DE3614079A1 - Einkristall einer iii/v-verbindung, insbesondere gaas und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Einkristall einer Verbindung der IIIb-Vb-Gruppe (nachfolgend als "III/V-Einkristall" bezeichnet), insbesondere einen Galliumarsenid (GaAs)- Einkristall mit geringer Versetzungsdichte und ein Herstel­ lungsverfahren dafür, insbesondere ein Schutzschmelzverfah­ ren nach Czochralski (nachfolgend als "LEC-Verfahren" be­ zeichnet).

Der GaAs-Einkristall hat eine hohe Elektronenbe­ weglichkeit und wird deswegen weit verbreitet für Bauelemente im UHF- oder SHF-Bereich, für Hochgeschwindig­ keitsschaltelemente und als Substrat von integrierten Schaltkreisen (ICs) verwendet (Hideki Hasegawa, "Informa­ tion Processing" 25 (1), S. 37-46 (1984)).

Wenn ein III/V-Einkristall wie z. B. GaAs für die oben bezeichneten elektronischen Bauelemente und als IC-Substrat verwendet wird, verlangt man von ihm als Eigenschaften eine hohe Reinheit, eine hohe Ordnung im Kristall und einheitli­ che elektrische Eigenschaften. Für das IC-Substrat ist eine Halbleitereigenschaft erforderlich.

Versetzungen, die die Ordnung im Kristall vermindern, ver­ ursachen Fehlfunktionen in ICs. Um damit den III/V-Einkri­ stall als Substrat für hochintegrierte Schaltkreise und für FETs mit hoher Ausgangsleistung und großer Chipfläche zu verwenden, wird zunächst ein III/V-Einkristall mit geringer Versetzungsdichte hergestellt und dann in Wafer geschnit­ ten. Das LEC-Verfahren wird für die Herstellung eines GaAs- Einkristalls zum Einsatz als Substrat eines ICs o. ä. verwendet, weil das so hergestellte GaAs einen großen Durchmesser und einen hohen Reinheitsgrad hat, der benötigt wird, um die Aktivierungsrate von in ein GaAs- Substrat implantierten Ionen zu erhöhen (Bulletin of the Japan Institute of Metals, Vol. 23 (1984), Nr. 7, S. 586 bis 592).

Beim LEC-Verfahren bedeckt die B₂O₃-Schmelze, die eine Umkapselung darstellt, die Oberfläche der Schmelze der Verbindung aus der IIIb-Vb-Gruppe (nachfolgend als III/V- Verbindung bezeichnet). Der Temperaturgradient über der Schicht der B₂O₃-Schmelze kann bis zu 100°C/cm betragen und wird deshalb als hoch angesehen im Vergleich zu dem Züchtungsverfahren mit horizontalen Booten. Der GaAs- Einkristall, der aus der GaAs-Schmelze gezogen wird, erfährt beim Durchgang durch die Schicht der B₂O₃-Schmelze eine große thermische Belastung. Diese thermische Belastung ist eine Ursache für die Entstehung einer Anzahl von Versetzungen in dem III/V Einkristall. Die Verset­ zungsdichte ausgedrückt als Ätzgruppendichte (etch pit density, EPD) des mit dem LEC-Verfahren hergestellten GaAs-Einkristalls reicht im allgemeinen von etwa 10⁴ bis 10⁵ cm^-2. Die Versetzungsverteilung eines mit dem LEC- Verfahren hergestellten GaAs-Einkristalls in einer zur Ziehrichtung senkrechten Ebene ist am höchsten entlang der Peripherie und hat im Zentrum des III/V-Einkristalls ihren nächsthöchsten Wert. Die Versetzungsdichte kann deshalb als von W-förmiger Gestalt gesehen werden, wobei ein Bereich mit geringer Versetzungsdichte um das Zentrum herum gebildet und von den äußeren Bereichen der höchsten Versetzungsdichte umschlossen wird.

B. Jacob beschreibt in "Semi-Insulating III-V-Materials" S. Makram-Ebid et al, Hrsg., S. 2 bis 18 (1984), Shiva Publishing Ltd. ein Verfahren zur Herabsetzung der Versetzungen durch Zugabe von Indium, das eine elektrisch neutrale Verunreinigung darstellt, zum GaAs. Nach dieser Methode wird ein GaAs-Einkristall aus der Schmelze gezogen, zu der metallisches Indium in Höhe von 10¹⁸ bis 10²⁰ cm^-3 gegeben wurde, und die Versetzungsdichte wird durch diese In-Zugabe beachtlich vermindert.

Die Erfinder der vorliegenden Erfindung untersuchten die Versetzungsdichte von mit dem LEC-Verfahren hergestellten III/V-Einkristallen und fanden, daß im EPD-Wert von (100) eine beachtliche Verminderung auftrat. Trotzdem wurden in verschiedenen GaAs-Einkristallen Ätzgruppen gefunden, die linear in <110<-Richtung um die Peripherie angeordnet waren und der EPD-Wert überstieg gelegentlich 1 × 10⁴ cm^-2 im Bereich der Ätzgruppen.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen III/V-Einkristall zur Verfügung zu stellen, der frei von örtlich hohen EPD-Werten ist und somit über den ganzen Kristall einen niedrigen EPD-Wert hat.

Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein LEC-Verfahren zum Züchten einer III/V-Verbindung zu verbessern und dadurch örtlich hohe EPD-Werte in einer Ebene senkrecht zur Ziehrichtung zu verhindern.

III/V-Einkristall

Der erfindungsgemäße III/V-Einkristall ist dadurch gekennzeichnet, daß er von 1 × 10¹⁷ bis 8 × 10¹⁹ cm^-3 Sauerstoff enthält.

Wenn die Sauerstoffkonzentration des III/V-Einkristalls kleiner als 1 × 10¹⁷ cm^-3 ist, wird die Anzahl linearer Ätzgruppen beachtlich und somit kann das Phänomen eines örtlich hohen EPD-Wertes nicht verhindert werden. Wenn andererseits die Sauerstoffkonzentration 8 × 10¹⁹ cm^-3 übersteigt, werden die kristallinen Eigenschaften verschlechtert. Die Verbindungen der IIIb-Vb-Gruppe (III/V- Verbindungen) sind GaAs, InAs und InP.

Die In-Konzentration des III/V-Einkristalls beträgt bevorzugt von 1 × 10¹⁸cm bis 1 × 10²⁰cm^-3. Bei einer In- Konzentration unterhalb von 1 × 10¹⁸ cm^-3 neigt der EPD- Wert zur Zunahme. Wenn andererseits die In-Konzentration des GaAs-Einkristalls 1 × 10²⁰ cm^-3 übersteigt, neigt der III/V-Einkristall zum Verspröden und es tritt eine Neigung zu nachteiliger Fällung von In o. ä. auf. Eine besonders bevorzugte In-Konzentration beträgt von 2 × 10¹⁹ bis 5 × 10¹⁹ cm^-3.

Sauerstoff und Indium enthaltender GaAs-Einkristall

Dieser GaAs-Einkristall kann durch Züchten von GaAs aus einer GaAs-Schmelze hergestellt werden, zu der von 1 × 10¹⁹ bis 1 × 10²¹ cm^-3 In und von 1 × 10¹⁸ bis 2 × 10²¹ cm^-3 Sauerstoff zugesetzt wurde. Die zugesetzten Konzentrationen von In- und Sauerstoff betragen bevorzugt von 2 × 10²⁰ bis 5 × 10²¹ cm^-3 bzw. von 1 × 10¹⁸ bis 3 × 10¹⁹ cm ^-3. Die Zugabekonzentration bedeutet dabei die Anzahl von In- oder Sauerstoff-Atomen, die zu 1 cm³ der Schmelze gegeben wird. Wenn die Zugabekonzentrationen außerhalb der oben angegebenen Bereiche liegen, kann die bevorzugte Konzentration an In und erforderlichem Sauerstoff in dem GaAs-Einkristall nicht gewährleistet werden.

Die Zugabe von Indium und Sauerstoff zur GaAs-Schmelze wird bevorzugt unter Verwendung von Indiumoxid (In₂O₃) durchgeführt. In diesem Falle wird Indiumoxid zugegeben, um eine In-Konzentration von 1 × 10¹⁹ bis 1 × 10²¹ cm^-3 in der GaAs-Schmelze zu erhalten. Alternativ kann man In und Sauerstoff getrennt zugeben. In diesem Falle werden In in metallischer Form und Sauerstoff in der Form von As(III)- Oxid (As₂O₃) und Galliumoxid (Ga₂O₃) zur Schmelze gegeben, um die erforderlichen Konzentrationen in der Schmelze zu erhalten.

Zum Züchten des GaAs-Einkristalls aus der Schmelze, zu der In und Sauerstoff zugegeben werden, wird als Kristall­ züchtungsverfahren bevorzugt das LEC-Verfahren verwendet, wobei eine Umkapselung wie z. B. B₂O₃ o. ä. verwendet wird, weil so eine hohe Sauerstoffkonzentration in der Schmelze erhalten werden kann, die Kontaminierung der Schmelze durch einen Schmelztiegel und eine Umkapselung gering sind, und die Produktivität hoch ist. Dieses Kristallzüchtungsverfah­ ren könnte in einem Bootzüchtungsverfahren, wie z. B. einem Gradientenabkühlverfahren oder einem horizontalen Bridgeman-Verfahren, angewendet werden.

Während des Kristallwachstums kann man Verunreinigungen wie z. B. Si, S, Cr. o. ä., die die elektrischen Eigenschaften bestimmen, zur Schmelze hinzugeben oder nicht. Der undotierte, halbleitende GaAs-Einkristall, der überhaupt keine Verunreinigungen enthält, ist als Substrat für UHF- oder SHF-Bauelemente und ICs geeignet.

Die Richtung des Kristallwachstums ist bevorzugt die <100< -Richtung, weil dadurch ein rundes Substrat erhalten wird. Jedoch kann die Richtung des Kristallwachstums auch <111< sein.

LEC-Verfahren zum Züchten von Einkristallen von III/V- Verbindungen

Das LEC-Verfahren zum Züchten eines erfindungsgemäßen III/V-Einkristalls unter Verwendung einer Umkapselung ist gekennzeichnet durch die Zugabe von mindestens einem Oxid des Elements der Gruppe IIIb und des Elements der Gruppe Vb zur Schmelze der III/V-Verbindung bei einer Sauerstoff- Konzentration des zumindest einen Oxides zwischen 1 × 10¹⁸ bis 2 × 10²¹, bevorzugt von 1 × 10¹⁹ bis 1 × 10²¹ pro cm³ der Schmelze der III/V-Verbindung.

Wenn die III/V-Verbindung GaAs ist, ist das Oxid des IIIb- Elementes bevorzugt Galliumoxid (Ga₂O₃) und das Oxid des Vb-Elementes ist bevorzugt Arsentrioxid (diarsenic trioxide).

Im Falle von GaP als III/V-Verbindung ist das Oxid bevorzugt Ga₂O₃, im Falle von InP als III/V-Verbindung ist das Oxid bevorzugt In₂O₃ und im Falle von InAs als III/V- Verbindung ist das Oxid des IIIb-Elementes bevorzugt In₂O₃ und das Oxid des Vb-Elementes bevorzugt As₂O₃.

Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahren ist eine besondere Vorrichtung zur LEC-Kristallzüchtung nicht er­ forderlich, und es kann eine übliche solche Vorrichtung verwendet werden. Ein bevorzugter Schmelztiegel ist aus PBN (pyrolitischem Bornitrit) hergestellt oder mit PBN ausge­ kleidet, weil die Kontaminierung der Schmelze durch den Schmelztiegel gering ist. Graphit wird weniger bevorzugt, kann jedoch als Material für einen Schmelztiegel oder Be­ hälter verwendet werden.

Die Beheizung wird üblicherweise mit Hilfe einer Graphit- Widerstandsheizung von zylindrischer oder weinglasartiger Gestalt durchgeführt. Der Temperaturgradient in der Vor­ richtung zur LEC-Kristallzüchtung kann, wenn erforderlich, dadurch eingestellt werden, daß man einen aus Graphit her­ gestellten Hitzeschild oder eine zylindrische Heizung über dem Schmelztiegel oder Behälter anbringt. Während des Kristallwachstums ist das Innere der Vorrichtung zur LEC- Kristallzüchtung unter Verwendung eines Inertgases wie z. B. Argon oder Stickstoff mit einem Druck von üblicherweise 10 bis 60 kg/cm² (Manometerdruck) beaufschlagt. Als flüs­ siges Abdichtmittel wird gewöhnlicherweise hochreines und gründlich getrocknetes Boroxid (B₂O₃) verwendet.

Zu Beginn der Züchtung eines III/V-Einkristalls wird ein Schmelztiegel o. ä. mit einer vorbestimmten Menge von B₂O₃ und mit einer polykristallinen III/V-Verbindung beschickt. Es kann jedoch anstatt mit der III/V-Verbindung auch mit einem metallischen IIIb-Element und elementarem Vb in einer Menge beschickt werden, die ge­ ringfügig größer ist als die stöchiometrische Menge. In diesem Falle erfolgt die Bildung der Schmelze der III/V- Verbindung während des Heizens und der Temperaturerhöhung des Schmelztiegels o. ä.

Anschließend beschickt man den Schmelztiegel o. ä. mit zu­ mindest einem der Oxide der Elemente der Gruppe IIIb, z. B. Galliumoxid (Ga₂O₃) und dem Oxid des Elementes der Gruppe Vb, z. B. Arsentrioxid (As₂O₃). Die Zugabemenge von Ga₂O₃ und/oder As₂O₃ entspricht nicht dem analytischen, sondern dem berechneten Wert, d. h. sie ist so, daß sich die Anzahl der zugegebenen Sauerstoffatome von Ga₂O₃ und/oder As₂O₃ auf eine Konzentration von 1 × 10¹⁸ bis 2 × 10²¹, bevorzugt von 3 × 10¹⁹ bis 3,5 × 10²⁰ pro cm³ der Schmelze beläuft.

Wenn die Sauerstoffkonzentration kleiner ist als 1 × 10¹⁸ cm^-3, ist eine Verminderung der Versetzungsdichte des erhaltenen III/V-Einkristalls schwierig. Wenn andererseits die Sauerstoffkonzentration 2 × 10 ²¹ cm^-3 übersteigt, ist ein III/V-Einkristall schwierig zu erhalten und selbst wenn ein III/V-Einkristall erhalten wird, nehmen Kristalldefekte wie z. B. Versetzungen nachteilhaft zu.

Ga₂O₃ und As₂ O₃ können alleine oder zusammen in einem gewünschten Verhältnis zueinander zugegeben werden. Ein äquimolares Verhältnis von Ga₂O₃ und As₂O₃ wird bevorzugt, weil dies die Bildung von Leerstellen unterdrückt.

Die Bedingungen zur LEC-Kritallzüchtung sind - außer den oben beschriebenen - die gleichen wie üblicherweise verwen­ det.

Der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte III/ V-Einkristall hat eine kleinere Versetzungsdichte - im Sinne des EPD-Wertes - als die mit herkömmlichen Verfahren erhaltene und erreicht einen EPD-Wert von 5000 cm^-2 oder weniger. In dem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herge­ stellten III/V-Einkristall ist die Versetzungsverteilung in einer zur Ziehrichtung senkrechten Ebene einheitlich.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Beispiele und Vergleichsbeispiele weiter erläutert.

In den Beispielen und den Vergleichsbeispielen wurde ein von Cambridge Instruments Co.Ltd. Großbritannien hergestelltes LEC-Kristallziehgerät vom Typ "MSR-6" verwen­ det.

Der EPD-Wert wurde durch Eintauchen von Testproben in ge­ schmolzenes Kaliumhydroxid bei 350°C für 20 Minuten und dann durch Auszählen der Ätzgruppen unter einem Mikroskop gemessen.

Die Sauerstoffkonzentration der Wafer wurde unter Verwen­ dung eines von Thomson CFS Co.Ltd. Frankreich hergestellten Sekundärionenmassenspektrometers vom Typ "CAMECA 3F" gemessen.

Die In-Konzentration der Wafer wurde mit einem von "Perkin­ son-Elmer" Co. Ltd. USA, hergestellten Atomabsorptionsana­ lysator vom Typ "AAS-4000" gemessen.

Beispiel 1

500 g Ga, 550 g As, 4,5 g In₂O₃ (entsprechender In- Zugabekonzentration von 1 × 10²⁰ cm^-3 und der Sauerstoff-Zu­ gabekonzentration von 1,5 × 10²⁰ cm^-3) und 150 g B₂O₃ waren in einem aus PBN (pyrolitischem Bornitrit) hergestellten Schmelztiegel mit einem inneren Durchmesser von 100 mm enthalten. Das Innere des LEC-Kristallziehgerätes wurde mit 65 kg/cm² (Manometerdruck) druckbeaufschlagt und der Schmelztiegel zur Bildung der GaAs-Schmelze auf 1400°C aufgeheizt. Die Temperatur des Schmelztiegels wurde dann auf 1350°C abgesenkt. Während der Schmelztiegel und ein Impfkristall in Umdrehungen versetzt wurden, wurde der Impfkristall in Kontakt mit der GaAs-Schmelze gebracht und dann aufwärts gezogen, um das Wachstum eines GaAs-Einkri­ stalls in <100<-Richtung zu erreichen. Der erhaltene GaAs-Einkristall hatte ein Gewicht von 650 g und einen Durchmesser von 50 mm. Ein (100)-Wafer wurde aus dem oberen Teil des geraden Teiles des Einkristallkörpers herausge­ schnitten und der Messung des EPD-Wertes unterworfen. Der EPD-Wert des Wafers - mit Ausnahme eines 6 mm breiten äußeren Teiles an der Peripherie - betrug im Mittel 900 cm^-2 und maximal 1100 cm^-2. Linear angeordnete Ätzgrup­ pen wurden nicht gefunden.

Die In-Konzentration des Wafers betrug 9,5 × 10¹⁸ cm^-3 und die Sauerstoffkonzentration des Wafers betrug 8 × 10¹⁷ cm^-3.

Beispiel 2

Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wurde zur Herstellung des GaAs-Einkristalls wiederholt, wobei jedoch anstelle des im Falle von Beispiel 1 zugegebenen In₂O₃ 1,89 g metallisches In und 3,2 g As₂O₃ zugegeben wurden (die In-Zugabe­ konzentration betrug 5 × 10¹⁹ und die Sauerstoff- Zugabekonzentration betrug 1,5 × 10²⁰ relativ zu cm³ der GaAs-Schmelze.

Ein (100)-Wafer wurde aus dem oberen Teil des geraden Teiles des Einkristallkörpers herausgeschnitten und der Messung des EPD-Wertes unterworfen. Der EPD-Wert des Wafers - mit Ausnahme eines 6 mm breiten äußeren Teiles an der Peripherie - betrug im Mittel 1200 cm^-2 und maximal 1500 cm^2-. Linear angeordnete Ätzgruppen wurden nicht gefunden.

Die In-Konzentration des Wafers betrug 5 × 10¹⁸ cm^-3 und die Sauerstoffkonzentration des Wafes betrug 6 × 10¹⁷ cm^-3.

Vergleichsbeispiel 1

Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wurde zur Herstellung eines GaAs-Einkristalls wiederholt, wobei jedoch anstelle des im Falle von Beispiel 1 zugegebenen In₂O₃ 3,7 g metallisches In zugegeben wurden (die In-Zugabekonzentration betrug 9,95 × 10¹⁹ relativ zu cm³ der GaAs-Schmelze).

Ein (100)-Wafer wurde aus dem oberen Teil des geraden Teils des Einkristallkörpers herausgeschnitten und der Messung des EPD-Wertes unterworfen. Der EPD-Wert des Wafers - mit Ausnahme eines 6 mm breiten äußeren Teiles an der Peripherie - betrug im Mittel 1000 cm^-2 und maximal 5000 cm^-2. Linear angeordnete Ätzgruppen wurden an Teilen des Wafers gefunden, wo der EPD-Wert des Wafers größer als 1000 cm^-2 war.

Die In-Konzentration des Wafers war 1 × 10¹⁸ cm^-3 und die Sauerstoffkonzentration des Wafers war 2 × 10¹⁶ cm^-3.

Beispiel 3

1500 g Ga, 1631,6 g As, 1,5 g Ga₂O₃, 1,58 g As₂O₃ und 600 g B₂O₃ waren in einem aus PBN hergestellten Schmelztiegel mit einem Durchmesser von 150 mm enthalten. Das Innere der LEC- Züchtungsvorrichtung wurde auf 65 kg/cm² (Manometerdruck) druckbeaufschlagt und der Schmelztiegel zur Bildung der GaAs-Schmelze auf 1400°C aufgeheizt. Der Druck wurde dann auf 20 kg/cm² vermindert. Während der Schmelztiegel und der Impfkristall mit 10 Umdrehungen pro Minute entgegengesetzt dem Uhrzeigersinn bzw. mit 8 Umdrehungen pro Minute im Uhrzeigersinn gedreht wurden, wurde der Impfkristall mit der GaAs-Schmelze in Kontakt gebracht und dann mit einer Geschwindigkeit von 7 mm/h aufwärts gezogen, um das Wachstum eines GaAs-Einkristalls in <100<-Richtung zu erreichen. Der erhaltene GaAs-Einkristall hatte ein Gewicht von 2000 g und einen Durchmesser von 80 mm.

Ein {100}-Wafer wurde aus dem oberen Ende des geraden Teiles des Einkristallkörpes herausgeschnitten, wo der verfestigte Anteil 0,10 war. Der verfestigte Anteil bedeutet ein Gewichtsverhältnis des Teiles des Kristallblocks an der dem Impfkristall benachbarten Seite und oberhalb des Wafers, im Vergleich zum gesamten Kristallblock. Der Wafer wurde einer Messung des EPD-Wertes und des Widerstandes unterworfen. Der EPD-Wert war unter Einschluß des am Umfang gelegenen Teiles einheitlich und betrug 1500 cm^-2. Es wurden im gesamten Wafer weder Linear­ fehler (linage) noch Fehler durch Ausfällungen gefunden. Der Widerstand zeigte eine Tendenz zur Zunahme an den äußeren, am Umfang gelegenen Teilen des Wafers, war jedoch im Hauptteil des Wafers überall 1 × 10⁷Ω · cm oder höher.

Es wurde ein anderer {100}-Wafer aus dem geraden Teil des Einkristallkörpers, wo der verfestigte Anteil 0,61 betrug, herausgeschnitten und einer Messung des EPD-Wertes unter­ worfen. Der EPD-Wert war geringfügig hoch, jedoch betrug das Mittel des EPD-Wertes über acht Punkte über den Durchmesser des Wafers 2400 cm^-2 und der höchste EPD-Wert war 2850 cm^-2.

Vergleichsbeispiel 2

Das Kristallzüchtungsverfahren von Beispiel 3 wurde wieder­ holt, wobei jedoch kein Ga₂O₃ und kein As₂O₃ zugegeben wurden.

Ein Wafer wurde aus dem oberen geraden Teil des Kristallkörpers, wo der verfestigte Anteil 0,12 betrug, herausgeschnitten und der Messung des EPD-Wertes unterworfen. Das Mittel des EPD-Wertes über neun Punkte über den Durchmesser des Wafes betrug 10500 cm^-2 und die minimalen bzw. maximalen EPD-Werte betrugen 6000 cm^-2 bzw. 2500 cm^-2.

Claims (9)

1. Einkristall einer Verbindung der IIIb-Vb-Gruppe (III/V- Verbindung) von geringer Versetzungsdichte, ge­ kennzeichnet durch einen Gehalt an Sauerstoff von 1 × 10¹⁷ bis 8 × 10¹⁹ cm^-3.

2. Einkristall nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er aus Galliumarsenid besteht.

3. Galliumarsenid-Einkristall nach Anspruch 2, gekenn­ zeichnet durch einen Gehalt an Indium von 1 × 10¹⁸ bis 1 × 10²⁰ cm^-3.

4. Einkristall nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Einkristall durch Kristall­ züchtung aus einer Schmelze der III/V-Verbindung herge­ stellt wird, die von 1 × 10¹⁸ bis 2 × 10²¹ cm^-3 Sauer­ stoffatome enthält.

5. Einkristall nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Einkristall mit dem Schutzschmelzverfahren (LEC- Verfahren) nach Czochralsky gezüchtet wird.

6. Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls einer III/ V-Verbindung aus einer Schmelze der III/V-Verbindung mit Hilfe des Schutzschmelzverfahrens nach Czochralsky, gekennzeichnet durch die Zugabe mindestens eines, aus den Oxiden der Gruppe IIIb und den Oxiden der Gruppe Vb ausgewählten Oxides zur Schmelze, in einer Menge von 1 × 10¹⁷ bis 2 × 10²¹ Sauerstoffato­ men des Oxides (der Oxide) pro cm³ der Schmelze.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die III/V-Verbindung GaAs ist und daß die Oxide aus Galliumoxid und Arsentrioxid ausgewählt werden.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß Galliumoxid und Arsentrioxid in äquimolaren Mengen zuge­ geben werden.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß Indiumoxid zur Schmelze zugegeben wird.