を包囲してこれらの成
分にしみ込んでいた。表IIから分かるように、本発明の
サンプルは対照サンプルよりも際立って優れている。
サンプルでは接点の表面上にBiの蒸発に起因したBiウイ
スカ成長が僅かに認められただけであったが、かかるウ
イスカは対照サンプルではより一層顕著に認められ、し
たがって、Biが本発明のサンプルのマトリックス中に高
い分散度で保持されていることが分かる。顕微鏡写真の
示すところによれば、クロム酸化物は結合状態にある粒
子間細胞状組織中で相互分散し、均一に分布した連続ウ
ェブの状態で接点のその他の成分を包囲してこれらの成
分にしみ込んでいた。表IIから分かるように、本発明の
サンプルは対照サンプルよりも際立って優れている。
図面は、本発明の真空遮断器用接点を用いることのでき
るような種類の真空遮断器の部分断面側面図である。 〔主要な参照番号の説明〕 11……真空遮断器、13……絶縁性本体部分、 15,17……端プレート部材、19……固定接点組立体、21,
27……接点、23……可動接点組立体、25……ベローズ部
材、29……シールド。
るような種類の真空遮断器の部分断面側面図である。 〔主要な参照番号の説明〕 11……真空遮断器、13……絶縁性本体部分、 15,17……端プレート部材、19……固定接点組立体、21,
27……接点、23……可動接点組立体、25……ベローズ部
材、29……シールド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−181346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−35643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−10522（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−114502（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−6218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−150618（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】真空遮断器に用いられる密度の高い焼結接
点であって、接点が50〜75重量％の銅粒子の間に高い分
散度で分散した2.5〜15重量％のビスマスを含み、接点
の残部がクロム及びCr2O3とCrO3の混合物を含有し、ク
ロムの酸化物が、結合状態で均一に分布した網状組織中
で銅、ビスマス及びクロムを包囲していることを特徴と
する真空遮断器用接点。 - 【請求項２】銅粒子の粒度は300マイクロメートル未満
であることを特徴とする請求項第（１）項記載の真空遮
断器用接点。 - 【請求項３】クロムが10〜25重量％、クロムの酸化物が
４〜15重量％含有されており、Cr2O3は銅−ビスマス−
クロム成分にしみ込んで大きな銅粒子の成長を妨げるこ
とを特徴とする請求項第（１）項又は第（２）項記載の
真空遮断器用接点。 - 【請求項４】真空遮断器用接点の製造方法であって、50
〜75重量％の銅、15〜30重量％のクロム、2.5〜15重量
％のビスマス及び0.5〜7.5重量％の酸化クロムを含む混
合物を形成し、該混合物を常温圧縮して接点ブリケット
を形成し、該ブリケットを、水蒸気を含有したガスの流
れの中で焼結しクロムを酸化して密度の高い接点を生ぜ
しめ、焼結された接点を冷却することを特徴とする製造
方法。 - 【請求項５】混合物は１〜３重量％の酸化クロムを含む
ことを特徴とする請求項第（４）項記載の製造方法。 - 【請求項６】ガスは水素ガスであり、水蒸気が該水素ガ
ス中に0.006容量％以上存在し、焼結を750℃〜1,000℃
の温度で行うことを特徴とする請求項第（４）項記載の
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US72,317 | 1987-07-13 | ||
| US07/072,317 US4743718A (en) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | Electrical contacts for vacuum interrupter devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6436738A JPS6436738A (en) | 1989-02-07 |
| JP2530484B2 true JP2530484B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=22106840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176203A Expired - Lifetime JP2530484B2 (ja) | 1987-07-13 | 1988-07-13 | 真空遮断器用接点及びその製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
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| CA (1) | CA1327131C (ja) |
| DE (1) | DE3822509A1 (ja) |
| GB (1) | GB2208234B (ja) |
| IN (1) | IN170712B (ja) |
| ZA (1) | ZA884424B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4797522A (en) * | 1988-02-11 | 1989-01-10 | Westinghouse Electric Corp. | Vacuum-type circuit interrupter |
| DE58904983D1 (de) * | 1988-04-20 | 1993-08-26 | Siemens Ag | Sinterkontaktwerkstoff auf silberbasis zur verwendung in schaltgeraeten der energietechnik, insbesondere fuer kontaktstuecke in niederspannungsschaltern. |
| US4940862A (en) * | 1989-10-26 | 1990-07-10 | Westinghouse Electric Corp. | Vacuum interrupter with improved vapor shield for gas adsorption |
| JPH03149719A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 真空スイツチ用接点材料およびその製法 |
| US5225381A (en) * | 1989-11-02 | 1993-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum switch contact material and method of manufacturing it |
| TW237551B (ja) * | 1990-06-07 | 1995-01-01 | Toshiba Co Ltd | |
| JP2908071B2 (ja) * | 1991-06-21 | 1999-06-21 | 株式会社東芝 | 真空バルブ用接点材料 |
| DE4128798A1 (de) * | 1991-08-27 | 1992-04-02 | Slamecka Ernst | Vakuumschalter |
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| CN1064082C (zh) * | 1994-06-14 | 2001-04-04 | 北京市联合大学 | 生物酶素揭裱液及其揭裱方法 |
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- 1987-07-13 US US07/072,317 patent/US4743718A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-20 IN IN499/CAL/88A patent/IN170712B/en unknown
- 1988-06-21 ZA ZA884424A patent/ZA884424B/xx unknown
- 1988-06-30 CA CA000570860A patent/CA1327131C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-04 DE DE3822509A patent/DE3822509A1/de not_active Withdrawn
- 1988-07-11 GB GB8816480A patent/GB2208234B/en not_active Expired - Lifetime
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- 1988-07-13 CN CN88104348A patent/CN1023270C/zh not_active Expired - Fee Related
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