JPS5848323A - 真空開閉器用接点 - Google Patents
真空開閉器用接点Info
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- JPS5848323A JPS5848323A JP56147545A JP14754581A JPS5848323A JP S5848323 A JPS5848323 A JP S5848323A JP 56147545 A JP56147545 A JP 56147545A JP 14754581 A JP14754581 A JP 14754581A JP S5848323 A JPS5848323 A JP S5848323A
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- oxide
- melting point
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- vacuum switch
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
- C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、低すイグン電流でかっ、しゃ断性能に優れ
た真空開閉器用接点に関するものである。
た真空開閉器用接点に関するものである。
従来、この種の接点とし゛Ｃ１銅−ビスマス（Ｃｕ−Ｂ
ｉ）。
ｉ）。
銅−鉛（Ｃｕ−Ｐｂ ） 、銅−アンチモン（Ｃｕ−Ｓ
ｂ）等の良導電性金属と低融点金属との組合せ、あるい
は銅−コバルト−ビスマス（Ｃｕ−Ｃｏ−Ｂｉ） 、銅
−タングステン−テルル（Ｃｕ Ｗ Ｔｅ）、銅−クロ
ーム−ビスマス（Ｃｕ −Ｃｒ−Ｂｉ）等の、高融点金
属を副成分とし゛Ｃ添加したもの等があった。又、−銀
一酸化バＩＪ−’７ム（Ａｇ−Ｂａｄ）、銅−酸化マグ
ネシウム（Ｃｕ −ＭｇＯ）、銀−酸化ト・１ｆ）ム（
Ａｇ−Ｔｈ０２）あるいは銀−タングステンカーバイト
（Ａｇ−ＷＣ）等の熱電子放射能が良く、仕事承数の小
さｔ高融点の金属酸化物や金属炭化物を含有させたもの
があった。
ｂ）等の良導電性金属と低融点金属との組合せ、あるい
は銅−コバルト−ビスマス（Ｃｕ−Ｃｏ−Ｂｉ） 、銅
−タングステン−テルル（Ｃｕ Ｗ Ｔｅ）、銅−クロ
ーム−ビスマス（Ｃｕ −Ｃｒ−Ｂｉ）等の、高融点金
属を副成分とし゛Ｃ添加したもの等があった。又、−銀
一酸化バＩＪ−’７ム（Ａｇ−Ｂａｄ）、銅−酸化マグ
ネシウム（Ｃｕ −ＭｇＯ）、銀−酸化ト・１ｆ）ム（
Ａｇ−Ｔｈ０２）あるいは銀−タングステンカーバイト
（Ａｇ−ＷＣ）等の熱電子放射能が良く、仕事承数の小
さｔ高融点の金属酸化物や金属炭化物を含有させたもの
があった。
なお、以下の説明で材料は元素記号で表わし、含有率が
問題となる場合は原則として元素記号のあとに０を付し
ｗｔ％で表わされた数字を記入することとする。
問題となる場合は原則として元素記号のあとに０を付し
ｗｔ％で表わされた数字を記入することとする。
低融点金属を使用したものは、アーク発生時に、それが
多量に蒸発するため、電流の自然零点を待たず電流がし
ゃ断される。〜）わゆるサイダン電流値を相当低く抑え
ることが可能であった。このことは必然的に大電流しゃ
断の際はその多量の低融点金属蒸気が悪影響を績ぼし、
しゃ断電流が極め°Ｃ低いものになる欠点を有していた
。高融点金属を添加したものは、この天点を多少でも緩
和するため、母体金属の融点を高める目的を持つ゛（Ｉ
）たが、それ程効果的ｔものではなかつｆコ。低融点金
属を１５〜２０％含有すればしゃ断電流は低いが、ｌＡ
以下の非常に低いサイダン電流をもつ接点を得ることは
、この従来法でも可能であつすこ。しかしながな負荷電
流を多数回開閉するｔｌそのサイダン電流値が徐々に上
昇し、遂にＩＡを越貞るという大きな欠点があった。又
、通常、これらの接点は・ロー付によつ゛Ｃ電極棒に取
り付けられるが、前述の如く低融点金属を１５〜２０％
も含有すると、それが＋１−材部に浸入し、その接合強
度を著しく低下させるため、真空開閉器として機械的耐
久性に劣るなどの欠点を有していた。
多量に蒸発するため、電流の自然零点を待たず電流がし
ゃ断される。〜）わゆるサイダン電流値を相当低く抑え
ることが可能であった。このことは必然的に大電流しゃ
断の際はその多量の低融点金属蒸気が悪影響を績ぼし、
しゃ断電流が極め°Ｃ低いものになる欠点を有していた
。高融点金属を添加したものは、この天点を多少でも緩
和するため、母体金属の融点を高める目的を持つ゛（Ｉ
）たが、それ程効果的ｔものではなかつｆコ。低融点金
属を１５〜２０％含有すればしゃ断電流は低いが、ｌＡ
以下の非常に低いサイダン電流をもつ接点を得ることは
、この従来法でも可能であつすこ。しかしながな負荷電
流を多数回開閉するｔｌそのサイダン電流値が徐々に上
昇し、遂にＩＡを越貞るという大きな欠点があった。又
、通常、これらの接点は・ロー付によつ゛Ｃ電極棒に取
り付けられるが、前述の如く低融点金属を１５〜２０％
も含有すると、それが＋１−材部に浸入し、その接合強
度を著しく低下させるため、真空開閉器として機械的耐
久性に劣るなどの欠点を有していた。
又、これらの低融点金属を含有した接点を溶解法や焼結
法で製作する場合、主成分である銅の融点とは大きな温
度差があるため、製造過程で低融点金属が多量に蒸発し
てしまうのが常であった。従って予め低融点金属の添加
量を多めにするなどの工夫が為されＣいた。しかし溶解
や焼結の温度の多少の（動で、その含有型がバラツキ安
定した資質を得るのが困難であった。
法で製作する場合、主成分である銅の融点とは大きな温
度差があるため、製造過程で低融点金属が多量に蒸発し
てしまうのが常であった。従って予め低融点金属の添加
量を多めにするなどの工夫が為されＣいた。しかし溶解
や焼結の温度の多少の（動で、その含有型がバラツキ安
定した資質を得るのが困難であった。
一方、熱電子放射能が良く、小さい仕事函数の金属酸化
物や金属炭化物を使用したものは、それ自身から多量の
電子が供給されるため、低いサイダン電流を得ることが
可能であった。
物や金属炭化物を使用したものは、それ自身から多量の
電子が供給されるため、低いサイダン電流を得ることが
可能であった。
しかしながら、電子を放出し易いこれらの材質は、その
熱伝導率が極めＣ低いという特性を相まって、大電流し
ゃ断がほとんど不可能という致命的な欠点を有し′Ｃい
た。又、これらの金属酸化物は通常、非常に硬いもので
あり、加工性にｊＫけるものであった。
熱伝導率が極めＣ低いという特性を相まって、大電流し
ゃ断がほとんど不可能という致命的な欠点を有し′Ｃい
た。又、これらの金属酸化物は通常、非常に硬いもので
あり、加工性にｊＫけるものであった。
更にこれらの熱電子放射能に優れ仕事函数の低い金属酸
化物は、一般的に２０００℃以上の融点の高融点材料で
、かつ金属上のぬれ性の悪いものであるため、負荷電流
の開閉の都度、これらの粉塵が発生し、耐電圧性能を劣
下させる′〈点があった。
化物は、一般的に２０００℃以上の融点の高融点材料で
、かつ金属上のぬれ性の悪いものであるため、負荷電流
の開閉の都度、これらの粉塵が発生し、耐電圧性能を劣
下させる′〈点があった。
以と要約すると、低融点金属を使用したものは、しゃ断
電流が小さく、多数回の負荷電流開閉でサイダン電流値
が徐々に上昇する天点かあり、ロー付性や機械的強度に
劣るものであった。又、熱電子放射能の良い仕事函数の
低い金属酸化物を使用したものはしゃ断電流が低く、加
工性に欠け、耐電圧性能が劣るという欠点を有し°Ｃい
すご。
電流が小さく、多数回の負荷電流開閉でサイダン電流値
が徐々に上昇する天点かあり、ロー付性や機械的強度に
劣るものであった。又、熱電子放射能の良い仕事函数の
低い金属酸化物を使用したものはしゃ断電流が低く、加
工性に欠け、耐電圧性能が劣るという欠点を有し°Ｃい
すご。
この発明はｔ記のような従来のものの・Ｋ点を除去する
ためにＩｇされたもので、良導電性金属と、それよりは
融点が低い、低融点金属の酸化物とを、非酸化性雰囲気
で溶解ないし焼結することにより、低いサイダン電流で
、かつその長期安定性に優れ、しゃ断電流も高い、ロー
付性、機械的強度の優れた真空開閉器用接点を提供する
ことを目的とし°Ｃいる。
ためにＩｇされたもので、良導電性金属と、それよりは
融点が低い、低融点金属の酸化物とを、非酸化性雰囲気
で溶解ないし焼結することにより、低いサイダン電流で
、かつその長期安定性に優れ、しゃ断電流も高い、ロー
付性、機械的強度の優れた真空開閉器用接点を提供する
ことを目的とし°Ｃいる。
従来の低融点金属を含有した接点の金属組織写真を第４
図に示す。これはＣｕ（６０）−Ｃｒ（２６）−Ｂｉ（
１５）をそれぞれ投入混合し、成形した後、１０００°
Ｃで２時間焼結したものである。黒色で示されろ円形状
のＢｉの凝結したかｆこまりが粗く分散し、それらのお
互いは不連続に分布し′Ｃいも。灰色を呈したＣｒ粒と
白色のＣｕ粒５が接するところに、前記したＢｉの凝結
したかたまりが存在している。混合時には比較的微細に
均一に分散していたＢｉが１０００°Ｃの高温闇により
溶融し゛Ｃ流動し、凝結し°にれらのかｔ−まＯを作る
。Ｂｉの融点は２７８℃であるが、焼結時の昇温はこの
温間付近では成形体がまた収縮焼結を始めていないため
、その隙間を容易に溶融Ｂ ｉが流動し、収縮が開始す
る７００〜８００℃では既にかｆこま９を形成し°Ｃお
り、ｔｏｏｏ”ｃに達してその形状は一層丸味を帯び°
Ｃ焼結を完ｒする。
図に示す。これはＣｕ（６０）−Ｃｒ（２６）−Ｂｉ（
１５）をそれぞれ投入混合し、成形した後、１０００°
Ｃで２時間焼結したものである。黒色で示されろ円形状
のＢｉの凝結したかｆこまりが粗く分散し、それらのお
互いは不連続に分布し′Ｃいも。灰色を呈したＣｒ粒と
白色のＣｕ粒５が接するところに、前記したＢｉの凝結
したかたまりが存在している。混合時には比較的微細に
均一に分散していたＢｉが１０００°Ｃの高温闇により
溶融し゛Ｃ流動し、凝結し°にれらのかｔ−まＯを作る
。Ｂｉの融点は２７８℃であるが、焼結時の昇温はこの
温間付近では成形体がまた収縮焼結を始めていないため
、その隙間を容易に溶融Ｂ ｉが流動し、収縮が開始す
る７００〜８００℃では既にかｆこま９を形成し°Ｃお
り、ｔｏｏｏ”ｃに達してその形状は一層丸味を帯び°
Ｃ焼結を完ｒする。
コノ従来のＣｕ（６０）−Ｃｒ（２５）−Ｂｉ（１６）
は初期のサイダン電流特性フム７ Ａ程度と低いが、６
００Ａをｔｏ、ｏｏ。
は初期のサイダン電流特性フム７ Ａ程度と低いが、６
００Ａをｔｏ、ｏｏ。
口開閉するとその後は１．６Ａのサイグン電流に上昇す
る。又、しゃ断性能もφ８６の電極径で１１ｋＡｖ、ｍ
、ｓ程度であった。しゃ断電流の上限を決め′Ｃいろの
は前述しｔニー Ｂ ｉのかたま９がアークに目面され
、大量に蒸発することによる。又、サイグン電流が上昇
するのは、負萄電流開閉により、とのＢｉが選択的に蒸
発し、接点表面から徐々にｒｘ ＜ ｒｔつＣい（ため
である。しかもこれらのＢｉＯかたまりが不連続に分布
しＣいるｔ二め肉厚方向深部から、新たなめである。即
ち、Ｂｉが凝結したかたまりとなり、しかも不連続に分
布していることが、全゛Ｃのツ（点を煮起しＣいる。
る。又、しゃ断性能もφ８６の電極径で１１ｋＡｖ、ｍ
、ｓ程度であった。しゃ断電流の上限を決め′Ｃいろの
は前述しｔニー Ｂ ｉのかたま９がアークに目面され
、大量に蒸発することによる。又、サイグン電流が上昇
するのは、負萄電流開閉により、とのＢｉが選択的に蒸
発し、接点表面から徐々にｒｘ ＜ ｒｔつＣい（ため
である。しかもこれらのＢｉＯかたまりが不連続に分布
しＣいるｔ二め肉厚方向深部から、新たなめである。即
ち、Ｂｉが凝結したかたまりとなり、しかも不連続に分
布していることが、全゛Ｃのツ（点を煮起しＣいる。
又、このＢｉのかたまりが発生する原因は、主成分とＢ
ｉとの融点の差が余りにも大きいためでもある、そこで
発明者らはＢｉの触点より、比較的高い融点を示ｔ Ｔ
ｅ（４５０°０）Ｓｂ（６８１°ｃ＞＜この場合、カッ
コ内の数字は融点を示す）等を使用し”Ｃ１これらの挙
動を調査したが、溶融流動性による凝結１選択的飛散に
よるしゃ断電流の低下や、サイグン電流の上昇傾向等の
大魚を除去するに芋らなかった。
ｉとの融点の差が余りにも大きいためでもある、そこで
発明者らはＢｉの触点より、比較的高い融点を示ｔ Ｔ
ｅ（４５０°０）Ｓｂ（６８１°ｃ＞＜この場合、カッ
コ内の数字は融点を示す）等を使用し”Ｃ１これらの挙
動を調査したが、溶融流動性による凝結１選択的飛散に
よるしゃ断電流の低下や、サイグン電流の上昇傾向等の
大魚を除去するに芋らなかった。
次に発明者らは、低融点の金属酸化物に着目した・即ち
焼結完ｒ時点では、酸素が除去された形で、低融戸金属
のみ接点内に残れば、酸化物として融点が高くなった分
、溶融流動性が抑まりできる可能性がある。酸化物の解
離は、材質の選択と非酸化性雰囲気で溶゛解ないし焼結
することで達成できろ。それでは一実施例につい′Ｃ以
下に説明する。
焼結完ｒ時点では、酸素が除去された形で、低融戸金属
のみ接点内に残れば、酸化物として融点が高くなった分
、溶融流動性が抑まりできる可能性がある。酸化物の解
離は、材質の選択と非酸化性雰囲気で溶゛解ないし焼結
することで達成できろ。それでは一実施例につい′Ｃ以
下に説明する。
主成分とし′Ｃの電解銅粉末と副成分としＣのクロム粉
末、添加物としＣのＢｉ２Ｏ３粉末をそれぞれＣｕ（６
Ｇ）−Ｃｕ（２５）−Ｂｉｔ’５（１５）のＷ量の割合
で混合し、加圧成形した後、１０００℃で２時間、真空
炉７ｔいし高純度水素炉等の非酸化性雰囲気で焼結した
。
末、添加物としＣのＢｉ２Ｏ３粉末をそれぞれＣｕ（６
Ｇ）−Ｃｕ（２５）−Ｂｉｔ’５（１５）のＷ量の割合
で混合し、加圧成形した後、１０００℃で２時間、真空
炉７ｔいし高純度水素炉等の非酸化性雰囲気で焼結した
。
そのＶｉ果得られた焼結体の金属組織写真を第６図に示
す。微細で均一なりｉ層が連続した網目状に分布しＣい
る。凝結したＢｉのかたまりはほとんど見られず、多数
のＢｉ粒が主成分である銅にめり込んだ形で存在してい
る。これらは、Ｂ１１０ｇの融点が８１７℃であること
から得られた特長である。即ち焼結時の昇温過程でＢｉ
２Ｏ３は８１７℃近くまで溶解せずに、混合時の微細で
均一な分布を維持しＣいる。そしてこの温度では、既に
成形体の収縮焼結は開始しＣおｌ）、Ｂ１１０３粉末を
取り込むようにし゛Ｃ収縮してい＜、８１７℃を越える
と、Ｂ１１０３は溶融し始めるが、溶融Ｂｉより、その
動作は強く拘束され′Ｃいるため、凝結し°Ｃかたまり
を作ることはない。
す。微細で均一なりｉ層が連続した網目状に分布しＣい
る。凝結したＢｉのかたまりはほとんど見られず、多数
のＢｉ粒が主成分である銅にめり込んだ形で存在してい
る。これらは、Ｂ１１０ｇの融点が８１７℃であること
から得られた特長である。即ち焼結時の昇温過程でＢｉ
２Ｏ３は８１７℃近くまで溶解せずに、混合時の微細で
均一な分布を維持しＣいる。そしてこの温度では、既に
成形体の収縮焼結は開始しＣおｌ）、Ｂ１１０３粉末を
取り込むようにし゛Ｃ収縮してい＜、８１７℃を越える
と、Ｂ１１０３は溶融し始めるが、溶融Ｂｉより、その
動作は強く拘束され′Ｃいるため、凝結し°Ｃかたまり
を作ることはない。
溶融したＢｉ２Ｏ３は、更に高い濃度になるにつれ解離
エネルギーを与えられ、純Ｂｉに転化し′Ｃいく。
エネルギーを与えられ、純Ｂｉに転化し′Ｃいく。
近接する銅やクロムの存在と非酸化性雰囲気はこの酸素
解離を容易なもの七する。焼結完ｒ時点では、混合時の
微細で均一な分布を維持した純Ｂｉの網目が完成し、少
量のＢ（，０，が残留する。この現象はＣｕ −Ｃｒ−
８１２０ｇの相当広箭囲の配合比でも同一傾向を示すが
Ｂｉ２’ｓがｓｏｗｔ％を越えると、焼結が不能となり
、残留Ｂｉ２０ｊが増加する。
解離を容易なもの七する。焼結完ｒ時点では、混合時の
微細で均一な分布を維持した純Ｂｉの網目が完成し、少
量のＢ（，０，が残留する。この現象はＣｕ −Ｃｒ−
８１２０ｇの相当広箭囲の配合比でも同一傾向を示すが
Ｂｉ２’ｓがｓｏｗｔ％を越えると、焼結が不能となり
、残留Ｂｉ２０ｊが増加する。
次にこの発明品の性能を従来品との比較に１ｊい°Ｃ詳
述する。
述する。
ｍ１図はＣｕとＣｒにＢｉを添加した従来品とＣｕとＣ
ｒにＢｉ、Ｏ，を添加した本発明品とにおいて、 Ｃｒ
をｆｆ１５ｗｔ％に同定し、Ｂｉ及びＢｉ、Ｏｊを２〜
２０％の範囲で添加量を変化させ、残部を銅とした各種
試作昇のサイダン電流特性を示す。ｌｌ８６の１極とし
°Ｃａｔ空開閉器に組込み６ＧＯＡをｔ 、ｏｎｅ回開
閉し１：＠、２０Ａｐｅａｋの交流電流が流れる抵抗回
路をしゃ断した時のサイゲン電流値の平均値を樅軸に示
し、添加量を横軸に示した。
ｒにＢｉ、Ｏ，を添加した本発明品とにおいて、 Ｃｒ
をｆｆ１５ｗｔ％に同定し、Ｂｉ及びＢｉ、Ｏｊを２〜
２０％の範囲で添加量を変化させ、残部を銅とした各種
試作昇のサイダン電流特性を示す。ｌｌ８６の１極とし
°Ｃａｔ空開閉器に組込み６ＧＯＡをｔ 、ｏｎｅ回開
閉し１：＠、２０Ａｐｅａｋの交流電流が流れる抵抗回
路をしゃ断した時のサイゲン電流値の平均値を樅軸に示
し、添加量を横軸に示した。
少量の添加量では、Ｂｉを添加したものが少し低い値を
示す。これは前述のＢｉの凝結しすこかたまりが多少寄
与しＣおり、１，０００回程醍の開閉では、未だ蒸発し
切つ°Ｃいないためである。添加量が１５ｗｔ％を越ス
ると、この関係は逆転する。これはアークスポットの径
よりＢｉの凝結しｆこかたまりの間隔が広いため、その
中間部でアークが消滅するチャ７スがあり、サイダン電
流の平均値を押し上げるｊ二めである。Ｂｉ２Ｏ３を添
加しＩこものは微細で均一な分布の為この現象が少フイ
＜平均匍が低い。
示す。これは前述のＢｉの凝結しすこかたまりが多少寄
与しＣおり、１，０００回程醍の開閉では、未だ蒸発し
切つ°Ｃいないためである。添加量が１５ｗｔ％を越ス
ると、この関係は逆転する。これはアークスポットの径
よりＢｉの凝結しｆこかたまりの間隔が広いため、その
中間部でアークが消滅するチャ７スがあり、サイダン電
流の平均値を押し上げるｊ二めである。Ｂｉ２Ｏ３を添
加しＩこものは微細で均一な分布の為この現象が少フイ
＜平均匍が低い。
又、添加量が１６ｗｔ％程ｌからや＼飽和する傾向を示
し′Ｃおり、２０ｗｔ形以上添加しＣも、サイダン電流
低減効果は低いことを物語つＣいる。
し′Ｃおり、２０ｗｔ形以上添加しＣも、サイダン電流
低減効果は低いことを物語つＣいる。
次に、同じく添加量の違いにより、しゃ断電流がどう推
移するかを第２図に示す。φ８６の電極で７．２ＫＶ回
路で、しゃ断可能であった電流の上限値を示す。Ｂｉを
添加しｔ二ものは添加量と鋳に急激にしゃ断性能が劣下
する。これは凝結しｔこＢｉのかｔ、゛まりが大電流ア
ークに晒された時、大成に蒸発する結果とそのしゃ断性
能全低下せしめる。Ｂｉ２Ｏ３を添加した場合は、Ｂｉ
のかｆ、： ；ｊりが存在せず、微細で均一に分布し”
Ｃいるｆ二め、ｐ発が軽減され、そＱ）低下傾向を抑制
する。２０ｗｔ％の添加量では、Ｂｉを添加したものに
対し、Ｂｉ２Ｏ３を添加したものは１２０％強じゃ１１
性能が優れＣいる・第８図には、Ｃｕ（６０）−Ｃｒ（
２５）−Ｂｉ（１５）の配合比の従来品とＣｕ（６０）
−Ｃｒ（２５）−ＢｉｚＯｓ （１５）の配合比の本発
明品の、多数回の負荷電流１’ｌ’ｌ閉によろ、サイダ
ン電流の像化を示しＣいろ。
移するかを第２図に示す。φ８６の電極で７．２ＫＶ回
路で、しゃ断可能であった電流の上限値を示す。Ｂｉを
添加しｔ二ものは添加量と鋳に急激にしゃ断性能が劣下
する。これは凝結しｔこＢｉのかｔ、゛まりが大電流ア
ークに晒された時、大成に蒸発する結果とそのしゃ断性
能全低下せしめる。Ｂｉ２Ｏ３を添加した場合は、Ｂｉ
のかｆ、： ；ｊりが存在せず、微細で均一に分布し”
Ｃいるｆ二め、ｐ発が軽減され、そＱ）低下傾向を抑制
する。２０ｗｔ％の添加量では、Ｂｉを添加したものに
対し、Ｂｉ２Ｏ３を添加したものは１２０％強じゃ１１
性能が優れＣいる・第８図には、Ｃｕ（６０）−Ｃｒ（
２５）−Ｂｉ（１５）の配合比の従来品とＣｕ（６０）
−Ｃｒ（２５）−ＢｉｚＯｓ （１５）の配合比の本発
明品の、多数回の負荷電流１’ｌ’ｌ閉によろ、サイダ
ン電流の像化を示しＣいろ。
Ｂｉｂ加したものは、Ｂｉ２Ｏ２を添加のものに比らべ
初期はほぼ同一の値を示すが、偵荷市流の開閉と共にそ
のサイダン電流値は上昇しＣいく。４，０００回９１１
閉後、既にＩへ′８−越１ 、 Ｉｎ、ｏｏｎ回後では
１１ぼ１．６Ａに逮する。−万Ｂｉ２Ｏ３添加のものは
、や−上昇するが、緩慢な°カーブを造６ 、１０，１
１０１）回後においＣも＋１．８８Ａに５ど寸つＣいる
。これは、微細に均一に分散しかつ連続的な分布のＢｉ
−を有するＢｉ２Ｏ，、添加の本発明品では、接点表面
のいたる所にＢ１が存在すると共に、肉厚方向に連続し
たＢｉｌがアークスポットにより表面が温＋ｔ：ｈ昇し
た際新らたに溶出し゛（１３ｉの補給を続けるｆ：めで
ある・ま１こ、上記実施例ではＣｕとＣｒとＢｉ２Ｏ３
σ）組合わせについ゛Ｃ説明しｔ二が、低融黒斑１４酸
化物として’ｌ’１２０３．Ｉｎ２Ｏ，５ｂ２０３．Ｔ
ｅＯ２等を用（）Ｃも良＜ 、Ｃｒに替ツ゛ｒ ＪＭｏ
、 Ｃｏ 、 Ｆｏ等でも同様のｍ＊を期待す、に：
が出呆ろ。又、Ｂ １２０３も５ｗＬ％、Ｂ１１Ｔｅｘ
を８ＷＬ％添加し’ＣＣｕ（６７） −Ｃｒ（２５）
−Ｂｉ２０ｓ （６） −Ｂｉ２ ’ｊｅ３（３）の組
合オ）せにすれは、Ｂｉをｓｗｔ％添加するよりもサイ
ダン電流の安を性か図れカ菖つ、しゃ断性能が投れＣい
ることも見田し゛（１％る。
初期はほぼ同一の値を示すが、偵荷市流の開閉と共にそ
のサイダン電流値は上昇しＣいく。４，０００回９１１
閉後、既にＩへ′８−越１ 、 Ｉｎ、ｏｏｎ回後では
１１ぼ１．６Ａに逮する。−万Ｂｉ２Ｏ３添加のものは
、や−上昇するが、緩慢な°カーブを造６ 、１０，１
１０１）回後においＣも＋１．８８Ａに５ど寸つＣいる
。これは、微細に均一に分散しかつ連続的な分布のＢｉ
−を有するＢｉ２Ｏ，、添加の本発明品では、接点表面
のいたる所にＢ１が存在すると共に、肉厚方向に連続し
たＢｉｌがアークスポットにより表面が温＋ｔ：ｈ昇し
た際新らたに溶出し゛（１３ｉの補給を続けるｆ：めで
ある・ま１こ、上記実施例ではＣｕとＣｒとＢｉ２Ｏ３
σ）組合わせについ゛Ｃ説明しｔ二が、低融黒斑１４酸
化物として’ｌ’１２０３．Ｉｎ２Ｏ，５ｂ２０３．Ｔ
ｅＯ２等を用（）Ｃも良＜ 、Ｃｒに替ツ゛ｒ ＪＭｏ
、 Ｃｏ 、 Ｆｏ等でも同様のｍ＊を期待す、に：
が出呆ろ。又、Ｂ １２０３も５ｗＬ％、Ｂ１１Ｔｅｘ
を８ＷＬ％添加し’ＣＣｕ（６７） −Ｃｒ（２５）
−Ｂｉ２０ｓ （６） −Ｂｉ２ ’ｊｅ３（３）の組
合オ）せにすれは、Ｂｉをｓｗｔ％添加するよりもサイ
ダン電流の安を性か図れカ菖つ、しゃ断性能が投れＣい
ることも見田し゛（１％る。
又、焼結後に於い′Ｃも少量残留するＢｉ２０３１こよ
つ°Ｃ大Ｗ流しゃ断時に酸素ガスが発生して多少悪影ａ
を及５ｒ−１−コニカ予想されるすｒめ、Ｃｕ（５？
） −Ｃｒ（２６）−−Ｂｉ２０３（１５）−ＴｉＴｅ
（８）なる組合わせの接点を試験しナニところ、アーク
によつＣ分解した宿性１ｘｒｔが、同時に分解し１：酸
素ガスを有効に吸着しつ５亀＠’２間から拡散して【）
＜ためそのしゃ断性能は更に数％向上した。− 以上のようにこの発明によれば低融点金糾酸化物を添加
量としＣ使用し゛Ｃ非酸化性雰囲気で製作することによ
す、微細に均一に分散して、連続的なベ− 枦目吠の低融点金騨の分布、＄−７４るｆ、：め、低、
＋１サイグン電流を絆持しつ＼、大電流しゃ断性能をヤ
する真空開門器用接点を得ろことができる。又、低融点
金属が凝集し′Ｃかたまり状とｒ（ろ？Ｘｍ点が除外さ
れｆ！、為、接点を電極棒へＩｊ−付する場合も、従来
Ｆ、よす枦械的強度の低下の少ｆ（（’ｓものが８＋
ＩＩ） １１゜る効果がある。
つ°Ｃ大Ｗ流しゃ断時に酸素ガスが発生して多少悪影ａ
を及５ｒ−１−コニカ予想されるすｒめ、Ｃｕ（５？
） −Ｃｒ（２６）−−Ｂｉ２０３（１５）−ＴｉＴｅ
（８）なる組合わせの接点を試験しナニところ、アーク
によつＣ分解した宿性１ｘｒｔが、同時に分解し１：酸
素ガスを有効に吸着しつ５亀＠’２間から拡散して【）
＜ためそのしゃ断性能は更に数％向上した。− 以上のようにこの発明によれば低融点金糾酸化物を添加
量としＣ使用し゛Ｃ非酸化性雰囲気で製作することによ
す、微細に均一に分散して、連続的なベ− 枦目吠の低融点金騨の分布、＄−７４るｆ、：め、低、
＋１サイグン電流を絆持しつ＼、大電流しゃ断性能をヤ
する真空開門器用接点を得ろことができる。又、低融点
金属が凝集し′Ｃかたまり状とｒ（ろ？Ｘｍ点が除外さ
れｆ！、為、接点を電極棒へＩｊ−付する場合も、従来
Ｆ、よす枦械的強度の低下の少ｆ（（’ｓものが８＋
ＩＩ） １１゜る効果がある。
ｆｆ１１図は、従来法による０１ＮとＣｒにＢｉを添加
し°Ｃ製作した接点と本発明法によるＣ１ｌとＣｒにＥ
ｉ２０３を浮加して製作した接点において、Ｃｒを２５
ｗｔ％に固定し、Ｂｉ及びＢｉ２Ｏ３を２〜２１１ｗｔ
％の範囲に添加量を変化させた時のサイダン電流平均値
の変化の違いを示す特性１、第２図は同じく、添加量に
よるしゃ断面ｆ＃ｗ流上限値の変化の違いを示す特性図
、第８図は、同じ（、Ｂｉを１５ｗｔ％添加したものと
Ｂ（１０ｇを１５ｗｔ％添加したものの、狛荷電流開閉
後によるサイダン電流平均値の変化の違＋１を示す特性
図、第４図は従来法により製作したＣｕ（６０）−Ｃｒ
（２ｓ）−Ｂｉ（＋５）の配合比の接点の金属組織写真
、第５図は本発明による腹黒の金属顧微鏡写真である。 代理人 葛 野 信 − 第１図 Ｒｉ’＆はＲ１２０３の添加ｌｉｔ （ｗｔ％）第、
２図 Ｂ１１４はＲ馳（１１の添加Ｑ （ｗｔ％）第８図 ６００Ａ ｆｉ荷開閉回数 （１回） 第４酊 嶌５ 図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭６６−１４７５４６号２
、発明の名称 真空開閉器用接点 ３゜補正をする者 ７ 添付書類の目録 （１）訂正した特許請求の範囲？示す書面 １通以上 （３） 特許請求の範囲 （１）真空容器内で互いに接離可能な対向する一対の電
極を有する真空開閉器において、その電極を、銅（Ｃｕ
）、銀（Ａｇ）などの電気良導電性金属を主成分とし、
主添加物として前記主成分の融点より低い融点を有する
酸化ビスマス（”ｓ ’ｓ ）、酸化タリウム（Ｔｌｌ
ｌＯｌｌ）、酸化インヂウム（１へｏ）、酸化アンチモ
ン（Ｓｂ、Ｏ，） 、酸化テルル（’ｒｅｏ、）ｔ な
どの金属酸化物を少なくとも一種類添加して、真空また
は還元あるいは非酸化性雰囲気で溶解ないし焼結して製
作することを特徴とする真空開閉器用接点。 （２）真空容器内で互いに接離可能に対向する一対の電
極を有する真空開閉器において、その電極を、銅、銀な
どの電気艮導電性金域を主成分とし、副成分として前記
主成分より高い融、（１に有するクローム（Ｃｒ）、モ
リブデン（Ｍ ｏ）、 タングステン（ト）。 鉄（Ｆ ｅ） 、 コバル） （ＣＯ）などの耐弧性金
属を含み、主添加物として前記主成分の融点より低い融
点を有する酸化ビスマス（Ｂ−〇、）、酸化タリウム（
Ｔ”Ａ）。 酸化インヂウム（Ｉｎ、、Ｏ）、酸化アンチモン（Ｓｈ
ｏｓ）。 酸化テルル（Ｔｅ３．）等の金属酸化物を少なくとも一
種類添加して、真空又は還元あるいは非酸化性雰囲気で
溶解ないし焼結して製作することを特徴とする真空開閉
器用接点。 １３）低融恩金属ないしその合金あるいは金属間化合物
等を側温加物として添加したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の真空開閉器用接点。 （４）チタン（１゛りないしその合金あるいは金属間化
合物等を更に補助添加材として添加したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項、第２項、又は第３項記載の真
空開閉器用接点。
し°Ｃ製作した接点と本発明法によるＣ１ｌとＣｒにＥ
ｉ２０３を浮加して製作した接点において、Ｃｒを２５
ｗｔ％に固定し、Ｂｉ及びＢｉ２Ｏ３を２〜２１１ｗｔ
％の範囲に添加量を変化させた時のサイダン電流平均値
の変化の違いを示す特性１、第２図は同じく、添加量に
よるしゃ断面ｆ＃ｗ流上限値の変化の違いを示す特性図
、第８図は、同じ（、Ｂｉを１５ｗｔ％添加したものと
Ｂ（１０ｇを１５ｗｔ％添加したものの、狛荷電流開閉
後によるサイダン電流平均値の変化の違＋１を示す特性
図、第４図は従来法により製作したＣｕ（６０）−Ｃｒ
（２ｓ）−Ｂｉ（＋５）の配合比の接点の金属組織写真
、第５図は本発明による腹黒の金属顧微鏡写真である。 代理人 葛 野 信 − 第１図 Ｒｉ’＆はＲ１２０３の添加ｌｉｔ （ｗｔ％）第、
２図 Ｂ１１４はＲ馳（１１の添加Ｑ （ｗｔ％）第８図 ６００Ａ ｆｉ荷開閉回数 （１回） 第４酊 嶌５ 図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭６６−１４７５４６号２
、発明の名称 真空開閉器用接点 ３゜補正をする者 ７ 添付書類の目録 （１）訂正した特許請求の範囲？示す書面 １通以上 （３） 特許請求の範囲 （１）真空容器内で互いに接離可能な対向する一対の電
極を有する真空開閉器において、その電極を、銅（Ｃｕ
）、銀（Ａｇ）などの電気良導電性金属を主成分とし、
主添加物として前記主成分の融点より低い融点を有する
酸化ビスマス（”ｓ ’ｓ ）、酸化タリウム（Ｔｌｌ
ｌＯｌｌ）、酸化インヂウム（１へｏ）、酸化アンチモ
ン（Ｓｂ、Ｏ，） 、酸化テルル（’ｒｅｏ、）ｔ な
どの金属酸化物を少なくとも一種類添加して、真空また
は還元あるいは非酸化性雰囲気で溶解ないし焼結して製
作することを特徴とする真空開閉器用接点。 （２）真空容器内で互いに接離可能に対向する一対の電
極を有する真空開閉器において、その電極を、銅、銀な
どの電気艮導電性金域を主成分とし、副成分として前記
主成分より高い融、（１に有するクローム（Ｃｒ）、モ
リブデン（Ｍ ｏ）、 タングステン（ト）。 鉄（Ｆ ｅ） 、 コバル） （ＣＯ）などの耐弧性金
属を含み、主添加物として前記主成分の融点より低い融
点を有する酸化ビスマス（Ｂ−〇、）、酸化タリウム（
Ｔ”Ａ）。 酸化インヂウム（Ｉｎ、、Ｏ）、酸化アンチモン（Ｓｈ
ｏｓ）。 酸化テルル（Ｔｅ３．）等の金属酸化物を少なくとも一
種類添加して、真空又は還元あるいは非酸化性雰囲気で
溶解ないし焼結して製作することを特徴とする真空開閉
器用接点。 １３）低融恩金属ないしその合金あるいは金属間化合物
等を側温加物として添加したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の真空開閉器用接点。 （４）チタン（１゛りないしその合金あるいは金属間化
合物等を更に補助添加材として添加したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項、第２項、又は第３項記載の真
空開閉器用接点。
Claims (4)
- （１）真空容器内で互いに接離可能な対向する一対のｔ
極・を有する真空開閉器においＣ１その電極を、銅（Ｃ
ｕ）、銀（Ａｇ）７ｊどの電気良導電性金属を主成分と
し、主添加物とし′Ｃ前記主成分の融点より低い融点を
有する酸化ビスマス（ＢｉａＯ３） 、酸化タリウム（
Ｔ１２０３） 、酸化インヂウム（Ｉｎ２０） ａ酸化
アンチモン（Ｓｂ２０２）、酸化テルル（Ｔｅ０２）、
ｒｔ トｃｒ＞金属酸化物を少ｔくとも一種類添加し
゛ｃ１真空または還元あるいは非酸化性雰囲気で溶解な
いし焼結しＣ製作することを特徴とする真空開閉器用接
点。 - （２）真空容器内で互いに接離可能に対向する一対の電
極を有する真空開閉器においｃｌそのｔ極を、銅、銀な
どの電気良導電性金属を主成分とし、副成分として前記
主成分より高い融点を有するクローム（Ｃｒ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）。 鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）などの耐弧性金属を含み
、主添加物として前記主成分の融点より低い融点を有す
る酸化ビスマス（Ｂｉ！０３）、酸化テルル（Ｔ１．０
． ）。 酔化インヂウム（Ｉｎｌ Ｏ） ｅ酸化アンチモン（Ｓ
ｂｚ Ｏｎ ） 。 酸化テルル（Ｔｅａ、）等の金属酸化物を少なくとも一
種類添加し゛Ｃ１真空又は還元あるいは非酸化性雰囲気
で溶解ないし焼結して製作することを特徴とする真空開
閉器用接点。 - （３）低融点金属ないしその合金あるいは金属間化合物
等を側温加物として添加したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の真空開閉器用接点。 - （４）チタン（Ｔｉ）ｙｚいしその合金あるいは金属間
化合物等を更に補助添加材として添加したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項、第２項、又は第８項記載の
真空開閉器用接点。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147545A JPS5848323A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 真空開閉器用接点 |
| DE19813150846 DE3150846A1 (de) | 1981-09-16 | 1981-12-22 | Kontaktgeber fuer einen stromunterbrecher vom vakuum-typ |
| GB08138893A GB2106141B (en) | 1981-09-16 | 1981-12-24 | Contactor for vacuum type circuit interrupter |
| US06/335,836 US4424429A (en) | 1981-09-16 | 1981-12-30 | Contactor for vacuum type circuit interrupter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147545A JPS5848323A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 真空開閉器用接点 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848323A true JPS5848323A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6357896B2 JPS6357896B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=15432739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147545A Granted JPS5848323A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 真空開閉器用接点 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4424429A (ja) |
| JP (1) | JPS5848323A (ja) |
| DE (1) | DE3150846A1 (ja) |
| GB (1) | GB2106141B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272102A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-02 | 株式会社竹内製作所 | プリント基板用ル−タ−加工機の切り上がり欠損防止装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58165225A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | 株式会社日立製作所 | 真空しや断器 |
| US4501941A (en) * | 1982-10-26 | 1985-02-26 | Westinghouse Electric Corp. | Vacuum interrupter contact material |
| US4517033A (en) * | 1982-11-01 | 1985-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Contact material for vacuum circuit breaker |
| US4677264A (en) * | 1984-12-24 | 1987-06-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Contact material for vacuum circuit breaker |
| EP0234246A1 (de) * | 1986-01-30 | 1987-09-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltkontaktstücke für Vakuumschaltgeräte und Verfahren zu deren Herstellung |
| US4743718A (en) * | 1987-07-13 | 1988-05-10 | Westinghouse Electric Corp. | Electrical contacts for vacuum interrupter devices |
| DE58904983D1 (de) * | 1988-04-20 | 1993-08-26 | Siemens Ag | Sinterkontaktwerkstoff auf silberbasis zur verwendung in schaltgeraeten der energietechnik, insbesondere fuer kontaktstuecke in niederspannungsschaltern. |
| CN1812028B (zh) * | 2006-03-09 | 2010-11-17 | 吴学栋 | 一种具有强开断能力的触头 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1020914A (en) * | 1961-11-10 | 1966-02-23 | Gen Electric | Improvements in vacuum circuit interrupter |
| DD96977A1 (ja) * | 1971-11-02 | 1973-04-12 | ||
| ZA767617B (en) * | 1976-01-19 | 1977-11-30 | Westinghouse Electric Corp | An improvement in or relating to low voltage vacuum shorting switch |
| JPS598015B2 (ja) * | 1978-05-31 | 1984-02-22 | 三菱電機株式会社 | 真空しや断器用接点 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56147545A patent/JPS5848323A/ja active Granted
- 1981-12-22 DE DE19813150846 patent/DE3150846A1/de active Granted
- 1981-12-24 GB GB08138893A patent/GB2106141B/en not_active Expired
- 1981-12-30 US US06/335,836 patent/US4424429A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272102A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-02 | 株式会社竹内製作所 | プリント基板用ル−タ−加工機の切り上がり欠損防止装置 |
| JPH0442961B2 (ja) * | 1985-05-29 | 1992-07-15 | Takeuchi Mfg |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3150846A1 (de) | 1983-03-31 |
| DE3150846C2 (ja) | 1988-01-21 |
| GB2106141A (en) | 1983-04-07 |
| US4424429A (en) | 1984-01-03 |
| JPS6357896B2 (ja) | 1988-11-14 |
| GB2106141B (en) | 1985-10-16 |
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