DE3741567C2 - - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/221—Schottky barrier BJTs
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292729A JPS63143867A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3741567A1 DE3741567A1 (de) | 1988-06-09 |
DE3741567C2 true DE3741567C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-11-19 |
Family
ID=17785563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873741567 Granted DE3741567A1 (de) | 1986-12-08 | 1987-12-08 | Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63143867A (enrdf_load_stackoverflow) |
KR (1) | KR910001718B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE3741567A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110752256B (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种碳化硅肖特基钳位晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54154967A (en) * | 1978-05-29 | 1979-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor electronic device |
JPS59139681A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | シヨツトキバリアダイオ−ド |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61292729A patent/JPS63143867A/ja active Pending
-
1987
- 1987-08-27 KR KR1019870009387A patent/KR910001718B1/ko not_active Expired
- 1987-12-08 DE DE19873741567 patent/DE3741567A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910001718B1 (ko) | 1991-03-19 |
JPS63143867A (ja) | 1988-06-16 |
KR880008453A (ko) | 1988-08-31 |
DE3741567A1 (de) | 1988-06-09 |
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |