DE3633311A1 - Elektrolumineszenzvorrichtung - Google Patents
ElektrolumineszenzvorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-
Elektrolumineszenzvorrichtung, die zur Emission von weißem
Licht befähigt ist.
Für die Emission von weißem Licht mit herkömmlichen
Elektrolumineszenzvorrichtungen sind die folgenden drei
Methoden bekannt:
(1) Zusatz eines einzigen Aktivators für die Emission von
weißem Licht zu einem einzigen Grundmaterial zur
Erzielung von mehrfachen Elektronenübergangen;
(2) Zusatz mehrerer Aktivatoren zu einem einzigen
Grundmaterial, um eine additive Vermischung der
verschiedenen emittierten Lichtfarben zu weißem Licht
zu erzielen;
(3) Überlagerung mehrerer Elektrolumineszenz (im folgenden:
EL)-Emissionsschichten, die jeweils einen einzigen
Aktivator in einem einzigen Grundmaterial enthalten,
so daß sich die jeweiligen EL-Emissionslichtfarben
zu weißem Licht addieren.
Diese Methoden haben jedoch die folgenden Mängel. Für die
erstgenannte Methode steht derzeit nur Praseodym (Pr) als
Aktivator zur Verfügung und auch die mit dieser Methode
erzielbare Helligkeit ist für die Praxis ungenügend.
Die zweite Methode mag zwar möglich sein, jedoch ist bisher
noch keine Kombination von mehreren Aktivatoren mit einem
einzigen Grundmaterial bekannt, die durch Addition des von
jedem Aktivator erzeugten EL-Lichts weißes Licht ergibt.
Selbst wenn eine derartige Kombination entdeckt würde, ist
bereits jetzt vorherzusehen, daß die Gesamthelligkeit
aufgrund der Wechselwirkung der verwendeten Aktivatoren
nur außerordentlich gering sein wird bzw. es sehr
schwierig sein wird, den Schwellenwert des elektrischen
Felds für jede EL-Emission zu harmonisieren, um eine weiße
Lichtemission zu erhalten.
Angesichts der Probleme mit den beiden erstgenannten
Methoden, scheint die dritte Methode am
erfolgversprechendsten zu sein. Tatsächlich sind zahlreiche
Vorschläge gemacht worden, die die Übereinanderschichtung
mehrerer EL-Emissionsschichten betreffen. Diese
herkömmlichen Methoden haben jedoch den Nachteil, daß
(1) bei der sogenannten blauen EL-Emission mit Emissions-
Wellenlängen im Bereich von 400 bis 500 nm keine ausreichende
Helligkeit erzielbar ist, (2) die Spannungs-Helligkeit-
Charakteristiken zwischen den einzelnen EL-Emissionsschichten
so unterschiedlich sind, daß durch Addition des von jeder
EL-Emissionsschicht emittierten Lichts kein verwertbares
weißes Licht erhalten wird, und (3) ein unabhängiges
Ansteuersystem für jede EL-Emissionsschicht erforderlich
ist. Aufgrund dieser Nachteile steht noch keine brauchbare
EL-Vorrichtung gemäß der dritten Methode zur Verfügung.
Ziel der Erfindung ist es, eine Dünnfilm-EL-Vorrichtung
bereitzustellen, welche die genannten Nachteile vermeidet
und befähigt ist, weißes Licht mit hoher Helligkeit zu
emittieren.
Erfindungsgemäß wurde nun gefunden, daß weißes Licht durch
additives Mischen von EL-Licht aus mehreren verschiedenen,
übereinander angeordneten EL-Emissionsschichten erhalten
werden kann.
Gegenstand der Erfindung ist eine EL-Vorrichtung, die eine
SrS-Schicht mit Ce als Aktivator und eine ZnS-Schicht mit
Mn als Aktivator aufweist.
Bisher wurde angenommen, daß zur Erzielung von weißem Licht
eine blaue, eine grüne und eine rote EL-Emissionsschicht
erforderlich seien. Im Gegensatz dazu wird erfindungsgemäß
eine weiße Lichtemission von ausreichender Helligkeit mit
nur zwei übereinander angeordneten EL-Emissionsschichten
erzielt, nämlich einer SrS : Ce-Schicht und einer ZnS : Mn-
Schicht.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch eine
erfindungsgemäße EL-Vorrichtung;
Fig. 2 ein EL-Spektrum der Vorrichtung von Fig. 1.
Eine erfindungsgemäße Dünnfilm-EL-Vorrichtung mit dem in
Fig. 1 gezeigten Aufbau wird folgendermaßen hergestellt:
Auf ein Glassubstrat (1) (Nr. 7059 von Corning Glass Works)
werden nacheinander durch Elektronenstrahlverdampfung eine
transparente ITO-Elektrodenschicht (2) mit einer Dicke von
50 nm und eine erste Y2O3-Isolierschicht (3 a) mit einer
Dicke von 300 nm aufgebracht.
Auf die Y2O3-Isolierschicht (3 a) wird eine ZnS-Schicht,
die 1 Molprozent Mn enthält und als erste EL-Emissionsschicht
dient (im folgenden: erste ZnS : Mn-Schicht (4 a)), in einer
Dicke von 200 nm bei einer Substrattemperatur von 200°C
durch Elektronenstrahlverdampfung aufgebracht.
Auf die erste EL-Emissionsschicht wird eine SrS-Schicht,
die 0,1 Molprozent Ce enthält und als zweite EL-
Emissionsschicht dient (im folgenden SrS : Ce-Schicht (5))
in einer Dicke von 1,2 µm bei einer Substrattemperatur von
350°C durch Elektronenstrahlverdampfung aufgebracht.
Auf die zweite EL-Emissionsschicht wird eine zweite ZnS : Mn-
Schicht (4 b) derselben Zusammensetzung wie die erste ZnS : Mn-
Schicht (4 a) durch Elektronenstrahlverdampfung auf dieselbe
Weise und in derselben Dicke wie bei der ersten EL-
Emissionsschicht aufgebracht.
Auf die zweite ZnS : Mn-Schicht (4 b) wird dann eine zweite
Y2O3-Isolierschicht (3 b) durch Elektronenstahlverdampfung
auf dieselbe Weise und in derselben Dicke wie die erste
Isolierschicht (3 a) aufgebracht. Schließlich bildet man
auf der zweiten Y2O3-Isolierschicht (3 b) eine
Rückelektrodenschicht (6) aus Aluminium aus.
Bei der erhaltenen EL-Vorrichtung ist zwischen den beiden
ZnS : Mn-Schichten (4 a) und (4 b) eine SrS : Ce-Emissionsschicht
(5) angeordnet. Durch diesen Aufbau wird vermieden, daß
die strukturell instabile SrS : Ce-Schicht (5) in direkten
Kontakt mit den beiden Y2O3-Isolierschichten (3 a) und (3 b)
kommt.
An die transparente ITO-Elektrode (2) und die
Rückelektrodenschicht (6) der erhaltenen Dünnfilm-EL-
Vorrichtung wird eine sinusförmige 5 kHz-
Wechselstromspannung von 240 V angelegt, wobei man eine
weiße Lichtemission mit einer Helligkeit von 1200 cd/m2
und dem in Fig. 2 gezeigten Spektrum erhält.
Erfindungsgemäß kann eine weiße EL-Lichtemission von hoher
Helligkeit durch Verwendung eines einzigen Ansteuersystems
mit zwei Anschlüssen erhalten werden.
Erfindungsgemäß wird weißes EL-Licht durch additives Mischen
der blaugrünen EL-Emission der SrS : Ce-Schicht (5) und der
orangen EL-Emission der ZnS : Mn-Schichten (4 a) und (4 b)
erzielt. Zu diesem Zweck können die beiden Schichten
lediglich übereinander angeordnet werden. Alternativ kann
man einen mehrschichtigen Aufbau anwenden, z. B. einen
dreischichtigen Aufbau aus der SrS : Ce-Schicht zwischen zwei
ZnS : Mn-Schichten, wie in dem vorstehenden Beispiel, oder
eine ZnS : Mn-Schicht zwischen zwei SrS : Ce-Schichten, oder
einen mehrschichtigen Aufbau, bei dem mehrere Paare aus
einer ZnS : Mn-Schicht und einer SrS : Ce-Schicht übereinander
angeordnet sind.
Bei jeder dieser Konstruktionen kann das
Helligkeitsverhältnis der blaugrünen EL-Emission aus der
SrS : Ce-Schicht zu der orangenen EL-Emission aus der ZnS : Mn-
Schicht durch Einstellen des Dickenverhältnisses beider
Schichten so reguliert werden, daß weißes Licht entsteht.
In dem vorstehenden Beispiel wird Y2O3 als Material für
die Isolierschicht verwendet. Statt dessen können jedoch
auch Oxide, wie SiO2, Ta2O5 oder Al2O3, Nitride, wie Si3N4
oder AlN, sowie Wolframbronze-Ferroelektrika oder Perowskit-
Ferroelektrika einzeln oder in Kombination angewandt werden.
Als Material für die transparente Elektrodenschicht eignet
sich z. B. ZnO : Al anstelle von ITO.
Für das Substrat können beliebige in der einschlägigen
Technik angewandte Materialien verwendet werden, z. B.
Keramikmaterialien und hitzebeständiges Glas, das relativ
geringe Mengen an Alkalikomponenten enthält.
Claims (9)
1. Elektrolumineszenzvorrichtung, gekennzeichnet durch
eine SrS-Schicht, die Ce als Aktivator enthält, und
eine ZnS-Schicht, die Mn als Aktivator enthält.
2. Elektrolumineszenzvorrichtung, gekennzeichnet durch
ein Substrat, eine auf dem Substrat ausgebildete
Elektrode, eine auf die Elektrode aufgebrachte
mehrschichtige Elektrolumineszenzschicht, die zumindest
(1) eine ZnS : Mn-Lumineszenzschicht, die ZnS sowie als
Aktivator Mn enthält und (2) eine SrS : Ce-
Lumineszenzschicht umfaßt, die SrS sowie als Aktivator
Ce enthält, eine auf der mehrschichtigen
Lumineszenzschicht vorgesehene Rückelektrode und
zumindest eine Isolierschicht zwischen einer der beiden
Elektroden und der mehrschichtigen Lumineszenzschicht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat aus hitzebeständigem Glas oder Keramik
hergestellt ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Elektrode aus ITO oder ZnO : Al
hergestellt ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die mehrschichtige Lumineszenzschicht
außerdem eine SrS : Ce-Lumineszenzschicht, die SrS sowie
als Aktivator Ce enthält, zwischen der ZnS : Mn-
Lumineszenzschicht und der SrS : Ce-Lumineszenzschicht
aufweist.
6. Vorrichtung nach einem der Anprüche 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die mehrschichtige Lumineszenzschicht
außerdem eine ZnS : Mn-Lumineszenzschicht, die ZnS sowie
als Aktivator Mn enthält, zwischen der ZnS : Mn-
Lumineszenzschicht und der SrS : Ce-Lumineszenzschicht
aufweist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die mehrschichtige Lumineszenzschicht
mehrere Paare der ZnS : Mn-Lumineszenzschicht und der
SrS : Ce-Lumineszenzschicht, die alternativ übereinander
angeordnet sind, umfaßt.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus Y2O3, SiO2,
Ta2O5, Al O3, Si3N4, AlN, Wolframbronze-Ferroelektrika
oder Perowskit-Ferroelektrika hergestellt ist.
9. Elektrolumineszenzvorrichtung, gekennzeichnet durch
ein transparentes Substrat, eine auf dem Substrat
ausgebildete transparente Elektrode, eine auf die
transparente Elektrode aufgebrachte erste Isolierschicht,
eine auf die Isolierschicht aufgebrachte erste ZnSI : Mn-
Lumineszenzschicht, die ZnS sowie als Aktivator Mn
enthält, eine auf die ZnS : Mn-Lumineszenzschicht
aufgebrachte SrS : Ce-Lumineszenzschicht, die SrS sowie
als Aktivator Ce enthält, eine auf die SrS : Ce-
Lumineszenzschicht aufgebrachte zweite ZnS : Mn-
Lumineszenzschicht, die ZnS sowie als Aktivator Mn
enthält, eine zweite Isolierschicht auf der zweiten
ZnS : Mn-Lumineszenzschicht und eine Rückelektrodenschicht
auf der zweiten Isolierschicht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215157A JPH086086B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3633311A1 true DE3633311A1 (de) | 1987-04-02 |
DE3633311C2 DE3633311C2 (de) | 1991-01-31 |
Family
ID=16667601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863633311 Granted DE3633311A1 (de) | 1985-09-30 | 1986-09-30 | Elektrolumineszenzvorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4727003A (de) |
JP (1) | JPH086086B2 (de) |
DE (1) | DE3633311A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0249942A2 (de) * | 1986-06-19 | 1987-12-23 | Tosoh Corporation | Dünnschicht-Elektrolumineszenzlagenmaterial |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6113595A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
JPS63158792A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-01 | 日本電気株式会社 | 電界発光素子 |
JPS63224190A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-19 | 株式会社日立製作所 | El素子 |
US4857416A (en) * | 1987-12-31 | 1989-08-15 | Loctite Luminescent Systems, Inc. | Infra-red emitting electroluminescent lamp structures |
JPH0451495A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Komatsu Ltd | 薄膜el素子 |
US5641582A (en) * | 1992-04-16 | 1997-06-24 | Komatsu Ltd. | Thin-film EL element |
US6600175B1 (en) * | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
FI105313B (fi) * | 1998-06-03 | 2000-07-14 | Planar Systems Oy | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi |
US6771019B1 (en) | 1999-05-14 | 2004-08-03 | Ifire Technology, Inc. | Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties |
JP2001043977A (ja) | 1999-05-27 | 2001-02-16 | Tdk Corp | 発光ダイオード |
JP2002184581A (ja) | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
US20080074583A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | Intematix Corporation | Photo-luminescence color liquid crystal display |
US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
US20080029720A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
US20080151143A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-06-26 | Intematix Corporation | Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays |
US20080192458A1 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-14 | Intematix Corporation | Light emitting diode lighting system |
US7972030B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-07-05 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
US8203260B2 (en) * | 2007-04-13 | 2012-06-19 | Intematix Corporation | Color temperature tunable white light source |
US7703943B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-04-27 | Intematix Corporation | Color tunable light source |
US8783887B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-07-22 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
US7915627B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-03-29 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
US8740400B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-06-03 | Intematix Corporation | White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation |
US8567973B2 (en) * | 2008-03-07 | 2013-10-29 | Intematix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
US20100027293A1 (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | Intematix Corporation | Light Emitting Panel |
US8822954B2 (en) * | 2008-10-23 | 2014-09-02 | Intematix Corporation | Phosphor based authentication system |
US8390193B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-03-05 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
US8651692B2 (en) * | 2009-06-18 | 2014-02-18 | Intematix Corporation | LED based lamp and light emitting signage |
US9293667B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors |
US20110110095A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-05-12 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with passive cooling |
US8779685B2 (en) * | 2009-11-19 | 2014-07-15 | Intematix Corporation | High CRI white light emitting devices and drive circuitry |
US20110149548A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Intematix Corporation | Light emitting diode based linear lamps |
US20110215348A1 (en) * | 2010-02-03 | 2011-09-08 | Soraa, Inc. | Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials |
US8888318B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Intematix Corporation | LED spotlight |
US8807799B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-08-19 | Intematix Corporation | LED-based lamps |
US8946998B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | LED-based light emitting systems and devices with color compensation |
JP6069205B2 (ja) | 2010-10-05 | 2017-02-01 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント |
US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
US9004705B2 (en) | 2011-04-13 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
US8992051B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
US20130088848A1 (en) | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
US9115868B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion |
US9365766B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-06-14 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion |
US9252338B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-02-02 | Intematix Corporation | Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion |
US8994056B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | LED-based large area display |
US20140185269A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Intermatix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
US9217543B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-22 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns |
CN105121951A (zh) | 2013-03-15 | 2015-12-02 | 英特曼帝克司公司 | 光致发光波长转换组件 |
US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
EP3274765A4 (de) | 2015-03-23 | 2018-10-17 | Intematix Corporation | Photolumineszenzfarbanzeige |
US11464087B2 (en) | 2016-09-02 | 2022-10-04 | Lumineq Oy | Inorganic TFEL display element and manufacturing |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2432503B2 (de) * | 1973-07-05 | 1978-05-24 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Elektrolumineszenzelement |
US4365184A (en) * | 1976-06-01 | 1982-12-21 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Phosphors |
DE3320882A1 (de) * | 1982-06-19 | 1983-12-22 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Elektroluminiszenz-element |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3291668A (en) * | 1962-09-19 | 1966-12-13 | Julius Goldstein & Sons Co | Phosphorescent coated textile |
US3617332A (en) * | 1969-06-24 | 1971-11-02 | Westinghouse Electric Corp | Method for stabilizing alkaline-earth metal sulfide phosphors |
JPS5186991A (en) * | 1975-01-28 | 1976-07-30 | Sharp Kk | Hakumakuhatsukososhi |
JPS598379B2 (ja) * | 1978-02-03 | 1984-02-24 | 化成オプトニクス株式会社 | 着色螢光体およびその製造方法 |
JPS5615115A (en) * | 1979-07-14 | 1981-02-13 | Showa Electric Wire & Cable Co | Method of laying cable |
JPS598040B2 (ja) * | 1979-12-06 | 1984-02-22 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
JPS57102983A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroluminescent element |
US4376145A (en) * | 1980-12-22 | 1983-03-08 | W. H. Brady Co. | Electroluminescent display |
DE3367039D1 (en) * | 1982-05-28 | 1986-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film electric field light-emitting device |
JPS598040A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Toshiba Corp | マイクロコンピユ−タの入力信号同期回路 |
JPS623427A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-09 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60215157A patent/JPH086086B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-09-25 US US06/911,367 patent/US4727003A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-30 DE DE19863633311 patent/DE3633311A1/de active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2432503B2 (de) * | 1973-07-05 | 1978-05-24 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Elektrolumineszenzelement |
US4365184A (en) * | 1976-06-01 | 1982-12-21 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Phosphors |
DE3320882A1 (de) * | 1982-06-19 | 1983-12-22 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Elektroluminiszenz-element |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
"Applied Phys. Lett. ", Bd. 41, 1982, Nr. 5, S. 462-464 * |
Dr.P.J. Bouma: "Farbe und Farbwahrnehmung", N.V.Philips Gl., Eindhoven, 1951, S. 60-64 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0249942A2 (de) * | 1986-06-19 | 1987-12-23 | Tosoh Corporation | Dünnschicht-Elektrolumineszenzlagenmaterial |
EP0249942A3 (de) * | 1986-06-19 | 1989-08-09 | Tosoh Corporation | Dünnschicht-Elektrolumineszenzlagenmaterial |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4727003A (en) | 1988-02-23 |
JPS6274986A (ja) | 1987-04-06 |
JPH086086B2 (ja) | 1996-01-24 |
DE3633311C2 (de) | 1991-01-31 |
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