DE2547931A1 - Substrat aus einem einkristall - Google Patents

Substrat aus einem einkristall

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Description

Substrat aus einem Einkristall
Die Erfindung bezieht sich auf ein Substrat zum epitaxialen Aufwachsen einer Halbleiterschicht, welches Substrat im wesentlichen aus einem Einkristall eines elektrisch isolierenden Materials besteht. Ein solches Substrat wird bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet.
Auf ein Substrat aus elektrisch isolierendem Material möchte man in der Theorie gern eine Halbleiterschicht epitaxial aufwachsen, und zwar deshalb, weil das Substrat eine ausgezeichnete elektrische Isolation zwischen den Bauelementen eines unter Verwendung von Halbleiterschichten gebildeten, integrierten Schaltkreises bietet und eine unerwünschte Störkapazität ausschaltet. Als Substrat der genannten Art wurde ein Saphir (AI2O3) oder ein einkristallines Spinell (MgAl2O3) verwendet. Hier besteht jedoch eine beträchtliche Gitter-Fehlanpassung zwischen dem einkristallinen Substrat und des epitaxial aufgewachsenen Halbleiter-Einkristalls» Die Fehlanpassung ergibt eine latente Spannung in der
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Halbleiterschicht und eine Versetzung im Halbleiter-Einkristall, was das Halbleiterkristall unvollkommen und heterogen macht und" die elektrischen Eigenschaften der Halbleiterschicht, wie beispielsweise die Beweglichkeit und die Lebensdauer von Ladungsträgern, und die unter Verwendung dieser Halbleiterschicht hergestellten Halbleiter-Vorrichtungen nachteilig beeinflußt.
In der japanischen Patentanmeldung Nr. Sho 47-74483 (veröffentlicht am 2 8.3.1974) lehrt einer der vorliegenden Erfinder eine Kombination aus einem Substrat der beschriebenen Art und einer darauf epitaxial aufgewachsenen Halbleiterschicht. Die in Rede stehende Gitter-Fehlanpassung wurde dabei im wesentlich dadurch verringert, daß die Zusammensetzung wenigstens eines Elementes der Kombination, also des Substrats oder der Schicht, geändert wurde. Zwischenzeitlich haben die vorliegenden Erfinder gemäß der deutschen Patentanmeldung P 25 34 187.1 ein Substrat der beschriebenen Art aus einem einkristallinen Spinell vorgeschlagen, in welchem die Fehlanpassung noch spezifischer verringert ist.
Es ist jedoch kein Substrat bekanntgeworden, das primär bzw. ursprünglich aus einem Saphir-Einkristall besteht und zum epitaxialen Aufwachsen einer Halbleiterschicht unter Verringerung der Gitter-Fehlanpassung auf ein annehmbares Maß Verwendung findet.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein primär aus einem Saphir-Einkristall bestehendes Substrat zum epitaxialen Aufwachsen einer Halbleiterschicht zu schaffen, bei dem die Gitter-Fehlanpassung auf ein annehmbares Maß reduziert ist. Ferner soll es auf diesem Substrat möglich sein, eine äußerst vollkommene und homogene Halbleiterschicht epitaxial aufzuwachsen bzw. aufwachsen zu lassen. Ferner soll das Substrat ,die elektrischen Eigenschaften der darauf hergestellten Halbleitervorrichtungen nicht nachteilig beeinflussen, und es soll bei ihm eine bestimmte Substanz definiert verwendet werden, um diese und weitere dargelegte Ziele der Erfindung zu erreichen.
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Erfindungsgemäß ist vorgesehen» daß das Material aus Aluminium-Oxyd (Al2O.*) und aus einem Element besteht, das aus derjenigen Gruppe ausgewählt ist, die Galliumoxyd (Ga3O3), Titanoxyd (Ti2O3), Scandiumoxyd (Sc2O3), Chromoxyd (Cr2O3), Eisenoxyd (Fe2O3), Magnesium-Titan-Oxyd (MgTiO3) und Eisen-Titan-Oxyd (FeTiO3) enthält , wodurch eine Fehlanpassung zwischen einem Gitterabstand des elektrisch isolierenden Einkristall-Materials und einer Gitterkonstanten der Halbleiterschicht verringert ist.
Das genannte, als Grundsubstanz Saphir enthaltende Einkristall ist deshalb ein Saphir-Einkristall mit einer Anlagerung bzw. einem Zusatz .
Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen der Erfindung sind der folgenden Beschreibung zu entnehmen, in der die Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben ist. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch ein konventionelles Saphir-Substrat und eine darauf epitaxial aufgewachsene Siliziumschicht,
Fig. 2 die Art und Weise, wie der Gitterabstand sich ändert, wenn Galliumoxyd ein Teil des Aluminiumoxyds des Saphirs ersetzt, und
Fig. 3 schematisch ein Substrat gemäß einem Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung, das primär aus einem Saphir-Einkristall besteht, und eine darauf epitaxial aufgewachsene Siliziumschicht.
In Fig. 1 ist ein kleiner Teil eines Saphir-Einkristalls 11 in ausgezogenen Linien und ein entsprechender Teil eines Silizium-Einkristalls 12 gestrichelt gezeichnet. Eine horizontale Achse in dieser Figur zeigt eine [ill θ] -Achse des Saphir-Kristalls 11 und
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ebenso eine [,0 1 θ] -Achse des Siliziumkristalls 12. Eine vertikale Achse stellt eine [ϊ 0 Ϊ l]-Achse des Saphirkristalls 11 und eine/O 0 l]-Achse des Siliziumkristalls 12 dar. Die Ebene dieser Figur stellt eine Gitterebene (Ϊ 1 0 2) des Saphirkristalls 11 und eine Gitterebene (10 0) des Siliziumkristalls 12 dar. Bekannt ist, daß die Siliziumschicht 12 auf das Saphir-Einkristall-Substrat mit der (10 0)-Ebene der ersteren, die auf die (Ϊ 1 0 2)-Ebene der letzteren gebracht wird, epitaxial aufwächst. Der Gitterabstand des Saphirs längs seiner [l 2 1 θ]- und seiner [l 0 ϊ l]-Achse ist 4,75 A bzw. 5,2 Ä. Die Gitterkonstante von Silizium (Kubiksystem) ist 5,43 Ä. Im Gegensatz zum Begriff "Gitterkonstante" bedeutet der Begriff "Gitterabstand" der Abstand zwischen zwei benachbarten Ritterebenen längs einer Richtung, die nicht notwendigerweise die Richtung der kristallographischen Achse sein muß.
Um vom Grad einer Gitter-Fehlanpassung quantitativ sprechen zu können, wird ein Fehlanpassungs-Koeffizient hier für eine Kombination aus Saphir und Silizium definiert durch: Gitterkonstante des Siliziums - Gitterabstand des Saphirs ^n-,
————————————————————^——_^_____———._fc____— ^ J.UU» (Gitterkonstante des Siliziums - Gitterabstand des Saphirs)/2
Unter Verwendung der angeführten Zahlenwerte des betreffenden Gitterabstandes und der Gitterkonstanten sind die Fehlanpassungs-Koeffizienten zwischen der (10 0)-Ebene des Siliziums und der (110 2)-Ebene des Saphirs 13,4 % und 4,3 % in Richtung der in Fig. 1 herausgezeichneten horizontalen bzw. vertikalen Achse. Daraus folgt deshalb, daß selbst längs der dargestellten vertikalen Achse eine beträchtliche Gitter-Fehlanpassung besteht. Daraus folgen die verschiedenen, in der Beschreibungseinleitung aufgeführten Nachteile.
Gemäß Fig. 2 wurde nun festgestellt, daß der Gitterabstand des Saphirs längs der /Ί 2 1 θ]-Achse sich, wie dargestellt, ändert, wenn Galliumoxyd als ein Additiv bzw. Zusatz einen Teil des
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Aluminiumoxyds, aus dem Saphir besteht, ersetzt. Ferner wurde herausgefunden, daß solch ein einen Zusatz enthaltendes Saphir-Kristall seine rhoboedrische Struktur und demgemäß das Einkristall-Merkmal selbst dann behält, wenn ein beträchtlicher Betrag eines Zusatzes, der das Aluminiumoxyd ersetzt, vorgesehen ist, und daß ein Einkristall, das man unter einer hohen Temperatur, wie noch beschrieben wird, aufgewachsen läßt, von einem Temperaturbereich unter etwa 10000C abgekühlt wird. Andererseits hat sich bestätigt, daß sich der Gitterabstand eines einen Zusatz ent haltenden Saphir-Einkristalls längs der /Ί 0 Ϊ lj -Achse in im wesentlichen linearer Beziehung zu dem der /"12 0 l] -Achse mit zunehmendem Mol-% des Galliumoxyds vergrößert.
Entsprechend Fig. 3, die in ihrer Darstellungsweise der Fig. 1 ähnlich ist, wird der Gitterabstand eines einen Zusatz enthaltenden Saphir-Einkristalls längs der (vertikalen) /Ί 0 ί lj-Achse etwa 5,43 Ä, wenn der Gehalt an Galliumoxyd etwa 87 Mol-% ist. Infolge davon wird der Fehlanpassungskoeffizient in der /Ί 0 ΐ l] Richtung etwa zu Null gemacht, obwohl eine beträchtliche Gitter-Fehlanpassung längs der [l 2 0 lj -Achse verbleibt.
Saphir, das etwa 85 Mol-% Galliumoxyd enthält, besitzt einen Schmelzpunkt von 18000C. Es ist deshalb möglich, das Zonenschmelz verfahren zum Aufwachsen eines einen Zusatz bzw. ein Additiv enthaltenden Saphir-Einkristalls anzuwenden. Verwendet wurde Pulver, das aus 13 Mol-% Aluminiumoxyd (Al2O3) und 87 Mol-% Galliumoxyd besteht; dieses wurde gut durchmischt und zu einer Masse mit stab förmigem Umriß gepreßt. Die Masse wurde in Luft bei 1300°C vierundzwanzig Stunden lang zu einem keramischen Stab gesintert. Mit einem Kristallkeim bzw. Impfkristall und einem Infrarotofen wurde vom Zonenschmelzverfahren Gebrauch gemacht, wobei man ein Einkristall eines einen Zusatz enthaltenden Saphirs auf dem Kristall keim bzw. -fuß vom keramischen Stab mit einer Kristallwachstumsrate von 1 mm/h und bei einer Drehzahl des keramischen Stabes von
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90 Upm aufwachsen ließ. Die Abkühlung wurde im Ofen gleich nach dem Aufwachsen des Einkristalls ausgeführt. Der so hergestellte Kristall war insgesamt von homogener Zusammensetzung. Ein einen Zusatz enthaltender Saphir-Einkristall von homogener Zusammensetzung kann auch durch ein chemisches Ablagerungsverfahren, das Czochralski-Verfahren, das sogenannte EFG-Verfahren (edge-defined film fed growth method) oder durch ein ähnliches Verfahren hergestellt werden. Mit dem EFG-Verfahren, mit dem das Aufwachsen eines Einkristalls unter höherer Geschwindigkeit erfolgen kann, ist es möglich, den Verteilungskoeffizienten des Additivs in einem ein Additiv enthaltenden Saphir-Einkristall durch Auswahl einer angemessenen Kristallwachstumsrate zu vergrößern. Des weiteren ist es möglich, die Homogenität dadurch zu erhöhen, daß die Zusammensetzung der geschmolzenen Zone des aufwachsenden Kristalls eingestellt bzw. geregelt wird.
ein Unter Verwendung eines Substrats, das aus einemyAdditi-v bzw. einen Zusatz enthaltenden Saphir-Einkristalls, wie oben, mittels des ZonenschmelzVerfahrens hergestellt wird, ließ man ein Silizium-Einkristall auf eine Dicke von 1 Mikron von der Dampfphase aus durch thermische Ablagerung von Silan (Siliziumwasserstoff) epitaxial auf das Substrat aufwachsen. Die so hergestellte Silizium-Einkristall-Schicht besitzt eine vollkommene und homogene Kristallstruktur, selbst an ihren Bereichen nahe der Übergangsbzw. Grenzfläche zwischen der Siliziumschicht und dem Substrat, und zeigt ausgezeichnete elektrische Eigenschaften. Im einzelnen wurde eine Silizium-Einkristall-n-Schicht auf einem Substrat gemäß vorliegender Erfindung unter Zusatz von Phosphin (Phosphorwasserstoff) zum Silan gebildet. Bei einer Trägerkon-
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zentration unter 2 χ 10 /cm betrug die Mobilität der Ladungs-
2 träger in der n-Siliziumschicht 800 cm /(V see) oder mehr im
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Gegensatz zum betreffenden Wert von etwa 500 cm /(V see) für eine
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auf einem herkömmlichen Saphir-Substrat gebildete Silizium-Einkristall-Schicht. In ähnlicher Weise wurde eine Silizium-Einkristall-2 -Schicht auf einem Substrat gemäß vorliegender Erfindung hergestellt. Der Leckstrom zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode einer g-Kanal-MOS-Vorrichtung, die unter Verwendung einer β -Siliziumschicht hergestellt ist, betrug nur etwa 0,1 Pikoampere pro Mikron, welcher Wert etwa 1/10 des Wertes derjenigen Vorrichtung ist, die unter Verwendung einer Silizium-Einkristall-ß-Schicht hergestellt ist, die auf einem herkömmlichen Saphir-Substrat gebildet ist. Es ist möglich, ein Substrat gemäß vorliegender Erfindung zu verwenden, um darauf Halbleiter-Speicherelementen der SOS- und/oder MOS-Struktur herzustellen.
Nahezu dieselben erwünschten Resultate erhält man, wenn der Fehlanpassungs-Koeffizient längs der [l 0 Ϊ lj -Achse nicht größer als etwa 0,5 % infolge der Selbstdotierung von Gallium in die SiIi- . ziumschicht ist. Für einen Fehlanpassungskoeffizienten von 0,5 % oder weniger betragen die Mol-% Galliumoxyd zw. 71 und 98. Ein Fehlanpassungskoeffizient von etwa 1,0 % war zulässig, wenn die Anforderung an die elektrischen Eigenschaften der Siliziumschicht nicht streng sind.
Es wurde festgestellt, daß Titanoxyd (Ti2O3), Scandiumoxyd (Sc2O3), Chromoxyd (Cr2O3), Eisenoxyd (Fe3O3), Magnesium-Titan-Oxyd (MgTiO3) oder Eisen-Titan-Oxyd (FeTiO3) statt Galliumoxyd verwendet werden kann. Der Gehalt an diesen Oxyden bei einem Fehlanpassungskoeffizienten von 0,5 % oder weniger längs der /Ϊ. 0 Ϊ l] -Achse des Saphirs beträgt von 42 bis 55, 25 bis 33, von 83 bis 99, von 60 bis 78, von 56 bis 73 bzw, von 50 bis 65 Mol-%. Dieser Gehalt ist bei einem Fehlanpassungskoeffizienten von 0 % in der in Rede stehenden Richtung U9, 29, 95, 69, 65 bzw. 57 Mol-%.
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Zum epitaxialen Aufwachsen eines Einkristalls aus Galliumphosphid (GaP) auf ein einen Zusatz enthaltendes Saphir-Einkristall-Substrat gemäß vorliegender Erfindung ist der Gehalt im Substrat an Galliumoxyd, Titanoxyd, Scandiumoxyd, Chromoxyd, Eisenoxyd, Magnesium-Titanoxyd und Eisen-Titanoxyd von 88 bis 99, 50 bis 62, 29 bis 37, 96 bis 99, 71 bis 89, 66 bis 83 bzw. von 58 bis 74 Mol-%, um einen Fehlanpassungskoeffizienten von 0,5 % oder weniger längs der £l 0 Ϊ l]-Achse des Saphirs zu verwirklichen. Wenn es auch bei Verwendung von Gallium- oder Chromoxyd nicht möglich ist, den Fehlanpassungskoeffizienten auf 0 % zu reduzieren, ist es„doch bei Verwendung von einem der anderen Oxyde bei 56, 33, 80, 74 bzw. 66 Mol-% möglich.
Zum epitaxialen Aufwachsen eines Einkristalls aus Aluminium-Phosphid (AIP) ist es nicht möglich, Chromoxyd zum Erreichen eines Fehlanpassungskoeffizienten von 0,5 % oder weniger längs der /Ί 0 Ϊ lj· Achse des Saphirs zu verwenden. Der Gehalt an Galliumoxyd, Titanoxyd, Scandiumoxyd, Eisenoxyd, Magnesium-Titanoxyd und Eisen-i-Titanoxyd bei einem Fehlanpassungskoeffizienten von 0,5 % oder weniger liegt von 92 bis 99, 52 bis 65, 31 bis 35, 74 bis 92, 69 bis 86 bzw. von 61 bis 76 Mol-%. Bei einem Fehlanpassungskoeffizienten von 0 %, in welchem Falle Galliumoxyd gut dienen kann, ist der Gehalt der verbleibenden Oxyde 58, 35, 83, 77 bzw. 69 Mol-%.
Zum epitaxialen Aufwachsen eines Einkristalls aus Zink-Sulfid (ZnS) ist der Gehalt der Oxyde von Gallium, Titan und Scandium von 72 bis 94, 40 bis 53 bzw. von 24 bis 32 Mol4 unter Reduzierung des Fehlanpassungskoeffizienten auf 0,5 % oder weniger. Der entsprechende Ge halt zum Erreichen eines Fehlanpassungskoeffizienten von 0 % ist 83, 47 bzw. 28 Mol-%.
Patentansprüche:
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    Substrat zum epitaxialen Aufwachsen einer Halbleiterschicht, welches Substrat im wesentlichen aus einem Einkristall eines elektrisch isolierenden Materials besteht, dadurch gekennzeichnet, daß das Material aus Aluminium-Oxyd (Al2O3) und aus einem Element besteht, das aus derjenigen Gruppe ausgewählt ist, die Galliumoxyd (Ga2O3), Titanoxyd (Ti2O3), Scandiumoxyd (Sc2O3), Chromoxyd (Cr2O3), Eisenoxyd (Fe3O3), Magnesium-Titan-Oxyd (MgTiO3) und Eisen-Titan-Oxyd (FeTiO3) enthält, wodurch eine Fehlanpassung zwischen einem Gitterabstand des elektrisch isolierenden Einkristall-Materials und einer Gitterkonstanten der Halbleiterschicht verringert ist.
    Substrat nach Anspruch 1, bei dem der Halbleiter Silizium ist, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isriLierende Material Galliumoxyd im Bereich von 71 bis 98 Mol-% oder Titanoxyd von 42 bis 55 Mol-% oder Scandiumoxyd von 25 bis 33 Mol-% oder Chromoxyd von 83 bis 99 Mol-% oder Eisenoxyd von 60 bis 78 Mol-% oder Magnesium-Titan-Oxyd von 56 bis 73 Mol-% oder Eisen-Titan- Oxyd von 50 bis 65 Mol-% und der Rest Aluminium-Oxyd ist.
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    3. Substrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 29 bis 2 Mol-% Aluminiumoxyd und 71 bis 98 Mol-% Galliumoxyd besteht.
    4. Substrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 58 bis 45 Mol-% Aluminiumoxyd und 42 bis 55 Mol-% Titanoxyd besteht.
    5. Substrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 7 5 bis 67 Mol-% Aluminiumoxyd und 25 bis 33 Mol-% Scandiumoxyd besteht.
    6. Substrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material 87 Mol-% Galliumoxyd oder.49 Mol-% Titanoxyd oder 29 Mol-% Scandiumoxyd oder 95 Mol-% Chromoxyd oder 69 Mol-% Eisenoxyd oder 65 Mol-% Magnesiumoxyd oder 57 Mo L-% Eisen-Titan-Oxyd und im Rest Aluminiumoxyd ist.
    7. Substrat nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 13 Mol-% Aluminiumoxyd und 87 Mol-% Galliumoxyd besteht.
    8. Substrat nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 51 Mol-% Aluminiumoxyd und 49 Mol-% Titanoxyd besteht.
    9. Substrat nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 71 Mol-% Aluminiumoxyd und 29 Mol-% Scandiumoxyd besteht*
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    -Μ-
    10. Substrat nach Anspruch 1, bei dem der Halbleiter Galliumphosphid (GaP) ist, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material Galliumoxyd im Bereich von 88 bis 99 Mol-% oder Titanoxyd von 50 bis 62 Mol-% oder Scandiumoxyd von 29 bis.37 Mol-% oder Chromoxyd von 96 bis 99 Mol-% oder Eisenoxyd von 71 bis 89 Mol-% oder Magnesium-Titan-Oxyd von 66 bis 83 Mol-% oder Eisen-Titan-Oxyd von 58 bis 74 Mol-% und der Rest Aluminiumoxyd ist.
    11. Substrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 22 bis 1 Mol-% Aluminiumoxyd und 88 bis 99 Mol-% Galliumoxyd besteht.
    12. Substrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 50 bis 38 Mol-% Aluminiumoxyd und 50 bis 62 Mol-% Titanoxyd besteht.
    13. Substrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 71 bis 63 Mol-% Aluminiumoxyd und 29 bis 37 % Scandiumoxyd besteht.
    14. Substrat nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material 56 Mol-% Titanoxyd oder 33 Mol-% Scandiumoxyd oder 80 Mol-% Eisenoxyd oder 74 Mol-% Magnesium-Titan-Oxyd oder 66 Mol-% Eisen-Titan-Oxyd und im Rest Aluminiumoxyd ist.
    15. Substrat nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 44 Mol-% Aluminiumoxyd und 56 Mol-% Titanoxyd besteht.
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    16. Substrat nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 67 Mol-% Aluminiumoxyd und 33 Mol-% Scandiumoxyd besteht.
    17. Substrat nach Anspruch 1, bei dem der Halbleiter Aluminiumphosphid (AIP) ist, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material im Bereich von 92 bis 99 Mol-% Galliumoxyd oder 52 bis 65 Mol-% Titanoxyd oder 31 bis 38 Scandiumoxyd oder 74 bis 92 Mol-% Eisenoxyd oder 69 bis 86 Mol-% Magnesium-Titan-Oxyd oder 61 bis 76 Mol-% Eisen-Titan-Oxyd und der Rest Aluminiumoxyd ist.
    18. Substrat nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 8 bis 1 Mol-% Aluminiumoxyd und 92 bis 99 Mol-% Galliumoxyd besteht.
    19. Substrat nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 48 bis 35 Mol-% Aluminiumoxyd und 52 bis 65 Mol-% Titanoxyd besteht.
    20. Substrat nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 69 bis 62 Mol-% Aluminiumoxyd und 31 bis 3 8 Mol-% Scandiumoxyd besteht.
    21. Substrat nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material zu 58 Mol-% Titanoxyd oder 35 Mol-% Scandiumoxyd oder 8 3 Mol-% Eisenoxyd oder 77 Mol-% Magnesium-Titan-Oxyd oder 69 Mol-% Eisen-Titan-Oxyd und im Rest Aluminiumoxyd ist.
    22. Substrat nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 42 Mol-% Aluminiumoxyd und 58 Mol-% Titanoxyd besteht.
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    23. Substrat nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 65 Mol-% Aluminiumoxyd und 35 Mol-% Scandiumoxyd besteht.
    2»*. Substrat nach Anspruch 1 bei dem der Halbleiter Zinksulfid (ZnS) ist, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material im Bereich von 72 bis 94 Mol-% Galliumoxyd oder 40 bis 53 Mol-% Titanoxyd oder 24 bis 32 Mol-% Scandiumoxyd und im Rest Aluminiumoxyd ist.
    '25. Substrat nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 28 bis 6 Mol-% Aluminiumoxyd und 72 bis 94 Mol-% Galliumoxyd besteht.
    26. Substrat nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 60 bis 47 Mol-% Aluminiumoxyd und 40 bis 53 Mol-% Titanoxyd besteht.
    27. Substrat nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 76 bis 68 Mol-% Aluminiumoxyd und 24 bis 32 Mol-% Scandiumoxyd besteht.
    28. Substrat nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material 8 3 Mol-% Galliumoxyd oder 47 Mol-% Titanoxyd oder 28 Mol-% Scandiumoxyd und im Rest Aluminiumoxyd ist,
    29. Substrat nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 17 Mol-% Aluminiumoxyd und 83 Mol-% Galliumoxyd besteht.
    30. Substrat nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 53 Mol-% Aluminiumoxyd und 47 Mol-% Titanoxyd besteht.
    31. Substrat nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch isolierende Material aus 72 Mol-% Aluminiumoxyd und 28 Mol-% Scandiumoxyd besteht.
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