JPH01318976A - 渦電流によって薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置および方法 - Google Patents

渦電流によって薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置および方法

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JPH01318976A
JPH01318976A JP1112763A JP11276389A JPH01318976A JP H01318976 A JPH01318976 A JP H01318976A JP 1112763 A JP1112763 A JP 1112763A JP 11276389 A JP11276389 A JP 11276389A JP H01318976 A JPH01318976 A JP H01318976A
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ソルン　ゲルノット
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    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
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    • G01D5/16—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying resistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は渦電流によって薄膜層のオーム抵抗を非破壊測
定する装置及び方法に関するものである。
（従来の技術） 薄膜層の特性を測定する際の問題は、これらの薄膜層が
測定処理中、接触即ち電気接触によって損傷破壊し得る
ようになることである。特に、薄膜層の電気抵抗の測定
中、この薄膜層が押圧され、スクラッチされ、汚染され
る際に不都合である。
これらの欠点を除去するために無接触で作動するセンサ
を用いる幾つかの測定方法がすべてに開発されている。
例えば絶縁材料のウェブに設けられた金属被膜の層の厚
さを測定する容量佳機能の装置がドイツ国実用新案第６
８１０３６２号から既知である。この装置では回転自在
のローラを絶縁材料のウェブを案内するために用いると
同時にその金属被膜の導電率を測定し、この際ローラは
ホームメータを容量供給するコンデンサのプレートとし
て機能する。
ドイツ国特許公開公報ＤＨ−Ａ−３３３５７６６号に記
載されている他の既知の測定方法では、案内ローラ及び
測定範囲が局部的に制限されている数個のセンサを用い
て真空被膜プラントの移送細条の層の厚さを電気的に測
定するようにしている。この方法においては、センサは
案内ローラの表面に分布され、移送装置を経て分析回路
に接続されている。
高インピーダンス層の抵抗を測定するに主として好適な
これら容量性処理方法のほかに、抵インピーダンス層の
抵抗を測定するのが好適な誘導性処理方法も提案されて
いる。例えばドイツ国特許公開公報ＤＢ−Ａ−２３４５
号から明らかなように、導電層の厚さを無接触測定する
配置が既知である。この測定配置では、交流電圧発生器
を有する誘導コイル及びこの誘導コイルインピーダンス
値を決める測定装置が用いられている。この場合誘導コ
イルとは第２の同様に構成された誘導コイルに対向して
配列され、これらコイルに対向して配列され、これらコ
イル間に空隙が設けられている。この電流れる電流の方
向は両コイルにおいて同一であり、その出力信号を測定
装置に加算的に供給するようにしている。
更に、渦電流に基づき層の個別の厚さを非破壊的に測定
する方法も既知である。この場合には複素インピーダン
スを有する測定プローグを用い、実数成分及び虚数成分
の各々が、測定すべき層の２つの層に関連するデータを
含むようにしている（コアイト　シュリフト　フユール
ベルクストックテクニク、第６巻、１９７５年、第１８
８〜１９４頁に記載されているアー、オツド、の論文“
層の個別の厚さの非破壊測定”参照）。この既知の測定
装置の欠点は、アルミニウムの相対的に厚い層のみ、例
えば、１μ１１〜１０００μｍの層のみを測定し得ると
共にその感度が左程良好でないことである。
更に、ドイツ国特許公開公報第ＤＥ−Ａ−２６３６９９
９号から明らかなように血小板の導電率を非接触測定す
る方法が記載されている。この測定方法では、同調フォ
ーク　ピックアップフィールド整流の形状の同調回路セ
ンサをフェライトコアによって形成している。しかし、
この方法は大きな面積の測定に好適でない。
又、ドイツ国特許公報第ＤＥ−Ｂ−１３０１８５８号か
ら明らかなように、コイル及びコンデンサより成る共振
回路によってテスト物件の導電率を無電極測定する他の
方法においては、このテスト物件の有無でこの共振回路
の出力が決まり、この際テスト物件はコイル及びコンデ
ンサの領域内で動かし、特にコイル及びコンデンサの領
域内で逐次に動かすようにしている。しかし、この方法
も大きなプローグ表面での測定には好適でない。その理
由はプローグを共振回路のコイル内に挿通するか又はコ
ンデンサに挿通させる必要があるからである。
又、既知の渦電流テスト装置では、コイルをテスト物件
に結合してこのテスト物件に渦電流を誘起し得るように
している。この場合にはこれにょりこのコイル内にも電
圧が誘起するようになる（ドイツ国特許公開公報第ＤＥ
−Ａ−３０２２０７８号参照）。この渦電流測定装置は
種々の周波数で作動するため、センサは共振回路を有さ
ず、周波数調整も行なわれない。
最後に更に他の渦電流測定方法が東ドイツ国特許公報第
１）Ｏ−Ｂ−２２４９４６号から既知である。この測定
方法ではテストコイル及びコンデンサより成る発振回路
を用いており、従って共振が得られるまで電圧制御発振
器の周波数を調整するようにして−）る。しかし、その
感度のため、この測定方法は、零点調整及び較正を容易
に行い得る実験室での用途に限定されるようになる。
本発明は産業の用途、例えばスト１月ツブ被膜プラント
に好適な上述した種類の渦電流センサを提供することを
目的とするものである。
本発明は渦電流法により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測
定する装置であって、インダクタ：こその発生磁界とは
逆の磁界を生ずる交流電流を供給し、このインダクタと
コンデンサとによって常時共振状態に保持されている発
振回路を形成するようにしたものにおいて、前記インダ
クタにはカバーを設けると共にこれをローラ内に埋設し
て前記の表面を前記ローラの表面でフラッシュすると共
に測定すべき薄膜層を前記ローラ上の搬送指示箔に配置
自在としたことを特徴とする。
本発明によれば、例えば８時間に亘り開放しない真空プ
ラントでの測定においても特にその全時間に亘り精度が
低下しない利点がある。更に誘導的に作動する装置を容
量的に作動する測定装置にも好適な分析装置と共に使用
することができる。
かようにして同一の分析装置を用いて高インピーダンス
層及び低インピーダンス層の電気抵抗を容量性及び誘導
性測定装置により評価することができる。抵抗の測定値
は長方形又は正方形のような面に関するものである。測
定すべき層が金属的に密であり、通常固体の値例えば比
抵抗の値が測定した面積（ａｒｅａ）抵抗から有効とな
２るものとすると、その厚さａに関しては常時、次式が
有効となるものと思われる。
ａ＝Ｋｌ／Ｒａｒｅａ （実施例） 図面につき本発明を説明する。
第１図には薄膜層１の抵抗値を決める原理を示す。ここ
に云う“薄膜層”−とは総ての薄膜層が３〜５以上の原
子層で構成されることを意味するものとする。アルミニ
ウムに対しては、測定範囲は例えばｌｎｍ−１μｍの間
にある。この薄膜層１の上方に配設したコイル２には交
流電流ｉＩを流す。この電流ｉｌによりコイル２の内側
に交番磁界Ｈ１を発生させ、これにより薄膜層１に渦電
流ｉ、を発生させ、これにより発生した磁界「、によっ
て磁界■１を逆に弱めるようにする。これをここでは磁
界圧縮と称する（カー、クンブミューラー著、“理論電
気技術入門”第１１版、第３０４頁以降参照）。磁界「
８の弱めの程度によって薄膜層１の表面抵抗Ｒ０に対し
推定を行うことができる。電流ｉｌと層の表面抵抗Ｒ０
との間の機能的な関係は次式で概算することができる。
ｉ、ｚｌ／Ｒ０ 測定すべき層においては厚さａが極めて薄い層は次式で
示すいわゆる浸透深さ（表皮深さ）δに関連するものと
する。
δ＝ｆ２／ωμχ ここにωは回路周波数、μは透磁率、χは導電率である
。
表面抵抗を簡単に計算し得る回路配置を第２図に示す。
測定プローグとして作用するコイル２はコンデンサ４を
有する並列同調回路３の一部分とする。
測定すべき薄膜層１はオーム抵抗６に並列な巻線を有す
るコイル５と等価回路で表すことができる。
並列同調回路３を、例えば１．８ＭＨｚの周波数で発振
し、出力電圧Ｕｏｓｚが一定の発振器７に結合する。
この結合は、電流ｉ、のセンサとして作動する抵抗１７
を経て行い、その両端間の電圧降下を増幅器８に供給す
る。発振器７及び並列同調回路３間に生じる位相ドリフ
トは位相補正配置１４を経て発振器７に帰還し、この位
相補正配置１４によってφ＝０に対応するｃｏｓφ＝１
に調整を行う。これがため、位相補正配置１４によって
、Ｕｏｓｚ及びｕ　５ｅｎｓｏｒ間の位相差を零に、即
ち付加のｃｏｓφを１に調整する。
従ってφ＝０の基準電圧が点１２の箇所に生じる。
この補正を行わない場合にはψは点１５で零とはならな
い。しかし、補正を行うことによってコイル２及びコン
デンサ４は考慮しなくても良い。並列同調回路３が共振
状態にある場合には容量素子の全部は補償され、センサ
の高周波電圧の位相角は電圧Ｕｏｓｚと同一となる。こ
の状態のもとで、薄膜層１の抵抗Ｒ０を並列同調回路３
で純粋のオーム抵抗１３に変換する。その理由は空隙結
合うイル２．５によって変換器を構成するからである。
コイル２に並列に外部制御装置９及びスイッチＩＯを経
て較正抵抗１１を接続する。較正命令を受けると較正抵
抗１１が接続されて常規負荷をシュミレートする。又制
御装置９によって前置増幅器８を制御すると共にその利
得をステップ状に調整する。
次いで評価装置に設けた微調製器と相俟って較正点への
表示をセットする。かようにして、コイル２の前の配置
を較正して評価器の出力側で表示し、即ち、尖鋭度が規
定値となる。したがって前置増幅器８の利得の遠隔制御
可能な調製が重要となる。
その理由はそ測定システムの全利得の最大可能な部分を
好感度で零保証前置増幅器８に供給し得るようにする必
要があるからである。そうでない場合には零誤差が測定
信号と共に増幅されるようになるからである。特に、零
値補償は前置増幅器８のドリフトをセンサ内で除去する
と共にコイル２のインピーダンスドリフトは零補償及び
測定により行うようにする。これは、例えば、２個のメ
モリを設け、一方のメモリに零信号を記憶し、他方のメ
モリに測定信号を記憶し、これら両信号の差を測定すべ
き薄膜層１の抵抗の目安として用いることによって行う
。
第２図の配置により測定し得る薄膜層１の抵抗値は１０
ｍΩ及び１にΩの値とするのが好適である。
並列同調回路３の共振時に抵抗１７を流れる電流ｉｌは
並列同調回路３の抵抗Ｒ６（＝６）の変換からのオーム
抵抗値によって次式に示すように決めることが出来る。
前置増幅器８の入力側に生ず名電圧Ｕ、はＲ，７Ｘ　ｉ
　、で与−えられｉ　、＝　Ｕｏｓｅ／　ＲＩ？　＋　
Ｒ１３＋　１　Ｒ＋ａここにＲ１６は第３図に示す回路
の損失抵抗を示し、Ｒ１３１１Ｒ１ｇは並列接続のＲ１
３及びＲ１６の合成値、即ち、Ｒ１３Ｘ　Ｒｔｏ／　（
ＲＩｓ　＋　ＲＩｓ）を示す。
Ｒ１７及びＲ８８は一定とし、Ｒ１３は特に“零化”時
の無限抵抗と測定中のＫＸＲ１）の値との間で可変とす
る。Ｒ１３）ＲＩ７であるため、回路に供給される電圧
ｕ　ｏｓｚは特に一定となり、従って次式が成立する。
ΔｉＩた１／ΔＲ１３ これがため、電流はＲ＋３に逆比例する。前置増幅器８
によって実際の測定電圧Ｕ、から既知の電圧Ｕ、（０）
を差引くため、次式が得られる。
Δ＝ｉ、ＸＲ，３ 従って Ｒ１３＝ΔｔＪ／ｉ。
実際上、実験により示すように、ＲＩ３は上述した配置
においてＲ６のほぼ１１．０００倍である。従ってＲ１
３を１１０Ωと測定する場合には、これは薄膜層１の表
面抵抗がほぼｌｏｗΩとなることを意味する。これに対
し、ＲＩ３をＩＩＭΩと測定する場合には薄膜層ｌの抵
抗ＲＱ、即ち、６は約ＩＫΩとなる。
第３図は共振状態における並列同調回路３の等価回路を
示す。図中１６は回路抵抗を示す。
第４図は、第２図の回路配置の主素子が、測定すべき薄
膜層１を指示する箔２１をロールする測定ローラ２０を
有する装置に設ける手段を示す。コイル２及び関連する
電子素子より成るセンサの各々を、測定ローラ２０の表
面の箇所２２．２４．２５に埋設する。かようにして、
ローラ２０の１回転につき、各センサによって、箔２１
がコイル上に位置しない場合には１つの零信号を発生し
、箔２１がコイル上にある場合には１つの測定信号を発
生する。
箔２１上の測定すべき層１をコイル２から正確に再現し
得る距離に位置させ、この距離をセンサのカバーの厚さ
、例えば２１１１と移送支持筒２１の厚さとの和の長さ
とする。かようにして、箔２１の厚さが２１１１ｍの一
定の厚さから変位する影響を無視し得るようにする。
位置検出器３３．３６は測定ローラ２０の軸２６に装着
すると共にこれによって分析回路の零信号Ｕｌ１０）〜
Ｕ３１ｏ、及び測定信号Ｕ、〜Ｕ３を２つのメモリに接
続して供給し得るようにする。２つの信号Ｕ□０、の差
は上述したように層のとくせいにのみ依存し、層の導電
率に比例する電圧となる。かようにして、零ドリフトが
除去されるようになり、このドリフトはこの型のセンサ
に対し、しばしば測定信号の１０００倍以上となる。こ
れは、殆どのプロセスチェンバを数時間に亘って開放し
てはならない場合に特に有利である。
電圧Ｕ　、−Ｕ、の取出しは、軸２６に設けたスリップ
リング２３．２７．２８を経て行う。これらの電圧は処
理装置２９に供給すると共に表示装置３０．３１．３２
によって表示する。この際表示装置は例えば１■＝１０
０Ω０及びＩＯＶ　＝　１００口の変位を行うＩＯＶポ
インタ装置とすることができる。又これらの値も図示し
ないプラントコンピュータに供給し、このコンピュータ
によってΩ。値を計算しモニタスクリーンのプラントチ
ャートに表示する。市販の誘導性、容量性又は光学セン
サ３８．３６を用いて軸２６の角度位置を検出し、カッ
トアウト（切り欠き）３４を設けた円板３５は同期パル
ス１８．１９を処理装置２９に供給するセンサを経て回
転し得るようにする。このセンサ３３によって例えば測
定処理１、ＩＩ、ＩＩＩの回数を取出し、センサ３６に
よって零処理１．ＩＩ、Ｉの回数を取出す。
第５図は本発明によるセンサを拡大して示す。
本例ではコイル２を厚さがほぼ２ｍｍのカバー３７のす
ぐ下側に配置する。コイル２に接続され、第６図に詳細
に示す電子回路配置を、２０導体型の平坦なリボンケー
ブル８ｇにコネクタ７８を経て接続した回路板３９上に
配置する。電流の供給及び遠隔制御はこのリボンケーブ
ル８９を経て行う。
第６図は分析回路９．２９と相俟ってセンサの電子回路
全体の回路配置を詳細に示す。図中分割線１５０の左側
にはセンサの電子回路３８を示し、分割線の右側にはス
リップリング変換器（図示せず）及び制御／分析回路９
．２９を示す。
コイル２の口出しタップ４０を前置増幅器４１に接続し
、この前置増幅器４１に整合変成器４２を接続する。こ
の整合変成器４２の出力電圧を増幅器５６に供給し、こ
れにより変成器４２の出力信号を１０００倍に増幅する
。かくして増幅した信号を可変容量ダイオード（バラク
タ）４３に供給し、これにより発振器７の周波数をコン
デンサ１０５を経てセンサの同調回路の共振周波数に調
整する。この目的のため、コンデンサ１０５の端子１３
５を発振器７のコンデンサ６５に接続する。
コンデンサ４及び抵抗１３８はコイル２　に並列に接続
すると共に較正抵抗１１．４４をスイッチ１０．４５を
経てコイル２及びコンデンサ４に並列に接続し得るよう
にする。スイッチ１Ｏ１４５は反転ゲート４６．４７を
経て制御装置９により制御する。この制御装置９によっ
て２個のゲート４８．４９゛を駆動して短絡回路用抵抗
５２．５３．５４のスイッチ５０．５１を作動せしめる
ようにする。これら反転器４６〜４９及びスイッチ５０
．５１は市販されている回路素子とする。かようにして
、前置増幅器８の利得をステップ状に調整可能とし、こ
の前置増幅器８に並列共振回路３の整流信号を供給し得
るようにする。前置増幅器８の出力信号は電圧−電流変
換器５７及びスリップリング２３．２７．２８（第４図
）を経て分析装置２９に供給し、ここから表示装置に供
給する。出力電圧をコイル２に供給する発振器７にはイ
ンダクタ５９を設け、これに２個のコンデンサ６Ｇ、　
６１を並列に接続し、トランジスタ６２をコイル５９及
び２個のコンデンサ６０．６１に直列に接続する。抵抗
１４０及びトランジスタロ２のエミッタに接続された可
変抵抗６５をコンデンサ６０に並列に接続する。トラン
ジスタ６２のベースを２個の抵抗６３．６４を有する分
圧器に接続すると共に、コンデンサ１０６に並列に接続
する。
トランジスタ６２のエミッタ及び共振回路３間の接続は
コンデンサ１０７及び抵抗１０８を経て行う。このトラ
ンジスタ６２のエミッタを抵抗６６を経て位相補正回路
配置１４に接続する。この位相補正回路配置１４には４
個のコンデンサ７２．７３．７１．６９及び２個の抵抗
６６．６８より成る９０°移相器１４７を設ける。
抵抗７０および他の抵抗６７によってトランジスタ７６
のベースに対する分圧器を構成し、このトランジスタ７
６のエミッタをＲＣ回路７４．７７に接続する。
並列同調回路３は３個の抵抗７９．８０．８３およびコ
ンデンサ８１に結合されたトランジスタ８２を有する前
置増幅器４１にも接続する。この前置増幅器４１の出力
信号をコンデンサ８４を経て変成器８５の１次巻線８６
に接続し、その２次巻線８７には中央口出し夕・ツブ８
８を設ける。この中央口出しタップ８８には抵抗７５を
経て前記位相補正回路配置１４のコンデンサ７７を接続
する。２次巻線８７の全電圧はダイオード１４６．９０
で整流し、コンデンサ９１．９２で平滑化した後抵抗９
３．９４を経て２段増幅器５６の第１段に供給する。こ
の第１段増幅器は２個の抵抗９６．９７に接続された演
算増幅器９５によって構成する。この演算増幅器９５の
出力電圧を抵抗９８を経て第２演算増幅器９９の一方の
入力端子に供給し、この増幅器９９の他方の入力端子を
抵抗１００を経て接地する。この演算増幅器９９のフィ
ードバックループには、並列接続の１０２及びコンデン
サ１０３を設ける。演算増幅器９９の出力信号を抵抗１
０１．１０４を経て可変容量ダイオード４３の陰極及び
発振器のコンデンサ６５に接続されたコンデンサ１０５
に供給する。
並列共振回路３に流れる電流ｉ、によって抵抗１０８に
電圧を発生させ、この電圧をダイオード１０９．１３４
で整流し、コンデンサ１１０．１３３で平滑化し、抵抗
１１２．１１５．１１６を経て前置増幅器８に供給し、
この前置増幅器８によって電圧を比例的に増幅する。こ
れら抵抗１１２．１１５の接続点には接地抵抗１１４を
接続する。又、抵抗１１６は他の抵抗１１７を経て接地
する。前置増幅器８の一方の入力端子を抵抗１１９を経
て分圧器５４．５５に接続する。この前置増幅器８を演
算増幅器１２４に接続し、そのフィードバックループに
抵抗１２２及びコンデンサ１２３を並列に接続する。こ
の演算増幅器１２４の両入力端子を抵抗１２０．１２１
にそれぞれ接続し、抵抗１２０を演算増幅器１１８の出
力端子に結合し、抵抗１２１を接地する。演算増幅器１
２４のフィードバックループ１２２．１２３を抵抗１３
０．ＲＣ回路１２９．１２８お及びインダクタ１２７を
経て分析回路２９に接続する。前置増幅器８により増幅
された電圧を電圧−電流変換器５７に供給し、これによ
りス曹ルツブリング（第４図）及び分析回路２９を経て
表示装置を制御する。変換器５７のインダクタ１２６．
１２７に対しては、高周波信号がセンサから強制的に供
給されないようにすると共に、センサが外部高周波数に
よって妨害され得ないようにする。
前置増幅器８の出力電圧は演算増幅器１１８の種々の抵
抗５２〜５５を断続することによって変化させることが
できる。
回路素子１１３を１２Ｖ電圧安定器とし、これにより電
流供給ライン１４９から例えば到来する電圧変動を補償
する。
上述した装置による測定処理は、発振回路３をまず最初
共振状態に調整して行う。測定すべき薄膜層１がインダ
クタ（コイル）２上に配置されないものとすると、検出
器３６によって零信号１８を分析装置２９に供給する。
この時における電圧ＵＩ（Ｏ）の周波数は１８００ＫＨ
ｚとする。この電圧値を制御分析回路９のメモリに記憶
する。１２−３２０の回転によってインプラ２が測定す
べき層１にちかず（と、発振回路３の容量性成分の全部
が１秒の数４分の１の時定数で補償される。測定すべき
測定１がインダクタ２上に直接到来すると、位置検出器
３３によって“測定”信号１９を分析回路２９に供給す
る。この場合には１８２０ＫＨｚの周波数の電圧Ｕ、を
分析回路２９に供給する。これがため、その差電圧Ｕ、
−Ｕ□。、が形成され、この差電圧は表面コンダクタン
ス又は表面抵抗の逆数１／Ｒ口に比例する。
【図面の簡単な説明】
第１図は低インピーダンス表面抵抗の測定用の誘導性セ
ンサの原理を示す斜視図、 第２９図は表面抵抗を測定する回路配置を示す回路図、 第３図は第２図の回路配置に含まれる発振回路の共振時
の状態を示す回路図、 第４図は本発明センサを適用した装置を示す斜視図、 第５図は第４図の装置の誘導性センサを示す拡大断面図
、 第６図は渦電流によって抵抗の測定を行う回路配置の詳
細回路図である。 １　・・・　薄膜層 ３　・・・　発振回路 ２　・・・　インダクタ ５　・・・　コイル ６　・・・　抵抗 ７　・・・　高周波発生器 ８　・・・　前置増幅器 ９　・・・　制御装置 ２０　　・・・　ローラ ２１・・・箔 ３９　　・・・　回路板 特許出願人　　レイボルド　アクチェンゲゼルシャフト ＦＩＧ、４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、渦電流法により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定す
    る装置であって、インダクタにその発生磁界とは逆の磁
    界を生ずる交流電流を供給し、このインダクタとコンデ
    ンサとによって常時共振状態に保持されている発振回路
    を形成するようにしたものにおいて、前記インダクタ（
    ２）にはカバー（３７）を設けると共にこれをローラ（
    ２０）内に埋設して前記（３７）の表面を前記ローラ（
    ２０）の表面でフラッシュすると共に測定すべき薄膜層
    （１）を前記ローラ（２０）上の搬送支持箔（２１）に
    配置自在としたことを特徴とする渦電流により薄膜層の
    オーム抵抗を非破壊測定する装置。 ２、前記測定すべき薄膜層（１）は、前記ローラ（２０
    ）上に置かれた前記搬送指示箔（２１）に蒸着するよう
    にしたことを特徴とする請求項１に記載の渦電流によっ
    て薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 ３、前記インダクタ（２）はハウジング（１４８）内で
    回路板（３９）に配設された電子回路（３８）に接続し
    、前記ハウジングはプラグ−イン−接点（７８）をする
    ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の渦電流に
    より薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 ４、前記発振回路（３）の共振は、発振回路（３）に供
    給する交流電流を（ｉ＿１）の周波数を補正することに
    より生ぜしめるようにしたことを特徴とする請求項１に
    記載の渦電流により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定す
    る装置。 ５、高周波発生器（７）を設けて交流電流を生ぜしめ、
    この交流電流の周波数は位相補配置（１４）によって発
    振回路（３）の瞬時共振周波数に調整せしめるようにし
    たことを特徴とする請求項４に記載の渦電流により薄膜
    層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 ６、前記発振回路（３）を並列発振回路としたことを特
    徴とする請求項１に記載の渦電流により薄膜層のオーム
    抵抗を非破壊測定する装置。 ７、前記並列発振回路（３）には少なくとも１つの個別
    のコイル（２）及び個別のコンデンサ（４）を設けるよ
    うにしたことを特徴とする請求項６に記載の渦電流によ
    り薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 ８、前記発振回路（３）には抵抗（１１）を接続自在と
    したことを特徴とする請求項１に記載の渦電流により薄
    膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 ９、前記抵抗（１１）の接続は遠隔制御自に行うように
    したことを特徴とする請求項８に記載の渦電流により薄
    膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 １０、前記発振回路（３）に流れる電流（ｉ＿１）を増
    幅する増幅器（８）を設けるようにしたことを特徴とす
    る請求項１に記載の渦電流により薄膜層のオーム抵抗を
    非破壊測定する装置。 １１、電圧−電流変換器（５７）を前記増幅器（８）に
    直列に接続するようにしたことを特徴とする請求項１０
    に記載の渦電流により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定
    する装置。１２、前記増幅器（８）の利得を数個の抵抗
    （５２〜５５）を経てステップ状に切り換え自在とした
    ことを特徴とする請求項１１に記載の渦電流により薄膜
    層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 １３、前記発振回路（３）は変成器（４２）を給電する
    前置増幅器（４１）に接続し、この変成器（４２）の２
    次巻線の中央口出しタップ（８８）を９０°移相器（１
    ４７）に接続するようにしたことを特徴とする請求項１
    に記載の渦電流により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定
    する装置。 １４、前記位相補正配置（１４）は９０°移相器（１４
    ７）と、前置増幅器（４１）と、変成器（４２）と増幅
    器（５６）と、可変容量ダイオード（４３）と、抵抗（
    １０４）と、コンデンサ（１０５）とで構成するように
    したことを特徴とする請求項５に記載の渦電流により薄
    膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 １５、２個メモリを設け、一方のメモリによって測定信
    号を記憶し、両信号の差によって測定すべき薄膜層（１
    ）の抵抗値を測定することを特徴とする請求項１に記載
    の渦電流により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装
    置。 １６、較正を行うために、前記薄膜層（１）はその表面
    抵抗が既知の材料で形成するようにしたことを特徴とす
    る請求項１に記載の渦電流により薄膜層のオーム抵抗を
    非破壊測定する装置。 １７、前記較正は、真空中で行うと共に抵抗層のシュミ
    レーションを行い、この際値が既知の抵抗（１１）を前
    記発振回路（３）によって遠隔制御によって並列接続す
    るようにしたことを特徴とする請求項１６に記載の渦電
    流により薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 １８、センサが零信号を発生する際に較正が行なわれた
    ことを特徴とする請求項１６に記載の渦電流により薄膜
    層のオーム抵抗を非破壊測定する装置。 １９、渦電流によって薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定
    するにあたり、発振回路（３）を同調発振させ、インダ
    クタ（２）は測定すべき層（１）に対向させず、位置セ
    ンサ（３３、３６）によって零信号を分析回路（２９）
    に供給し、ここで関連する零信号を記憶し、前記インダ
    クタ（２）を測定すべき層（１）に近ずける際に発振回
    路（３）の容量性素子を小時定数で補償し、測定すべき
    層（１）が前記インダクタ（２）上に直接位置する際一
    方の位置センサ（３３、３６）からの“測定”を分析回
    路（２９）に通過すると共に記憶し、前記測定信号と零
    信号との差を形成し、表示することを特徴とする渦電流
    によって薄膜層のオーム抵抗を非破壊測定する方法。
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