DE3702412C2

DE3702412C2 -

Info

Publication number: DE3702412C2
Application number: DE3702412A
Authority: DE
Inventors: Volker Dr. 2110 Buchholz De Graeger; Rolf 2082 Tornesch De Kobs
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Endress and Hauser SE and Co KG
Priority date: 1987-01-28
Filing date: 1987-01-28
Publication date: 1990-01-04
Also published as: DE3877006D1; DE3702412A1; EP0276889A3; EP0276889A2; JPS63191936A; US5024097A; EP0276889B1; JP2527779B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Druckaufnehmer für statische Druckbelastungen mit einem Siliziumkörper, der auf einem Trägersubstrat angeordnet ist und einen zum Trägersubstrat offenen sacklochartige, Hohlraum aufweist, wodurch sich eine parallel zur Grundfläche und zu einer ausgewählten Kristallebene des Siliziumkörpers liegende Membran bildet, auf deren Außenfläche eine aus piezoresistiven Widerstandselementen aufgebaute Wheatstone-Brücke angeordnet ist, von der zwei Widerstandselemente zentrisch auf der Membran und zwei Widerstandselemente am Außenrand der Membran aufgebracht sind.

Ein solcher Druckaufnehmer ist aus der Zeitschrift "Siemens-Forschungs- und Entwicklungsberichte", Band 13, 1984, Nr. 6, Springer-Verlag, Seiten 294 bis 302 bekannt. Dieser besteht aus einem einkristallinen Siliziumkörper, der auf einer als Trägersubstrat ausgebildeten Glasplatte angeordnet ist. Die Außenfläche des Siliziumkörpers, die vom Trägersubstrat abgewandt ist, wird als Grund fläche bezeichnet. Diese Grundfläche, die in der (111)-Kristallebene liegt, beinhaltet die Außenfläche der Membran. Die piezoresistiven Widerstandselemente sind auf dem Siliziumkörper integriert (eindiffundiert). Die eine Wheatstone-Brücke bildenden piezoresistiven Widerstands elemente sind auf den Bereichen der Membran angebracht, wo die größten mechanischen Spannungen auftreten, um ein entsprechend großes elektrisches Signal zu erhalten.

Aufgrund des piezoresistiven Effektes ändert jedes Widerstandselement mit dem Widerstandswert R seinen Wert nach der Gleichung:

dR/R = π r σ r + π t σ t

wobei σ r und σ t die radiale bzw. tangentiale mechanische Spannung im Siliziumkörper, π r und π t die radiale bzw. tangentiale piezoresistive Konstante sind und dR der Wert der Widerstandsänderung ist. Die piezo resistiven Konstanten werden durch die Wahl des Wider standsmaterials und der Kristallorientierung festgelegt.

Die Widerstandselemente sind so angebracht, daß die Widerstandsänderungen der Widerstände dem Betrage nach gleich sind, und die Widerstandsänderung zweier Elemente gleich und dem anderen Elementenpaar entgegengesetzt ist. Um dies zu erreichen, müssen die Widerstandselemente so angeordnet werden, daß bei Druckbelastung entweder

a) die mechanischen Spannungen an den entsprechenden Widerstandselementen das Vorzeichen wechseln und die piezoresistiven Konstanten für alle Elemente ungefähr gleich sind oder
b) die mechanischen Spannungen für alle Widerstände das gleiche Vorzeichen haben und die piezoresistiven Konstanten an den entsprechenden Widerstandselementen das Vorzeichen wechseln.

Für Membranen, die parallel zur (111)-Kristallebene liegen, müssen die Widerstandselemente gemäß Punkt a) angeordnet werden.

Aus der oben genannten Zeitschrift ist es bekannt, daß für eine Druckbelastung unter 250 bar aufgrund der großen Zugfestigkeit die (111)-Kristallebene als Grundfläche des Siliziumkörpers ausgewählt wird. Bei Druckbelastungen über 250 bar wird jedoch die elektrische Spannungs-Druck-Kennlinie in einem unzulässigen Maße nichtlinear. Es ergibt sich eine Nichtlinearität von über einem Prozent. Diese große Nichtlinearität ist dadurch bedingt, daß auf der Außenfläche starke Druckspannungen im Zentrum der Membran (Kompression) und keine Zugspannungen an der Membran und sehr geringe Zugspannungen außerhalb der Membran auftreten. Diese mechanische Spannungs verteilung führt zu einer ungleichen Widerstandsänderung in der Meßbrücke, wodurch die Nichtlinearität herrührt. Deshalb wird bei den bekannten Druckaufnehmern für eine hohe Druckbelastung die (100)-Kristallebene als Grund fläche gewählt, wo die Widerstandselemente gemäß Punkt b) angeordnet sind. Für die Druckaufnehmerfertigung bedeutet dies einen zweiten Herstellungsprozeß, d. h. es müssen für hohe Druckbelastungen Siliziumkörper mit der (100)-Kristallebene als Grundfläche und für geringe Druckbelastungen Siliziumkörper mit der (111)-Kristall ebene als Grundfläche hergestellt werden.

Es sind ebenfalls Druckaufnehmer mit einem Siliziumkörper bekannt, bei dem die Widerstandselemente nicht integriert (eindiffundiert) sind, sondern als Dünnschichtwiderstände ausgebildet sind. Zwischen dem Siliziumkörper, der einen sacklochartigen Hohlraum aufweist, und den Dünnschicht widerständen ist eine Isolierschicht, beispielsweise aus Siliziumnitrid oder Siliziumoxid, aufgebracht. Wirkt auf diesen Druckaufnehmer eine Druckbelastung von über 250 bar ein, so hat sich gezeigt, daß hierbei die elektrische Spannungs-Druck-Kennlinie in einem unzulässigen Maße nichtlinear wird.

Es sei noch erwähnt, daß aus der EP-A 01 11 640 ein Druck aufnehmer bekannt ist, bei dem die Widerstandselemente gemäß Punkt b) angeordnet sind. Der Druckaufnehmer enthält vier sacklochartige Hohlräume, die kreisförmig angeordnet sind und wodurch vier Membranen gebildet werden. Die Außenflächen der Membranen liegen parallel zur (100)-Kristallebene. Außerhalb der kreisförmigen Anordnung, in der Nähe jeder Membran, sind vier Wider standselemente angeordnet und zwar an einer solchen Stelle, wo zwischen der tangentialen und radialen mechanischen Spannung der größte Unterschied besteht. Durch die Wahl von vier sacklochartigen Hohlräumen anstatt eines großen sacklochartigen Hohlraumes soll die Bruch festigkeit des Druckaufnehmers vergrößert werden.

Aus der US-PS 45 28 855 ist ein Druckaufnehmer insbe sondere für hohe Drücke bekannt, der aus einem ein kristallinen Siliziumkörper besteht. Der Siliziumkörper ist auf einer als Trägersubstrat ausgebildeten Silizium platte angeordnet. Die Grundfläche des Siliziumkörpers (die Außenfläche des Siliziumkörpers, die vom Träger substrat abgewandt ist), liegt in der (100)-Kristallebene. Zum Trägersubstrat hin weist der Siliziumkörper einen offenen, sacklochartigen Hohlraum und einen weiteren als Ringnut ausgebildeten Hohlraum um den sacklochartigen Hohlraum auf. Am Außenrand der inneren Membran sind wenigstens vier piezoresistive Widerstands elemente symmetrisch aufgebracht. Auf der ringförmigen Membran befinden sich ebenfalls piezoresistive Widerstandselemente. Der auf dem Trägersubstrat aufge brachte Siliziumkörper befindet sich in einem Gehäuse, das zwei Öffnungen aufweist. Durch die eine Öffnung kann eine Flüssigkeit fließen, die auf die Grundfläche des Silizium körpers einwirkt. Durch die andere Öffnung fließt über eine weitere Öffnung im Trägersubstrat eine Flüssigkeit in den sacklochartigen Hohlraum. Die innere Membran ist also Teil eines Differenzdruckaufnehmers, bei dem bei hohen Druckbelastungen (über 250 bar) keine Linearitätsprobleme auftreten, da die Grundfläche parallel zur (100)-Kristall ebene gewählt ist und die Widerstandselemente am Rande der Membran angeordnet sind.

Ferner zeigt die DE-AS 21 23 690 einen Druckaufnehmer mit einer kreisförmigen Membran und mit spezifischen Anordnungen der Widerstandselemente.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Druck aufnehmer zu schaffen, bei dem die Nichtlinearität der elektrischen Spannungs-Druck-Kennlinie bei hohen Druck belastungen verringert ist.

Diese Aufgabe wird bei einem Druckaufnehmer der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß im Siliziumkörper beiderseits der am Außenrand der Membran angeordneten Widerstandselemente ein weiterer zum Trägersubstrat hin offener Hohlraum vorgesehen ist.

Bei diesem Druckaufnehmer wird neben dem sacklochartigen Hohlraum an der Membran noch mindestens ein weiterer Hohl raum an dem Außenrand der Membran angebracht. Der bzw. die zusätzlichen Hohlräume müssen auf jeden Fall im Bereich der äußeren Widerstandselemente vorgesehen sein. Aufgrund des wenigstens einen Hohlraumes entsteht auf der Grundfläche eine sehr viel größere mechanische Zugspannung als beim bekannten Druckaufnehmer. Hierdurch wird die Nicht linearität der elektrischen Spannungs-Druck-Kennlinie verringert. Der erfindungsgemäße Druckaufnehmer kann daher nicht nur für Druckbelastungen unter 250 bar, sondern auch für Druckbelastungen um die 1000 bar entworfen werden.

Beispielsweise können zwei Hohlräume als Längsnuten neben den Widerstandselementen angeordnet werden, die am Außen rand der Membran liegen. Als weitere Möglichkeit ergibt sich, den sacklochartigen Hohlraum im Querschnitt kreis förmig auszubilden und den weiteren Hohlraum als Ringnut um den sacklochartigen Hohlraum herumzuführen. Hierdurch wird eine einfache Konstruktion erreicht. Die Ringnut läßt sich nämlich ebenso wie die eigentliche Membran im selben Arbeitsvorgang mit Hilfe von Ätztechniken herstellen.

In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Tiefen des sacklochartigen Hohlraumes und der Ringnut annähernd gleich sind, daß der Abstand zwischen den beiden Hohlräumen annähernd gleich der Hälfte des Durchmessers der Membran ist und daß die Breite der Ringnut einen Wert zwischen der Hälfte des Durchmessers und dem Durchmesser der Membran besitzt. Hierdurch wird eine Nichtlinearität der Kennlinie von kleiner als 0,1% erreicht, wie durch experimentielle Untersuchungen bei einer Druckbelastung von 300 bis 1200 bar ermittelt worden ist.

Ein Druckaufnehmer kann so ausgebildet sein, daß die Membran parallel zu einer (111)-Kristallebene des Silizium körpers liegt und daß die Widerstandselemente in diesen eindiffundiert sind.

Als weitere Möglichkeit ist vorgesehen, daß die Wider standselemente als Dünnschichtwiderstandselemente aufge baut sind. Hierbei hat die Kristallorientierung bzw. die Kristallebene der Grundfläche des Siliziumkörpers beliebig.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Draufsicht eines Druckaufnehmers mit einem Siliziumkörper, bei dem die Widerstandselemente integriert sind,

Fig. 2 einen Längsschnitt des Druckaufnehmers längs der Ebene II-II der Fig. 1,

Fig. 3 den radialen bzw. tangentialen mechanischen Spannungsverlauf des Druckaufnehmers entlang der Linie II-II der Fig. 1 und

Fig. 4 einen Längsschnitt eines Druckaufnehmers mit einem Siliziumkörper und Dünnschichtwiderstandselementen.

Der Druckaufnehmer nach den Fig. 1 und 2 enthält einen quaderförmigen Siliziumkörper 1, der beispielsweise durch anodisches Bonden auf ein Trägersubstrat 2 aufgebracht ist. Das Trägersubstrat 2 kann beispielsweise eine Glas platte sein. Die Grundfläche 3 des Siliziumkörpers 1 liegt in einer (111)-Kristallebene und ist die Außenfläche, die vom Trägersubstrat 2 abgewandt ist. Im Silizium körper 1 ist ein sacklochartiger Hohlraum 4 vorhanden, der einen kreisförmigen Querschnitt hat und zum Träger substrat 2 hin geöffnet ist. Aufgrund dieses Hohlraumes 4 bildet sich eine kreisförmige Membran 5, die parallel zur (111)-Kristallebene liegt und auf der vier Widerstands elemente 6 bis 9 angeordnet sind.

Die Widerstandselemente 6 und 7 sind als Längsstreifen parallel im Zentrum der Membran 5 angeordnet. Die Wider standselemente 8 und 9 sind als U-förmige Streifen ausge bildet und am Außenrand der Membran 5 parallel so ange ordnet, daß die U-förmige Öffnung der Widerstands elemente 8 bzw. 9 der Membran 5 entgegengerichtet ist. Die U-förmige Öffnung der Widerstandselemente 8 bzw. 9 könnte auch zur Membran 5 zeigen. Die vier Widerstandselemente 6 bis 9 sind im Siliziumkörper 1 integriert und mit hier nicht näher dargestellten elektrischen Zuleitungen verbunden, so daß mit diesen Elementen eine Wheatstone-Brücke gebildet werden kann.

Der bisher beschriebene Druckaufnehmer ist bekannt und wird für Druckbelastungen bis 250 bar verwendet. Bei höheren Druckbelastungen ergab sich eine Nichtlinearität von über einem Prozent der elektrischen Spannungs-Druck- Kennlinie. Durch die Erfindung wird die Nichtlinearität verringert, indem ein weiterer Hohlraum in den Silizium körper 1 eingebracht ist. Dieser weitere Hohlraum ist als Ringnut 10 mit einem U-förmigen Querschnitt um den Hohlraum 4 herumgeführt und zum Trägersubstrat 2 hin geöffnet. Vorzugsweise sollte die Tiefe des sackloch artigen Hohlraumes 4 und der Ringnut 10 annähernd gleich sein. Die Breite a 1 der Ringnut 10 soll einen Wert zwischen der Hälfte des Durchmessers a 2 und dem Durch messer a 2 der Membran 5 besitzen, und der Abstand a 3 zwischen den beiden Hohlräumen 4 und 10 soll annähernd gleich der Hälfte des Durchmessers a 2 der Membran 5 sein. Bei praktischen Untersuchungen wurde festgestellt, daß solche Druckaufnehmer bei einer hydrostatischen Druck belastung von 300 bis 1200 bar eine Nichtlinearität der elektrischen Spannungs-Druck-Kennlinie von kleiner als 0,1% aufweisen.

Der mechanische Spannungsverlauf an der Grundfläche, der sich für einen solchen Druckaufnehmer entlang der Linie II-II bei der Fig. 1 für die radiale bzw. tangentiale mechanische Spannungs-Komponente ergab, ist in Fig. 3 dargestellt. Der tangentiale Spannungsverlauf σ t ist durch eine unterbrochene Linie dargestellt. Bei dem radialen Spannungsverlauf σ r, der als ausgezogene Linie gezeichnet ist, treten positive radiale Spannungen zwischen der Membran und der Ringnut auf. Aufgrund dieser viel größeren positiven radialen Spannung im Druckaufnehmer gemäß der Fig. 1 als im bekannten Druckaufnehmer wird eine sehr viel geringere Nichtlinearität der Kennlinie erzielt.

Ein weiterer Druckaufnehmer ist in Fig. 4 dargestellt. Bis auf die Anordnung der Widerstandselemente ist der Aufbau des Druckaufnehmers identisch mit dem, der in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist. Der Siliziumkörper 1, der auf dem Trägersubstrat 2 aufgebracht ist, enthält ebenfalls den sacklochartigen Hohlraum 4 mit einem kreisförmigen Quer schnitt. Um den sacklochartigen Hohlraum 4 ist die Ring nut 10 herumgeführt. Aufgrund des Hohlraumes 4 bildet sich die Membran 5. Bei diesem Druckaufnehmer ist die Kristall orientierung beliebig, d. h. die Grundfläche 3 kann in einer beliebigen Kristallebene liegen.

Der in Fig. 4 dargestellte Druckaufnehmer weist keine integrierten Widerstandselemente, sondern vier Dünnschicht widerstandselemente auf. Zwei dieser Dünnschichtwider standselemente sind, wie in den Fig. 1 und 2 gezeigt, ebenfalls als Längsstreifen parallel im Zentrum der Membran 5 angeordnet. Die beiden anderen Dünnschichtwider standselemente 11 und 12 sind als U-förmige Streifen ausgebildet und am Außenrand der Membran parallel ange ordnet. Die letztgenannten Dünnschichtwiderstands elemente 11 und 12 sind vom Siliziumkörper 1 durch jeweils eine Isolationsschicht 13 bzw. 14, die beispielsweise aus Siliziumnitrid oder Siliziumoxid bestehen kann, getrennt. Die vier Dünnschichtwiderstandselemente sind mit hier nicht näher dargestellten elektrischen Zuleitungen ver bunden, so daß mit diesen Elementen ebenfalls eine Wheatstone-Brücke gebildet werden kann.

Der in Fig. 4 dargestellte Druckaufnehmer weist bei hohen Druckbelastungen eine geringe Nichtlinearität der elek trischen Spannungs-Druck-Kennlinie auf.

Claims

1. Druckaufnehmer für statische Druckbelastungen mit einem Siliziumkörper (1), der auf einem Trägersubstrat (2) angeordnet ist und einen zum Trägersubstrat (2) offenen sacklochartigen Hohlraum (4) aufweist, wodurch sich eine parallel zur Grundfläche und zu einer ausgewählten Kristallebene des Siliziumkörpers liegende Membran (5) bildet, auf deren Außenfläche eine aus piezoresistiven Widerstandselementen (6 bis 9; 11, 12) aufgebaute Wheatstone-Brücke angeordnet ist, von der zwei Widerstandselemente (6, 7) zentrisch auf der Membran und zwei Widerstandselemente (8, 9; 11, 12) am Außenrand der Membran aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß im Siliziumkörper (1) beider seits der am Außenrand der Membran angeordneten Wider standselemente (8, 9; 11, 12) ein weiterer zum Träger substrat (2) offener Hohlraum (10) vorgesehen ist.

2. Druckaufnehmer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der sacklochartige Hohl raum (4) im Querschnitt kreisförmig ausgebildet und der weitere Hohlraum als Ringnut (10) um den sacklochartigen Hohlraum herumgeführt ist.

3. Druckaufnehmer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Tiefen des sacklochartigen Hohlraumes (4) und der Ringnut (10) annähernd gleich sind, daß der Abstand (a 3) zwischen den beiden Hohlräumen (4, 10) annähernd gleich der Hälfte des Durchmessers (a 2) der Membran (5) ist und daß die Breite (a 1) der Ringnut (10) einen Wert zwischen der Hälfte des Durchmessers (a 2) und dem Durchmesser (a 2) der Membran (5) besitzt.

4. Druckaufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (5) parallel zu einer (111)-Kristallebene des Silizium körpers (1) liegt und daß die Widerstandselemente (6 bis 9) in diesen eindiffundiert sind.

5. Druckaufnehmer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandselemente als Dünnschichtwiderstandselemente (11, 12) aufgebaut sind.