DE3815009A1 - Einrichtung und verfahren zum zerstoerungsfreien messen des ohmschen widerstands duenner schichten nach dem wirbelstrom-prinzip - Google Patents
Einrichtung und verfahren zum zerstoerungsfreien messen des ohmschen widerstands duenner schichten nach dem wirbelstrom-prinzipInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung und ein Verfahren zum zerstörungsfreien
Messen des ohmschen Widerstands dünner Schichten nach dem Wirbelstrom-
Prinzip.
Bei der Messung von Eigenschaften dünner Schichten besteht ein Problem
darin, daß diese Schichten durch den Meßvorgang infolge Berührung oder
Kontaktierung beschädigt oder zerstört werden können. Besonders unangenehm
ist es, wenn bei der Messung des elektrischen Widerstands einer
dünnen Schicht diese Schicht durchgedrückt, zerkratzt oder verunreinigt wird.
Um diese Nachteile zu vermeiden, wurden bereits eine Reihe von Meßverfahren
entwickelt, die Sensoren aufweisen, welche berührungslos arbeiten.
So ist beispielsweise eine kapazitiv arbeitende Vorrichtung zur Messung der
Schichtdicke eines Metallbelags auf einer Isolierstoffbahn bekannt, welche
die Leitfähigkeit dieses Belags ohne mechanische Berührung mißt (DE-GM
68 10 362). Bei dieser Vorrichtung dienen zur Führung der Isolierstoffbahn
und gleichzeitigen Messung der Leitfähigkeit ihres Metallbelags drehbare
Walzen, die als Kondensatorplatten für die kapazitive Ankopplung eines
Widerstandsmeßgeräts wirken.
Bei einem weiteren bekannten kapazitiven Meßverfahren werden zur elektrischen
Messung von Schichtdicken an laufenden Bändern in Vakuum-
Beschichtungsanlagen eine Umlenkwalze und mehrere Sensoren mit örtlich
begrenztem Meßbereich eingesetzt (DE-OS 33 35 766). Hierbei sind die
Sensoren an der Oberfläche der Umlenkwalze verteilt angeordnet und durch
eine Übertragungseinrichtung mit einer Auswerteschaltung verbunden.
Neben diesen kapazitiven Verfahren, die hauptsächlich zum Messen des
Widerstands von hochohmigen Schichten geeignet sind, sind auch noch
induktive Verfahren vorgeschlagen worden, die sich mehr für die Widerstandsmessung
bei niederohmigen Schichten eignen. Beispielsweise ist eine
Anordnung zur berührungslosen Messung der Dicke elektrisch leitfähiger
Schichten bekannt, bei der eine Induktionsspule mit einem Wechselspannungsgenerator
und einer Meßeinrichtung für die Erfassung des
Induktivitätswertes der Induktionsspule vorgesehen sind (DE-OS 23 45 849).
Hierbei ist der Induktionsspule gegenüber unter Belassung eines Luftspalts
eine zweite Induktionsspule gleicher Auslegung angeordnet. Die Stromrichtungen
sind in beiden Spulen gleich, und ihre Ausgangssignale werden
additiv der Meßeinrichtung aufgeschaltet.
Es ist weiterhin ein Verfahren zur zerstörungsfreien Messung der Einzeldicken
von Schichtsystemen nach dem Wirbelstromverfahren bekannt, bei
dem Meßsonden mit einer komplexen Impedanz eingesetzt werden, deren
Realteil und Imaginärteil je für sich Informationen über zwei zu messende
Schichtdicken eines Schichtsystems enthalten können (A. Ott: "Zerstörungsfreie
Messung der Einzeldicken von Schichtsystemen nach dem Wirbelstrom-
Verfahren", Zeitschrift für Werkstofftechnik, Heft 6, 1975, Seiten
188 bis 194). Als eigentliche Meßvorrichtung dient hierbei eine Schaltungsanordnung,
die einen Generator aufweist, der eine amplitudenstabile und
hochfrequente Wechselspannung erzeugt, deren Frequenz in 1-3-10-Stufung
geändert werden kann. Ein Spannungs-Stromwandler leitet aus der Generatorspannung
einen eingeprägten Strom ab, mit dem eine Sonde gespeist
wird. Ein Verstärker verstärkt die Sondenspannung, die wegen des eingeprägten
Sondenstroms der Sondenimpedanz proportional ist, und speist dann
einen Differenzverstärker, der einen konstanten, reellen Spannungsanteil
subtrahiert, da der Einfluß des reellen Spulenwiderstands für die weitere
Signalverarbeitung ohne Interesse ist. Für diese weitere Verarbeitung sind
noch ein Gleichrichter, ein Phasendiskriminator, zwei Funktionsgeneratoren
und zwei Multiplikatoren erforderlich, so daß sich insgesamt eine sehr
komplex aufgebaute Auswerteschaltung ergibt. Ein Nachteil dieser bekannten
Meßvorrichtung besteht auch darin, daß nur relativ dicke Schichten, z. B.
Aluminium von 1 µm . . . 1000 µm, gemessen werden können und daß sie
nicht sehr empfindlich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine nach dem Wirbelstrom-
Prinzip arbeitende Einrichtung zum berührungslosen Messen des elektrischen
Widerstands dünner Schichten zu schaffen, die eine einfache Auswerteschaltung
aufweist.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß sich
bei Messungen in Vakuumanlagen, die beispielsweise acht Stunden nicht
geöffnet werden, über den ganzen Zeitraum praktisch keine Ungenauigkeiten
ergeben. Außerdem kann die induktiv arbeitende Einrichtung mit
einer Auswerteschaltung zusammenwirken, die auch für kapazitiv arbeitende
Meßeinrichtungen geeignet ist. Hierdurch ist es möglich, den elektrischen
Widerstand hochohmiger und niederohmiger Schichten über kapazitive und
induktive Meßeinrichtungen durch dieselbe Auswerteeinrichtung auswerten
zu lassen. Der gemessene Widerstandswert bezieht sich in der Regel auf
eine rechteckige oder quadratische Fläche. Unter der Voraussetzung, daß
die zu messende Schicht metallisch dicht ist und die üblichen Festkörperwerte
gelten, z. B. der spezifische Widerstand, kann aus dem gemessenen
Flächenwiderstand stets auf die Dicke a der Schicht geschlossen werden,
für die dann
gilt.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt
und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine Prinzipdarstellung eines induktiven Sensors für die Messung
eines niederohmigen Flächenwiderstands;
Fig. 2 eine Schaltungsanordnung zum Messen eines Flächenwiderstands;
Fig. 3 einen in der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 2 enthaltenen
Schwingkreis im Falle der Resonanz;
Fig. 4 eine Vorrichtung, in welcher der erfindungsgemäße Sensor zur
Anwendung kommt;
Fig. 5 einen induktiven Sensor in der Vorrichtung gemäß Fig. 4 im
vergrößerten Maßstab;
Fig. 6 eine detaillierte Schaltungsanordnung für die Messung eines
Widerstands nach dem Wirbelstrom-Prinzip.
In der Fig. 1 ist das Prinzip der Erfassung des Widerstandswertes einer
dünnen Schicht 1 dargestellt. Unter einer dünnen Schicht werden im folgenden
alle Schichten verstanden, die nicht mehr aus einzelnen Inseln
bestehen. Bei Metallen trifft dies bei mehr als 3 bis 5 Atomlagen zu. Der
Meßbereich bei Aluminium bewegt sich z. B. zwischen 1 nm und 1 µm.
Über der Schicht 1 befindet sich eine Spule 2, die von einem Wechselstrom
i₁ durchflossen wird. Aufgrund dieses Stroms i₁ bildet sich ein
Wechselmagnetfeld ₁ im Innern der Spule aus, das in der dünnen Schicht
1 einen Wirbelstrom i₂ verursacht, der seinerseits ein Magnetfeld ₂ erzeugt,
der das Magnetfeld ₁ schwächt. Man spricht hierbei von einer
Feldverdrängung (K. Küpfmüller: Einführung in die theoretische Elektrotechnik,
11. Auflage, S. 304 ff.). Der Grad der Schwächung des Magnetfelds
₁ läßt einen Rückschluß auf den Flächenwiderstand R der
Schicht 1 zu. Der funktionelle Zusammenhang zwischen Strom i₁ und dem
Widerstand R der Schicht ist in erster Näherung
Hierbei wird vorausgesetzt, daß es sich bei den zu messenden Schichten
um Schichten mit einer sehr geringen Schichtdicke a im Vergleich zur
sogenannten Eindringtiefe δ handelt, wobei
(ω = Kreisfrequenz, μ = Permeabilität, = Leitfähigkeit).
Eine Schaltungsanordnung, mit welcher auf einfache Weise der Flächenwiderstand
ermittelt werden kann, ist in der Fig. 2 dargestellt.
Die als Meßsonde dienende Spule 2 ist hier ein Teil eines Parallelschwingkreises
3, in dem sich ein Kondensator 4 befindet. Die zu messende dünne
Schicht 1 ist in einem Ersatzstromkreis als Spule 5 mit einer Windung
dargestellt, die parallel zu einem ohmschen Widerstand 6 liegt. Der
Parallelschwingkreis ist an einen Oszillator 7 angekoppelt, der beispielsweise
auf einer Frequenz von 1,8 MHz schwingt und dessen Ausgangsspannung
U osz konstant ist. Die Ankopplung erfolgt hierbei über einen
Widerstand 17, der als Fühler für den Strom i₁ dient und dessen Spannungsabfall
einem Vorverstärker 8 zugeführt ist. Die zwischen dem Oszillator 7
und dem Parallelschwingkreis 3 sich ergebende Phasendrift ist über eine
Phasen-Nachregelanordnung 14, die auf cosϕ = 1 entsprechend ϕ = 0 regelt,
auf den Oszillator 7 rückgeführt. Die Phasen-Nachregelanordnung 14 regelt
also die Phasendifferenz zwischen U osz und U sensor auf Null, d. h. den cosϕ
des Verbrauchers auf 1. Die Bezugsspannung, bei der ϕ = 0 ist, befindet sich
am Punkt 12. Ohne Nachregelung wäre am Punkt 15 ϕ≠0. Bei einer Nachregelung
können jedoch die Spule 2 und der Kondensator 4 außer Betracht
bleiben. Wenn der Parallelschwingkreis 3 in Resonanz ist, sind alle Blindelemente
kompensiert, und die Hochfrequenzspannung des Sensors hat die
gleiche Phasenlage wie die Spannung U osz . Unter dieser Voraussetzung wird
der Widerstand R der dünnen Schicht 1 rein ohmsch in den Parallelschwingkreis
3 als Widerstand 13 herübertransformiert, weil die über Luft
gekoppelten Spulen 2, 5 einen Transformator bilden.
Parallel zu der Spule 2 kann über eine externe Steuereinrichtung 9 und
über einen Schalter 10 ein Eichwiderstand 11 geschaltet werden. Auf einen
Kalibrierbefehl hin wird der Eichwiderstand 11 zugeschaltet, der eine
Normalbelastung simuliert. Die Steuereinrichtung 9 steuert auch noch den
Vorverstärker 8 an und verstellt dessen Verstärkungsgrad stufig. Zusammen
mit einer in einer Auswertung befindlichen Feinverstellung wird darauf
eine Anzeige auf einen Eichpunkt eingestellt. Hierdurch ist die Anordnung
von der Spule 2 bis zur Anzeige am Ausgang der Auswertung geeicht, d. h.
die Steilheit hat einen bestimmten Wert. Die fernbedienbare Verstellung der
Verstärkung des Vorverstärkers 8 ist deshalb sehr wichtig, damit bei hohen
Empfindlichkeiten ein möglichst großer Anteil der Gesamtverstärkung des
Meßsystems in den nullpunktkompensierten Vorverstärker 8 gelegt werden
kann. Andernfalls würde der Nullpunktfehler entsprechend dem Meßsignal
mitverstärkt. Die Nullpunktkompensation erfolgt im einzelnen dadurch, daß
die Drift des Vorverstärkers 8 im Sensor und auch die Widerstandsdrift
der Spule 2 durch Nullen und Messen beseitigt werden. Dies geschieht z. B.
dadurch, daß zwei Speicher vorgesehen sind, von denen der eine Speicher
ein Nullsignal und der andere Speicher ein Meßsignal speichert, wobei die
Differenz der beiden Signale als Maß für den Widerstand der zu messenden
dünnen Schicht 1 dient.
Die Widerstandswerte einer dünnen Schicht 1, die mit der Anordnung nach
Fig. 2 gemessen werden können, liegen vorzugsweise zwischen 10 Milliohm
und 1 Kiloohm.
Der Strom i₁, der bei Resonanz des Parallelschwingkreises 3 über den
Widerstand 17 fließt, wird durch den ohmschen Widerstandswert bestimmt,
der sich durch die Transformation des Widerstands R (=6) in den
Parallelschwingkreis 3 ergibt, d. h. die am Eingang des Vorverstärkers 8
anstehende Spannung U₁ ergibt sich zu R₁₇×i₁, wobei
gilt.
Mit R₁₆ ist hierbei der Verlustwiderstand des Kreises bezeichnet, der in
der nachfolgenden Fig. 3 dargestellt ist.
R₁₇ und R₁₆ sind konstant, während R₁₃ variabel ist, und zwar zwischen
einem Widerstandswert Unendlich beim "Nullen" und einem Wert K×R
beim Messen. Da R₁₃ » R₁₇ ist, liegt praktisch U osz = const. am Kreis an:
Der Strom i₁ ist somit umgekehrt proportional zu R₁₃. Indem der Vorverstärker
8 von der jeweils gemessenen Spannung U₁ die bekannte Spannung
U 1 (0) abzieht, erhält man Δ U = i₁×R₁₃. Hieraus ergibt sich R₁₃ zu
In der Praxis ist bei der beschriebenen Anordnung, wie Versuche gezeigt
haben, R₁₃ etwa 11 000mal größer als R₆. Mißt man also R₁₃ zu 110 Ω,
so bedeutet dies, daß der Flächenwiderstand der dünnen Schicht 1 etwa
10 Milliohm beträgt; mißt man dagegen 11 MΩ, so ist der Flächenwiderstand
R bzw. 6 der dünnen Schicht 1 etwa 1 KΩ.
In der Fig. 3 ist das Ersatzschaltbild des Schwingkreises 3 im Falle der
Resonanz dargestellt. Mit der Bezugszahl 16 ist hierbei der Kreiswiderstand
bezeichnet.
In der Fig. 4 ist dargestellt, wie die wesentlichen Elemente der Schaltungsanordnung
gemäß Fig. 2 bei einer Vorrichtung angebracht sind, die eine
Meßwalze 20 aufweist, über die eine Bahn 21 abrollt, welche die zu
messende dünne Schicht 1 trägt. Die Sensoren, welche jeweils aus einer
Spule 2 und den zugehörigen elektronischen Bauteilen bestehen, sind in
die Oberfläche dieser Meßwalze 20, z. B. an den Stellen 22, 24, 25 eingelassen.
Hierdurch ist gewährleistet, daß jeder Sensor bei einer Umdrehung
der Walze 20 einmal ein Nullsignal abgibt - nämlich dann, wenn die Bahn
21 nicht an der Spule anliegt - und einmal ein Meßsignal, wenn die Bahn
21 anliegt.
Die zu messende Schicht 1 auf der Bahn 21 befindet sich in einem genau
zu reproduzierenden Abstand zur Spule, der sich z. B. aus 2 mm Abdeckung
des Sensors zuzüglich der Stärke der Trägerfolie 21 zusammensetzt. Der
Einfluß einer eventuellen Abweichung der Dicke der Folie 1 gegenüber
der konstanten Dicke von 2 mm kann auf diese Weise vernachlässigt werden.
An einer Welle 26 der Meßwalze 20 sind noch Positionsgeber 33, 36 angebracht,
die bewirken, daß in der Auswerte-Schaltung das Nullsignal U 1 (0)
bis U 3 (0) und das Meßsignal U₁ bis U₃ auf zwei Speicher geschaltet
werden. Die Differenz der beiden Signale U R -U R (0) ist, wie bereits
oben erwähnt, eine nur von den Schichteigenschaften abhängige Spannung,
die zur Schicht-Leitfähigkeit proportional ist. Hierdurch wird die Nullpunktdrift
beseitigt, die bei derartigen Sensoren oft tausendfach höher ist
als das Meßsignal. Dies ist insbesondere beim Einsatz in Vakuumanlagen
günstig, wo die Prozeßkammer meist mehrere Stunden nicht geöffnet
werden kann.
Der Abgriff der Spannungen U₁ bis U₃ erfolgt über die an der Welle 26
sitzenden Schleifringe 23, 27, 28. Diese Spannungen werden einer
Verarbeitungseinrichtung 29 zugeführt und über Anzeigevorrichtungen 30,
31, 32 angezeigt. Die Anzeigevorrichtungen können hierbei 10-Volt-
Zeigerinstrumente sein, bei denen z. B. ein Ausschlag von 1 V 100 Ω
und 10 V 10 Ω bedeutet. Die Werte werden außerdem zu einem
nicht dargestellten Anlagen-Rechner gegeben, der auch die Ω -Werte
errechnet und in ein Anlagen-Schaubild auf einem Bildschirm
zur Darstellung bringt. Für die Erfassung der
Winkelstellungen der Welle 26 können handelsübliche induktive, kapazitive
oder optische Geber 33, 36 eingesetzt werden, durch die eine mit Aussparungen
34 versehene Scheibe 35 rotiert. Die Geber 33, 36 führen der
Verarbeitungseinrichtung 29 Synchronisationsimpulse 18, 19 zu. Der Geber
33 liefert hierbei z. B. die Zeiten für die Meßvorgänge I, II, III, während
der Geber 36 die Zeiten für die Nullvorgänge I, II, III liefert.
In der Fig. 5 ist ein erfindungsgemäßer Sensor im vergrößerten Maßstab
dargestellt. Die Spule 2 befindet sich hierbei unmittelbar unterhalb einer
Abdeckung 37, die etwa eine Dicke von 2 mm hat. Die elektronische
Schaltungsanordnung 38, mit der die Spule 2 verbunden ist und die in der
Fig. 6 noch näher beschrieben wird, befindet sich auf einer Platine 39, die
über einen Koppler 78 mit einem 20poligen Flachbandkabel 89 in Verbindung
steht. Über dieses Flachbandkabel 89 erfolgt die Stromversorgung
und Fernsteuerung.
In der Fig. 6 ist eine Schaltungsanordnung im Detail dargestellt, welche
die gesamte Elektronik eines Sensors sowie Auswerteschaltungen 9, 29
zeigt. Auf der linken Seite eines Trennungsstrichs 150 befindet sich die
Elektronik 38 des Sensors, während rechts von diesem Strich ein Schleifringübertrager
(nicht dargestellt) und die Auswerteschaltungen 9, 58 dargestellt
sind.
Die Anzapfung 40 der Spule 2 ist auf einen Vorverstärker 41 gegeben,
dem ein Anpassungstransformator 42 nachgeschaltet ist. Die Ausgangsspannungen
dieses Anpassungstransformators 42 sind auf den Verstärker 56
geführt, der das Ausgangssignal des Transformators 42 um den Faktor 1000
verstärkt. Das derart verstärkte Signal wird auf eine Kapazitätsdiode 43
gegeben, die über einen Kondensator 105 die Frequenz des Oszillators 7
auf die Resonanz des Sensor-Schwingkreises nachregelt. Der Anschlußpunkt
135 des Kondensators 105 ist hierfür mit dem Kondensator 65 des
Oszillators 7 verbunden.
Parallel zur Spule 2 sind der Kondensator und ein Widerstand 138 geschaltet,
während parallel zur Spule 2 und zum Kondensator 4 über die Schalter 10, 45
Eichwiderstände 11, 44 schaltbar sind. Die Schalter 10, 45 werden hierbei über
Inversionsgatter 46, 47 aus der Steuereinrichtung 9 gesteuert. Aus dieser
Steuereinrichtung 9 werden auch zwei weitere Gatter 48, 49 angesteuert,
die Schalter 50, 51 beaufschlagen, mit denen Widerstände 52, 53, 54 kurzgeschlossen
werden können. Die Inverter 46 bis 49 sind zusammen mit den
Schaltern 51, 52 in handelsüblichen Schalterbausteinen enthalten. Hierdurch
ist es möglich, den Verstärkungsgrad des Vorverstärkers 8, auf den das
gleichgerichtete Stromsignal des Parallelschwingkreises 3 gegeben wird,
stufig zu verstellen. Über einen Spannungs-Strom-Wandler 57 wird das
Ausgangssignal des Vorverstärkers 8 über einen Schleifringübertrager 23,
27, 28 (Fig. 4) zur Auswerteeinrichtung 29 und von dort auf eine Anzeigeeinrichtung
gegeben. Der Oszillator 7, dessen Ausgangsspannung der Spule 2
zugeführt wird, enthält eine Induktivität 59, der zwei Kondensatoren 60,
61 parallelgeschaltet sind, wobei in Serie zu den Kondensatoren 60, 61 und
zur Spule 59 ein Transistor 62 liegt. Parallel zu dem Kondensator 60 ist
ein abstimmbarer Kondensator 65 geschaltet, der mit einem Widerstand
140 und mit dem Emitter des Transistors 62 verbunden ist. Die Basis
dieses Transistors 62 ist an einen Spannungsteiler gelegt, der zwei Widerstände
63, 64 aufweist. Parallel zu diesem Spannungsteiler ist ein Kondensator
106 geschaltet.
Über einen Kondensator 107 und einen Widerstand 108 ist von dem Emitter
des Transistors 62 eine Verbindung zu dem Schwingkreis 3 gelegt. Außerdem
führt von diesem Emitter über einen Widerstand 66 eine Verbindung
zu einer Phasen-Nachregelanordnung 14, die einen 90°-Phasenschieber 147 aufweist,
der aus vier Kondensatoren 72, 73, 71, 69 und zwei Widerständen 66, 68
besteht. Der Widerstand 70 bildet hierbei mit einem weiteren Widerstand
67 einen Spannungsteiler vor der Basis eines Transistors 76, dessen Emitter
auf ein RC-Glied 74, 77 geschaltet ist.
Der Parallelschwingkreis 3 ist auch mit dem Vorverstärker 41 verbunden,
der einen Transistor 82 enthält, welcher mit drei Widerständen 79, 80, 83
und einem Kondensator 81 beschaltet ist. Das Ausgangssignal dieses Vorverstärkers
41 ist über einen Kondensator 84 auf die Primärwicklung 86
eines Transformators 85 gegeben, dessen Sekundärwicklung 87 eine Mittenanzapfung
88 besitzt. Zu dieser Mittenanzapfung führt eine Verbindung über
einen Widerstand 75 auf den Kondensator 77 der Phasen-Nachregelanordnung
14. Die Gesamtspannung an der Sekundärwicklung 87 wird nach Gleichrichtung
durch Dioden 146, 90 und nach Glättung durch Kondensatoren 91,
92 über Widerstände 93, 94 auf die erste Stufe des zweistufigen Verstärkers
56 gegeben, die aus einem mit Widerständen 96, 97 beschalteten
Operationsverstärker 95 besteht. Die Ausgangsspannung des Operationsverstärkers
95 wird sodann über einen Widerstand 98 auf den einen Eingang
eines zweiten Operationsverstärkers 99 gegeben, dessen zweiter Eingang
über einen Widerstand 100 an Masse liegt. Im Rückkopplungszweig dieses
Operationsverstärkers 99 befindet sich eine aus einem Kondensator 103
und einem Widerstand 102 bestehende Parallelschaltung. Das Ausgangssignal
des Operationsverstärkers 99 ist über Widerstände 101, 104 auf
die Kathode einer Kapazitätsdiode 43 sowie auf einen Kondensator 105
gegeben, welcher mit dem Kondensator 65 des Oszillators 7 verbunden ist.
Der zum Parallelschwingkreis 3 fließende Strom i₁ erzeugt am Widerstand
108 eine Spannung, die über Dioden 109, 134 gleichgerichtet, durch Kondensatoren
110, 133 geglättet und über einen Kontakt 111 sowie über
Widerstände 112, 115, 116 dem Vorverstärker 8 zugeführt wird, der die
Spannung proportional verstärkt. Dem Kondensator 133 ist ein Widerstand
132 parallelgeschaltet. An den Verbindungspunkt der Widerstände 112, 115
ist ein Widerstand 114 gelegt, der an Masse liegt. Der Widerstand 116
liegt ebenfalls über einen weiteren Widerstand 117 an Masse. Von dem
einen Eingang des Vorverstärkers 8 führt über einen Widerstand 119 eine
Verbindung auf einen Spannungsteiler. Der Vorverstärker 8 enthält einen
Operationsverstärker 124, in dessen Rückkopplungszweig ein Widerstand 122
mit einem hierzu parallelgeschalteten Kondensator 123 liegen. Die Eingänge
dieses Operationsverstärkers 124 sind an Widerstände 120, 121 angeschlossen,
von denen der Widerstand 120 mit dem Ausgang des Operationsverstärkers
118 verbunden ist und der Widerstand 121 an Masse liegt. Die Rückkopplung
122, 123 des Operationsverstärkers 124 ist über einen Widerstand
130, ein RC-Glied 129, 128 und eine Induktivität 127 mit der Auswerteschaltung
29 verbunden. Die vom Vorverstärker 8 verstärkte Spannung wird
auf einen Spannungs-Strom-Wandler 57 gegeben, der über Schleifringe
(Fig. 4) und eine Auswerteschaltung 29 eine Anzeigeeinheit ansteuert.
Die Induktivitäten 126, 127 des Wandlers 57 sorgen dafür, daß keine Hochfrequenz
aus dem Sensor nach außen dringt und daß der Sensor nicht von
einer äußeren Hochfrequenz gestört werden kann.
Die Ausgangsspannung des Vorverstärkers 8 kann hierbei durch Zu- und
Abschalten verschiedener Widerstände 52 bis 55 an einen Operationsverstärker
118 verändert werden.
Bei dem Element 113 handelt es sich um einen 12-Volt-Stabilisator, der
die Spannungsschwankungen ausgleicht, die beispielsweise über die Stromversorgungsleitung
149 ankommen.
Ein Meßvorgang mittels der beschriebenen Einrichtung erfolgt beispielsweise
derart, daß zunächst der Schwingkreis 3 auf Resonanz abgestimmt
wird. Nimmt man nun an, daß sich über der Induktivität 2 gerade keine
zu messende Schicht 1 befindet, so gibt der Geber 36 ein Signal 18
"Nullen" an die Auswerteschaltung 29. Die Frequenz der Spannung U 1 (0)
sei zu diesem Zeitpunkt 1800 KHz. In einem Speicher der Auswerteschaltung
9 wird dieser Spannungswert abgespeichert. Nähert sich hierauf
die Induktivität 2 aufgrund der Drehung der Walze 20 der zu messenden
Schicht 1, so wird mit einer Zeitkonstanten von einigen 10-3 Sekunden jede Blindkomponente
im Schwingkreis 3 ausgeregelt. Befindet sich die zu messende
Schicht 1 direkt über der Induktivität 2, so gibt der Positionsgeber 33
ein Signal 19 "Messen" an die Auswerteschaltung 29. Die Spannung U₁,
deren Frequenz jetzt 1820 KHz sei, wird in der Auswerteschaltung 29
gespeichert. Jetzt wird die Differenz U 1-U 1 (0) gebildet, die dem Flächenleitwert
bzw. dem reziproken Flächenwiderstand proportional ist.
Claims (20)
1. Einrichtung zum zerstörungsfreien Messen des ohmschen Widerstands
dünner Schichten nach dem Wirbelstrom-Prinzip, wobei eine Induktivität mit
Wechselstrom beaufschlagt wird, deren Magnetfeld in den dünnen Schichten
einen Wirbelstrom erzeugt, dessen Magnetfeld das ursprüngliche Magnetfeld
der Induktivität schwächt, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (2)
mit einer Kapazität (4) einen Schwingkreis (3) bildet und dieser Schwingkreis
(3) stets auf Resonanz gehalten wird.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Resonanz
des Schwingkreises (3) durch Nachregelung der Frequenz des diesen Schwingkreis
speisenden Wechselstroms (i₁) hergestellt wird.
3. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß
für die Erzeugung des Wechselstroms ein Hochfrequenzgenerator (7) vorgesehen
ist, dessen Frequenz mittels einer Phasen-Nachregelanordnung (14)
auf die jeweilige Resonanzfrequenz des Schwingkreises (3) eingestellt wird.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwingkreis
ein Parallelschwingkreis (3) ist.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelschwingkreis
(3) wenigstens eine diskrete Spule (2) und einen diskreten
Kondensator (4) enthält.
6. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zu dem
Schwingkreis (3) ein Widerstand (11) schaltbar ist.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuschaltung
des Widerstands (11) fernbedienbar erfolgt.
8. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität
(2) eine Abdeckung (37) aufweist und derart in eine Walze (20) eingebaut
ist, daß die Oberfläche dieser Abdeckung (37) mit der Oberfläche dieser
Walze (20) bündig ist, wobei die zu messende dünne Schicht (1)
über die Walze (20) und auf einer Trägerfolie (21) bewegt wird.
9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zu messende
dünne Schicht (1) auf der Trägerfolie (21) aufgedampft ist, die über
die Walze (20) geführt wird.
10. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verstärker
(8) vorgesehen ist, der den zum Schwingkreis (3) fließenden Strom
(i₁) verstärkt.
11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß dem Verstärker
(8) ein Spannungs-Stromwandler (57) nachgeschaltet ist.
12. Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärkungsgrad
des Verstärkers (8) über mehrere Widerstände (52 bis 55)
stufig schaltbar ist.
13. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwingkreis
(3) mit einem Vorverstärker (41) verbunden ist, der einen Transformator
(42) speist, dessen Sekundärwicklung (87) eine Mittenanzapfung
(88) besitzt, die an einen 90°-Phasenschieber (147) angeschlossen ist.
14. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasen-
Nachregelanordnung (14) aus einem 90°-Phasenschieber (147), einem Vorverstärker
(41), einem Transformator (42), einem Verstärker (56), einer
Kapazitätsdiode (43), einem Widerstand (104) und einem Kondensator (105)
besteht.
15. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Speicher
vorgesehen sind, von denen der eine Speicher ein Nullsignal und der andere
Speicher ein Meßsignal speichert, und daß die Differenz der beiden Signale
als Maß für den Widerstand der zu messenden dünnen Schicht (1) dient.
16. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für Eichzwecke
die dünne Schicht (1) durch ein Material mit bekanntem Flächenwiderstand
gebildet wird.
17. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Eichung
im Vakuum erfolgt und eine Simulation einer Widerstandsschicht durchgeführt
wird, indem ein Widerstand (11) mit bekanntem Wert zum Schwingkreis
(3) ferngesteuert parallel geschaltet wird.
18. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Eichung
dann erfolgt, wenn der Sensor gerade ein Nullsignal liefert.
19. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität
(2) mit einer elektronischen Schaltungsanordnung (38) verbunden ist,
die sich auf einer Platine (39) innerhalb eines Gehäuses (148) befindet,
das eine Abdeckung (37) aufweist und über Steckkontakte (78) mit einem
Flachbandkabel (89) verbunden ist.
20. Verfahren zum Messen des Widerstands einer dünnen Schicht und eine
Einrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei auf Resonanz
abgestimmtem Schwingkreis (3) die Induktivität (2) nicht einer zu
messenden Schicht (1) gegenüberliegt und ein Positionsgeber (33, 36) ein
Nullsignal auf die Auswerteschaltung (29) gibt, wo das entsprechende Nullsignal
gespeichert wird, daß bei Annäherung der Induktivität (2) an die zu
messende Schicht (1) die Blindkomponente des Schwingkreises (3) mit
kleiner Zeitkonstante ausgeregelt wird und daß dann, wenn die zu messende
Schicht (1) direkt über der Induktivität (2) liegt, von einem Positionsgeber
(33, 36) das Signal "Messen" an die Auswerteschaltung (29) gegeben und
gespeichert wird und daß die Differenz zwischen dem Meßsignal und dem
Nullsignal gebildet und angezeigt wird.
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