JP2527779B2 - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JP2527779B2 JP2527779B2 JP63014767A JP1476788A JP2527779B2 JP 2527779 B2 JP2527779 B2 JP 2527779B2 JP 63014767 A JP63014767 A JP 63014767A JP 1476788 A JP1476788 A JP 1476788A JP 2527779 B2 JP2527779 B2 JP 2527779B2
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
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- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
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- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は基板上に配置され、かつ該基板に向けて開放
している盲穴状の空胴を含むシリコン本体を具え、前記
空胴によってシリコン本体の基部に平行に延在するダイ
アフラムを形成し、該ダイアフラムの外側面上に圧電抵
抗性の抵抗素子から成るホイーストンブリッジを配置
し、これらの抵抗素子の内の２つの抵抗素子を前記ダイ
アフラム上の中心部に配置すると共に他の２つの抵抗素
子をダイアフラムの縁部に配置した静圧荷重用の圧力セ
ンサに関するものである。
している盲穴状の空胴を含むシリコン本体を具え、前記
空胴によってシリコン本体の基部に平行に延在するダイ
アフラムを形成し、該ダイアフラムの外側面上に圧電抵
抗性の抵抗素子から成るホイーストンブリッジを配置
し、これらの抵抗素子の内の２つの抵抗素子を前記ダイ
アフラム上の中心部に配置すると共に他の２つの抵抗素
子をダイアフラムの縁部に配置した静圧荷重用の圧力セ
ンサに関するものである。
斯種の圧力センサは西独国の雑誌「ジーメンス フォ
ルシュングス ウント エントビックルングスベリヒ
テ」（“Siemens Forschungs Und Entwicklungsbericht
e"Vol.13,1984,No.6Springer−Verlag,P.294〜302）か
ら既知である。このセンサはガラス板の形態の基板上に
配置した単結晶シリコン本体で構成したものである。シ
リコン本体の基板とは反対側の外側面を基部と称する。
（111）結晶面に位置する斯かる基部はダイアフラムの
外側面を包含している。シリコン本体には圧電抵抗性の
抵抗素子を（拡散により）集積化する。ホイーストンブ
リッジを形成する圧電抵抗性の抵抗素子は、機械的な応
力に相当する大きな電気信号を得るために、最高の機械
的応力が生ずるダイアフラムの個所に配置する。
ルシュングス ウント エントビックルングスベリヒ
テ」（“Siemens Forschungs Und Entwicklungsbericht
e"Vol.13,1984,No.6Springer−Verlag,P.294〜302）か
ら既知である。このセンサはガラス板の形態の基板上に
配置した単結晶シリコン本体で構成したものである。シ
リコン本体の基板とは反対側の外側面を基部と称する。
（111）結晶面に位置する斯かる基部はダイアフラムの
外側面を包含している。シリコン本体には圧電抵抗性の
抵抗素子を（拡散により）集積化する。ホイーストンブ
リッジを形成する圧電抵抗性の抵抗素子は、機械的な応
力に相当する大きな電気信号を得るために、最高の機械
的応力が生ずるダイアフラムの個所に配置する。
抵抗値Ｒを有する各抵抗素子の抵抗値は、圧電抵抗効
果に基づいて次式に従って変化する。
果に基づいて次式に従って変化する。
dR/R＝πｒσｒ＋πｔσｔ ここに、σｒ及びσｔはそれぞれシリコン本体におけ
る半径方向及び接線方向の機械的な応力であり、πｒ及
びπｔはそれぞれ半径方向及び接線方向の圧電抵抗定数
であり、またdRは抵抗値の変化分である。圧電抵抗定数
は抵抗材料及び結晶配向の選択の仕方によって規定され
る。
る半径方向及び接線方向の機械的な応力であり、πｒ及
びπｔはそれぞれ半径方向及び接線方向の圧電抵抗定数
であり、またdRは抵抗値の変化分である。圧電抵抗定数
は抵抗材料及び結晶配向の選択の仕方によって規定され
る。
抵抗素子は、抵抗値の変化分が絶対値の面では等しく
なり、即ち、２つの抵抗素子の抵抗変化分が他の対を成
す抵抗素子の抵抗変化分に対して同じ大きさになるも、
極性が反対となるように配置する。このようにするため
には、圧力荷重をかけた場合に： ａ） 対応する抵抗素子における機械的応力が反対極性
となり、しかもすべての抵抗素子に対する圧電抵抗定数
がほぼ等しくなるようにするか、又は； ｂ） すべての抵抗素子に対する機械的応力が同じ極性
となり、しかも対応する抵抗素子における圧電抵抗定数
の極性が反対となるように； 各抵抗素子を配置する必要がある。
なり、即ち、２つの抵抗素子の抵抗変化分が他の対を成
す抵抗素子の抵抗変化分に対して同じ大きさになるも、
極性が反対となるように配置する。このようにするため
には、圧力荷重をかけた場合に： ａ） 対応する抵抗素子における機械的応力が反対極性
となり、しかもすべての抵抗素子に対する圧電抵抗定数
がほぼ等しくなるようにするか、又は； ｂ） すべての抵抗素子に対する機械的応力が同じ極性
となり、しかも対応する抵抗素子における圧電抵抗定数
の極性が反対となるように； 各抵抗素子を配置する必要がある。
ダイアフラムが（111）結晶面に対して平行に延在す
る場合には、抵抗素子を前節ａ）に従って配置させる必
要がある。
る場合には、抵抗素子を前節ａ）に従って配置させる必
要がある。
前記文献から既知のように、250バール以下の圧力荷
重に対しては引張強さが高い（111）結晶面をシリコン
本体の基部として選択する。しかし、250バール以上の
圧力荷重に対してはセンサの電圧／圧力特性が不適切な
程度にまで非直線性となり、その非直線性は１％以上に
もなる。このような高い非直線性は、ダイアフラムの中
央部における外側面に極めて高い圧縮応力が作用し、ダ
イアフラムには引張応力が作用せず、しかもダイアフラ
ムの外側に作用する引張応力は極めて小さいと云うこと
に起因している。このような機械的応力分布が測定ブリ
ッジにおける抵抗値の変化を不均一とし、これが前述し
たような非直線性をまねいている。これがため、高圧荷
重に対して従来の圧力センサでは（100）結晶面を基部
として選択し、抵抗素子を前節ｂ）にて特定したように
配置している。このことは圧力センサの製造に対する２
番目の製造方法を意味し、従って高圧荷重に対しては基
部として（100）結晶面を有するシリコン本体を製造す
る必要があり、また低圧力荷重に対しては基部として
（111）結晶面を有するシリコン本体を製造する必要が
ある。
重に対しては引張強さが高い（111）結晶面をシリコン
本体の基部として選択する。しかし、250バール以上の
圧力荷重に対してはセンサの電圧／圧力特性が不適切な
程度にまで非直線性となり、その非直線性は１％以上に
もなる。このような高い非直線性は、ダイアフラムの中
央部における外側面に極めて高い圧縮応力が作用し、ダ
イアフラムには引張応力が作用せず、しかもダイアフラ
ムの外側に作用する引張応力は極めて小さいと云うこと
に起因している。このような機械的応力分布が測定ブリ
ッジにおける抵抗値の変化を不均一とし、これが前述し
たような非直線性をまねいている。これがため、高圧荷
重に対して従来の圧力センサでは（100）結晶面を基部
として選択し、抵抗素子を前節ｂ）にて特定したように
配置している。このことは圧力センサの製造に対する２
番目の製造方法を意味し、従って高圧荷重に対しては基
部として（100）結晶面を有するシリコン本体を製造す
る必要があり、また低圧力荷重に対しては基部として
（111）結晶面を有するシリコン本体を製造する必要が
ある。
抵抗素子を（拡散により）集積化するのではなく、そ
の代わりに薄膜抵抗で構成するようにしたシリコン本体
を具える圧力センサも既知である。この場合には、盲穴
状の空胴を具えているシリコン本体と薄膜抵抗との間
に、例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物の絶縁層
を設ける。250バールを超える圧力荷重がこのような圧
力センサに作用すると、このセンサの電圧／圧力特性が
許容できない程度に非直線性となることを確かめた。
の代わりに薄膜抵抗で構成するようにしたシリコン本体
を具える圧力センサも既知である。この場合には、盲穴
状の空胴を具えているシリコン本体と薄膜抵抗との間
に、例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物の絶縁層
を設ける。250バールを超える圧力荷重がこのような圧
力センサに作用すると、このセンサの電圧／圧力特性が
許容できない程度に非直線性となることを確かめた。
なお、欧州特許出願公開明細書EP−A 0 111 640にも
抵抗素子を前節ｂ）で特定化したように配置した圧力セ
ンサが開示されている。この圧力センサは、１つの円内
に配置され、しかも４つのダイアフラムを形成する盲穴
状の４つの空胴を具えている。ダイアフラムの各外側面
は（100）結晶面に対して平行に延在させている。円形
に配置するダイアフラムの外側における各ダイアフラム
の近傍、即ち接線方向の機械的応力と半径方向の機械的
応力との差が最大となる位置に４つの抵抗素子を配置し
ている。盲穴状の１個の大形空胴の代わりに盲穴状の４
つの空胴を用いることの目的は、圧力センサの破壊強さ
を高めることにある。
抵抗素子を前節ｂ）で特定化したように配置した圧力セ
ンサが開示されている。この圧力センサは、１つの円内
に配置され、しかも４つのダイアフラムを形成する盲穴
状の４つの空胴を具えている。ダイアフラムの各外側面
は（100）結晶面に対して平行に延在させている。円形
に配置するダイアフラムの外側における各ダイアフラム
の近傍、即ち接線方向の機械的応力と半径方向の機械的
応力との差が最大となる位置に４つの抵抗素子を配置し
ている。盲穴状の１個の大形空胴の代わりに盲穴状の４
つの空胴を用いることの目的は、圧力センサの破壊強さ
を高めることにある。
本発明の目的は高圧荷重の場合における電圧／圧力特
性の非直線性を低減させるように適切に構成配置した圧
力センサを提供することにある。
性の非直線性を低減させるように適切に構成配置した圧
力センサを提供することにある。
本発明は冒頭にて述べた種類の圧力センサにおいて、
前記シリコン本体に前記基板に向けて開放する他の空胴
を、前記ダイアフラムの縁部に配置する抵抗素子の両側
に設けたことを特徴とする。
前記シリコン本体に前記基板に向けて開放する他の空胴
を、前記ダイアフラムの縁部に配置する抵抗素子の両側
に設けたことを特徴とする。
この本発明による圧力センサでは、ダイアフラム用の
盲穴状の空胴以外の少なくとも１個の別の空胴をダイア
フラムの縁部に設ける。このような追加の空胴はいずれ
にしても外側抵抗素子の個所に設ける必要がある。少な
くとも１個の追加空胴を設けることにより、従来の圧力
センサに比べて基部における機械的引張力が十分に大き
くなる。この結果、センサの電圧／圧力特性の非直線性
が低減される。これがため、本発明による圧力センサは
250バール以下の圧力荷重用としてだけでなく、約1000
バールもの大きさに相当する圧力荷重用にも使用するこ
とができる。
盲穴状の空胴以外の少なくとも１個の別の空胴をダイア
フラムの縁部に設ける。このような追加の空胴はいずれ
にしても外側抵抗素子の個所に設ける必要がある。少な
くとも１個の追加空胴を設けることにより、従来の圧力
センサに比べて基部における機械的引張力が十分に大き
くなる。この結果、センサの電圧／圧力特性の非直線性
が低減される。これがため、本発明による圧力センサは
250バール以下の圧力荷重用としてだけでなく、約1000
バールもの大きさに相当する圧力荷重用にも使用するこ
とができる。
例えば２つの縦条溝状の空胴をダイアフラムの縁部に
位置させる抵抗素子に隣接して設けることができる。断
面が円形となるように盲穴空胴を形成し、かつこの盲穴
空胴のまわりに環状条溝として別の空胴を配置すること
もできる。このようにすれば、ダイアフラムと同じ製造
工程中にエッチング技法を用いて環状条溝を形成するこ
とができるため構成が簡単となる。
位置させる抵抗素子に隣接して設けることができる。断
面が円形となるように盲穴空胴を形成し、かつこの盲穴
空胴のまわりに環状条溝として別の空胴を配置すること
もできる。このようにすれば、ダイアフラムと同じ製造
工程中にエッチング技法を用いて環状条溝を形成するこ
とができるため構成が簡単となる。
さらに本発明の好適例では、前記盲穴空胴及び環状条
溝の深さをほぼ等しくし、これら２つの空胴間の距離を
ダイアフラムの直径のほぼ1/2とし、前記環状条溝の幅
をダイアフラムの直径の1/2とダイアフラムの全径との
間の値とする。このようにすれば、300〜1200バールの
圧力荷重で行った実験により確かめたように、センサの
電圧／圧力特性に対する非直線性を0.1％以下とするこ
とができる。
溝の深さをほぼ等しくし、これら２つの空胴間の距離を
ダイアフラムの直径のほぼ1/2とし、前記環状条溝の幅
をダイアフラムの直径の1/2とダイアフラムの全径との
間の値とする。このようにすれば、300〜1200バールの
圧力荷重で行った実験により確かめたように、センサの
電圧／圧力特性に対する非直線性を0.1％以下とするこ
とができる。
圧力センサは、ダイアフラムがシリコン本体の（11
1）結晶面に対して平行に延在し、かつ抵抗素子をそこ
に拡散するようにして構成することができる。
1）結晶面に対して平行に延在し、かつ抵抗素子をそこ
に拡散するようにして構成することができる。
抵抗素子は薄膜抵抗素子として構成することもでき、
この場合には結晶配向、即ちシリコン本体の基部の結晶
面は任意とすることができる。
この場合には結晶配向、即ちシリコン本体の基部の結晶
面は任意とすることができる。
以下図面につき本発明を説明する。
第１及び２図に示す圧力センサは、例えばアノードボ
ンディングによって基板２の上に配置した正方形のシリ
コン本体１を具えている。基板２は例えばガラス板とす
ることができる。シリコン本体１の基部３を（111）結
晶面に位置させ、この基部３を基板２とは反対側の外側
面で形成する。シリコン本体１内には断面が円形で、し
かも基板２の側に開いている盲穴状の空胴４を形成して
ある。この空胴４を設けることにより、（111）結晶面
に平行に延在する円形のダイアフラム５が形成され、こ
のダイアフラム上に４個の抵抗素子６〜９を配置する。
ンディングによって基板２の上に配置した正方形のシリ
コン本体１を具えている。基板２は例えばガラス板とす
ることができる。シリコン本体１の基部３を（111）結
晶面に位置させ、この基部３を基板２とは反対側の外側
面で形成する。シリコン本体１内には断面が円形で、し
かも基板２の側に開いている盲穴状の空胴４を形成して
ある。この空胴４を設けることにより、（111）結晶面
に平行に延在する円形のダイアフラム５が形成され、こ
のダイアフラム上に４個の抵抗素子６〜９を配置する。
抵抗素子６及び７はダイアフラム５の中央部に平行な
長手方向の細条で形成する。抵抗素子８及び９はダイア
フラム５の縁部に平行に配置したＵ字状の細条で形成
し、これらのＵ字状抵抗素子８及び９の開放側はダイア
フラム５とは反対側とする。しかし、これらの抵抗素子
８及び９の開放側はダイアフラムの側に向けることもで
きる。４個の抵抗素子６〜９はシリコン本体１に集積化
し、これらの抵抗素子を給電リード線（図示せず）に接
続して、これらの素子がホイーストンブリッジを形成し
得るようにする。
長手方向の細条で形成する。抵抗素子８及び９はダイア
フラム５の縁部に平行に配置したＵ字状の細条で形成
し、これらのＵ字状抵抗素子８及び９の開放側はダイア
フラム５とは反対側とする。しかし、これらの抵抗素子
８及び９の開放側はダイアフラムの側に向けることもで
きる。４個の抵抗素子６〜９はシリコン本体１に集積化
し、これらの抵抗素子を給電リード線（図示せず）に接
続して、これらの素子がホイーストンブリッジを形成し
得るようにする。
これまで述べた圧力センサは既知であり、これは250
バールまでの圧力荷重用に用いられる。それよりも高い
圧力荷重に対しては、１％を超える電圧／圧力特性の非
直線性が生じていた。本発明によれば斯かる非直線性を
低減させるために、シリコン本体１にさらに別の空胴を
設ける。この別の空胴は空胴４のまわりに断面がＵ字状
の環状条溝10の形態で配置し、この条溝は基板２の側を
開放させる。盲穴空胴４及び環状条溝10の深さはほぼ等
しくするのが好適である。環状条溝10の幅a1はダイアフ
ラム５の直径a2の1/2と、このダイアフラムの全径a2と
の間の範囲内の値とするのが好適であり、また２つの空
胴４と10との間の距離a3はダイアフラム５の直径a2のぼ
ぼ1/2に等しくする。実際に試験した所、このような圧
力センサによれば300〜1200バールの静水圧荷重の場合
に電圧／圧力特性の非直線性が0.1％以下となることを
確かめた。
バールまでの圧力荷重用に用いられる。それよりも高い
圧力荷重に対しては、１％を超える電圧／圧力特性の非
直線性が生じていた。本発明によれば斯かる非直線性を
低減させるために、シリコン本体１にさらに別の空胴を
設ける。この別の空胴は空胴４のまわりに断面がＵ字状
の環状条溝10の形態で配置し、この条溝は基板２の側を
開放させる。盲穴空胴４及び環状条溝10の深さはほぼ等
しくするのが好適である。環状条溝10の幅a1はダイアフ
ラム５の直径a2の1/2と、このダイアフラムの全径a2と
の間の範囲内の値とするのが好適であり、また２つの空
胴４と10との間の距離a3はダイアフラム５の直径a2のぼ
ぼ1/2に等しくする。実際に試験した所、このような圧
力センサによれば300〜1200バールの静水圧荷重の場合
に電圧／圧力特性の非直線性が0.1％以下となることを
確かめた。
第３図は、斯種の圧力センサの場合に、第１図の半径
方向及び接線方向の機械的応力成分に対する線II−IIに
沿う基部上の機械的応力の変化を示したものである。接
線方向の応力変化σｔを破線にて示してある。実線にて
示した半径方向の応力変化σｒには、ダイアフラムと環
状条溝との間に正の半径方向応力が生ずる。この正の半
径方向応力が本発明による圧力センサでは従来の圧力セ
ンサによるものよりも遥かに大きくなるために、電圧／
圧力特性の非直線性が著しく低減されるのである。
方向及び接線方向の機械的応力成分に対する線II−IIに
沿う基部上の機械的応力の変化を示したものである。接
線方向の応力変化σｔを破線にて示してある。実線にて
示した半径方向の応力変化σｒには、ダイアフラムと環
状条溝との間に正の半径方向応力が生ずる。この正の半
径方向応力が本発明による圧力センサでは従来の圧力セ
ンサによるものよりも遥かに大きくなるために、電圧／
圧力特性の非直線性が著しく低減されるのである。
第４図は他の圧力センサを示す。この圧力センサの構
成は、抵抗素子の配置以外は第１及び２図に示したもの
と同一である。この例のシリコン本体１も基板２上に配
置され、断面が円形の盲穴状の空胴４を具えている。こ
の空胴４のまわりに環状条溝10も配置する。空胴４によ
りダイアフラム５を形成する。この圧力センサでは結晶
配向を任意、即ち基部３を任意の結晶面に位置させるこ
とができる。
成は、抵抗素子の配置以外は第１及び２図に示したもの
と同一である。この例のシリコン本体１も基板２上に配
置され、断面が円形の盲穴状の空胴４を具えている。こ
の空胴４のまわりに環状条溝10も配置する。空胴４によ
りダイアフラム５を形成する。この圧力センサでは結晶
配向を任意、即ち基部３を任意の結晶面に位置させるこ
とができる。
第４図に示す圧力センサは、集積抵抗素子の代わりに
４つの薄膜抵抗素子を具えている。これらの薄膜抵抗素
子の内の２つの抵抗素子は、第１及び２図に示したのと
同じようにダイアフラム５の中央部に平行に配置される
長手方向の細条として形成する。他の２つの薄膜抵抗素
子11及び12はダイアフラム５の縁部に平行に配置される
Ｕ字状の細条で形成する。これらの薄膜抵抗素子11及び
12は、例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物で構成
し得る各絶縁層13,14によってシリコン本体１から離間
される。これら４つの薄膜抵抗素子もホイーストンブリ
ッジを形成し得るように給電リード線（図示せず）に接
続する。
４つの薄膜抵抗素子を具えている。これらの薄膜抵抗素
子の内の２つの抵抗素子は、第１及び２図に示したのと
同じようにダイアフラム５の中央部に平行に配置される
長手方向の細条として形成する。他の２つの薄膜抵抗素
子11及び12はダイアフラム５の縁部に平行に配置される
Ｕ字状の細条で形成する。これらの薄膜抵抗素子11及び
12は、例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物で構成
し得る各絶縁層13,14によってシリコン本体１から離間
される。これら４つの薄膜抵抗素子もホイーストンブリ
ッジを形成し得るように給電リード線（図示せず）に接
続する。
第４図に示す圧力センサは高圧荷重の場合でも電圧／
圧力特性が僅かな非直線性しか呈さなかった。
圧力特性が僅かな非直線性しか呈さなかった。
第１図は集積抵抗素子を有するシリコン本体を具えてい
る本発明による圧力センサの平面図； 第２図は第１図の圧力センサのII−II線上での縦断面
図； 第３図は第１図の圧力センサのII−II線に沿う半径方向
と接線方向の機械的応力の変化を示す特性図； 第４図はシリコン本体と薄膜抵抗素子を具える圧力セン
サの縦断面図である。 １……シリコン本体 ２……基板、３……シリコン本体の基部 ４……盲穴空胴、５……ダイアフラム 6,7,8,9……抵抗素子 10……環状条溝、11,12……抵抗素子 13,14……絶縁層
る本発明による圧力センサの平面図； 第２図は第１図の圧力センサのII−II線上での縦断面
図； 第３図は第１図の圧力センサのII−II線に沿う半径方向
と接線方向の機械的応力の変化を示す特性図； 第４図はシリコン本体と薄膜抵抗素子を具える圧力セン
サの縦断面図である。 １……シリコン本体 ２……基板、３……シリコン本体の基部 ４……盲穴空胴、５……ダイアフラム 6,7,8,9……抵抗素子 10……環状条溝、11,12……抵抗素子 13,14……絶縁層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−50479（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−109370（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−140669（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−10585（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−209867（ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】基板（２）上に配置され、かつ該基板に向
けて開放している盲穴状の空胴（４）を含むシリコン本
体（１）を具え、前記空胴によってシリコン本体の基部
に平行に延在するダイアフラム（５）を形成し、該ダイ
アフラムの外側面上に圧電抵抗性の抵抗素子（６〜9;1
1,12）から成るホイーストンブリッジを配置し、これら
の抵抗素子の内の２つの抵抗素子（6,7）を前記ダイア
フラム上の中心部に配置すると共に他の２つの抵抗素子
（8,9;11,12）をダイアフラムの縁部に配置した静圧荷
重用の圧力センサにおいて、前記シリコン本体（１）に
前記基板（２）に向けて開放する他の空胴（10）を、前
記ダイアフラムの縁部に配置する抵抗素子（8,9;11,1
2）の両側に設けたことを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】前記盲穴空胴（４）の断面を円形とし、前
記他の空胴を環状条溝として、該環状条溝が前記盲穴空
胴を囲むようにしたことを特徴とする請求項１に記載の
圧力センサ。 - 【請求項３】前記盲穴空胴（４）及び環状条溝（10）の
深さをほぼ等しくし、これら２つの空胴（4,10）間の距
離（a3）をダイアフラム（５）の直径（a2）のほぼ1/2
とし、前記環状条溝（10）の幅（a1）をダイアフラム
（５）の直径（a2）の1/2とダイアフラムの全径との間
の値としたことを特徴とする請求項２に記載の圧力セン
サ。 - 【請求項４】前記ダイアフラム（５）を前記シリコン本
体（１）の（111）結晶面に平行に位置させ、該ダイア
フラムに抵抗素子（６〜９）を拡散により形成したこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の圧力セン
サ。 - 【請求項５】前記抵抗素子を薄膜抵抗素子（11,12）で
形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の圧力センサ。
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