DE3624384C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3624384C2
DE3624384C2 DE19863624384 DE3624384A DE3624384C2 DE 3624384 C2 DE3624384 C2 DE 3624384C2 DE 19863624384 DE19863624384 DE 19863624384 DE 3624384 A DE3624384 A DE 3624384A DE 3624384 C2 DE3624384 C2 DE 3624384C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
counter plate
photoresist
radiation
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19863624384
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3624384A1 (de
Inventor
Michael G. Bethesda Md. Us Ury
John C. Gaithersburg Md. Us Matthews
Stuart N. Germantown Md. Us Rounds
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fusion Systems Corp
Original Assignee
Fusion Systems Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fusion Systems Corp filed Critical Fusion Systems Corp
Publication of DE3624384A1 publication Critical patent/DE3624384A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3624384C2 publication Critical patent/DE3624384C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
DE19863624384 1985-07-19 1986-07-18 Vorrichtung zum entfernen einer photoresistschicht von einem substrat Granted DE3624384A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75668885A 1985-07-19 1985-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3624384A1 DE3624384A1 (de) 1987-01-29
DE3624384C2 true DE3624384C2 (enrdf_load_stackoverflow) 1988-11-10

Family

ID=25044626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863624384 Granted DE3624384A1 (de) 1985-07-19 1986-07-18 Vorrichtung zum entfernen einer photoresistschicht von einem substrat

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0628254B2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE3624384A1 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2588508B2 (ja) * 1986-05-23 1997-03-05 日立東京エレクトロニクス株式会社 処理装置
JPH06103661B2 (ja) * 1986-12-25 1994-12-14 東京エレクトロン株式会社 アツシング装置
JPS63310118A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Ube Ind Ltd オゾン反応処理方法
JP2801003B2 (ja) * 1987-06-26 1998-09-21 株式会社日立製作所 有機物除去装置
JPH01175231A (ja) * 1987-12-29 1989-07-11 Fujitsu Ltd アッシング方法
JP2574838B2 (ja) * 1988-01-18 1997-01-22 株式会社日立製作所 Ａｌのスパッタエッチング装置
JPH0713215Y2 (ja) * 1988-01-19 1995-03-29 日本電気株式会社 半導体のレジストアッシング装置
JP2932275B2 (ja) * 1988-09-05 1999-08-09 株式会社日立製作所 有機物除去装置
JP2929196B2 (ja) * 1988-09-13 1999-08-03 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
JPH088243B2 (ja) * 1989-12-13 1996-01-29 三菱電機株式会社 表面クリーニング装置及びその方法
DE4238586A1 (de) * 1992-11-16 1994-05-19 Inst Halbleiterphysik Gmbh Vorrichtung zur Feinstreinigung scheibenförmiger Objekte
GB2285141B (en) * 1993-12-23 1998-03-11 Motorola Ltd Method of removing photo resist
JP2764690B2 (ja) * 1994-05-20 1998-06-11 東京エレクトロン株式会社 アッシング方法及びアッシング装置
JP5987815B2 (ja) * 2013-12-06 2016-09-07 ウシオ電機株式会社 アッシング方法およびアッシング装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3664899A (en) * 1969-12-29 1972-05-23 Gen Electric Removal of organic polymeric films from a substrate
US4341592A (en) * 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
JPH0612766B2 (ja) * 1983-03-04 1994-02-16 株式会社精密エンタプライズ 光照射装置
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
JPH0691048B2 (ja) * 1985-05-17 1994-11-14 日本真空技術株式会社 基板乾処理の方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3624384A1 (de) 1987-01-29
JPH0628254B2 (ja) 1994-04-13
JPS62290134A (ja) 1987-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3624384C2 (enrdf_load_stackoverflow)
EP0009558B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Modifizierung einer Oberfläche mittels Plasma
DE2635066A1 (de) Verfahren zum entfernen einer photoresistschicht von einer substratoberflaeche und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE69936131T9 (de) Verfahren und vorrichtung zur entfernung eines photoresistfilms
DE2140092C3 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten auf Substraten
DE3821093A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von oberflaechen
DE1966237A1 (de) Verfahren zur Erhoehung des Gradienten von Stoerstellenkonzentrationen
DE2534158A1 (de) Halbleiteraufbau und verfahren zu seiner herstellung
DE3416470A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitern im trockenverfahren unter verwendung einer fotochemischen reaktion
DE4217836C2 (de) Photolackentfernungsverfahren
DE102005030338A1 (de) Dünnfilm-Ätzverfahren und Verfahren zum Herstellen eines Flüssigkristalldisplays unter Verwendung desselben
DE3221180A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DD295142A5 (de) Verfahren und anlage zur behandlung von mit schadstoffen belasteten fluessigkeiten
EP0225501A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien
EP0048288B1 (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleiterbauelementen mittels Ionenimplantation
DE19534574C2 (de) Dotierverfahren zur Herstellung von Homoübergängen in Halbleitersubstraten
DE1564963B2 (de) Verfahren zum herstellen eines stabilisierten halbleiter bauelements
DE3925070C2 (de) Verfahren zum Erhalt einer sauberen Siliziumoberfläche
DE3330032A1 (de) Behandlungsverfahren zum herbeifuehren plastischen fliessens einer glasschicht auf einem halbleiterplaettchen
DE1544275A1 (de) Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE19509261A1 (de) Licht/Ozon-Verascher, Lichtveraschungsverfahren und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE60021302T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines Werkstoffes mit elektromagnetischer Strahlung in einer kontrollierten Atmosphäre
DE19957034A1 (de) Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten und Vorrichtung
DE4010595C2 (enrdf_load_stackoverflow)
EP0508338A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Photolyse von organischen Schadstoffen in Wasser

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee