DE3685950D1 - Halbleiterspeicher mit einer pruefschaltung. - Google Patents

Halbleiterspeicher mit einer pruefschaltung.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03253000A (ja) * 1990-03-01 1991-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
DE19612441C2 (de) * 1996-03-28 1998-04-09 Siemens Ag Schaltungsanordnung mit einer Testschaltung
US7319623B1 (en) * 2004-11-04 2008-01-15 Spansion Llc Method for isolating a failure site in a wordline in a memory array

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3000297A (en) * 1959-07-23 1961-09-19 Warshawsky Leon Milton Computer plugboard verifier
FR2334170A1 (fr) * 1975-12-05 1977-07-01 Honeywell Bull Soc Ind Memoire morte integree
JPS5828679B2 (ja) * 1979-04-25 1983-06-17 富士通株式会社 半導体記憶装置の書込み回路
US4276617A (en) * 1979-06-28 1981-06-30 Raytheon Company Transistor switching circuitry
US4399521A (en) * 1980-09-26 1983-08-16 Nippon Electric Co., Ltd. Monolithic integrated circuit
US4385368A (en) * 1980-11-24 1983-05-24 Raytheon Company Programmable read only memory
JPS57105898A (en) * 1980-12-23 1982-07-01 Fujitsu Ltd Field programmable element
JPS58208998A (ja) * 1982-05-28 1983-12-05 Toshiba Corp 半導体ｃｍｏｓメモリ
US4595875A (en) * 1983-12-22 1986-06-17 Monolithic Memories, Incorporated Short detector for PROMS

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