JPH0794691A - イメージセンサ - Google Patents

イメージセンサ

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JPH0794691A
JPH0794691A JP5234840A JP23484093A JPH0794691A JP H0794691 A JPH0794691 A JP H0794691A JP 5234840 A JP5234840 A JP 5234840A JP 23484093 A JP23484093 A JP 23484093A JP H0794691 A JPH0794691 A JP H0794691A
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JP
Japan
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light receiving
image sensor
light
lid
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Application number
JP5234840A
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English (en)
Inventor
Kensho Tokuda
憲昭 徳田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils

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  • Multimedia (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 干渉性の高い照明光を使用しても、イメージ
センサが干渉縞を検出しないようにする。 【構成】 イメージセンサは、受光素子1と保護部材
(リッド)2とが一体にパッケージ3に固定される。そ
して、受光素子1の表面に照明光に対する反射防止膜7
を形成する、又は受光素子1の表面とリッド2の受光素
子1側の面との間隔dを、照明光の可干渉距離Dの半分
程度以上に定める。 【効果】 イメージセンサは干渉縞を検出しないので、
観察、画像処理計測等の精度向上が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像処理装置等に使用
されるイメージセンサに関し、特にレーザ等の干渉性の
高い照明光を利用する装置に好適なイメージセンサに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は代表的なイメージセンサであるC
CD型イメージセンサの外観図、図8は図7のイメージ
センサの断面構造を示す図である。図7、図8におい
て、受光用フォトダイオード・アレイ等が形成されてい
るCCDイメージセンシング素子(以下、受光素子と呼
ぶ)1は、樹脂、又はセラミック等で形成されたパッケ
ージ3に収納され、パッケージ3は受光素子1を保護す
るためのカバーガラス2によってほぼ密封されている。
カバーガラス2は、1mm前後の厚さの平行平板ガラス
であり、受光素子1の表面とほぼ平行(水平)にパッケ
ージ3固定されている。
【0003】通常、カバーガラス(以下、リッド(蓋)
と呼ぶ)2の表面、裏面には共に、ガラス表面での反射
損失(片面当たりおよそ4%)を低減するために、イメ
ージセンサが検出すべき照明光の波長域に対する反射防
止膜が形成されており、表面反射率は片面あたり1%未
満に抑えられている(図12)。これに対して受光素子
1の表面には反射防止、特に特定波長を狙った反射防止
コーティングの措置は取られない。このため、例えばシ
リコンウエハ上に作り込まれた素子であれば、可視から
紫外領域の波長で50〜60%程度の表面反射率を持っ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のイメージセンサを、干渉性の高いほぼ単色の照明
光、例えばレーザ光を利用して物体を観察する装置に使
用した場合、本来観察したい像の上に干渉縞が重なって
観察され、観察、又は画像処理計測の支障になるという
問題がある。ここで、図9を用いて受光素子1上に干渉
縞が形成される仕組みを詳細に説明する。簡単の為、図
9ではリッド2は厚みのない平面2’であると見なし、
受光素子1も突起等のない平坦な表面1’を持つものと
し、両者が微小傾角θ0(単位rad)をなして固定されてい
るものとする。
【0005】さて、イメージセンサはリッド2を通過し
た光を受光素子1で受光する。このため、図9に示すよ
うにリッド面2’を通過して受光素子表面(受光面)
1’で反射し、もう一回リッド面2’で反射して受光面
1’に達する光束4と、リッド面2’を通過して直接受
光面1’に達する光束5との干渉により、受光面1’上
に干渉縞が形成される。尚、図9及び以下の説明で使用
する図面では、便宜上光束4、5を受光素子表面1’に
対して傾けて描いているが、実際には概鉛直に入射す
る。
【0006】これはフィゾーの干渉縞といわれるもの
で、干渉縞の強度(コントラスト)は、リッド面の表
面反射率RL 、受光素子の表面反射率RI 、レーザ
光の可干渉性(コヒーレンシー)に依存する。また、干
渉縞のピッチpは図10に示したような関係によって決
まる。図10において、光束4(の波面)はリッド2を
通過して受光素子表面1’及び傾き角θ0 のリッド面で
反射し、角度2θ0 で受光素子表面1’に入射する光束
であり、光束5(の波面)は受光素子表面1’に直接ほ
ぼ垂直に入射する光束である。光束4、5の波長は何れ
の波面においても、間隔λで示してある。
【0007】さて、素子表面1’上の位置10に干渉縞
のある位相、例えば暗線の中心があるとすると、それに
隣接する暗線の中心は位置11であり、その2点間の距
離、すなわち干渉縞のピッチpは、図から明らかなよう
に、 p=λ/sin2θ0 ≒λ/2θ0 (但し、1≫2θ0) という式で表すことができる。従って、干渉縞は受光素
子表面1’上で紙面に垂直(配列方向は紙面と平行な方
向)に発生する。図11は図9の斜視図であり、干渉縞
は点線6で表されている。
【0008】尚、以上の説明ではリッド面2’と受光素
子表面1’は完全な平面であるとしてきたが、実際には
この両者は完全な平面ではなく、例えばリッド2の加工
精度、あるいはリッド2がパッケージ3に接着されると
きにかかる応力による歪み、または受光素子1の製造プ
ロセスやパッケージ3への取付時に発生する歪等によ
り、両者の表面は相対的にうねっているので、干渉縞も
それに応じて歪んだ形になっている。別の見方をすれ
ば、図9に示した微小傾角θ0 はリッド面と受光素子表
面の相対的うねり、すなわち傾きを局所的に表現したも
のと考えることもできる。
【0009】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、干渉性の高いほぼ単色の照明光を利用
する系においても、受光素子上に干渉縞が生じない、も
しくは干渉縞があっても観察、又は画像処理上での影響
を十分に低減できるイメージセンサを提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる問題点を解決する
ため本発明においては、干渉性の高い実質的に単色の照
明光を利用する系で使用され、受光素子(1)と保護部
材(2)とが一体化されたイメージセンサにおいて、受
光素子の表面に、照明光(4、5)に対する反射防止膜
(7)を形成することとした。または、受光素子の表面
と保護部材の受光素子側の面との間隔(d)を、照明光
の可干渉距離(D)の半分程度以上に定めることとし
た。
【0011】さらに本発明においては、受光素子の表面
と保護部材の面とを相対的に傾けることとした。例え
ば、受光素子の画素配列方向に関する受光素子と保護部
材との相対的な傾き角θ [rad]を、受光素子の信号処理
上の有効画素の配列ピッチをP、照明光の波長をλとす
ると、θ≧λ/2Pなる関係を満足するように定める。
また、イメージセンサが2次元のエリアイメージセンサ
であるときは、受光素子と保護部材とを、受光素子の信
号処理上の有効画素の配列格子と交差する方向に関して
相対的に傾けるようにした。特に有効画素の対角線と垂
直な方向に関して、受光素子と保護部材とを相対的に傾
けると良い。
【0012】
【作用】本発明では、受光素子上に形成される干渉縞の
強度(コントラスト)が、受光素子の表面反射率、照明
光の可干渉性等に依存することに着目した。まず、干渉
縞の形成に寄与する一方の光束(受光素子表面、及び保
護部材で反射して再度受光素子に入射する光束)の強度
が低下すると、それに応じて干渉縞のコントラストが低
下することに着目し、その一方の光束の強度を低下させ
るために、受光素子の表面反射率を下げる、すなわち受
光素子の表面に反射防止膜を形成するようにした。この
ため、受光素子上の干渉縞のコントラストが極端に低下
する、すなわち干渉縞がほぼ発生しなくなる。
【0013】また、干渉縞の形成に寄与する光束の干渉
性を低下させると、それに応じて干渉縞のコントラスト
が低下することに着目し、受光素子の表面と保護部材の
受光素子側の面との間隔を、照明光の可干渉距離の半分
程度以上に定めるようにした。このため、受光素子上で
干渉が起こり難くなる(理想的には干渉しなくなる)の
で、干渉縞が発生するという不具合は生じない。
【0014】さらに本発明では、受光素子の表面と保護
部材の面とを相対的に傾けると、それに応じて受光素子
上に形成される干渉縞の配列方向、ピッチが変化するこ
とに着目し、受光素子上に干渉縞が発生していてもイメ
ージセンサの観察、計測に支障がないように、受光素子
表面と保護部材面とを相対的に傾けて一体化するように
した。具体的には、受光素子表面と保護部材面とを相対
的に傾けていくと、干渉縞のピッチはそれに反比例して
細かくなり、干渉縞のピッチpが受光素子の信号処理上
の有効画素の配列ピッチPと同等以下になれば、有効画
素中で干渉縞が平均化されて実質的に見えなくなる。そ
こで、受光素子の画素配列方向に関する受光素子表面と
保護部材面との相対的な傾き角θ [rad]を、受光素子の
信号処理上の有効画素の配列ピッチをP、照明光の波長
をλとすると、P≧p=λ/ sin2θ≒λ/2θ(但
し、1≫2θ)、すなわちθ≧λ/2Pなる関係を満足
するように定める。このため、干渉縞が発生していても
イメージセンサの観察、計測に全く支障がなくなる。ま
た、イメージセンサが2次元のエリアイメージセンサで
あるときは、受光素子と保護部材とを、受光素子の信号
処理上の有効画素の配列格子と交差する方向に関して相
対的に傾けるようにした。特に有効画素の対角線と垂直
な方向に関して、受光素子と保護部材とを相対的に傾け
ると良い。このため、2次元のエリアイメージセンサで
あっても、干渉縞がその観察、計測に支障をきたすこと
がなくなる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
各実施例によるイメージセンサは、干渉性の高いほぼ単
色の照明光を利用して物体の観察、又は画像処理計測を
行う装置、例えば半導体素子製造用の投影露光装置に設
けられるマーク検出系(アライメント系)に使用される
ものである。
【0016】図1は本発明の第1実施例によるイメージ
センサの構成を示す図であって、図8と同じ機能、作用
の部材には同一の符号を付してある。本実施例では、保
護部材(リッド)2の両面、及び受光素子1の表面の各
々に、照明光(例えばKrF、ArFエキシマレーザ)
4、5の波長域に応じた反射防止膜7を形成したもので
ある。エキシマレーザ用の反射防止膜としては、例えば
Al2 3 とSiO2とを交互に真空蒸着法により堆積
させたものを使用すれば良い。尚、リッド2は照明光に
対してほぼ透明な平行平板ガラスである。
【0017】以上のように本実施例では、受光素子1の
表面反射率に着目してその表面に反射防止膜7を形成し
たので、リッド2を通過して受光素子1に達する光束4
のうち、受光素子表面で反射してリッド2に達し、ここ
で反射して再度受光素子1に入射する光束、すなわち干
渉縞の形成に寄与する光束(4、5)の一方の強度を、
従来装置(図12)に比べて大幅に低下させることがで
きる。図12は、リッド2の両面のみに反射防止膜7を
形成したイメージセンサを示している。従って、本実施
例では受光素子1上に発生する干渉縞のコントラストが
極端に低下し、観察や画像処理計測を行う上で干渉縞が
全く支障にならなくなる。
【0018】図2は本発明の第2実施例によるイメージ
センサの構成を示す図であって、図1、8と同じ機能、
作用の部材には同一の符号を付してある。本実施例では
照明光の可干渉性(コヒーレンシー)に着目し、受光素
子1とリッド(平行平板ガラス)2とをパッケージ3に
一体化するにあたり、受光素子1の表面とリッド2の受
光素子1側の面との間隔dを、照明光の可干渉距離Dの
半分程度、もしくはそれ以上に定めるようにしたもので
ある。このとき、間隔dの値に応じてパッケージ3自体
の高さを変える、あるいはパッケージ3とリッド2との
間にスペーサを設ければ良い。
【0019】以上のように本実施例では、受光素子1と
リッド2との間隔dを照明光の可干渉距離Dの半分程度
以上としたので、干渉縞の形成に寄与する2本の光束の
光路長差が照明光の可干渉距離と同程度以上となる。す
なわち2光束の干渉が生じず、受光素子1上に干渉縞が
発生することがなくなる。尚、図2中のリッド2の両
面、さらには受光素子1の表面に、第1実施例と同様の
反射防止膜を形成しておいても良い。
【0020】ここで、He−Neレーザ等では一般的に
その可干渉距離が数十cm以上となり、リッドを含めた
イメージセンサのサイズが極端に大きくなるため、本実
施例はあまり現実的なものではない。しかしながら、近
年リソグラフィー装置等に応用されているエキシマレー
ザでは、可干渉距離がせいぜい十から数十mm程度であ
るため、本実施例によっても実用上問題とならない程度
の大きさでイメージセンサを作ることができ、十分に干
渉縞の発生防止が可能である。
【0021】図3は本発明の第3実施例によるイメージ
センサの構成を模式的に示し、図1、2と同じ機能、作
用の部材には同一の符号を付してある。図3では受光素
子1とリッド2とを一体に保持するパッケージを省略し
てある。本実施例では、受光素子1の表面に対してリッ
ド(平行平板ガラス)2を微小角度θ[rad] だけ傾けて
パッケージに装着するようにし、受光素子表面とリッド
面とを相対的に傾けたものである。尚、傾き角θは、実
際のリッド2の傾き角Θを、受光素子1の画素8の配列
方向(紙面内左右方向)と直交する方向に射影した角度
である。すなわち本実施例では、実際のリッド2の傾き
角Θではなく、画素配列方向に関する受光素子表面とリ
ッド面との相対的な傾き角(傾き角Θの射影成分)θが
重要となる。
【0022】さて、先に説明したように本構成によれ
ば、干渉縞6のピッチpは、照明光の波長をλとする
と、p=λ/ sin2θ≒λ/2θ(但し、1≫2θ)と
表される。ここで、干渉縞6のピッチpが画素8の配列
ピッチPと同等以下になれば、画素中で干渉縞が平均化
されて実質的に見えなくなる。そこで、画素配列ピッチ
Pに対して干渉縞ピッチpがp≦Pとなる、すなわちθ
≧λ/2Pなる関係を満足するようにリッド2を傾け
る。従って、本実施例では受光素子1上に干渉縞が存在
するものの、画素8中で干渉縞が平均化されるために、
イメージセンサの出力上では干渉縞が実質的に観察され
ず、観察や画像処理計測等を行う上で全く支障がなくな
る。尚、本実施例では前述の条件を満足すれば、リッド
2はどのように傾けても構わない。また、リッド2を傾
けてパッケージに固定するためには、傾き角θ(正確に
はΘ)に応じてパッケージの高さを部分的に変える、パ
ッケージとリッドとの間の一部にスペーサを設ける、リ
ッドをパッケージに固定するための接着剤の厚みを部分
的に変える、あるいはパッケージと接触する部分のリッ
ドの厚さを部分的に異ならせれば良い。また、本実施例
における受光素子1の画素とは、受光素子1の信号処理
上の有効画素を指すものとする。さらに本実施例でも、
受光素子1の表面、さらにはリッド2の少なくとも一方
の面に、第1実施例と同様に反射防止膜を形成しておい
ても良い。
【0023】ところで、本実施例において配列ピッチP
=12μm、照明波長λ=0.248μmとしたとき、
前述の傾き角θは約10mrad(=0.59°)以下
とすれば良い。ここで、傾き角θを10mradとした
ときはp≒Pとなり、図3に示すように受光素子1の1
つの画素8に対して1組の明暗縞がかかることになる。
これにより、画素8中で明暗縞が平均化されて実質的に
干渉縞が観察されなくなる。しかしながら、実際にはリ
ッド2の歪み、撓み、うねり等で干渉縞のピッチが部分
的に異なることがあったり、ピッチの微妙なずれによっ
てモアレ模様が観察されることがある。そこで、安全の
ために傾き角θをλ/2θよりも大きくし、干渉縞のピ
ッチを更に細かして1つの画素内に複数本、例えば2〜
3本の干渉縞(明暗縞)が入るようにすることが望まし
い。また、傾き角θを大きくするときには、リッド2の
反射防止膜の角度特性を、その傾き角θ、すなわちリッ
ド2の実際の傾き角Θに応じて適宜調整することが望ま
しい。
【0024】また、本実施例ではイメージセンサが1次
元のリニアイメージセンサであることを前提に説明を行
っており、リッド2の傾斜方向(干渉縞6のピッチ方
向)と画素配列方向とが直交しているとき以外は前述の
条件(θ≧λ/2P)を満足するようにリッド2を傾け
れば良いが、両者が直交しているときは画素配列方向と
垂直な方向に関する画素の幅Wに着目してリッド2を傾
ける必要がある。すなわち、干渉縞のピッチpが画素の
幅Wと同程度以下となる、換言すればp≦Wなる関係を
満足するように、リッド2を傾けてパッケージに固定す
る必要がある。つまり、傾き角θがθ≧λ/2Wなる関
係を満足するようにリッド2を傾ければ良い。尚、イメ
ージセンサが2次元のエリアイメージセンサであるとき
は、受光素子1上で直交する2つの画素配列方向に関す
る傾き角(傾き角Θの射影成分)θの各々が、前述の条
件を満足するようにリッド2を傾ければ良い。尚、2つ
の画素配列方向の各々での画素配列ピッチが互いに異な
っていても、同様に各傾き角θが前述の条件を満足する
ようにリッド2を傾ければ良い。
【0025】また、本実施例ではリッド2を平行平面板
とし、このリッド2を受光素子1の表面に対して傾けて
パッケージに取り付けるものとした。しかしながら、図
4に示すようにリッド2を楔形としてパッケージに取り
付ける(図4(a))、受光素子1をパッケージに対して
傾けて取り付ける(図4(b))、あるいは受光素子1及
びリッド2の両方を傾けてパッケージに取り付ける(図
4(c))ようにしても良い。要は、受光素子表面とリッ
ド面との傾き角θが前述の条件を満足するように受光素
子1とリッド2とが相対的に傾いていれば良く、その取
付方法は任意で構わない。
【0026】図5は本発明の第4実施例によるイメージ
センサの構成を模式的に示し、図1〜3と同じ機能、作
用の部材には同一の符号を付してある。図5では、受光
素子1とリッド2とを一体に保持するパッケージを省略
してある。本実施例は、特に2次元のエリアイメージセ
ンサに有効なものであり、前述の第3実施例と同様に受
光素子表面とリッド面とを相対的に傾けるものである。
【0027】さて、本実施例では図5(a)の如く受光
素子表面1’とリッド面2’とを相対的に角度θだけ傾
けるが、受光素子1上に生じる干渉縞6の明暗パターン
の長手方向(図5(b)中の矢印9の方向)が、受光素
子1上の多数の正方形の画素8の対角線(画素配列格子
の45°方向)にほぼ平行になるように、受光素子1と
リッド2とをパッケージに取り付けるようにするもので
ある。この構成によれば、受光素子1をを縦、横いずれ
の方向に見ても干渉縞は同じ角度で交差しているので、
縦、横共に同等に観察されることはない。尚、本実施例
でも受光素子1の表面、さらにはリッド2の少なくとも
一方の面に、第1実施例と同様に反射防止膜を形成して
おいても良い。
【0028】ここで、本実施例では受光素子1上の画素
配列格子に対して干渉縞6が45°傾いて交差するよう
にしたが、その交差角は45°である必要はなく、例え
ば干渉縞6のピッチに応じて交差角を適宜決定すれば良
い。すなわち、干渉縞6のピッチによって1つの画素8
に入る明暗縞の本数が決まることから、1画素に付き何
組の明暗縞を入れるかによって交差角を調整すれば良
い。このとき、1画素に少なくとも1組の明暗縞が入る
ように交差角を決定する必要がある。また、干渉縞6の
ピッチが粗くて1画素に1組の明暗縞が入らないとき
は、前述の傾き角θを調整、すなわち大きくして干渉縞
のピッチを細かくすれば良い。つまり、本実施例でも第
3実施例と同様に傾き角θがθ≧λ/2Pなる関係を満
足するように、受光素子表面とリッド面とを相対的に傾
けておくと良い。
【0029】以上のように本実施例では、受光素子1上
の2次元の画素配列格子に対して干渉縞6が交差するよ
うに、その画素配列格子と交差する方向に関して受光素
子表面とリッド面とを相対的に傾けてパッケージに取り
付けるようにする。このため、2次元のエリアイメージ
センサでも実質的に干渉縞が観察されることがなくな
る。
【0030】ところで、図5では画素8を正方形で表し
ているが、実際のイメージセンサでは画素は必ずしも正
方形ではなく、図6(a)の如く長方形である場合もあ
る。また、図6(b)のように所謂インターライン走査
において、水平走査線(矢印H)と垂直な方向に並んだ
2つの画素をまとめて使用する場合、又は図6(c)の
ように画像処理の都合上2つ以上の隣接する画素をまと
めて利用する場合、1つの画素が正方形であったとして
も信号処理上の有効画素は長方形となる。図6(a)〜
(c)のように有効画素(各図中の斜線部)8’が長方
形となる場合には、前述した干渉縞と画素配列格子との
交差角を、信号処理上の有効画素8’の対角線(図中の
実線)と平行に干渉縞が生じるように定める、すなわち
干渉縞の明暗パターンの長手方向9’と有効画素8’の
対角線とが平行になるように、受光素子表面とリッド面
とを相対的に傾けてパッケージに取り付ければ、第4実
施例(図5)と全く同じ効果が得られる。
【0031】次に、図13を参照して本発明によるイメ
ージセンサが適用される装置について説明する。ここで
は半導体素子製造用の投影露光装置に設けられたマーク
検出系への適用例について述べる。図13の装置では、
露光用照明光としてKrFエキシマレーザを用いるもの
とする。図13において、レチクルRのパターン領域P
Aを通過した照明光は投影光学系PLに入射し、投影光
学系PLはレチクルパターンをウェハW上に結像投影す
る。レチクルRは、駆動系DRによってX、Y、θ方向
に移動可能なレチクルステージRSに載置され、その位
置はレーザ干渉計(不図示)によって常時計測される。
また、レチクルRの周辺部には2組のアライメントマー
クRM1 、RM2が対向して配置されている。図示して
いないが、アライメントマークRM1 、RM2 は矩形の
透明窓内に十字状の遮光マークを形成したものである。
ウェハWは2次元移動可能なウェハステージWSに載置
され、その位置はレーザ干渉計IFMによって常時計測
される。ウェハステージWSには、干渉計IFMからの
レーザビームを反射する移動鏡MRと、レチクルアライ
メントやベースライン計測等に用いられる基準板FMと
が設けられている。
【0032】図14(a)は基準板FMの具体的な構成
を示しており、基準板FMにはX方向に所定距離だけ離
れた2組の透明窓MW1 、MW2 が形成されている。透
明窓MW1 、MW2 の間隔はレチクルR上のアライメン
トマークRM1 、RM2 の間隔に投影光学系PLの投影
倍率を乗じたものである。図13に示すように基準板F
Mは、光ファイバーFBを用いてウェハステージWS内
部まで伝送した照明光IEによってその下面から照明さ
れるように構成されている。照明光IEは、露光用照明
光と同一波長域の光が用いられ、ここでは露光用光源か
ら射出したKrFエキシマレーザを一部分岐して光ファ
イバーFBの一端に入射させるものとする。図14
(b)は透明窓MW1 の拡大図であり、透明窓MW1
には4組の基準マークMX1 、MX2 、MY1 、MY2
が形成されている。この基準マークはいずれも2本の直
線状の遮光マークで構成されている。尚、透明窓MW2
の構成も透明窓MW1 と全く同じであるので、ここでは
説明を省略する。
【0033】次に、図13の投影露光装置に設けられた
マーク検出系について説明する。図13において、ウェ
ハステージWSを移動して基準板FMを所定位置に位置
決めした後、光ファイバーFBからの照明光IEを基準
板FMの下面に照射する。基準板FMの透明窓MW1
MW2 を通過した照明光IEは投影光学系PLを介して
レチクルRに達し、透明窓MW1 、MW2 の像がそれぞ
れアライメントマークRM1 、RM2 上に形成される。
さらにアライメントマークRM1 を通過した光は、ミラ
ーM1 、及びリレーレンズ系OB1 を介してビームスプ
リッタ(ハーフミラー)BS1 に達し、ここで分割され
て2組の撮像素子ISX1、ISY1の各々に入射する。一
方、アライメントマークRM2 を通過した光は、ミラー
2 、リレーレンズ系OB2 、及びビームスプリッタB
2 を介して撮像素子ISX2、ISY2の各々に入射す
る。ここで、リレーレンズ系OB1 は拡大系であって、
アライメントマークRM1 と透明窓MW1 の像を撮像素
子ISX1、ISY1の受光面上に再結像するものである。
尚、リレーレンズ系OB2 も同様である。また、4組の
撮像素子ISX1、ISY1、ISX2、ISY2は本発明、例
えば第1実施例のイメージセンサ(図1)が用いられて
いるものとする。
【0034】さて、図14(c)は撮像素子ISX1によ
って検出されるマーク像を示し、アライメントマークR
1 の像RMgが透明窓MW1 、すなわち基準マークM
1、MX2 の像MXg1、MXg2の間に挟み込まれて検
出される。このとき、これらのマーク像とともに干渉縞
が観察されることはない。画像信号処理回路IDSは撮
像素子ISX1からの画像信号を入力し、所定の演算処理
によりアライメントマークRM1 と基準マークMX1
MX2 とのX方向の相対的な位置ずれ量を算出する。ま
た、撮像素子ISY1ではアライメントマークRM1 と基
準マークMY1、MY2 の像が検出され、画像信号処理
回路IDSにおいて相対的なY方向の位置ずれ量が算出
される。尚、撮像素子ISX2、ISY2からの画像信号も
画像信号処理回路IDSに入力し、ここでアライメント
マークRM2 と透明窓MW2 とのX、Y方向の相対的な
位置ずれ量が算出される。主制御装置MCSは、画像信
号処理回路IDSで算出された位置ずれ量を入力し、こ
れら位置ずれ量に基づいてレチクルRのX、Y、θ方向
の残留誤差を算出する。そして、主制御装置MCSはこ
の残留誤差が零となるように駆動系DRを介してレチク
ルステージRSを微動する。これにより、レチクルRの
アライメントが終了する。
【0035】以上のように、投影露光装置のマーク検出
系に本発明のイメージセンサを適用すると、干渉縞の影
響を受けることがないので、その検出精度を大幅に向上
させることができ、要求精度が厳しい投影露光装置では
非常に有効である。ところで、図13中の4組の撮像素
子ISX1、ISY1、ISX2、ISY2として本発明のイメ
ージセンサを用いるものとしたが、従来のイメージセン
サをそのまま使用しても干渉縞の影響を低減できる方法
がある。例えば、撮像中に撮像素子とその受光面上に生
じる干渉縞とを相対移動(又は振動)させると、全体と
して干渉縞が平均化されてその影響が大幅に低減でき
る。このとき、相対移動方向は受光面上に生じる干渉縞
のピッチ方向と交差する方向とすることが望ましい。相
対移動手段としては、撮像素子の角度を微小変化させる
もの、ビームスプリッタBS1 を振動させるもの等が考
えられる。あるいは、撮像素子の受光面に対するフーリ
エ変換面、もしくはその近傍面に振動ミラーを配置し、
撮像中にこの振動ミラーを揺動するようにしても良い。
このとき、撮像素子の受光面と各マーク像とは相対移動
しないが、振動ミラーの揺動に同期して干渉縞が移動す
ることになり、画素毎に干渉縞を平均化することができ
る。
【0036】また、撮像中に干渉縞を移動させる方式の
他に、例えば画像処理に利用する画像を複数のフィール
ドの平均像として、各フィールド毎に異なった干渉縞の
像を取り込んでその出力を加算して干渉縞の影響を低減
する方法もある。
【0037】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、干渉性の
高い照明光を使用される系においても、受光面上にもと
もと干渉縞が発生しないか、または発生していてもイメ
ージセンサの出力では平均化されて観測されることがな
いので、実質的には干渉縞のない画像が得られるという
効果がある。従って、各種観察、画像処理計測等の精度
を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるイメージセンサの構
成を示す図。
【図2】本発明の第2実施例によるイメージセンサの構
成を示す図。
【図3】本発明の第3実施例によるイメージセンサの構
成を示す図。
【図4】第3実施例のイメージセンサの変形例を示す
図。
【図5】本発明の第4実施例によるイメージセンサの構
成を示す図。
【図6】第4実施例のイメージセンサの変形例を示す
図。
【図7】従来のイメージセンサの外観図。
【図8】図7のイメージセンサの断面図。
【図9】従来のイメージセンサで干渉縞が発生する理由
を説明する模式図。
【図10】図9で発生する干渉縞のピッチを説明する模
式図。
【図11】受光素子表面に発生する干渉縞を示す斜視
図。
【図12】図8中のリッドの両面に反射防止膜が形成さ
れた様子を示す図。
【図13】本発明のイメージセンサが適用されるマーク
検出系を備えた投影露光装置の概略構成を示す図。
【図14】(a)、(b)は図13中の基準板の具体的
な構成を示す図、(c)は図13中の撮像素子によって
検出されるマーク像を示す図。
【符号の説明】
1 …… 受光素子 2 …… 保護部材(リッド) 3 …… イメージセンサのパッケージ 4、5 …… 入射光束 6 …… 干渉縞 7 …… 反射防止膜 8 …… イメージセンサ画素

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 干渉性の高い実質的に単色の照明光を利
    用する系で使用され、該照明光を受光する素子と、該受
    光素子を覆う、前記照明光に対してほぼ透明な保護部材
    とが一体化されたイメージセンサにおいて、 前記受光素子の表面に、前記照明光に対する反射防止膜
    を形成したことを特徴とするイメージセンサ。
  2. 【請求項2】 干渉性の高い実質的に単色の照明光を利
    用する系で使用され、該照明光を受光する素子と、該受
    光素子を覆う、前記照明光に対してほぼ透明な保護部材
    とが一体化されたイメージセンサにおいて、 前記受光素子の表面と前記保護部材の前記受光素子側の
    面との間隔を、前記照明光の可干渉距離の半分程度以上
    に定めたことを特徴とするイメージセンサ。
  3. 【請求項3】 干渉性の高い実質的に単色の照明光を利
    用する系で使用され、該照明光を受光する素子と、該受
    光素子を覆う、前記照明光に対してほぼ透明な保護部材
    とが一体化されたイメージセンサにおいて、 前記受光素子の表面と前記保護部材の面とを相対的に傾
    けたことを特徴とするイメージセンサ。
  4. 【請求項4】 前記保護部材は平行平板ガラスであっ
    て、前記受光素子に対して傾けられたことを特徴とする
    請求項3に記載のイメージセンサ。
  5. 【請求項5】 前記受光素子の画素配列方向に関する前
    記受光素子と前記保護部材との相対的な傾き角θ [rad]
    は、前記受光素子の信号処理上の有効画素の配列ピッチ
    をP、前記照明光の波長をλとすると、θ≧λ/2Pな
    る関係を満足するように定められたことを特徴とする請
    求項3、又は4に記載のイメージセンサ。
  6. 【請求項6】 前記イメージセンサは2次元のエリアイ
    メージセンサであって、前記受光素子と前記保護部材と
    は、前記受光素子の信号処理上の有効画素の配列格子と
    交差する方向に関して相対的に傾いたことを特徴とする
    請求項3、又は4に記載のイメージセンサ。
  7. 【請求項7】 前記受光素子と前記保護部材とは、前記
    有効画素の対角線と垂直な方向に関して相対的に傾いた
    ことを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ。
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