DE3412184C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3412184C2 DE3412184C2 DE3412184A DE3412184A DE3412184C2 DE 3412184 C2 DE3412184 C2 DE 3412184C2 DE 3412184 A DE3412184 A DE 3412184A DE 3412184 A DE3412184 A DE 3412184A DE 3412184 C2 DE3412184 C2 DE 3412184C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- oxygen
- recording material
- barrier layer
- material according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein elektrofotografisches
Aufzeichnungsmaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bisher wurden für die Herstellung von elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterialien meistens lichtempfindliche
Materialien wie Se, CdS und ZnO verwendet. Seit
einigen Jahren wird jedoch amorphes Silizium (im
nachfolgenden a-Si genannt) für derartige Aufzeichnungsmaterialien
verwendet, da a-Si wesentlich wärme- und
abnutzungsbeständiger, frei von Verschmutzung und
lichtempfindlicher ist.
Zum Beispiel sind bei einem als Laser-Zeilendrucker
bekannten Aufzeichnungssystem mit hoher Dichte und
hoher Geschwindigkeit, welches mit Hilfe von Halbleiterlaser-
Strahlen Aufzeichnungen macht und kompakt,
leicht und stromsparend ist und bei dem die
Wellenlänge des Halbleiter-Lasers nahe 800 nm innerhalb
des infrarotnahen Bereiches liegt, Untersuchungen
für ein a-Si-elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
mit hoher Empfindlichkeit bei beinahe Infrarotstrahlung
durchgeführt werden. Es ist bereits eine a-Si-Schicht
mit Geranium (im nachfolgenden Ge genannt) angereichert
worden, um die Lichtempfindlichkeit im infrarotnahen
Bereich zu erhöhen.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial aus
mit Ge angereichertem a-Si weist jedoch den Nachteil
auf, daß es nur eine geringe Ladungshaltung und eine
ziemlich schnelle Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit
zuläßt, wodurch die praktische Anwendung begrenzt
ist. Weitere Schwierigkeiten haben sich dadurch ergeben,
daß die Zugabe von Ge, die bei Glimmentladung erfolgt,
die Einleitung von GeH4-Gas zur Folge hat, wodurch
sich die Herstellungskosten erheblich erhöhen, da
GeH4 im Vergleich zu SiH4 sehr teuer ist.
Aus der DE-OS 31 43 764 ist ein elektrofotografisches
Aufzeichnungsmaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1
bekannt. Der Sauerstoffgehalt in der Sperrschicht
beträgt dabei im allgemeinen 60 bis 67 Atom-%, wobei
der Sauerstoff in der Sperrschicht kontinuierlich
verteilt ist. In der fotoleitfähigen a-Si-Schicht
weist die Sauerstoffkonzentration einen Gradienten
auf. Mit dem bekannten elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterial kann eine ausreichende Lichtempfindlichkeit
im Infrarotbereich erzielt werden. Aus der
EP 70 715 ist ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
bekannt, welches auf einem Träger eine erste
Halbleiter-Schicht aus hydriertem, mit Bor dotiertem
a-Si, darauf eine dielektrische Schicht aus Siliziumnitrid
und darauf wiederum eine zweite Halbleiter-Schicht
aufweist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektrofotografisches
Aufzeichnungsmaterial mit hoher Infrarotempfindlichkeit,
großer Ladungshaltung, geringer Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit und geringen Herstellungskosten bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das in den
Ansprüchen 1 und 10 gekennzeichnete elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial gelöst. In den Unteransprüchen
sind vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen
Aufzeichnungsmaterials angegeben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen
näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 eine vergrößerte Ansicht eines elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials im
Schnitt;
Fig. 2 eine Vorrichtung zur Glimmentladungszersetzung
für die Herstellung von amorphen
Siliziumschichten;
Fig. 3 eine schematische Ansicht der Verteilung
von Sauerstoff- bzw. Stickstoffkonzentrationen
relativ zur Schichtdicke des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials;
Fig. 4 und 5 Diagramme spektraler Lichtempfindlichkeit
des laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
aus amorphem Silizium;
Fig. 6 und 7 Diagramme der Oberflächenpotentiale, der
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit und der
optischen Abnahme des mit amorphem Silizium
laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials; und
Fig. 8 eine schematische Ansicht der Verteilung
von Stickstoff- bzw. Sauerstoffkonzentrationen
relativ zur Schichtdicke eines
laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials.
Die Grundstruktur des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
besteht aus einem elektrisch leitenden Substrat sowie
einer a-Si-Sperrschicht und einer a-Si-Fotoleitschicht, welche
nacheinander auf das Substrat aufgetragen werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 besteht das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
aus einem elektrisch leitenden Schichtträger 1, einer
a-Si-Sperrschicht 2, einer a-Si-Fotoleitschicht 3 und einer a-
Si-Oberflächenschutzschicht 4, wobei diese drei Schichten
nacheinander auf das Substrat laminiert werden. Die Oberflächenschutzschicht
muß nicht aus a-Si bestehen, sie kann auch aus
anderen Materialien sein, die später noch genauer beschrieben
werden.
Bei der vorliegenden Erfindung kann N2O, NO, NO2, NH3+O2 bzw.
N2+O2 verwendet werden, damit die Schichten Sauerstoff und Stickstoff
enthalten.
Wird eine a-Si-Oberflächenschutzschicht 4 verwendet, kann der
Gehalt an Sauerstoff, Stickstoff, Wasserstoff und Bor und die
Dicke der einzelnen Schichten wie in Tabelle 1 dargestellt sein:
Die Sperrschicht 2 enthält Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff
in progressiv abnehmender Konzentration durch die gesamte
Schicht hindurch, wobei der Gehalt 0,1 bis 20,0 Atom-% Sauerstoff
bzw. 0,1% bis 20,0 Atom-% Sauerstoff und 0,05 bis 10,0 Atom-%
Stickstoff am Anfang der Schichtformation beträgt. Vorzugsweise
ist der Sauerstoffgehalt bzw. der Sauerstoff- und Stickstoffgehalt
der Sperrschicht 2 im Endbereich der Schicht genauso hoch
wie der der Fotoleitschicht 3.
Der Sauerstoffgehalt bzw. der Sauerstoff- und Stickstoffgehalt
der Oberflächenschutzschicht 4 ist so angeordnet, daß der Sauerstoff
und/oder Sauerstoff und Stickstoff in progressiv zunehmender
Konzentration durch die gesamte Schicht verteilt wird, so
daß der jeweilige Gehalt im Endbereich der Schicht auf insgesamt
1,0 bis 60,0 Atom-% ansteigt. Der Sauerstoff- bzw. Sauerstoff-
und Stickstoffgehalt des Materials der Oberflächenschutzschicht
ist am Anfang der Schicht genauso hoch wie der der
Fotoleitschicht 3.
Der Gehalt an Bor, Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff
und die Dicke der Sperrschicht 2, der Gehalt an Sauerstoff bzw.
Sauerstoff und Stickstoff der Fotoleitschicht 3 und der Gehalt
an Sauerstoff bzw. Stickstoff und die Dicke der Oberflächenschutzschicht
4 sind für die Erfindung sehr wesentlich.
Die Sperrschicht 2 dient dem reibungslosen Transport von in der
Fotoleitschicht 3 erzeugten Ladungsträgern zum elektrisch leitenden
Schichtträger 1 sowie als Sperre für elektrische Ladungsinjektion
vom Schichtträger 1. Da ferner die Schicht 2 Bor enthält und
ihr Gehalt an Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff in
progressiv steigenden Proportionen, verglichen mit dem
entsprechenden Gehalt in der Fotoleitschicht 3, in der Schicht 2
verteilt wird, können Sauerstoff-, Stickstoff- und Borgehalt und
ihre Mengenverhältniswerte innerhalb bestimmter Bereiche liegen,
die vermutlich immer noch eine erhöhte Lichtempfindlichkeit bei
infrarotnahen Strahlen zulassen.
Ohne Sperrschicht 2 wäre jedoch keine effektive Sperre gegen
eine elektrische Ladungsinjektion vom elektrisch leitenden Schichtträger
1 gegeben und folglich würde das Oberflächenpotential
fallen, die Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit schneller
erfolgen und die Lichtempfindlichkeit im infrarotnahen Bereich
verhältnismäßig gering sein.
Der Sauerstoff- bzw. der Sauerstoff- und Stickstoffgehalt der
Sperrschicht 2 ist gleichmäßig über die Dicke der Schicht
verteilt, und obwohl der Gehalt größer als der der Fotoleitschicht
3 ist, kann keine wesentliche Lichtempfindlichkeit nahe Infrarot
erzielt werden. Selbst wenn dieser Gehalt relativ zur Dicke der
Sperrschicht 2 variiert verteilt wird, kann keine wesentliche
Lichtempfindlichkeit nahe Infrarot erzielt werden, solange keine
Verunreinigung, wie z. B. Bor, der IIIa-Gruppe des Periodensystems
in der Schicht auftritt.
Bezüglich des Borgehalts in der Schicht 2 ist festzustellen, daß
keine ausreichende Lichtempfindlichkeit nahe Infrarot erzielt
werden kann, wenn der Gehalt geringer als 50 ppm ist, wohingegen
kein ausreichendes Oberflächenpotential erzielt werden kann,
wenn er über 500 ppm liegt und sich die Geschwindigkeit der
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit erhöht. Aus diesem Grund sollte
der Borgehalt in der Sperrschicht 2 innerhalb von 50 bis 500 ppm
liegen, vorzugsweise bei 80 bis 150 ppm.
Man hat folgendes festgestellt: Wenn bei einer Sperrschicht 2
dieser Art die gesamte Schicht eine Verunreinigung durch die
IIIa-Gruppe des Periodensystems enthält und einen in progressiv
abnehmender Konzentration verteilten Sauerstoffgehalt ohne
Stickstoffgehalt aufweist, kann mit Sicherheit eine erhöhte
Lichtempfindlichkeit nahe Infrarot erzielt werden. Die
Lichtempfindlichkeit kann jedoch weiter erhöht werden, wenn der
Sauerstoff zusammen mit Stickstoff in einer derartigen progressiv
abnehmenden Konzentration verteilt wird.
Der Sauerstoffgehalt der Sperrschicht 2 sollte in der gesamten
Schicht in progressiv abnehmender Konzentration verteilt werden,
wobei die Schicht 0,1 bis 2,0 Atom-% Sauerstoff am Anfang
aufweist und der Sauerstoffgehalt am Ende vorzugsweise genauso hoch
ist wie der der Fotoleitschicht 3. Es wird in diesem Zusammenhang
festgestellt, daß bei einem Sauerstoffgehalt am Anfang der
Schicht von weniger als 0,1 Atom-% keine effektive Sperre der
Ladungsinjektion vom elektrisch leitenden Schichtträger 1 möglich ist,
weshalb kein ausreichendes Oberflächenpotential vorhanden ist
und die Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit schneller wird, während
bei einem Anfangs-Sauerstoffgehalt von mehr als 20,0 Atom-%
optische Ladungsträger eingefangen und das Restpotential erhöht
wird. Deshalb sollte der Sauerstoffgehalt am Anfang der Schichtbildung
zwischen 0,1 bis 20,0 Atom-% liegen.
In ähnlicher Weise wird der Stickstoffgehalt der Sperrschicht
2 in progressiv abnehmender Konzentration durch die gesamte
Schichtformation hindurch verteilt, wobei der Ausgangsgehalt bei
0,05 bis 10,0 Atom-% liegt. Vorzugsweise sollte der Stickstoffgehalt
genauso hoch sein wie der der Fotoleitschicht 3.
Wenn der Anfangs-Stickstoffgehalt außerhalb des besagten
Bereiches liegt, wird durch den Stickstoff die Lichtempfindlichkeit
nicht verbessert. Insbesondere, wenn der Gehalt 10,0 Atom-%
übersteigt, werden optische Ladungsträger eingefangen und das
Restpotential kann sich erhöhen.
Folglich konnte bestätigt werden, daß bei einer Schichtformation
mit einem Sauerstoffgehalt bzw. einem Sauerstoff-/Stickstoffgehalt
innerhalb des vorgenannten Bereiches und einer progressiven
Verringerung des Gehalts auf einen Wert, der dem Sauerstoffgehalt
der Fotoleitschicht 3 entspricht, die Lichtempfindlichkeit
bei infrarotnaher Strahlung erheblich verbessert werden
kann: Wenn die Dicke der Sperrschicht 2 weniger als 0,2 µm
beträgt, ist keine ausreichende Sperre gegen Ladungsinjektion vom
elektrisch leitenden Schichtträger 1 möglich, während sich bei
Übersteigen von 5,0 µm das Restpotential erhöht. Die Schicht sollte
daher ca. 0,2 bis 5,0 µm dick sein.
Wenn der Sauerstoff- bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalt der
Sperrschicht 2 bei der Übergangsfläche von der Schicht zum elektrisch
leitenden Schichtträger 1 am höchsten ist und wenn die Dicke
des Übergangsflächenbereiches mit dem Höchstgehalt an Sauerstoff
bzw. Sauerstoff und Stickstoff durch allmähliche Verringerung
des Gehaltes in diesem Bereich auf nahe Null reduziert
ist, treten sehr günstige Eigenschaften zutage: Es werden keine
in der Fotoleitschicht 3 gebildeten Ladungsträger bei der
Übergangsfläche eingefangen und das Restpotential wird merklich
verringert.
Folglich tritt bei einer Dicke des Bereichs mit dem höchsten
Sauerstoff- bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalt von weniger
als 100 nm keine Weißschleierbildung bei einem elektrografischen
Bild auf, die dem Restpotential zuzuschreiben ist.
Wenn die Dicke unter 10 nm liegt, kann ein Restpotential
vorteilhafterweise wirksam verhindert werden, wodurch eine
verminderte Lichtempfindlichkeit bei infrarotnaher Strahlung erzielt
wird.
Wenn der Sauerstoffgehalt der Fotoleitschicht 3, bzw. bei
Vorhandensein von Sauerstoff und Stickstoff mindestens eines von
beiden, über 5 × 10-2 Atom-% liegt, kann dies die Lichtempfindlichkeit
erheblich vermindern, während andererseits bei einem
Gehalt von weniger als 10-5 Atom-% die Elektronegativität der
Sauerstoffatome bzw. der Sauerstoff- und Stickstoffatome zu groß
ist, um ein Einbringen von Elektronen in freier Bindung in die
Schicht zu ermöglichen. Es ist daher unmöglich, eine a-Si-Fotoleitschicht
3 mit einem Dunkelwiderstand von mehr als 1013 Ω cm
zu erzielen.
Folglich sollte der Sauerstoffgehalt der Fotoleitschicht 3, bzw.
bei sowohl Sauerstoff- als auch Stickstoffgehalt mindestens einer
von beiden, im Bereich von 10-5 bis 5 × 10-2 Atom-% liegen.
Darüber hinaus enthält die Fotoleitschicht 3 vorzugsweise mindestens
200 ppm oder mehr einer Verunreinigung der IIIa-Gruppe
des Periodensystems, nämlich Bor, da ein derartiger Borgehalt
der Schicht 3 eine hohe Lichtempfindlichkeit mit sowohl positiver
als auch negativer Polarität ermöglicht.
Bei der Oberflächenschutzschicht 4 sollte der Sauerstoffgehalt,
bzw. Sauerstoff- und/oder Stickstoffgehalt, an der Außenfläche
der Schicht erhöht werden, so daß SiO2 oder Si3N4 an der Außenfläche
gebildet wird. Dadurch kann eine Oberflächenschutzschicht
mit hohem Flächenhärtegrad erzielt werden, wodurch die Haltbarkeit
des lichtempfindlichen Elements erheblich erhöht wird.
Die Schicht 4 sollte ferner einen Sauerstoff- bzw. einen Sauerstoff-
und Stickstoffgehalt am Anfang der Schichtformation
aufweisen, der dem der Fotoleitschicht 3 entspricht und am Ende
ihrer Formation im Bereich von 1,0 bis 60,0 Atom-% liegt. Eine
derartige Schicht 4 ermöglicht dem lichtempfindlichen Element
die Beibehaltung einer hohen Lichtempfindlichkeit und einer
verbesserten Ladungshaltung.
Wenn die Dicke der Oberflächenschutzschicht 4 weniger als 0,05 µm
beträgt, kann keine verbesserte Haltbarkeit erzielt werden,
das vorhandene Oberflächenpotential ist unbrauchbar gering und
die Fähigkeit der Ladungshaltung ist nicht verbessert worden.
Beträgt andererseits die Dicke mehr als 1,0 µm, kann die
Lichtempfindlichkeit leicht abnehmen und Restpotential in erhöhtem
Maße vorhanden sein. Deshalb sollte die Oberflächenschutzschicht
4 nicht dicker als 0,05 bis 1,0 µm sein.
Die Dicke der Oberflächenschutzschicht 4 kann so bestimmt werden,
daß bei relativ hohem Höchstgehalt an Sauerstoff bzw. Sauerstoff
und Stickstoff in der Außenfläche der Schicht die Dicke reduziert
wird; umgekehrt erhöht sich die Dicke, wenn der Höchstgehalt
relativ gering ist, in beiden Fällen jedoch im genannten
Bereich.
Wenn die Oberflächenschutzschicht 4 so gebildet ist, daß ihr
Sauerstoff- bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalt durch ihre
gesamte Formation hindurch progressiv zunimmt und die Zunahme
an der Außenfläche endet und wenn die Dicke des Bereiches mit
dem Höchstgehalt an Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff
im wesentlichen Null ist, kann in der Schicht kaum oder kaum
mehr Restpotential vorhanden sein und somit ein hochwertiges
elektrofotografisches Bild ohne Weißschleier, mit starken
Kontrasten und hoher Auflösung erzielt werden.
Die Dicke der Fotoleitschicht 3 ist für das Ziel der Erfindung
nicht so bedeutend; sie kann innerhalb eines allgemein akzeptierten
Bereichs von z. B. 5 bis 100 µm liegen.
Bei dem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial nach der
Erfindung wird die Sperrschicht so gebildet, daß zu Beginn der
Formation 0,1 bis 20,0 Atom-% Sauerstoff bzw. 0,1 bis 20,0 Atom-%
Sauerstoff plus 0,05 bis 10,0 Atom-% Stickstoff enthalten sind,
wobei dieser Gehalt sich allmählich durch die Schicht hindurch
verringert. Daher kann die Sperrschicht in der Fotoleitschicht
erzeugte Ladungsträger reibungslos zum elektrisch leitenden Schichtträger
transportieren und den Eintritt der elektrischen Ladung
vom Schichtträger verhindern. Ferner dient der Gehalt an Sauerstoff
bzw. Sauerstoff und Stickstoff der Sperrschicht einer verbesserten
Lichtempfindlichkeit bei infrarotnahen Strahlen. Der Gehalt
an Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff erreicht seinen
Höchstwert bei der Übergangsfläche von der Sperrschicht zur elektrisch
leitenden Schicht und verringert sich progressiv hinter
der Übergangsfläche und durch die verbleibende Schicht hindurch.
Aus diesem Grund kann dort, wo die Dicke des Bereichs mit dem
Höchstgehalt an Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff im
wesentlichen Null ist, das Restpotential vollständig beseitigt
und folglich ein sehr vorteilhaftes elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
erzielt werden, das keine verringerte
Lichtempfindlichkeit mehr aufweist.
Es wird nochmals darauf hingewiesen, daß bei der nach der
Fotoleitschicht gebildeten Oberflächenschutzschicht der Gehalt an
Sauerstoff bzw. Sauerstoff und Stickstoff in progressiv zunehmender
Konzentration durch die gesamte Schicht hindurch verteilt
wird, so daß an deren Außenfläche 1,0 bis 60,0 Atom-% Sauerstoff
bzw. 1,0 bis 60,0 Atom-% Sauerstoff-/Stickstoffkombination
vorhanden sind; die sich daraus ergebende Formation von SiO2 bzw.
Si3N4 trägt erheblich zur Oberflächenhärte bei. Es versteht sich
von selbst, daß eine derartige Anordnung dem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial
eine hohe Lichtempfindlichkeit und
eine wesentlich verbesserte Ladungshaltung ermöglicht.
Fig. 2 zeigt eine Vorrichtung zur Glimmentladungszerlegung mit
kapazitiver Kopplung für die Bildung von a-Si-Schichten.
Nach der Zeichnung sind erste, zweite und dritte Behälter 5, 6,
7 für die Gase SiH4, B2H6 und O2 bzw. N2O vorhanden. Das
Trägergas für die Gase SiH4 und B2H6 ist Wasserstoff. Diese Gase
werden durch entsprechende Ventile 8, 9 und 10 abgeführt. Die Gase
aus dem ersten und zweiten Behälter 5 und 6 werden in eine erste
Hauptleitung 14 und das Gas O2 bzw. N2O aus dem dritten Behälter
7 wird in eine zweite Hauptleitung 15 abgeleitet, wobei die
Strömungsraten durch Durchflußregler 11, 12, 13 reguliert werden.
Ferner sind Absperrventile 16, 17 vorhanden. Die durch die Hauptleitungen
14, 15 strömenden Gase gelangen in die Reaktionskammer
18. Um eine Platte 20 in der Reaktionskammer 18 sind
Entladungselektroden 19 mit kapazitiver Kopplung angeordnet,
deren Hochfrequenzleistung und Frequenz auf 50 Watt bis 3 Kilowatt
und ein MHz bis mehrere Zehn-MHz eingestellt werden kann.
In der Reaktionskammer 18 befindet sich auf einem durch einen
Motor 21 drehbaren Drehtisch 22 eine Platte 20 als Aluminium oder
NESA-Glas für die zu bildenden a-Si-Schichten. Die Platte 20
wird gleichmäßig durch entsprechende Heizvorrichtungen auf 50∼
300°C, vorzugsweise auf 150∼250°C, erwärmt. Das Innere der
Reaktionskammer 18, in der ein Hochvakuum (Verdichtungsdruck 0,5
bis 2,0 Torr) während der Filmschichtbildung vorhanden sein muß,
ist mit einer Rotationspumpe 23 und einer Diffusionspumpe 24
verbunden.
Bei Anwendung einer derartigen Vorrichtung zur Glimmentladungszerlegung
erfolgt die Formation von a-Si-Filmschichten mit Sauerstoff-
bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalt auf der Platte 20
durch Öffnen des ersten und dritten Ventils 8, 10 für
die Ableitung von SiH4-Gas aus dem ersten Behälter 5 und von
O2- bzw. N2O-Gas aus dem dritten Behälter 7. Damit Bor in den
Filmschichten enthalten ist, wird das zweite Ventil 9
für die Ableitung von B2H6-Gas aus dem zweiten Behälter 6
geöffnet. Die Ausströmungsmenge wird von den Durchflußreglern 11,
12, 13 reguliert. Das Gas SiH4 bzw. das Gasgemisch SiH4 - B2H6
wird durch die erste Hauptleitung 14 und gleichzeitig das Gas
O2 bzw. N2O eines bestimmten Molverhältnisses zu SiH4 durch die
zweite Hauptleitung 15 in die Reaktionskammer 18 abgeleitet. Im
Innern der Reaktionskammer 18 herrscht ein Vakuum von 0,5 bis
2,0 Torr; die Temperatur der Platte 20 wird bei 50 bis 300°C
gehalten und die Hochfrequenzleistung und Frequenz für die
Entladungselektroden 19 mit kapazitiver Kopplung ist auf 50 Watt∼
3 Kilowatt und ein MHz bis mehrere Zehn-MHz eingestellt. Die
Glimmentladung wird durchgeführt und die Gase werden zersetzt;
auf der Platte 20 werden dann a-Si-Filmschichten aus Sauerstoff,
Stickstoff und Wasserstoff sowie a-Si-Filmschichten mit einer
entsprechenden Menge von Bor in einem Verhältnis von ca. 10 bis
250 nm gebildet.
Zur weiteren Darstellung der Erfindung dienen die folgenden
Beispiele.
Mit Hilfe der vorstehend beschriebenen Vorrichtung zur
Glimmentladungszersetzung gemäß Fig. 2 wurden eine a-Si-Sperrschicht,
eine a-Si-Fotoleitschicht und eine a-Si-Oberflächenschutzschicht
für ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial gebildet
und die Eigenschaften der Spektralempfindlichkeit und des
Oberflächenpotentials des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials gemessen.
Ein zylindrischer Aluminiumschichtträger 1 wurde auf den Drehtisch 22
in der Vorrichtung zur Glimmentladungszersetzung aufgebracht.
SiH4-Gas (mit einer Strömungsrate von 320 cm3/min SCCM) mit Wasserstoff
als Trägergas wurde aus dem ersten Behälter 5, B2H6-Gas (mit
einer Strömungsrate von 80 cm3/min) mit Wasserstoff als Trägergas
aus dem zweiten Behälter 6 und Sauerstoffgas (mit einer
Strömungsrate von 10,0 cm3/min) aus dem dritten Behälter 7 für die
Formation einer Sperrschicht auf dem glatten zylindrischen
Aluminiumschichtträger 1 abgeführt. Beginnend mit einer Zusammensetzung
von ca. 5,0 Atom-% Sauerstoff, ca. 200 ppm Bor und ca. 10 Atom-%
Wasserstoff wurde die Zusammensetzung der Sperrschicht allmählich
während ihrer Formation variiert, indem eine sukzessive
Abnahme der Abfuhrrate von Sauerstoffgas so erfolgte, daß die
Strömungsrate von Sauerstoff 0,6 cm3/min betrug, als die Schicht
2,0 µm dick war, so daß die Schicht einen maximalen Sauerstoffgehalt
neben der Übergangsfläche zum Substrat und einen
Sauerstoffgehalt nahe dem der Fotoleitschicht 3 gegen Ende der
Sperrschichtformation aufwies. Genauer gesagt: Es erfolgte eine
Anpassung, so daß die Verteilung von Sauerstoff in der Sperrschicht
eine Exponentialkurve relativ zur Dicke der Schicht
darstellte. Die Betriebsbedingungen während dieser Formationsstufe
waren folgende: Verdichtungsdruck 0,8 mbar, Substrattemperatur
200°C, Hochfrequenzleistung 150 W und Geschwindigkeit der
Filmschichtbildung 1,4 nm/sec.
Auf diese Weise wurden eine Fotoleitschicht 3 mit ca. 0,02
Atom-% Sauerstoff, ca. 200 ppm Bor und ca. 15 Atom-% Wasserstoff
erzeugt, wobei das Sauerstoffgas eine Strömungsrate von 0,6 cm3/min
hatte. Anschließend wurden die Strömungsraten allmählich
sukzessive geändert: Sauerstoffgas von 0,6 cm3/min auf 10,0 cm3/min
SiH4-Gas von 320 cm3/min auf 100 cm3/min und B₂H₆-Gas von 80 cm3/min auf
Null, wodurch eine Oberflächenschutzschicht 4 mit ca. 50 Atom-%
Sauerstoff, ca. 3 Atom-% Wasserstoff, ohne Bor in der Außenfläche
und mit einer Dicke von 0,2 µm erhalten wurde.
Fig. 3 zeigt eine schematische Ansicht der Verteilung des
Sauerstoffgehaltes relativ zur Schichtdicke eines laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
A, welches nach vorstehend ausgeführtem
Verfahren gebildet worden ist. In der Zeichnung zeigt die X-
Achse die Sauerstoffkonzentrationen und die Y-Achse die Schichtdicke
der Sperrschicht 2 (d 0 - d 1), der Fotoleitschicht 3
(d 1 - d 2) und der Oberflächenschutzschicht 4 (d 2 - d 3) an.
Nun wurden die spektralen Lichtempfindlichkeitseigenschaften
des erhaltenen laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A
gemessen. Die Meßergebnisse sind in Fig. 4 gezeigt.
Die Zeichnung zeigt die Messungen O der Lichtempfindlichkeit
des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A und die spektrale Lichtempfindlichkeitskurve P,
die auf den Messungen basiert. Ferner sind die Lichtempfindlichkeitsmessungen
⚫ des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A ohne Sperrschicht 2 (A - 1)
dargestellt, dessen Fotoleitschicht 3 und Oberflächenschutzschicht
4 unter den gleichen Betriebsbedingungen gebildet wurden
wie bei dem vorliegenden Beispiel. Die spektrale Lichtempfindlichkeitskurve
Q basiert auf den Messungen. Wie aus Fig. 4 klar
ersichtlich, weist das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial mit einer Sperrschicht
2 wie der vorstehend beschriebenen erhebliche Vorteile
gegenüber dem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A - 1 ohne Sperrschicht
2 bezüglich der Lichtempfindlichkeit im Langwellenbereich auf,
wodurch seine Benutzbarkeit für Laser-Drucker mit Halbleiterlasern
sichergestellt ist.
Es wurden nochmals Messungen im Hinblick auf die Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit sowie die optische Abnahme des
erfindungsgemäßen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A durchgeführt. Die Meßergebnisse sind in
Fig. 6 dargestellt. Die gezeigten Eigenschaften basieren auf
der Beobachtung von Veränderungen des Oberflächenpotentials in
Dunkelheit über die Zeit nach einer positiven Elektrisierung
durch einen +5,6 KV Koronalader in Dunkelheit, und Veränderungen
des Oberflächenpotentials über die Zeit unmittelbar nach
Bestrahlung mit monochromem Licht mit einer Wellenlänge von 770 nm.
Die Zeichnung zeigt die Kurven R und S für die Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit sowie die optische Abnahme des laminierten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A. T und U sind die Kurven der
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit und der optischen Abnahme des
einschichtigen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A - 2, das weder eine
Sperrschicht noch eine Oberflächenschutzschicht aufweist.
Wie aus Fig. 6 ersichtlich, beträgt bei dem einschichtigen elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
A -2 das Oberflächenpotential ca. 300 V und ca. 20∼30%
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit in 5 Sek., wohingegen bei
dem erfindungsgemäßen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A die Ladungshaltung gegenüber dem
einschichtigen Element erheblich besser ist und es ein
Oberflächenpotential von 700 V und eine geringe Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit von ca. 5% in 5 Sekunden aufweist.
Das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial A -1 ohne Sperrschicht weist ebenso
wie das einschichtige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial A - 2 ein Oberflächenpotential
von ca. 300 V auf. In Fig. 6 ist zu erkennen, daß das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
A - 1 im wesentlichen die gleichen Eigenschaften der
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit aufweist wie das einschichtige
Element A- 2.
Mit einem Halbleiterdrucker (Wellenlänge 770 nm, Druckgeschwindigkeit
20 Kopien/Min.) wurden mit dem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial
A Drucktests durchgeführt. Es konnte ein hochwertiges Bild mit
starkem Kontrast und hoher Auflösung erzielt werden. Selbst nach
einem Test mit 300 000 Wiederholungen konnte keinerlei
Verschlechterung wie z. B. verminderte Dichte, Weißschleierbildung
oder farbfreie Stellen aufgrund von Fehlern in der Trommelfläche
entdeckt werden. Vielmehr konnte die ausgezeichnete
Haltbarkeit des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A bestätigt werden.
Mit Hilfe der vorstehend in Beispiel 1 beschriebenen Vorrichtung
zur Glimmentladungszersetzung gemäß Fig. 2 wurden eine a-Si-
Sperrschicht, eine a-Si-Fotoleitschicht und eine a-Si-
Oberflächenschutzschicht für ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
gebildet und die Eigenschaften der
Spektralempfindlichkeit und des Oberflächenpotentials des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial
gemessen. Ein zylindrischer Aluminiumschichtträger 1 wurde auf den
Drehtisch 22 in der Vorrichtung aufgebracht. SiH4-Gas (mit einer
Strömungsrate von 320 cm3/min mit Wasserstoff als Trägergas
wurde aus dem ersten Behälter 5, B2H6-Gas (mit einer Strömungsrate
von 80 cm3/min) mit Wasserstoff als Trägergas aus dem zweiten
Behälter 6 und N2O-Gas (mit einer Strömungsrate von 20 cm3/min)
aus dem dritten Behälter 7 für die Formation einer Sperrschicht
auf dem glatten zylindrischen Aluminiumschichtträger 1 abgeführt.
Beginnend mit einer Zusammensetzung von ca. 5,0 Atom-%
Sauerstoff, ca. 0,7 Atom-% Stickstoff, ca. 200 ppm Bor und ca.
10 Atom-% Wasserstoff wurde die Zusammensetzung der Sperrschicht
allmählich während ihrer Formation variiert, indem eine sukzessive
Abnahme der Abfuhrrate des N2O-Gases so erfolgte, daß
die Strömungsrate von N2O-Gas 1,2 cm3/min betrug, als die Schicht
2,0 µm dick war, so daß die Schicht einen maximalen Sauerstoffgehalt
neben der Übergangsfläche zum Schichtträger und einen jeweiligen
Gehalt von Sauerstoff und Stickstoff nahe dem der
Fotoleitschicht 3 gegen Ende der Sperrschichtformation aufwies.
Genauer gesagt: Es erfolgte eine Anpassung, so daß die Verteilung
von N2O in der Sperrschicht eine Exponentialkurve relativ
zur Dicke der Schicht darstellte. Die Betriebsbedingungen während
dieser Formationsstufe waren folgende: Verdichtungsdruck 0,8 mbar,
Substrattemperatur 200°C, Hochfrequenzleistung 150 W und
Geschwindigkeit der Filmschichtbildung 1,4 nm/s.
Auf diese Weise wurde eine Fotoleitschicht 3 mit ca. 0,02 Atom-%
Sauerstoff, ca. 0,003 Atom-% Stickstoff, ca. 200 ppm Bor und
ca. 15 Atom-% Wasserstoff erzeugt, wobei das N2O-Gas eine
Strömungsrate von 1,2 cm3/min aufwies. Anschließend wurden die
Strömungsraten allmählich sukzessive geändert: N2O-Gas von 1,2 cm3/min
auf 20 cm3/min, SiH4-Gas von 320 cm3/min auf 100 cm3/min und B2H6-Gas von
80 cm3/min auf Null, wodurch eine Oberflächenschutzschicht 4 mit ca.
50 Atom-% Sauerstoff, ca. 7 Atom-% Stickstoff, ca. 3 Atom-%
Wasserstoff, ohne Bor in der Außenfläche und einer Dicke von 0,2 µm
erzielt wurde.
Die Verteilung der Sauerstoff- bzw. Stickstoffkonzentration
relativ zur Schichtdicke des laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial
A′ ist schematisch in Fig. 3 dargestellt, wo die X-Achse
die Sauerstoff- bzw. Stickstoffkonzentration zeigt.
Nun wurden die spektralen Lichtempfindlichkeitseigenschaften
des erhaltenen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′ gemessen. Die
Meßergebnisse sind in Tabelle 5 gezeigt.
Die Zeichnung zeigt die Messungen O der Lichtempfindlichkeit
des laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′ und die
spektrale Lichtempfindlichkeitskurve P, die auf den Messungen basiert.
Ferner sind die Lichtempfindlichkeitsmessungen X eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
ohne Sperrschicht 2 (A′ - 1)
dargestellt, deren Fotoleitschicht 3 und Oberflächenschutzschicht
4 unter den gleichen Betriebsbedingungen wie beim vorliegenden
Beispiel gebildet wurden. Die spektrale Lichtempfindlichkeitskurve
Q basiert auf den Messungen.
Es wurde nochmals ein weiteres Teststück durch Abführen von
Sauerstoffgas anstelle von N2O aus dem dritten Tank 7 und durch
Steuerung der Strömungsraten erzeugt, so daß der Gehalt an Sauerstoff,
Bor und Wasserstoff der einzelnen Schichten, die Verteilung
der Gehalte und die Dicke jeder einzelnen Schicht jeweils
mit denen des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′ übereinstimmte.
Auf diese Weise konnte ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial A′ - 2
erzeugt werden, welches sich vom elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A′ nur dahingehend
unterscheidet, daß es keinen Stickstoff enthält. Mit dem Zeichen ⚫
sind die Lichtempfindlichkeitsmessungen des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A′ - 2
und mit R eine spektrale Lichtempfindlichkeitskurve gezeichnet,
die auf den Messungen basiert.
Wie aus Fig. 5 klar ersichtlich, weist das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
A mit obenbeschriebener Sperrschicht 2 erhebliche
Vorteile gegenüber dem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A′ - 1 ohne Sperrschicht 2 bezüglich
der Lichtempfindlichkeit im Langwellenbereich auf, wodurch
seine Benutzbarkeit für Laser-Drucker mit Halbleiterlasern sichergestellt
ist. Man hat festgestellt, daß bei Vorhandensein von
Stickstoff weitere Verbesserungen der Lichtempfindlichkeitseigenschaften
im Langwellenbereich verglichen mit Beispiel 1
erzielt werden konnten.
Es wurden nochmals Messungen im Hinblick auf die Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit sowie die optische Abnahme des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
A′ durchgeführt. Die Meßergebnisse sind
in Fig. 7 dargestellt. Wie bei Beispiel 1 beruhen die gezeigten
Eigenschaften auf der Beobachtung von Veränderungen des
Oberflächenpotentials in Dunkelheit über die Zeit nach einer positiven
Elektrisierung durch einen +5,6 KV Koronalader in Dunkelheit,
und Veränderungen des Oberflächenpotentials über die Zeit
unmittelbar nach Bestrahlung mit monochromem Licht mit einer
Wellenlänge von 770 nm.
Die Zeichnung zeigt die Kurven S und T für die Ladungsträgerabnahme bei
Dunkelheit sowie die optische Abnahme des laminierten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′. U und V sind die Kurven der
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit und der optischen Abnahme
des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′ - 3, das weder eine Sperrschicht
noch eine Oberflächenschutzschicht aufweist.
Wie aus Fig. 7 ersichtlich, beträgt bei dem einschichtigen
Element A′ - 3 das Oberflächenpotential 300 V und ca. 30∼30%
Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit in 5 Sekunden, wohingegen
bei dem erfindungsgemäßen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A′ die Ladungshaltung gegenüber
dem einschichtigen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials erheblich besser ist und es ein
Oberflächenpotential von 700 V und eine geringe Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit von ca. 5% in 5 Sekunden aufweist.
Das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial ohne Sperrschicht (A′ - 1) weist
ebenso wie das einschichtige elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial A′ - 3 ein Oberflächenpotential
von ca. 300 V sowie ähnliche Eigenschaften hinsichtlich
der Kurve U der Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit auf. Das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
ohne Stickstoffzusatz A′ - 2 zeigte
eine Kurve der Ladungsträgerabnahme bei Dunkelheit, die der des
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′ nach der Erfindung ähnelte. Seine optische Abnahmekurve
W ist in Fig. 7 gezeigt.
Das laminierte elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial A′ ist bei einem
Halbleiterlaser-Drucker (Wellenlänge 770 nm, Druckgeschwindigkeit
20 Kopien/Min.) eingesetzt worden und es wurden Drucktests durchgeführt.
Die erzielten Ergebnisse ähnelten denen des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
A in Beispiel 1.
Es wurden wie beim 1. Beispiel laminierte elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
B - J hergestellt, siehe Tabelle 2.
Messungen bezüglich der Lichtempfindlichkeit (Wellenlänge 770 nm)
und das Oberflächenpotentials wurden mit den elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
B - J wie beim 1. Beispiel durchgeführt. Die
Ergebnisse stehen in Tabelle 3.
Jedes der elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien dieses Beispiels wurde
nochmals in einen Halbleiterlaser-Drucker (Wellenlänge 770 nm,
Druckgeschwindigeit 20 Kopien/Min.) wie beim 1. Beispiel
eingesetzt und es wurden Drucktests durchgeführt. In jedem Fall
wurden hochwertige Bilder mit starkem Kontrast sowie hoher
Auflösung erzielt. Selbst nach einem Test mit 300 000 Wiederholungen
konnte keine Bildverschlechterung wie z. B. verminderte Dichte,
Weißschleierbildung oder farbfreie Stellen aufgrund von Fehlern
in der Trommelfläche entdeckt werden. Vielmehr hielt das Bild
einem Vergleich mit dem Original gut stand.
Wie beim 2. Beispiel wurden dann laminierte elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
B′ - K′ hergestellt, siehe Tabelle 4.
Messungen bezüglich der Lichtempfindlichkeit (Wellenlänge 770 nm)
und der Eigenschaften des Oberflächenpotentials wurden mit den elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
B′ - K′ wie beim 1. Beispiel durchgeführt.
Die Ergebnisse stehen in Tabelle 5.
Darüber hinaus wurde jedes der elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
dieses Beispiels in einen Halbleiterlaser-Drucker (Wellenlänge 770 nm,
Druckgeschwindigkeit 20 Kopien/Min.) wie beim 1. Beispiel
eingesetzt und es wurden Drucktests durchgeführt. Die erzielten
Ergebnisse ähnelten denen nach Beispiel 3.
Es wurde ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit auf einen Aluminiumschichtträger
laminierten Schichten mit Hilfe einer Vorrichtung zur
Glimmentladungszerlegung so geschaffen, wie es beim 1. Beispiel
beschrieben worden ist.
Die Sperrschicht dieses Beispiels unterscheidet sich von der des
1. Beispiels. Es wurde ein zylindrischer Aluminiumschichtträger auf
den Drehtisch 22 in der Vorrichtung aufgebracht. SiH4-Gas mit
Wasserstoff als Trägergas wurde (mit einer Strömungsrate von
320 cm3/min) aus dem ersten Behälter 5, B2H6-Gas mit Wasserstoff
als Trägergas (mit einer Strömungsrate von 80 cm3/min) aus dem
zweiten Behälter 6 und Sauerstoffgas (mit einer Strömungsrate
von 10,0 cm3/min) aus dem dritten Behälter 7 abgeführt, so daß auf
dem ebenen zylindrischen Aluminiumschichtträger eine Schicht aus ca.
5,0 Atom-% Sauerstoff, ca. 200 ppm Bor und ca. 10 Atom-%
Wasserstoff mit einer Dicke von 0,4 µm gebildet werden konnte. Dann
wurde die Abfuhrrate des Sauerstoffgases allmählich und sukzessive
verringert, so daß die Strömungsrate des Sauerstoffgases
zum Schluß der Sperrschichtbildung 0,6 cm3/min betrug. Die Sperrschicht
2 a hat folglich eine Dicke von 2,0 µm. Im Innenbereich
der Sperrschicht 2 a, welcher dem Substrat 1 gegenüberliegt,
bildete sich eine Schicht mit einem Höchstgehalt an Sauerstoff,
mit ca. 5,0 Atom-% Sauerstoff und einer Dicke von 0,4 µm.
Danach wurden eine Fotoleitschicht 3 und eine Oberflächenschutzschicht
4 nacheinander wie beim 1. Beispiel laminiert, so daß ein
laminiertes elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial A - 3 entstand.
Fig. 8 zeigt eine schematische Ansicht der Verteilung des
Sauerstoffgehaltes relativ zur Schichtdicke des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
A - 3. In der Zeichnung stellt die X-Achse die
Sauerstoffkonzentration dar. Die Y-Achse zeigt bei d 0 - d 1 die Dicke
der Sperrschicht 2 a, wobei d 0 - d T die Dicke des Bereichs mit
dem Höchstgehalt an Sauerstoff und d T - d 1 die Dicke des Bereichs
mit einer Sauerstoffkonzentration darstellt, welche relativ zur
Richtung der Schichtdicke abfällt. Die Bereiche d 1 - d 2 und
d 2 - d 3 stellen die Dicke der Fotoleitschicht 3 und der
Oberflächenschutzschicht 4 dar.
Mit dem derart erhaltenen laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial
A - 3 wurden Messungen bezüglich seiner Lichtempfindlichkeit,
seines Oberflächenpotentials, seiner Ladungsträgerabnahme bei
Dunkelheit und seiner optischen Abnahme wie beim 1. Beispiel
durchgeführt. Lichtempfindlichkeit und Ladungsträgerabnahme bei
Dunkelheit unterschieden sich nicht sehr von denen des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
A.
Wie jedoch in Fig. 6 bei V gezeigt, umfaßte die optische Abnahme
des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A - 3 ein Restpotential von über 100 V. Dieses elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
wurde in einen Halbleiterlaser-Drucker
wie bei Beispiel 1 eingesetzt und es wurde ein Drucktest durchgeführt.
Dabei konnte Weißschleierbildung beobachtet werden.
Mit Hilfe der Vorrichtung zur Glimmentladungszersetzung wurde
ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Sperrschicht auf einem
Aluminiumschichtträger gebildet, welche sich von der Schicht des
2. Beispiels unterschied. Ein zylindrischer Aluminiumschichtträger
wurde auf den Drehtisch 22 der Vorrichtung aufgebracht. SiH4-
Gas mit Wasserstoff als Trägergas wurde (mit einer Strömungsrate
von 320 cm3/min) aus dem ersten Behälter 5, B2H6-Gas mit
Wasserstoff als Trägergas (mit einer Strömungsrate von 80 cm3/min)
aus dem zweiten Behälter 6 und N2O-Gas (mit einer Strömungsrate
von 20 cm3/min) aus dem dritten Behälter 7 abgeführt, so daß auf
dem ebenen zylindrischen Aluminiumschichtträger eine Schicht aus
ca. 5,0 Atom-% Sauerstoff, ca. 0,7 Atom-% Stickstoff, ca. 200 ppm
Bor und ca. 10 Atom-% Wasserstoff mit einer Dicke von 0,4 µm
gebildet werden konnte. Dann wurde die Abfuhrrate von N2O-
Gas allmählich und sukzessive verringert, so daß die Strömungsrate
des N2O-Gases zum Schluß der Sperrschichtbildung 1,2 SCCM
betrug. Die Sperrschicht 2 a hat folglich eine Dicke von 2,0 µm.
Im Innenbereich der Sperrschicht 2 a, welcher dem Schichtträger
gegenüberliegt, bildet sich eine Schicht mit einem Höchstgehalt
an Sauerstoff, mit ca. 5,0 Atom-% Sauerstoff und ca. 0,7 Atom-%
Stickstoff sowie mit einer Dicke von 0,4 µm. Danach wurden eine
Fotoleitschicht 3 und eine Oberflächenschutzschicht 4 wie im
Beispiel 2 nacheinander laminiert, wodurch ein laminiertes elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
A′ - 4 erhalten wurde.
Fig. 8 zeigt eine schematische Ansicht der Verteilung des
Sauerstoffgehaltes relativ zur Schichtdicke des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial A′ - 4. In
der Zeichnung stellt die X-Achse die Sauerstoff- bzw.
Stickstoffkonzentration dar. Die Y-Achse zeigt bei d 0 - d 1 die Dicke
der Sperrschicht 2 a, wobei d 0 - d T die Dicke des Bereiches mit
dem Höchstgehalt an Sauerstoff bzw. Stickstoff und d T - d 1 die
Dicke des Bereiches mit einer Sauerstoff- und Stickstoffkonzentration
darstellt, welche in Richtung der Schichtdicke abfällt.
Die Bereiche d 1 - d 2 und d 2 - d 3 stellen die Dicke der Fotoleitschicht
3 und der Oberflächenschutzschicht 4 dar.
Mit dem so erhaltenen laminierten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial
A′ - 4 wurden Messungen bezüglich seiner Lichtempfindlichkeit,
seines Oberflächenpotentials und seiner Ladungsträgerabnahme bei
Dunkelheit sowie seiner optischen Abnahme wie bei Beispiel 2
durchgeführt. Lichtempfindlichkeit und Ladungsträgerabnahme bei
Dunkelheit unterschieden sich nicht sehr von denen des Elements A.
Wie jedoch in Fig. 7 bei X gezeigt, umfaßte die optische Abnahme
des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials A′ - 4 ein Restpotential von über 100 V. Dieses
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde in einen Halbleiterlaser-Drucker
wie bei Beispiel 2 eingesetzt und es wurde ein Drucktest durchgeführt.
Dabei konnte Weißschleierbildung beobachtet werden.
Mit Hilfe einer Vorrichtung zur Glimmentladungszersetzung gemäß
Fig. 2 konnten eine a-Si.Ge-lichtempfindliche Schicht mit ca.
40 Atom-% von Si und ca. 40 Atom-% von Ge und einer Dicke von
2 µm und eine a-Si-lichtempfindliche Schicht mit ca. 0,02 Atom-%
Sauerstoff, ca. 200 ppm Bor und ca. 15 Atom-% Wasserstoff und
einer Dicke von 20 µm nacheinander auf einen elektrisch leitenden Schichtträger
laminiert werden, so daß ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
mit hoher Empfindlichkeit im infrarotnahen Bereich erzielt
wurde.
Die a-Si.Ge-Elemente wurden durch Abfuhr von SiH4-Gas (mit einer
Strömungsrate von 160 cm3/min) und GeH4-Gas (mit einer Strömungsrate
von 160 cm3/min) jeweils mit Wasserstoff als Trägergas und
unter folgenden Bedingungen gebildet: Verdichtungsdruck 0,8 mbar,
Substrattemperatur 200°C, Hochfrequenzleistung 150 W und
Geschwindigkeit der Filmschichtbildung 1,4 nm/s. Die a-Si-
Schicht wurde unter den gleichen Bedingungen wie bei Beispiel 1
gebildet.
Das dadurch erhaltene elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial bestand hauptsächlich
aus a-Si.Ge und wies eine hohe Empfindlichkeit bei
infrarotnahen Strahlen auf. Die Kurve W der Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit in Fig. 6 bzw. die Kurve V der Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit in Fig. 7 zeigt, daß das Oberflächenpotential
ca. 200 V betrug und die Ladungsträgerabnahme sehr
schnell war, nämlich ca. 50% in 5 Sekunden.
Das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde nochmals in den Halbleiterlaser-
Drucker (Wellenlänge 770 nm, Druckgeschwindigkeit 20
Kopien/Min.) eingesetzt und wie bei Beispiel 1 und 2 einem
Drucktest ausgesetzt. Das Resultat war von mittelmäßiger Qualität und
war im Vergleich mit den Werten gemäß Beispiel 1 bis 4 kontrastärmer.
Wie aus den vorstehenden Beispielen ersichtlich, weist das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
nach der vorliegenden Erfindung eine
Oberflächenschutzschicht auf, welche auf eine Fotoleitschicht
laminiert worden ist, wobei der Gehalt an Sauerstoff bzw. Sauerstoff
und Stickstoff dieser Oberflächeschutzschicht in progressiv
zunehmender Konzentration verteilt ist, so daß diese Schicht
an ihrer Oberfläche einen Sauerstoff- bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalt,
zumindest einen von beiden, im Höchstverhältnis aufweist.
Eine Sperrschicht zwischen einem elektrisch leitenden
Schichtträger und der Photoleitschicht weist eine Verteilung des
Sauerstoff- bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalts in progressiv
zunehmender Konzentration zum Schichtträger hin auf, wobei der
Sauerstoff- bzw. Sauerstoff- und Stickstoffgehalt einen
Dichtegradienten aufweist. Darüber hinaus enthält die Sperrschicht Bor.
Aus diesem Grund umfaßt das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial im
wesentlichen starke Ladungshaltung, eine langsame Ladungsträgerabnahme
bei Dunkelheit und eine spürbar verbesserte
Lichtempfindlichkeit auf.
Ferner ist das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial so gut wie frei von
Restpotential, da sein Gehalt an Sauerstoff bzw. Sauerstoff und
Stickstoff bei seiner Übergangsfläche zum Schichtträger am höchsten
ist und in progressiv abnehmender Konzentration in entgegengesetzter
Richtung vom Schichtträger verteilt wird.
Darüber hinaus weist das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial den Vorteil
auf, daß es zu Niedrigpreisen hergestellt werden kann, da weder
GeH4 noch irgend ein anderes teures Ge-Gas für die Erhöhung der
Lichtempfindlichkeit bei infrarotnahen Strahlen notwendig ist.
Claims (19)
1. Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial, welches
auf einem elektrisch leitenden Schichtträger eine
Sperrschicht aus amorphem Silicium mit einem Gehalt
an Sauerstoff und auf der Sperrschicht eine fotoleitfähige
Schicht aus amorphem Silicium aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2)
eine Verunreinigung durch ein Element der Gruppe
IIIa des Periodensystems und einen Sauerstoffgehalt
zwischen 0,1 bis 20,0 Atom-% am Anfang seiner Bildung
und in progressiv abnehmender Konzentration durch
die verbleibende Schicht hindurch aufweist.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht
(3) 10-5 bis 5 × 10-2 Atom-% Sauerstoff enthält.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Sauerstoffgehalt der
Sperrschicht (2) im Endbereich ebenso groß ist wie in
der fotoleitfähigen Schicht (3).
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2) 10 bis
40 Atom-% Wasserstoff und 50 bis 500 ppm des Elements
der Gruppe IIIa des Periodensystems enthält.
5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht
(3) 10 bis 40 Atom-% Wasserstoff und 10 bis 20 000 ppm
des Elements der Gruppe IIIa des Periodensystems
enthält.
6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 4 und 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe IIIa
des Periodensystems Bor ist.
7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2) 0,2 bis
5,0 µm dick ist.
8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Oberflächenschutzschicht (4)
aus amorphem Silizium auf der fotoleitfähigen Schicht
(3) vorgesehen ist.
9. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Oberflächenschutzschicht
(4) Sauerstoff in progressiv zunehmender Konzentration
durch die gesamte Oberflächenschutzschicht (4)
hindurch und 1,0 bis 60,0 Atom-% zu ihrem Ende
hin aufweist.
10. Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial, welches auf einem
elektrisch leitenden Schichtträger eine Sperrschicht aus
amorphem Silicium mit einem Gehalt an Stickstoff
und Sauerstoff und auf der Sperrschicht eine fotoleitfähige
Schicht aus amorphem Silicium aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2)
eine Verunreinigung durch ein Element der Gruppe
IIIa des Periodensystems und einen Sauerstoffgehalt
zwischen 0,1 bis 20,0 Atom-% am Anfang seiner
Bildung und in progressiv abnehmender Konzentration
durch die verbleibende Schicht hindurch aufweist.
11. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht
(3) zu Beginn der Schichtformation 0,05 bis 10,0
Atom-% Stickstoff enthält.
12. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht
(3) 10-5 bis 5 × 10-2 Atom-% Sauerstoff und/oder
Stickstoff enthält.
13. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß der Gehalt an Sauerstoff und
Stickstoff der Sperrschicht (2) im Endbereich
der Sperrschicht (2) ebenso groß ist wie in der
fotoleitfähigen Schicht (3).
14. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2) 10 bis
40 Atom-% Wasserstoff und 50 bis 500 ppm des Elements
der Gruppe IIIa des Periodensystems enthält.
15. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2) 10 bis
40 Atom-% Wasserstoff und 10 bis 20 000 ppm des
Elements der Gruppe IIIa des Periodensystems enthält.
16. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14 oder 15,
dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe
IIIa des Periodensystems Bor ist.
17. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (2) 0,2 bis
5,0 µm dick ist.
18. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Oberflächenschutzschicht
(4) aus amorphem Silizium auf der fotoleitfähigen
Schicht (3) vorgesehen ist.
19. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 18, dadurch
gekennzeichnet, daß die Oberflächenschutzschicht
(4) einen Sauerstoff- und/oder Stickstoffgehalt
aufweist, welcher progressiv durch die Oberflächenschutzschicht
hindurch ansteigt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5829283A JPS59182461A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 電子写真感光体 |
JP1149584A JPS60154257A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3412184A1 DE3412184A1 (de) | 1984-10-11 |
DE3412184C2 true DE3412184C2 (de) | 1987-10-15 |
Family
ID=26346928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843412184 Granted DE3412184A1 (de) | 1983-04-01 | 1984-04-02 | Elektrophotographisch empfindliches bauelement |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4666808A (de) |
DE (1) | DE3412184A1 (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4715927A (en) * | 1984-02-14 | 1987-12-29 | Energy Conversion Devices, Inc. | Improved method of making a photoconductive member |
DE3546544C2 (de) | 1984-02-28 | 1990-02-15 | Sharp K.K., Osaka, Jp | |
DE3511315A1 (de) * | 1984-03-28 | 1985-10-24 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Elektrostatographisches, insbesondere elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
JPS6123158A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JP2502287B2 (ja) * | 1986-02-22 | 1996-05-29 | キヤノン株式会社 | 電子写真用光受容部材 |
FR2631346B1 (fr) * | 1988-05-11 | 1994-05-20 | Air Liquide | Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications |
US4851367A (en) * | 1988-08-17 | 1989-07-25 | Eastman Kodak Company | Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition |
FR2661688B1 (fr) * | 1990-05-02 | 1992-07-17 | Air Liquide | Revetement multicouche pour substrat polycarbonate et procede d'elaboration d'un tel revetement. |
US5729800A (en) * | 1993-10-29 | 1998-03-17 | Kyocera Corporation | Electrophotographic apparatus having an a-Si photosensitive drum assembled therein |
US5969423A (en) * | 1997-07-15 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Aluminum-containing films derived from using hydrogen and oxygen gas in sputter deposition |
US6222271B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method of using hydrogen gas in sputter deposition of aluminum-containing films and aluminum-containing films derived therefrom |
US5972804A (en) * | 1997-08-05 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
US5969382A (en) | 1997-11-03 | 1999-10-19 | Delco Electronics Corporation | EPROM in high density CMOS having added substrate diffusion |
RU2007119782A (ru) * | 2004-10-29 | 2008-12-10 | Дау Глобал Текнолоджиз Инк. (Us) | Износостойкие покрытия, полученные посредством плазменного химического осаждения из паровой фазы |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4484809B1 (en) * | 1977-12-05 | 1995-04-18 | Plasma Physics Corp | Glow discharge method and apparatus and photoreceptor devices made therewith |
DE3153301C2 (de) * | 1980-05-08 | 1991-09-26 | Minolta Camera K.K., Osaka, Jp | |
JPS56156836A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
GB2095030B (en) * | 1981-01-08 | 1985-06-12 | Canon Kk | Photoconductive member |
JPS57177156A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Canon Inc | Photoconductive material |
DE3307573A1 (de) * | 1982-03-04 | 1983-09-15 | Canon K.K., Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
DE3308165A1 (de) * | 1982-03-08 | 1983-09-22 | Canon K.K., Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
DE3309240A1 (de) * | 1982-03-15 | 1983-09-22 | Canon K.K., Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
US4486521A (en) * | 1982-03-16 | 1984-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with doped and oxygen containing amorphous silicon layers |
-
1984
- 1984-03-28 US US06/594,201 patent/US4666808A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-04-02 DE DE19843412184 patent/DE3412184A1/de active Granted
-
1986
- 1986-07-15 US US06/885,923 patent/US4675264A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4666808A (en) | 1987-05-19 |
DE3412184A1 (de) | 1984-10-11 |
US4675264A (en) | 1987-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3311462C2 (de) | ||
DE3412184C2 (de) | ||
DE3311463A1 (de) | Photoempfindliches element | |
DE2855718C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2954551C2 (de) | ||
DE3321135C2 (de) | ||
DE3212184C2 (de) | ||
DE3211081C2 (de) | ||
DE3433867C2 (de) | Elektrofotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3621270C2 (de) | ||
DE3321648A1 (de) | Photorezeptor | |
DE3153301C2 (de) | ||
DE3506657A1 (de) | Photoleitfaehige vorrichtung | |
DE2055269C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3631328C2 (de) | ||
DE3418596C2 (de) | ||
DE3631345A1 (de) | Lichtempfindliches element | |
DE3426352A1 (de) | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement | |
DE3242611A1 (de) | Fotoleitfaehiges element | |
DE3420741C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2360909C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE3546314A1 (de) | Photorezeptor | |
DE3427637A1 (de) | Photorezeptor und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3346043A1 (de) | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement | |
DE3525358A1 (de) | Elektrofotografisches lichtempfindliches element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |