JPS5991617A - 真空しや断器用接点 - Google Patents

真空しや断器用接点

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JPS5991617A
JPS5991617A JP20253082A JP20253082A JPS5991617A JP S5991617 A JPS5991617 A JP S5991617A JP 20253082 A JP20253082 A JP 20253082A JP 20253082 A JP20253082 A JP 20253082A JP S5991617 A JPS5991617 A JP S5991617A
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vacuum breaker
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納谷 榮造
奥村 光弘
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、大電流特性に優れ、かつ高耐電圧性能を有
する真空しゃ断器用接点に関するものである。
真空しゃ断器は、その無保守、無公害性、優れたしゃ断
性能等の利点を持つため、適用範囲が急速に拡大して来
ている。また、それに伴いより高耐圧化、大電流化の要
求がきびしくなって来ている。一方、真空しゃ断器の性
能は真空容器内の接点材料によって決定される要素がき
わめて大である。
真空しゃ断器用接点の満足すべき特性としで、(1)シ
ゃ断容量が大きいこと、(2)耐電圧が高いこと、(3
)接触抵抗が小さいこと、(4)溶着力が小さいこと、
(5)接点消耗量が小さい仁と、(6)さい断電流値が
小さいこと、(7)加工性が良いこと、(8)十分な機
械的強度を有すること、等がある。
実際の接点では、これらの特性を全て満足させることは
、かなり困難であって、 一般には用途に応じて特に重
要な特性を満足させ、他の特性をある程度犠牲にした材
料を使用しているのが実状である。
従来、この種の接点として銅−ビスマス(以下Cu −
Biと表示する。他の元素および元素の組み合せからな
る合金についても同様に元素記号で表示する。)、Cu
 −Cr−Bi、 Cu−Co−B11Cu−Cr等が
使用されていた。
しかし、Cu−B1などの低融点金属を含有する合金接
点では排気工程中の高温加熱により、その一部が接点内
から拡散、蒸発し、真空容器内の金属シールドや絶縁容
器に付着する。これが真空しゃ断器の耐電圧を劣化させ
る大きな因子のひとつになっている。また、負荷開閉や
大電流しゃ断時にも低融点金属の蒸発、飛散が生じて耐
電圧の劣化、しゃ断性能の低下が見られる。上記の欠点
を除くために真空耐電圧に優れたCr、Coなどを添加
したCu−Cr−B1などにおいても、低融点金属によ
る上記の欠点は根本的に解決されず、高電圧、大電流ν
こは対応できない。一方、Cu Crなどのように真空
耐電圧に優ねた金属(Cr、Coなど)と電気伝導度に
優れたCuとの組み合わせからなる材料は耐溶着性能に
関しては低融点金属を含有する接点に比較して、やや劣
るが、しゃ断性能や耐電圧性能が優れているため、高電
圧、大電流域ではよく使用されている。さらに、Cu−
Cr合金などにおいても、しゃ断性能には限界があるた
めに、接点の形状を工夫し、接点部の電流経路を操作す
ることで、磁場を発生させ、この力で大電流アークを強
制駆動して、しゃ断性能を上げる努力がなされていた。
しかし、高電圧化、大電流化への要求はさらにきびしく
、従来の接点では要求性能を十分満足させることが困難
となっている。又、真空しゃ断器の小型化に対しても同
様に従来の接点性能では十分でなく、より優れた性能を
持つ接点材料が求められていた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、大電流特性に優れ、かつ高耐電圧
性能を有する真空しゃ断器用接点を提供する仁とを目的
としている。
我々はCuに種々の金属、合金、金属間化合物を添加し
た接点材料を試作し、真空しゃ断器番と組み込んで種々
の実験を行なった。この結果、「Cu5er、NbJが
単体金属あるいは「王者もしくは王者」の合金、あるい
は「王者もしくは王者」の金属間化合物、またはそれら
の複合体として分布して0る接点合金は非常にしゃ断性
能が優れていることがわかった。仁の発明による真空し
ゃ断器用接点は「Cuを第1成分とし、他の成分として
Crを85重急%以下Nbを40重量%以下」の範囲に
あり、「61%Cr、NbJが各々単体金属あるいは「
王者もしくは王者」の合金、あるいは「三者もしくは王
者」の金属間化合物として、またはそれらの複合体とし
て分布していることを特徴としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第1図は真空スイッチ管の構造図で、(1)真空絶縁容
器、前記真空絶縁容器(1)の両端を閉塞する端板(2
)および(3)とにより形成された容器内部に電極(4
)および(6)が、それぞれ電極棒(6)および(7)
の一端膓お互いが対向するよう配置されている。前記電
極(7)は、ベローズ(8)を介して前記端板(3)に
気密を損うことなく軸方向の動作が可能なよう番ご接合
されている。シールド(9)およびαQがアー1こより
発生する蒸気で真空絶縁容器(1)の内面及びベローズ
(8)が汚染されることがないよう、それぞれ前記真空
絶縁容器(1)の内面および前記ベローズ(8)を覆っ
ている。電極(4)および(5)の構成を第2図に示す
。電極(6)はその背面で電極棒(7)にろう材岐を介
挿してろう付されている。前記電aii (4) 、(
5)は本発明薯こ係6 Cu−Cr→^系合金から成っ
ている。
第8図は比較例として従来のCu−Cr合金接点の金属
組織写真を示す。これはCo粉とCr粉をそitぞれ7
5重量%、2I)重量%で混合、成形し焼結して得られ
たCu−Cr合金である。
第4図は本発明の一実施例としてCu −Cr−Nb合
金の金属組織写真を示す。これはCo粉とCr粉の配合
を各々76重量%、25重量%としtコ混合粉末にNb
を5重量%加えたものを混合、成形、焼結して得られた
C u−Cr−Nb合金である。なお、焼結は1100
℃程度で行ない、CrおよびNbの一部が反応してCr
1Nbを形成する条件とした。
第5図は本発明の一実施例としてCu−Cr−Nb合金
をCrとNbが合金あるいは金属間化合物を形成し難い
程度の比較的低温で焼結した場合の金属組織写真を示す
。これは、第4図に示した実施例と同一の配合比からな
るCu−Cr−Nb混合粉末を成形、焼結して得られる
合金である。第4図の合金はCu中にCr 、 Nb 
、 Cr、Nbが均一微細に分布していることがわかる
。また、第5図の合金はCu中にCr、Nbが主として
単体金属で分布し、Cr1Nbはほとんど見られない。
以下に種々の測定あるいは試験を行なった結果について
説明する。
まず、我々の実験の結果から、Cu、Crの二元合金か
らなる接点合金ではCr員が20〜80重量%の範囲で
各種の性能が非常に優れていることを確認しているので
、接点材料中のCuとCrの重量比を常に一定(75:
25)とし、これ薯ど添加するNbiを種々変化させた
場合の合金の緒特性の変化について示す。
第6図は合金のCuとCrの重量比率を75 : 25
に固定したものに添加したNb量と電気伝導の関係を示
したものであり、Nbfi の増加とともにtS電気伝
導度低下しているが、合金中のCuとCrの重量比率を
75 : 25に固定した場合、Nb量を20重量%ま
で増加させても実用上問題はない。なお、第6図の縦軸
はCu−Crの電気伝導度を1とした時の比、横軸はN
b添加風を示す。第7図は合金中のCuとCrの重量比
率を75:25に固定したものに添加したNb量と接触
抵抗の関係を示したもので、電気伝導度と同様の傾向を
示すみなお、第7図の縦軸は、従来品のCu−25重量
%Cr合金の値を1とした比率を示す。第8図は合金中
のCuとCrの重量比率を76:25に固定したものに
添加したNb量としゃ断容量の関係を示しており、Nb
を添加したものは従来品(Cu−25mt%Cr合金)
に比較して著しくしゃ断性能が上昇していることがわか
る。
なお、第8図の縦軸は従来品のCu −25mt%Cr
合金の値を1とした比率を示す。第8図から明らかなよ
うにNb添加量の増加とともに、しゃ断容量は増加し、
5重量%Nbでは従来品の1.8倍に達し、それ以上N
bを加え石と逆にしゃ断容量の低下が生じる。即ち、N
bとCrが共存して、その相互作用により、しゃ断性能
を上昇させるが、ある程度以上NbとCrを増加させる
と合金中において、良導電性のCuが減少して合金の電
気伝導度や熱伝導度が低下し、アークによる熱入力をす
みやかに放散することが困難になり、逆にしゃ断性能を
悪くさせるためである。第9図は同様にNb添加量と耐
電圧性能の関係を示すものである。図から明らかなよう
にNb量が8重量%以下では従来品(Cu −25mt
%Cr合金)と差が見られないが、それ以上添加すlば
、Nb添加量の増加とともに耐電圧性能の上昇が見られ
る。
次に合金中のNb量を26重量%に固定したもののCu
に対するCrの重量比率を変化させた場合の合金の特性
の変化について示゛す。第10図はCuに対するCrの
重量比率と電気伝導度の関係を示す。
次に合金中(nNb添加量を0.1.8.5.10.2
0゜80.40重量%で各々固定とし、各合金でのCu
に対するCrの重量比率を変化させた場合のしゃ断性能
とCr重量比率の関係について、第11図に示す。なお
、縦軸は従来品(Cu−25mt%Cr合金)の値を1
とした比率を示し、横軸はCuに対するCrの重量比率
を示す。図かられかるように、従来品のCu−Cr二元
合金ではCr量が20〜30重量%の範囲にしゃ断容量
のピークがあり、Nb1Lを1〜5重量%に固定した一
合も同様の傾向がある。またNb量を5重量%に固定し
た場合には、 Crの重量比率が11重量%程度から、
従来品(Cu−25mt%Cr合金)を上回り、25重
量%程度まで著しいしゃ断性能の上昇が見られる。一方
、Nb1lを20重量%に固定した場合にはしゃ断容且
のピークはCrの重量比率が5・〜15重量%の範囲に
あり、そのピーク値はNb量が5重量%の合金よりやや
劣る。
第12図はCuとNbの二元合金において、Nb量と電
気伝導度の関係を示し、第18図はCuとCrの二元合
金においてCr;ilと電気電導度の関係を示す。両図
からNb、 Crの各々が増加するに従い電気伝導度が
低下し、 Nbでは40重量%程度で、またCrでは4
0重量%で一般にしゃ断器用接点として要求される電気
伝導度の限界に達し、それ以上Nb。
Crを増加させると通電、シゃ断などから実用上悪影響
を及ぼす。また、第11図から明らかなように、 Nb
と共存する場合はCr員が85重量%以下の範囲でしゃ
断性能の改善が見られ、それ以上Cr量を増加しても効
果が得られない。一方、 Nbに関しては、Crとの共
存によって少量の添加でもしゃ断性能の改善が見られ、
Nb量が40重皿%以下で実用的である。なお、Nb量
は40重態量以上でも、しゃ断性能からみて有効な範囲
があると思われるが、まず、製造上、通常の焼結法では
得難い仁と、次に第12図から明らかなように40重量
%Ta以上では電気伝導度が低く、接触抵抗なども上昇
し、特殊用途以外のしゃ断器には実用化が難しい。
さらに、第11図から、従来品に比較して、しゃ断性能
が著しく (1,5倍を超える)向上する範囲として、
Cr量が〜8B重量%、 Nb量が1〜80重量%が望
しい。
なお、前記実施例ではCrとNbからなる金属間化合物
、即ち、Cr、Nbを形成しており、 Cu中にCr。
NbおよびCr2Nbが均一微細に分布した合金の緒特
性について示したが、焼結温度を低く L/ 5cuH
Cr。
Nbがほとんど単体として分布している合金においても
、はぼ同様の傾向を示し、従来のCu−25mt%Cr
合金に比較して著しく大きなしゃ断性能を有する。しか
し、同一の配合で混合、成形、焼結されたCu −Cr
−Nb合金ではCr、 Nbの金属間化合物を形成して
いるものの方がしゃ断性能に優れていることがわかった
また、図示しないが、上記合金にBi、 Te、 Sb
、TA!。
Pb、 Se、 Ce及びCaの低融点金属あるいは、
これらの合金、金属間化合物を各々単独もしくは複合し
て添加した低さい断真空しゃ断器用接点においても、前
記実施例と同様にしゃ断性能や耐電圧性能を上昇させる
効果があることを確認している。なお、低融点金属もし
くはそれらの合金または金属間化合物を各々単独もしく
は複合して20重量%以上添加した場合は著しり、シゃ
断性能が低下した。
以上のように、この発明によれば、Cuを第1成分とし
、その他の成分としてs Cr、 Nbを含有し、Cu
、 Cr、 Nbが各々単体金属またはこれら王者もし
くは王者の合金、またはこれら王者もしくは王者の金属
間化合物として、またはそれらの複合した状態で分布す
る構成にしたので、しゃ断性能に優れ、かつ、高耐電圧
性能を有する真空しゃ所用接点が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、真空スイッチ間の構造図、第2図は、電極部
分の拡大断面図、第8図は焼結法により製造した従来の
Cu−25重量%Cr合金の金属組織写真、第4図は高
温で焼結した本発明の一実施例によるCu−25重量%
Crの母合金にNbを5重量%添加した合金の金属組織
写真、第5図は低温で焼結した第4図と同様の配合を持
つ合金組織写真、第6図はCuに対するCrの重量比率
を75:25に固定した合金に対してNb添加量を変化
させた時の電気伝導度の変化を示す特性図、第7図はC
uに対するCrの重量比率を75:25に固定した合金
に対してNb添加量を変化させた時の接触抵抗の変化を
示す特性図、第8図はCuに対するCrの重量比率を7
5:25に固定した合金に対してNb添加凪を変化させ
た時のしゃ断容量の変化を示す特性図、第9図はCuに
対するCrの重量比率を75:25に固定した合金に対
してNb添加量を変化させた時の耐電圧性能の変化を示
す特性図である。第1θ図は合金中のNbff1を・2
5重量%に固定した場合のCuに対するCrの重量比率
を変化させた時の電気伝導度の変化を示す特性図である
。第11図はNb量を0,1゜8、5.10.20.8
0.40重量%に各々固定した場合のCuに対するCr
の重量比率を変化させた合金のしゃ断容量の変化を示す
特性図である。第12図は%Cu −Nb二元合金にお
いてNbJlと電気伝導度の関係を示し、@18図はC
u −Cr二元合金においてCr量と電気伝導度の関係
を示す。 (1)・・・真空絶縁容器、(2)(3)・・・端板、
 +4)(5)・・・電極、+e) (7)・・・電極
棒、(8)・・・ベローズ、+9) (10・・・シー
ルド、6υ・・・ろう材 なお、図中同一符号は各々同−又は相当部分を示す。 代理人  葛 野 信 − 第1図 第2図 第6図 Nb滲加1((t−1%) 第7図 Nb添加1 第8図 Nb添a−i(會1%) 第9図 5b−J−1rti (東1つ 、 第10図 ω二対す5cr9)*1庄(ま1%) 第11図 αl二丈Jす4Crの重量比(中1%)第12図 Nb漆加−1(蜜1%) 第13図 Cr体加童(重量%) 手続補正書(自発) 許庁長宮殿 事件の表示    特願昭 57−202580号と明
の名称   真空しゃ断器用接点 口止をする者 事件との関係   特許出願人 代表者庁内1−1八部 (埋入

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)銅を第1成分とし、他の成分としてクロムを85
    重量%以下、ニオブを40重量%以下(0を除く)で、
    クロムとニオブの合計が10重量%以上の範囲にある材
    料から成ることを特徴とする真空しゃ断器用接点。
  2. (2)クロムが82重量%以下、ニオブが1〜80重承
    %の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の真空しゃ断器用接点。
  3. (3)銅、クロム、ニオブが各々単体、もしくはこれら
    王者もしくは王者の合金、または、これら王者もしくは
    王者の金属間化合物として、または、それらの複合体と
    して分布していることを特徴とする特許請求範囲第1項
    もしくは第2項に記載の真空しゃ断器用接点。
  4. (4)ビスマス、テルル、アンチモン、タリウム、鉛、
    セレン、セリウム及びカルシウムの低融点金属、もしく
    はそれらの合金、又はそれらの金属間化合物のうち少な
    くとも1つを20重量%以下含有したことを特徴とする
    特許請求範囲第1項、第2項又は第8項のいずれかに記
    載の真空しゃ断器用接点。
JP20253082A 1982-11-16 1982-11-16 真空しや断器用接点 Granted JPS5991617A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206411A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Ltd 真空遮断器用電極材料及び真空遮断器
US5698008A (en) * 1994-02-21 1997-12-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Contact material for vacuum valve and method of manufacturing the same
JP2015207456A (ja) * 2014-04-21 2015-11-19 三菱電機株式会社 真空バルブ用接点材料及び真空バルブ

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