DE3511675A1 - Antireflexfilm fuer eine photoelektrische einrichtung und herstellungsverfahren dazu - Google Patents

Antireflexfilm fuer eine photoelektrische einrichtung und herstellungsverfahren dazu

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Description

Antireflexfilm für eine photoelektrische Einrichtung und Herstellungsverfahren dazu
BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf einen Antireflexfilm für eine photoelektrische Einrichtung und ein Herstellungsverfahren dazu, und insbesondere bezieht sie sich auf einen Antireflexfilm mit einem niedrigen Reflexionsfaktor in Bezug auf einen großen Wellenlängenbereich des Lichtes und ein Herstellungsverfahren dazu.
Als Beispiel für eine herkömmliche photoelektrische Einrichtung wird im folgenden eine Si-Solarzelle 11, wie in der Schnittansicht von Fig. 1 gezeigt, beschrieben. Auf einem Si-Substrat 1 vom p-Typ wird eine Si-Schicht 2 vom n-Typ durch ein Verunreinigungs-Diffusions-Verfahren oder ähnliches gebildet, und ein p-n-Übergang 3, der an der Grenzschicht zwischen dem Substrat 1 und der Schicht 2 gebildet wird, erzeugt einen photoelektrischen Effekt. Eine Elektrode 4 vom
1!) P-Typ wird auf dem Substrat 1 gebildet, und eine Elektrode vom η-Typ wird auf der Schicht 2 vom η-Typ gebildet, wobei diese Elektroden dazu dienen, elektrische Leistung an die externen Schaltungen anzulegen. Auf der Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ, auf die Licht einfällt, wird ein Antireflexfilm 6 gebildet. Die Ausführung und die Herstellungsverfahren für solch einen Antireflexfilm sind in "Semiconductors and Semimetals", Vol. 11, Solar Cells, Seiten 203 - 207, 1975, veröffentlicht von ACADEMIC PRESS of New York, beschrieben. Im allgemeinen wird der Antireflexfilm auf folgende Weise entworfen. Der Brechungsindex n. des
Materials des Antireflexfilms 6 wird gleich oder ungefähr dem Wert gewählt, der durch die Gleichung n1 = /RT ". KZ ausgedrückt wird, wobei nQ der Brechungsindex von Luft oder eines Schutzbedeckungsmaterials ist, und n? ist der Brechungsindex von Si. Zum Beispiel wird im Falle von Luft, bei der n_ = 1, der Wert von n. ungefähr gleich 1,9, da n? = 3,6,
Eine Solarzelle ist in der Praxis geschützt und überdeckt mit Harz oder Glas oder ähnlichem (mit n_.2Tl,45), und in einem solchen Fall wird der Wert von η ungefähr 2,3. Für einen Antireflexfilm 6 mit ungefähr η = 1,9 wird im allgemeinen ein aufgedampfter SiO-FiIm verwendet, und für einen Antireflexfilm von ungefähr n- = 2,3 wird ein gesputterter oder thermisch oxydierter Ta^O^-Film oder ähnliches verwendet. Die Dicke d des Antireflexfilms 6 wird auf einen Wert entsprechend der folgenden Gleichung so eingestellt, daß die Dicke d an das Spektrum des Sonnenlichtes angepaßt ist.
d = 6000/(4^n1) [A]
Demgemäß beträgt der Wert d ungefähr 790 Ä im Falle von SiO und ungefähr 650 Ä im Falle von Ta2O1-. Bei einem auf diese Weise gewählten Wert d wird der Reflexionsfaktor nahezu 0 in der Nähe der Wellenlänge 600 nm. Wenn die Wellenlänge jedoch von diesem Wert abweicht, steigt der Reflexionsfaktor allmählich an. Die Si-Solarzelle reagiert auf Licht in einem Wellenlängenbereich von ungefähr 300 nm bis 1100 nm, und in diesem Wellenlängenbereich beträgt der mittlere Reflexionsfaktor für den Fall der Verwendung des oben beschriebenen Antireflexfilms ungefähr 10 % (siehe Fig. 3). Zur weiteren Verringerung des Reflexionsfaktors kann ein Mehrschichtenfilm, der zwei oder mehr Schichten anstatt einer einzelnen Schicht beinhaltet, als Antireflexfilm angewendet werden.
Wenn z.B. ein Zweischichtenfilm angewendet wird, wird unter der Annahme, daß der Brechungsindex der oberen Schicht n.. ist, daß der Brechungsindex der unteren Schicht n1T ist, und
daß der Brechungsindex von Silizium n? ist, die folgende Gleichung vorgezogen.
nlU/nlL
Zum Beispiel werden, wenn n-^^ 1,4 und n..— 2,6 ist, die Dicken d. und dp der oberen und unteren Schicht jeweils durch die folgende Gleichung ausgedrückt:
nlU'dl = nlL'd2 = 600°/4 W
und demgemäß wird d1 ~£ 1070 Ä und d- ~ 580 Ä erhalten. Unter Verwendung des Antireflexfilms mit solchen Werten wird ein Reflexionsfaktor von 3 % im Mittel in einem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm erhalten. In der Realität ist es jedoch schwierig, Materialien, die exakt diese Bedingungen erfüllen, zu erhalten. Folglich werden Materialien wie z.B. S1O2 oder TiO2 mit Bedingungen, die ungefähr übereinstimmen, im allgemeinen verwendet, und folglich wird ein höherer Reflexionsfaktor als der oben beschriebene gewünschte Wert erhalten. Im Fall eines Mehrschichtenfilms, der zwei oder mehr Schichten einschließt, wird der Reflexionsfaktor stark ansteigen, wenn die Filmdicke etwas von dem optimalen Wert abweicht, und demgemäß wird eine extrem hohe Präzision zur Steuerung der Filmdicke notwendig.
Wie oben beschrieben, ist im Falle eines Antireflexfilms mit einer einzelnen Schicht die Herstellung desselben relativ einfach, aber der mittlere Reflexionsfaktor kann nicht sehr stark erniedrigt werden. Andererseits kann im Falle eines Mehrschichten-Antireflexfilms der mittlere Reflexionsfaktor bei optimalen Bedingungen bemerkenswert erniedrigt werden, aber zur Erfüllung dieser optimalen Bedingungen ist ein hohes Maß an Herstellungstechnik notwendig.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Antireflexfilm für eine photoelektrische Einrichtung vorzusehen, bei dem die oben beschriebenen Nachteile eines herkömmlichen Films beseitigt sind.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfaches Herstellungsverfahren für den oben beschriebenen Antireflexfilm vorzusehen.
Ein Hauptmerkmal der Erfindung ist, daß ein Antireflexfilm mindestens eine Schicht aufweist, mit einem Brechungsindex, der kontinuierlich gemäß der Entfernung von der Seite, die an der lichtaufnehmenden Oberfläche (oder der lichtaussendenden Oberfläche) der photoelektrischen Einrichtung anliegt, abnimmt, so daß der niedrige Reflexionsfaktor in einem weiten Wellenlängenbereich erhalten wird.
Ein anderes Merkmal der Erfindung ist, daß das Herstellungsverfahren des Antireflexfilms die Schritte aufweist: Vorsehen einer photoelektrischen Einrichtung, Einbringen der photoelektrischen Einrichtung in die Kammer eines Sputtergerätes, Einbringen eines reaktiven Gases, das Stickstoff oder ein Edelgas enthält, in die Kammer, um ein reaktives Sputtern mit Tantal, Tantaloxid, Aluminium, Aluminiumoxid oder Silizium als zu zerstäubende Auffanganode zu beginnen, Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer vorgeschriebenen Zeitspanne, während ansteigend ein reaktives Gas, das Sauerstoff enthält, in die Kammer mit eingebracht wird, und anschließendes Durchführen eines reaktiven Sputterns für eine vorbestimmte Zeitspanne, während abnehmend ein reaktives Gas, das Stickstoff enthält, in die Kammer eingebracht wird.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß ein Verfahren zur Herstellung eines Antireflexfilms auf der
lichtaufnehmenden Oberfläche oder der lichtaussendenden Oberfläche einer photoelektrischen Einrichtung die Schritte enthält: Vorsehen einer photoelektrischen Einrichtung, Einbringen der photoelektrischen Einrichtung in die Kammer eines Sputtergerätes, Einbringen eines reaktiven Gases, das Stickstoff enthält und ein Edelgas, in die Kammer, um ein reaktives Sputtern mit Tantal, Tantaloxid, Aluminium oder Aluminiumoxid als zu zerstäubende Auffanganode zu beginnen, Durchführen eines reaktiven Sputterns für eine vorbestimmte Zeitspanne, während ansteigend ein reaktives Gas, das Sauerstoff enthält, zusätzlich in die Kammer eingebracht wird, anschließendes Durchführen eines reaktiven Sputterns für eine vorbestimmte Zeitspanne, während abnehmend das reaktive Gas, das Stickstoff enthält, in die Kammer eingebracht wird, nach Ausströmen des gesamten reaktiven Gases anschließendes erneutes Einbringen eines reaktiven Gases, das Stickstoff und ein Edelgas enthält, in die Kammer, um ein reaktives Sputtern mit Silizium oder Siliziumoxid als zu zerstäubende Auffanganode zu beginnen, Durchführen eines reaktiven Sputterns für eine vorbestimmte Zeitspanne, während ansteigend ein reaktives Gas, das Sauerstoff enthält, zusätzlich in die Kammer eingebracht wird, und Durchführen eines reaktiven Sputterns für eine vorbestimmte Zeitspanne, während abnehmend das reaktive Gas, das Stickstoff enthält, in die Kammer eingebracht wird.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer herkömmlichen Si-Solarzelle;
Fig. 2 eine Schnittansicht einer Sl-Solarzelle gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
- ΊΟ -
Fig. 3 eine graphische Darstellung, die den Reflexionsfaktor auf der Oberfläche einer herkömmlichen Si-Solarzelle und den Reflexionsfaktor auf der Oberfläche einer erfindungsgemäßen Si-Solarzelle zeigt; und
Fig. 4 eine Schnittansicht einer Si-Solarzelle gemäß einer anderen AusfUhrungform der Erfindung.
Im folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung mit Bezug auf die Figuren beschrieben.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht einer Si-Solarzelle, auf der ein Antireflexfilm gemäß der Erfindung angebracht ist. Ein Si-Substrat 1 vom p-Typ, eine Schicht 2 vom η-Typ, ein p-n-Übergang 3, eine Elektrode 4 vom p-Typ und eine Elektrode 5 vom η-Typ sind auf die gleiche Weise wie bei einer herkömmliehen Si-Solarzelle 1 gebildet. Ein erfindungsgemäßer Antireflexfilm 7 weist einen Reflexionsfaktor auf, der am größten ist in dem Teil, der in Kontakt mit der Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ steht, und nimmt kontinuierlich mit größer werdender Entfernung von der Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ ab, worin sich dieser von einem herkömmlichen Antireflexfilm 6 unterscheidet.
Nun wird das Herstellungsverfahren des oben beschriebenen Antireflexfilms beschrieben. Zunächst wird eine Si-Solarzelle mit einem p-n-Übergang nahe der Oberfläche vorgesehen. Dann wird, nachdem die Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ, auf der der Antireflexfilm der Si-Solarzelle gebildet werden soll, ausreichend gereinigt ist, die Solarzelle in die Kammer eines Sputtergerätes (nicht gezeigt), das Tantal als zu zerstäubende Auffanganode verwendet, eingebracht. Nach ausreichendem Evakuieren der Kammer wird mit reaktivem Sputtern mit
Tantal unter Verwendung von Argongas (Partialdruck: 1 m Torr) begonnen. Zu Beginn des Sputterns wird Ammoniumgas mit einem Partialdruck von 1 m Torr als reaktives Gas in die Argongas-Atmosphäre der Kammer gemischt. Im Verlauf der Zeit wird während der Durchführung des reaktiven Sputterns zunehmend Sauerstoffgas in die oben beschriebene Atmosphäre mit einer Rate von 0,005 m Torr/sek. hinzugefügt. Dann wird nach Ablauf von 200 Sekunden das reaktive Sputtern mit abnehmendem Ammoniumgas in der oben beschriebenen Atmosphäre mit einer Rate von 0,005 m Torr/sek. durchgeführt. Dann ist nach Ablauf von weiteren 200 Sekunden das Ammoniumgas vollständig in der Atmosphäre aufgebraucht, und das reaktive Sputtern ist beendet. In der oben beschriebenen Weise wird ein Antireflexfilm gebildet, der Tantalnitrit in dem Teil, der in Kontakt mit der Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ steht, und Tantaloxidnitrit enthält, mit einer zunehmenden Sauerstoffkomponente und einer abnehmenden Stickstoffkomponente gemäß einer größer werdenden Entfernung von diesem Teil und Tantaloxid auf der äußeren Oberfläche aufweist.
Dieser Antireflexfilm 7 weist einen sich kontinuierlich ändernden Brechungsindex von 2,6 für Tantalnitrit bis 2,0 für Tantaloxid auf, worin sich dieser von dem oben beschriebenen herkömmlichen Antireflexfilm, der einen konstanten Brechungsindex in Richtung der Filmdicke aufweist, unterscheidet. Wenn der Reflexionsfaktor einer mit einer Glasabdeckung versehenen so gebildeten Si-Solarzelle 21 gemessen wird, wird ein mittlerer Wert von ungefähr 5 % in einem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm, wie durch A in Fig. 3 gezeigt, erhalten. Dieser Wert ist bemerkenswert niedriger als der mittlere Reflexionsfaktor von 10 % einer herkömmlichen Si-SolarzelIe, wie durch B Ln Fig. 3 gezeigt. Bei einer Si-Solarzelle 21, auf die ein erfindungsgemäßer Antireflexfilm aufgebracht ist, ist der Reflexionsfaktor in einem weiten Wellenlängenbereich
insgesamt verringert, worin sich diese von der herkömmlichen Si-Solarzelle, die eine große Wellenlängenabhängigkeit aufweist, unterscheidet.
Während sich der Reflexionsfaktor einer herkömmlichen Si-Solarzelle stark mit der Dicke des Antireflexfilms ändert, ändert sich der Reflexionsfaktor der Si-Solarzelle 21, bei der der erfindungsgemäße Ant:i ref lexf i Im verwende; L wurde , nur geringfügig in Abhängigkeit von der Filrndicke, und demgemäß erhält man damit einen Vorteil, daß die Steuerung des Her-Stellungsverfahrens desselben sehr einfach wird.
Obgleich in der oben beschriebenen Ausführungsform Tantal als zu zerstäubende Auffanganode während der Zeit der Bildung des Antireflexfilms 7 verwendet wurde, kann ebenfalls Tantaloxid, Aluminium, Aluminiumoxid oder Silizium verwendet werden. Wenn Tantaloxid verwendet wurde, beträgt der mittlere Reflexionsfaktor ungefähr 6 %. Der Grund dafür besteht darin, daß der Brechungsindex geringfügig auf 2,4 aufgrund einer geringen Menge von Sauerstoff, die in dem Teil, der die Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ berührt, enthalten ist, verglichen mit dem Fall, bei dem Tantal als Auffanganode verwendet wird, verringert wird. Wenn Silizium als Auffanganode verwendet wird, ergibt sich ein mittlerer Reflexionsfaktor in Höhe von 8 %, da der Brechungsindex des Teils, der in Berührung mit der Oberfläche 2a der Schicht vom η-Typ steht, weiterhin verringert wird. Der mittlere Reflexionsfaktor von 8 % in diesem Fall ist jedoch immer noch niedriger als der mittlere Reflexionsfaktor von 10 % bei der herkömmlichen Si-Solarzelle .
Fig. 4 ist eine Schnittansicht einer Si-Solarzelle, auf die ein Antireflexfilm einer anderen Ausführungnform der Erfindung aufgebracht ist. Auf der Oberfläche Pn der Schicht, vom
η-Typ wird eine erste Antireflexschicht 8a gebildet mit Zusätzen, die sich allmählich von Tantalnitrit über Tantaloxynitrit zu Tantaloxid in Richtung Außenseite durch Anwenden eines reaktiven Sputterns mit Tantal als Auffanganode auf die gleiche Weise wie in Fig. 2 gezeigt ändern. Dann wird auf der ersten Antireflexschicht 8a eine zweite Antireflexschicht 8b gebildet, die sich allmählich von Siliziumnitrit über Siliziumoxynitrit zu Siliziumoxid in Richtung Außenseite durch Anwenden eines reaktiven Sputterns mit Silizium als
K) Auffanganode ändert. Zur Bildung der zweiten Antireflexschicht Bb auf die gleiche Weise wie die erste Antireflexnohieht Ha wird in die Kammer des Sputtergerat.es eine Ammoniumatmosphäre zum Zeitpunkt des Beginns des reaktiven Sputterns eingebracht. Durch zeitlich allmähliche Zunahme des Sauerstoffgases wird ein reaktives Sputtern während einer vorbestimmten Zeitspanne durchgeführt. Dann wird durch Abnahme des Ammoniumgases in der zuvor beschriebenen Atmosphäre reaktives Sputtern für eine vorbestimmte Zeitspanne durchgeführt, und dann wird, wenn nur noch Sauerstoffgas als reaktive Gaskomponente in der Atmosphäre enthalten ist, das reaktive Sputtern abgebrochen. In einem Bereich der ersten Antireflexschicht 8a, der die zweite Antireflexschicht 8b berührt., wird Tantaloxid mit einem Brechungsindex von 2,0 gebildet und in einem Bereich der zweiten Antireflexschicht
;"> Mb, der· <.li<% er:;l.e Ant. i reT] exr.eh i ent Bn berührt, wird Siliziumnitrit mit einem Brechungsindex von 2,0 gebildet. Demgemäß wird ein Antireflexfilm 8 mit einem Brechungsindex, der sich kontinuierlich von 2,6 für Tantalnitrit bis 1,45 für Siliziumoxid ändert, gebildet. Wenn der Reflexionsfaktor nach Aufbringen einer Glasabdeckung auf die Oberfläche der so gebildeten Si-Solarzelle 22 gemessen wird, wird ein extrem niedriger Wert von 3 % im Mittel in einem Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm erhalten. Der Grund dafür besteht darin, daß der Film 8 einen weiteren Bereich der Brechungs-
BAD ORiGfNAL
indizes abdeckt, verglichen mit dem Film 7 in Fig. 2. Es ist unnötig zu erläutern, daß der Reflexionsfaktor dieser Si-Solarzelle 22 gleichfalls eine geringe Abhängigkeit von der Filmdicke aufweist.
Obgleich in den oben beschriebenen Ausführungsformen der Fall einer Silizium-Solarzelle beschrieben wurde, kann der erfindungsgemäße Antireflexfilm ebenfalls auf Solarzellen oder beliebige andere lichtaufnehmende photooloklrische Einrichtungen eines beliebigen Materials aufgebracht werden.
Weiterhin kann ein erfindungsgemäßer Antireflexfilm ebenfalls auf lichtaussendende photoelektrische Einrichtungen, wie z.B. lichtaussendende Dioden, die Licht aus einem Material mit einem hohen Brechungsindex in ein Medium mit einem niedrigen Brechungsindex auf der anderen Seite aussenden, aufgebracht werden. Als zu zerstäubende Auffanganode wurde bei den oben beschriebenen Ausführungsformen nur Tantal, Tantaloxid, Silizium und Siliziumoxid erwähnt. Andere Elemente, wie z.B. Aluminium oder Aluminiumoxid können jedoch auch, insofern der Brechungsindex gemäß einer Änderung von Nitrit über Oxynitrit nach Oxid sich verringert, angewendet werden.
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Claims (6)

  1. PATENTANWALT DIPL.-PHYS. LUTZ H. PRÜFER · D-8OOO MÜNCHEN 9O
    FO 70-3365 P/Ka/so
    Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, Tokyo/Japan
    Antireflexfilm für eine photoelektrische Einrichtung und Herstellungsverfahren dazu
    PATENTANSPRÜCHE
    Antiref lexf ilm für eine photoelektrische Einrichtung, gekennzeichnet durch mindestens eine Schicht mit einem Brechungsindex, der am größten auf der Seite ist, die der lichtaufnehmenden Oberfläche (2a) oder der lichtaussendenden Oberfläche der photoelektrischen Einrichtung benachbart ist und kontinuierlich gemäß einer größer werdenden Entfernung von dieser Seite abnimmt.
    PATENTANWALT DiPU-PHYS. LUTZ H. PRÜFER ■ D-8000 MÜNCHEN 90 ■ HARTHAUSER STR. 25d · TEL· (0 89) 640 640
  2. 2. Antireflexfilm nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (7, 8a) ein Nitrit, ein Oxynitrit und ein Oxid eines Elementes, das aus einer Gruppe, bestehend aus Tantal, Aluminium und Silizium, ausgewählt wird, enthält, und daß die Stickstoffmenge am größten und die Sauerstoffmenge am kleinsten auf der Seite ist, die der Oberfläche benachbart ist, während die Stickstoffmenge zunimmt und die Sauerstoffmenge abnimmt gemäß einer größer werdenden Entfernung von dieser Seite.
  3. 3. Antireflexfilm nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß der Antireflexfilm eine erste Schicht, bestehend aus einem Nitrit, einem Oxynitrit und einem Oxid von Tantal oder Aluminium auf der Oberfläche, und eine zweite Schicht, die ein Nitrit, ein Oxynitrit oder ein Oxid von Silizium auf der ersten Schicht enthält, aufweist .
  4. 4. Antireflexfilm nach Anspruch 3,
    dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht und die zweite Schicht den gleichen Reflexionsfaktor in dem Grenzbereich zwischen beiden aufweisen.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung eines Antireflexfilms auf der lichtaufnehmenden Oberfläche oder der lichtaussendenden Oba?flache einer photoelektrischen Einrichtung, gekennzeichnet durch die Schritte:
    Einbringen der photoelektrischen Einrichtung in eine Kammer einer Sputter-Einrichtung,
    Einleiten eines Edelgases und eines aktiven Gases, das Stickstoff enthält, in die Kammer, um ein reaktives Sputtern mit Tantal, Tantaloxid, Aluminium, Aluminiumoxid oder Silizium als zu zerstäubende Auffanganode zu beginnen,
    Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer vorgeschriebenen Zeitspanne, während zunehmend ein reaktives Gas, das Sauerstoff enthält, zusätzlich in die Kammer geleitet wird, und
    b anschließendes Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer vorgeschriebenen Zeitspanne, in der das reaktive Gas, das Stickstoff enthält, in der Kammer abnimmt.
  6. 6. Verfahren zur Herstellung eines Antireflexfilms auf der lichtaufnehmenden Oberfläche oder der lichtaussendenden Oberfläche einer photoelektrischen Einrichtung, gekennzeichnet durch die Schritte:
    Vorsehen der photoelektrischen Einrichtung, Einbringen der photoelektrischen Einrichtung in eine Kammer einer Sputtereinrichtung,
    Ii) Einleiten eines Edelgases und eines reaktiven Gases, das Stickstoff enthält, in die Kammer, um ein reaktives Sputtern mit Tantal, Tantaloxid, Aluminium oder Aluminiumoxid als zu zerstäubende Auffanganode zu beginnen, Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer vorgeschriebenen Zeitspanne, während der zunehmend ein reaktives Gas, das Sauerstoff enthält, in die Kammer zusätzlich eingeleitet wird,
    Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer vorgeschriebenen Zeitspanne, während der das reaktive Gas, das Stickstoff enthält, in der Kammer verringert wird, nach Ausströmen des gesamten reaktiven Gases erneutes Einbringen eines Edelgases und eines reaktiven Gases, das Stickstoff enthält, in die Kammer, um ein reaktives Sputtern mit Silizium oder Siliziumoxid als zu zerstäubende Auffanganode zu beginnen,
    Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer vorgeschriebenen Zeitspanne, während der zunehmend ein reaktives Gas, das Sauerstoff enthält, in die Kammer zusätzlich einge-
    leitet wird, und
    Durchführen eines reaktiven Sputterns während einer Zeitspanne, während der das reaktive Gas, das Stickstoff enthält, in der Kammer verringert wird.
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