DE3741567A1 - Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor - Google Patents
Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistorInfo
- Publication number
- DE3741567A1 DE3741567A1 DE19873741567 DE3741567A DE3741567A1 DE 3741567 A1 DE3741567 A1 DE 3741567A1 DE 19873741567 DE19873741567 DE 19873741567 DE 3741567 A DE3741567 A DE 3741567A DE 3741567 A1 DE3741567 A1 DE 3741567A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- active region
- contact hole
- collector
- schottky junction
- active area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/221—Schottky barrier BJTs
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292729A JPS63143867A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3741567A1 true DE3741567A1 (de) | 1988-06-09 |
| DE3741567C2 DE3741567C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-11-19 |
Family
ID=17785563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19873741567 Granted DE3741567A1 (de) | 1986-12-08 | 1987-12-08 | Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143867A (enrdf_load_stackoverflow) |
| KR (1) | KR910001718B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| DE (1) | DE3741567A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110752256B (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种碳化硅肖特基钳位晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154967A (en) * | 1978-05-29 | 1979-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor electronic device |
| JPS59139681A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | シヨツトキバリアダイオ−ド |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61292729A patent/JPS63143867A/ja active Pending
-
1987
- 1987-08-27 KR KR1019870009387A patent/KR910001718B1/ko not_active Expired
- 1987-12-08 DE DE19873741567 patent/DE3741567A1/de active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Datenbuch "Mitsubishi Semiconductors 1985, Bipolar Digital JC ALSTTL * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910001718B1 (ko) | 1991-03-19 |
| DE3741567C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-11-19 |
| JPS63143867A (ja) | 1988-06-16 |
| KR880008453A (ko) | 1988-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3110477A1 (de) | Verfahren zur herstellung von cmos-bauelementen | |
| DE1944793C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung | |
| DE2133978B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2334405A1 (de) | Lsi-plaettchen und verfahren zur herstellung derselben | |
| DE3425908A1 (de) | Halbleiterbildsensoreinrichtung und herstellungsverfahren dafuer | |
| DE3013559A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2621791A1 (de) | Integrierter transistor mit saettigungsverhindernder schottky- diode | |
| DE3020609A1 (de) | Integrierte schaltung | |
| DE3689705T2 (de) | Zener-Diode. | |
| DE1539090B1 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP1003218A1 (de) | Halbleiteranordnungen mit einer Schottky-Diode und einer Diode mit einem hochdotierten Bereich und entsprechende Herstellungsverfahren | |
| DE69131390T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Drain- oder Kollektorzone für monolythische Halbleiteranordnungen | |
| DE69024420T2 (de) | Prozess zur Herstellung eines integrierten Leistungstransistor/Logik-Schaltkreises mit einer Diode. | |
| DE2247911C2 (de) | Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung | |
| DE3883459T2 (de) | Verfahren zum Herstellen komplementärer kontaktloser vertikaler Bipolartransistoren. | |
| DE69325206T2 (de) | Vergrabener Lawinendiode | |
| DE2507038C3 (de) | Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE19719670C2 (de) | SRAM-Halbleiterspeichervorrichtung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE3741567A1 (de) | Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor | |
| DE3235467A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE3444741A1 (de) | Schutzschaltungsanordnung fuer eine halbleitervorrichtung | |
| DE2419817A1 (de) | Verfahren zur herstellung bipolarer transistoren | |
| DE2136509A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE3414772C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| DE1287696B (enrdf_load_stackoverflow) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |