DE3332005A1 - Photoleiter fuer elektrophotographie mit trennfunktion - Google Patents
Photoleiter fuer elektrophotographie mit trennfunktionInfo
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Description
— A —
OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., Ltd., Tokyo, Japan
Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion
Die Erfindung betrifft einen Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1, insbesondere einen Photoleiter mit ausgezeichneten physikalischen Eigenschaften, der
eine hohe Sensitivität in Bezug auf Licht im Langwellens^
bereich bei etwa 800 nm hat.
In üblichen Photoleitern für Elektrophotographie ist ein Photoleiter gemäß Fig. 1 dadurch herstellbar,
daß ein Selenfilm von etwa 50 um Stärke auf ein photoleitendes
Substrat aufgedampft wird, das beispielsweise aus Aluminium besteht. Nachteilig bei diesem Photoleiter
ist es, daß etwa eine Stunde für die Selenbedampfung erforderlich ist und der Selenphotoleiter eine Sensitivität
mit einer Wellenlänge nur bis etwa 500 nm hat. Wie die Fig. 2 zeigt, ist auch ein Photoleiter vorgeschlagen
worden, in welchem eine Selenschicht von etwa 50 μπι auf
einem photoleitenden Substrat und darauf eine Selen-Tellur-Legierungsschicht
von mehreren Mikrometern gebildet ist. In diesem Photoleiter führt der höhere Tellurgehalt
in der Selen-Tellur-Legierungsschicht zwar zu einer höheren Spektralsensitivität, das heißt, daß sich seine
Sensitivität bis in den Langwellenbereich erstreckt, daß aber die Retentionsexgenschaft der Oberflächenladung des
Photoleiters mit zunehmendem Telluranteil abnimmt und daher kaum als photoempfindliches Material benutzbar ist.
Fig. 6 zeigt in einer graphischen Darstellung die Spektralempfindlichkeit eines Photoleiterschichtsystems,
das dadurch hergestellt wird, indem eine Selenschicht mit einer Stärke von 50 μΐη auf einem Aluminiumsubstrat
und darauf dann eine Selen-Tellur-Legierungsschicht mit einer Stärke von 3 um gebildet wird, die 85 Mol-% Selen
und 15 Mol-% Tellur enthält. Nun ist zwar der zugesetzte Telluranteil, wie beschrieben, begrenzt, doch hat das
Photoleitersystem eine Sensitivität nur bis etwa 700 nm (Kurve C).
i. ußerdem ist ein Photoleiter mit sogenannter Trennfunktion
gemäß Fig. 3 vorgeschlagen worden, der aus einer Trägerentwicklerschicht besteht, welche dadurch hergestellt
wird, indem Chlordianblau oder ein Quadratsäurederivat auf ein Aluminiumsubstrat mit einer Stärke von
etwa 1 μΐη aufgetragen und eine Trägertransportschicht gebildet
wird, die durch überziehen mit einer Mischung aus Polyvinylcarbazol oder einem Pyrazolinderivat von hohem
Isolierwert und Polycarbonatharz auf der Trägerentwicklerschicht
mit einer Stärke von 10 bis 20 um hergestellt wird. Die spektralen Sensitivitätseigenschaften eines
solchen Photoleiters mit Trennfunktion sind auf der Basis von Eigenschaften der Trägerentwicklerschicht bestimmt.
Feststeht jedenfalls, daß zur Zeit die Sensitivität eines solchen Photoleiters in Bezug auf Licht nicht viel höher
als 700 nm ist.
In jüngster Zeit sind auch Versuche unternommen worden, um Halbleiterlaser als Lichtquelle in einem Laserstrahldrucker
oder ähnlichem zu verwenden, wobei Laserlicht als Lichtquelle und ein Photoleiter für Elektrophotographie
verwendet wurde. Da die Wellenlänge einer solchen Lichtquelle, wie beschrieben, bei etwa 800 nm
liegt, ist in einem solchen Fall ein Photoleiter mit charakteristisch hoher Sensitivität in Bezug auf den Langwellenbereich
des Lichtes von etwa 800 nm sehr erwünscht.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 vorzuschlagen, um die genannten Nachteile auszuschalten.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst.
Gemäß der Erfindung soll insbesondere ein Photoleiter mit Trennfunktion vorgeschlagen werden, der eine
hohe Sensitivität in Bezug auf Licht mit einer Wellenlänge von etwa 800 nm hat und außerdem billig herstellbar
ist.
Der erfindungsgemäße Photoleiter soll eine Trägerentwicklerschicht
aufweisen, die aus einem organischen, photoleitenden Material hergestellt ist, das eine Grundstruktur
entsprechend einem Phthalocyanin mit der folgenden Formel aufweist:
in der das Metall Me im zentralen Teil der Formel auftritt (im folgenden einfach als "Zentralmetall" bezeichnet) und
aus einer Gruppe gewählt ist, die Indium, Gallium und Aluminium umfaßt, und in der X ein Halogen ist, das mit
dem Zentralmetall (im folgenden einfach als "kombiniertes Halogen" bezeichnet) kombiniert ist, wobei das Phthalocyanin
diejenige Verbindung ist, in welcher ein Teil der
Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring angeordneten Benzolringen durch das gleiche Halogen mit dem
kombinierten Halogen ersetzbar ist.
Im erfindungsgemäßen Photoleiter mit Trennfunktion soll eine Trägerentwicklerschicht vorgesehen sein, die
aus einem organischen, photoleitenden Material hergestellt ist, welches eine Mischung ist, die Phthalocyanin
der Grundstruktur mit der gleichen allgemeinen Formel enthält, wobei Me und X, wie definiert, angeordnet
sind, und ein weiteres Phthalocyanin enthält, in welchem ein Teil der Wasserstoffatome von um den
Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch das gleiche Halogen mit dem kombinierten
Halogen substituierbar ist.
Für den erfindungsgemäßen Photoleiter soll das Zentralmetall der Phthalocyaninverbindung aus der Gruppe
von Indium, Gallium und Aluminium ausgewählt werden, während das kombinierte Halogen Chlor oder Brom sein
soll. Ausführungsbeispiele zur Kombination des Zentralmetalls mit dem kombinierten Halogen werden in den Beispielen
1 bis 15 im einzelnen erläutert, wobei besonders gute Ergebnisse mit folgenden Kombinationen erhalten
wurden:
Zentralmetall Kombiniertes Halogen Indium Chlor
Gallium Chlor
Indium Brom
Aluminium Brom
Gallium Brom
Es ist noch zu bemerken, daß die angegebenen Kombinationen nicht notwendigerweise auf die speziellen
Ausführungsbeispiele begrenzt sein müssen.
■ - 8 -
In der vorliegenden Erfindung ist das Halogen, das für einen Teil der Wasserstoffatome von um den
Phthalocyaninring angeordneten Benzolringen substituiert ist/ das gleiche, wie das kombinierte Halogen. In diesem
Falle bedeutet die Substitution des Halogens eine Substitution von mehr als einem Wasserstoffatom im Benzolring.
Insbesondere können, obwohl ein solcher Fall, bei dem im wesentlichen ein Wasserstoff durch ein derartiges
Halogen substituierbar ist, was im einzelnen in Verbindung mit den Ausführungsbeispielen noch zu beschreiben ist,
zwei oder mehr Wasserstoffatome durch ein solches Halogen,
je nach Synthetisierungsverfahren, ersetzt werden.
überdies können die gleichen Vorteile mit der Erfindung
auch dann noch erreicht werden, wenn das Phthalocyanin, in dem zwei oder mehr Wasserstoffatome durch ein
derartiges Halogen substituierbar sind, verwendet wird.
Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung
bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand von Zeichnungen und graphischen Darstellungen. Es zeigen:
FIG. 1 in einer Schnittansicht einen bekannten
Photoleiter für Elektrophotographie;
F I G. 2 in einer Schnittansicht ein bekanntes Selen-Tellur-Photoleiterschichtsystem für Elektrophotographie;
F I G. 3 in einer Schnittansicht einen bekannten Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion;
FIG. 4 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra
eines Beispiels des in der Erfindung verwendeten Phthalocyanins;
F I G. 5 in einer Schnittansicht ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Photoleiters;
FIG. 6 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven
des Photoleiters entsprechend den Ausführungsbeispielen 1, 2 und 3 der Erfindung;
FIG. 7 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra
des Phthalocyanins, das im Ausführungsbeispiel 4 der Erfindung verwendet wird;
F I G. 8 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra des Photoleiters entsprechend den
Ausführungsbeispielen 4, 5 und 6 der Erfindung;
FIG. 9 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorption
sspek tr a des Phthalocyaninpigmentes, das im
Ausführungsbeispiel 7 der Erfindung benutzt wird;
FIG.10 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven des Photoleiters entsprechend
den Äusführungsbeispielen 7, 8 und 9 der Erfindung;
FIG. 11 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra
des Phthalocyaninpigmentes, das im Beispiel 10 benutzt wird;
FIG. 12 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven
des Photoleiters entsprechend den Ausführungsbeispielen 10, 11 und 12 der Erfindung;
FIG. 13 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra
des Phthalocyaninpigmentes, das im Ausführungsbeispiel 13 verwendet wird und
F I G. 14 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven des Photoleiters entsprechend
den Beispielen 13, 14 und 15 der Erfindung.
Wie eingangs im einzelnen ausgeführt wurde, ist gemäß Fig. 1 bei einem bekannten Photoleiter auf einem,
beispielsweise aus Aluminium bestehenden, photoleitenden
Substrat 11 ein Selenfilm 12 aufgedampft. Ein weiterer
bekannter Photoleiter, wie die Fig. 2 zeigt, besteht aus einem photoleitenden Substrat 21, dem eine Selenschicht
22 folgt und auf der wiederum eine Selen-Tellurschicht 23 gebildet ist. Außerdem ist gemäß Fig. 3 ein Photoleiter
mit einer Substratschicht 31, einer Trägerentwicklerschicht 32 und einer -transportschicht 33 bekannt.
Die Erfindung wird nun, wie angegeben, anhand von Ausführungsbeispielen im einzelnen näher erläutert.
Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril
(hergestellt von der Tokyo Kasei Co.) wurde mit 5,5 g
von Indiümchlorid (InCl3) mit einer Reinheit von 99,999%
(hergestellt von der Furuuchi Kagaku Co.) unter Rühren zwecks Vermischen in einem Becherglas zur Reaktion gebracht,
das in einem Mantelheizgerät bei 300°C in Übereinstimmung mit dem Phthalonitrilverfahren untergebracht
war, um eine Mischung aus einer Verbindung zu synthetisieren, die die Grundstruktur von Phthalocyanin mit der
zuvor beschriebenen allgemeinen Formel hat, in der das Zentralmetall Indium ist und ein weiteres Phthalocyanin
vorkommt, bei dem ein Teil der Wasserstoffatome von um
den Phathalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch Chlor ersetzt ist. Das erhaltene Produkt
war ein bläulich-schwarzer Klumpen, der fein zerteilt und gereinigt wurde. Als Ergebnis der Analyse des
Chlorgehaltes des erhaltenen Phthalocyanin nach der Verbrennung im Glaskolben wurde festgestellt, daß der Chloranteil
1,75 pro Mol des Phthalocyanine betrug und daß ein Chloratom davon mit dem Indium des Zentralmetalls so
kombiniert war, daß dieses Chloratom, das für ein Wasserstoffatom von um den Phthalocyaninring angeordneten
Benzolringen substituiert war, einen Durchschnitt von 0,75 pro Mol des Phthalocyanins hatte. Somit war klar,
daß das synthetisierte Phthalocyanin eine Mischung war, die aus Phthalocyanin der angegebenen Grundstruktur und
einem weiteren Phthalocyanin bestand, in der ein Teil der Wasserstoffatome des Benzolringes durch Chlor ersetzt
war.
Dann wurden 10 mg des Phthalocyaninproduktes in
einen Äluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von
4000C in Übereinstimmung durch Bedampfen mit einer Widerstandsheizung aufrechterhalten, um einen dünnen
Film von 0,02 μΐη auf einer Glasplatte zu bilden. Das
Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenbereich von 600 - 900 nm
mit Hilfe eines automatischen Registrierspektralphotometers aufgenommen und die Ergebnisse davon durch die
Kurve A.. in Fig. 4 dargestellt. Wie sich aus dieser
graphischen Darstellung ergibt, zeigte das Absorptions-Spektrum des dünnen Films einen Wendepunkt (shoulder peak)
bei 670 nm und ein Maximum bei 750 nm.
Die dünne Filmprobe wurde Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden ausgesetzt und das Lichtabsorptionsspektrum
in gleicher Weise untersucht. Hierbei wurde festgestellt, daß sich die Absorptionsspitze in den Bereich größerer
Wellenlängen verschob, was nichts anderes bedeutet, daß sich das Maximum, wie durch die Kurve B1 in Fig. 4 gezeigt
ist, zu einem Punkt von 810 nm verschob.
Dann wurde ein Aluminiumoxidtiegel mit 0,1 g des speziell hergestellten Phthalocyaninproduktes gefüllt
und das im Alumiumoxidtiegel enthaltene Produkt einer
Bedampfung durch Widerstandserhitzen für 20 Minuten unterworfen, während die Temperatur des Tiegels bei
40O0C aufrechterhalten wurde, um eine Trägerentwicklerschicht
(carrier generation layer) 52 von 0,2 μπι Stärke
auf einem Aluminiumsubstrat 51, wie in der in Fig. 5 gezeigten Anordnung zu bilden. Das erhaltene Material
wurde für 20 Stunden Tetrahydrofurandampf ausgesetzt, dann das so behandelte Material mit Polyvinylcarbazolharz
(hergestellt von der Tokyo Kasei Co., Sondergrad) überzogen, das in Tetrahydrofuran aufgelöst und das so
überzogene Material ausreichend getrocknet wurde, um Tetrahydrofuran zu entfernen, wobei eine Trägertransportschicht
53 von 6 μΐη Stärke auf der Trägerentwicklerschicht
52 gebildet wurde, um einen Photoleiter zu erhalten.
Die durch Messen der Spektralsensitivität gewonnenen
Ergebnisse stellen charkateristische, elektrophotographische
Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters, dar, die in der Kurve C1 in Fig. 6 dargestellt sind.
Wie aus Fig. 6 hervorgeht, wurde eine sehr hohe
2
Sensitivität von mehr als 1 cm /uJ selbst bei 900 nm
Sensitivität von mehr als 1 cm /uJ selbst bei 900 nm
—' und weiter eine hohe Sensitivität von 2,0 cm /μJ bei
800 - 850 nm mit Bezug auf den Photoleiter beobachtet. Es ist also sehr vorteilhaft, den Photoleiter mit solchen
charakteristischen Eigenschaften, wie beschrieben, für Geräte, wie Laserstrahldrucker, zu verwenden, in welchem
ein Haltleiterlaser als seine Lichtquelle benutzt wird.
Ein dünner Film mit einer Stärke von 0,2 μπι wurde
auf einem Aluminiumsubstrat 51 gebildet, in dem das in Beispiel 1 durch Bedampfung hergestellte Phthalocyaninprodukt
verwendet wurde. Das erhaltene Material wurde mit
einer Tetrahydrofuranlösung von Polyvinylcarbazol überzogen,
ohne daß dabei eine Dampfbehandlung mit einem Tetrahydrofuran-Lösungsmittel erfolgte, um eine Trägertransportschicht
53 mit einer Trockenstärke von 6 μπι zu bilden, so daß ein Photoleiter erhalten wurde.
Die Spektralsensitivität des sich ergebenden Photoleitero wurde gemessen und das Ergebnis davon durch
die Kurve D1 in Fig. 6 angegeben. Gemäß Fig. 6 wird
deutxich, daß der Photoleiter eine höhere Sensitivität als der von Beispiel 1 bis zu einer Wellenlänge von
850 nm insgesamt zeigt, wobei insbesondere in diesem
Ausführungsbeispiel hohe Sensitivitäten von 2,5 cm /\iJ
bei 750 - 800 nm und von 1,5 cm /\iJ bei 900 nm beobachtet
wurden, was bedeutet, daß der erhaltene Photoleiter für den in einem Laserstrahldrucker zu verwendenden Photoleiter
sehr geeignet ist, bei dem insbesondere eine Lichtquelle von etwa 800 nm benutzt wird.
Da der Photoleiter nach Beispiel 2 ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt x-rarde,
liegt ein Vorteil darin, daß das Herstellungsverfahren vereinfacht werden kann.
Wie in Beispiel 2 wurde das Phthalocyaninprodukt benutzt, um einen Film von 0,2 μπι als eine Trägerent-Wicklerschicht
52 auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung zu bilden. Eine weitere Trägertransportschicht
53 wurde auf der Trägerentwicklerschicht 52 durch überziehen derselben (mit einem Film in einer Stärke
von 8 μΐη) mit einer Lösung hergestellt, indem eine 1:1
Mischung, im Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4'-diäthyl-aminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin
in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in Tetrahydrofuran aufgelöst
wurde. In diesem Fall sind die Pyrazolinderivate diejenigen ι die in Übereinstimmung mit einer Methode synthetisiert
wurden, wonach Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und das sich ergebende Pentadien-(2-1)
zur Reaktion mit Phenylhydrazin gebracht wurde.
Die Spektralsensitivität des sich ergebenden Photoleiters wurde gemessen und das Ergebnis davon durch die
Kurve E1 in Fig. 6 wiedergegeben. Wie aus der Fig. 6
deutlich zu entnehmen ist, wurde im wesentlichen die gleiche Spektralsensitivität wie in Beispiel 2 mit dem
Photoleiter dieses Ausführungsbeispiels.erhalten, und zwar selbst bei Einsatz von Pyrazolinderivaten für die
Trägertransportschicht 53, wobei ein solcher Photoleiter
2
hohe Sensivitäten von 2 cm /μJ bei 750 - 850 nm und von
hohe Sensivitäten von 2 cm /μJ bei 750 - 850 nm und von
2
1 cm ^J bei 900 nm erreichte.
1 cm ^J bei 900 nm erreichte.
Demgemäß ist dieser Photoleiter ebenfalls zur Verwendung in einem Laserstrahldrucker sehr geeignet, in
dem eine Lichtquelle von etwa 750 - 850 nm benutzt wird.
Eine Menge von 12,8 g.von o-Phthalodinitril
(hergestellt von der Tokyo Kasei Co.) wurde mit 4,4 g von Galliumchlorid (GaCl3) mit einer Reinheit von 99,999%
(hergestellt von Furuuchi Kagaku Co.) unter Rühren zwecks Vermischen zur Reaktion in ein Becherglas eingebracht,
das in einem Mantelheizgerät bei 3000C entsprechend dem
Phthalonitrilverfahren untergebracht war, um eine Mischung aus einer Verbindung zu synthetisieren, die die Grundstruktur
von Phthalocyanin mit der zuvor beschriebenen allgemeinen Formel hat, in der das Zentralmetall Gallium
ist und ein weiteres Phthalocyanin vorkommt, bei dem ein Teil der Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring
der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch Chlor ersetzt wird. Das sich ergebende Produkt war ein bläulichschwarzer
Klumpen, der fein zerteilt und dann durch Waschen des feinen Pulvers mit Tetrahydrofuran (THF)
gereinigt wurde, um THF-lösliche Bestandteile zu entfernen.
Als Ergebnis der Analyse des Chlorgehaltes des erhaltenen Phthalocyanins nach Verbrennung im Glaskolben
wurde festgestellt, daß der Anteil des Chlors 2,26 pro Mol des Phthalocyanins betrug und daß ein Chloratom davon
mit dem Gallium des Zentralmetalls so kombiniert war, daß dieses Chloratom, das für das Wasserstoffatom von
um den Phthalocyaninring angeordneten Benzolringen substituiert war, einen Durchschnitt von 1,26 pro Mol
des Phthalocyanins hatte.
Anschließend wurden 10 mg des Phthalocyaninproduktes in einen Aluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage
eingebracht und dabei eine Temperatur des Tiegels von 4000C entsprechend der Bedampfungsmethode
durch Widerstandserhitzen aufrechterhalten, um einen dünnen Film von 0,02 μπι auf einer Glasplatte zu bilden.
Das Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenlängenbereich von
600 - 900 nm durch ein automatisches Registrierspektralphotometer
gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve A„ in Fig. 7 dargestellt. Wie aus der graphischen
Darstellung der Kurve A» der Fig. 7 hervorgeht, zeigt
das Absorptionsspektrum des dünnen Films einen Wendepunkt bei 670 nm und ein Maximum bei 730 nm.
Die dünne Filmprobe wurde 20 Stunden lang in Tetrahydrofurandampf gehalten und dann das Lichtabsorptionsspektrum
in gleicher Weise untersucht. Hierbei zeigte sich, daß sich die Absorptionsspitze in den Bereich
größerer Wellenlängen verschob, was nichts anderes bedeutet, daß das Maximum beim Punkt 745 nm auftrat, wie
durch die Kurve B2 in Fig. 7 angegeben ist.
Dann wurde ein Aluminiumoxidtiegel mit 0,1 g des Phthalocyaninproduktes gefüllt, das wie zuvor
speziell hergestellt und einer Bedampfung durch Widerstandserhitzen
für etwa 20 Minuten unterworfen war, wobei eine Tiegeltemperatur bei 4000C aufrechterhalten
wurde, um eine Trägerentwicklerschicht 52 von 0,2 μΐη
Stärke auf einem Aluminiumsubstrat 51 gemäß der in Fig. 5 gezeigten Anordnung zu bilden. Das sich ergebende
Material wurde Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden ausgesetzt, dann das so behandelte Material mit Polyvinylcarbazolharz
(hergestellt von der Tokyo Kasei Co., Spezialgrad) überzogen, das in Tetrahydrofuran aufgelöst
und das so überzogene Material ausreichend getrocknet wurde, um Tetrahydrofuran zu entfernen, wobei
eine Trägertransportschicht 53 von 6 μπι Stärke auf der
Trägerentwicklerschicht 52 gebildet wurde, um einen Photoleiter zu erhalten.
Die durch Messen der Spektralempfindlichkeit gewonnenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische
Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind in der Kurve C~ in Fig. 8 wiedergegeben.
Wie aus der Fig. 8 hervorgeht, wurde eine sehr
2 hohe Sensitivität von mehr als 1 cm /\iJ selbst bei
2 900 nm und weiter eine hohe Sensitivität von 2,5 cm /\iJ
bei 800 nm in Bezug auf den Photoleiter beobachtet. Ein derartiger Photoleiter mit einer im wesentlichen flachen
Charakteristik von 600 - 900 nm ist zur Zeit kaum bekannt,
so daß der vorliegende Photoleiter mit großem Vorteil in einem Laserstrahldrucker oder ähnlichem verwendet
werden kann.
Ein dünner Film von 0,2 um wurde auf einem
Aluminiumsubstrat 51 gebildet, in dem das in Beispiel 4 durch Bedaiapfung hergestellte Phthalocyaninprodukt verwende+-,
wurde. Das so erhaltene Material wurde mit einer Tetranya-ccfuranlösung von Polyvinylcarbazol ohne Dampfbehandlung
durch das Tetrahydrofuranlösungsmittel überzogen, um eine Trägertransportschicht 53 mit einer
Trockenstärke von 6 μΐη zu bilden, so daß ein Photoleiter
erhalten wurde.
Die Spektralempfindlichkeit des erhaltenen Photoleiters wurde gemessen und das Ergebnis davon durch die
Kurve D_ in Fig. 8 wiedergegeben. Aus Fig. 8 geht deutlich hervor, daß der erhaltene Photoleiter im wesentlichen
2 eine gleich hohe Empfindlichkeit von 1 - 1,5 cm /uJ in
Vergleich mit dem Photoleiter von Beispiel 4 bis zu einer Wellenlänge von 850 nm zeigte. Im vorliegenden Beispiel
nahm die Sensitivität jedoch um die Hälfte gegenüber
dem in Beispiel 4 gezeigten Photoleiter bei etwa 900 nm ab. Abgesehen davon, daß die Sensitivität etwas niedriger
als bei dem Photoleiter in Beispiel 4 bei etwa 900 nm liegt, ist der Photoleiter in diesem Beispiel im wesentlichen
mit dem von Beispiel 4 gleich, so daß sich daraus ergibt, daß der in Beispiel 5 erhaltene Photoleiter für
den im Laserstrahldrucker zu verwendenden Photoleiter sehr geeignet ist, in welchem eine Lichtquelle von 800 nm
benutzt wird.
Da der Photoleiter gemäß Beispiel 5 ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt wurde,
besteht ein Vorteil darin, daß das Herstellungsverfahren vereinfacht werden kann.
Wie in Beispiel 5 wurde das Phthalocyaninprodukt benutzt, um einen Film von 0,2 μΐη Stärke als eine Trägerentwicklerschicht
52 auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung und eine weitere Trägertransportschicht
53 auf der Trägerentwicklerschicht 52 zu bilden, indem die gleiche (mit einem Film von 8 μΐη Stärke) durch
überziehen mit einer Lösung hergestellt wurde, die durch Auflösen einer 1:1 Mischung, im Gewichtsverhältnis, von
1-Phenyl-3-(4·-diäthylaminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin
in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in
Tetrahydrofuran hergestellt wurde. In diesem Falle sind die Pyrazolinderivate diejenigen, welche in Übereinstimmung
mit einem weiteren Verfahren synthetisiert
wurden, wonach Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und das so erhaltene Pentadien-(2-1)
mit Phenylhydrazin zur Reaktion gebracht wurde.
Die Spektralempfindlichkeit des erhaltenen Photoleiters
wurde gemessen und das Ergebnis davon in der Kurve E1 in Fig. 6 gezeigt. Aus der Fig. 6 ist deutlich
zu entnehmen, daß im wesentlichen die gleiche Spektralsensitivität wie in Beispiel 2 in dem Photoleiter dieses
Beispiels erhalten wurde, und selbst wenn Pyrazolinderivate für die Trägertransportschicht 53 verwendet
wurden, ein solcher Photoleiter mit einer hohen Sensitivität erhalten werden konnte.
Demgemäß ist dieser Photoleiter ebenso für einen Einsatz in einem Laserstrahldrucker geeignet, in dem
eine Lichtquelle von etwa 800 nm benutzt wird.
Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril wurde
mit 8,88 g von Indiumbromid (InBr-) mit einer Reinheit von 99,999% unter Umrühren zwecks Vermischen zur Reaktion
in ein Becherglas eingebracht, das sich in einem Mantelheizgerät bei 3OO°C befand.
Es wurde bestätigt, daß die Struktur des erhaltenen Produktes Phthalocyanin mit der zuvor angegebenen
allgemtinen Formel war. Als Ergebnis der Elementaranalyse
des Produktes wurde insbesondere gefunden, daß das Elementverhältnis davon C33H15 2N_ 0Br1 QIn1 Q war, so
daßjäas erhaltene Produkt Phthalocyanin mit der angegebenen
Formel war, die auch im wesentlichen das Elementverhältnis von C32H15NgBr2In1 hatte, wobei ein Brom davon
mit dem Zentralmetall der allgemeinen Formel kombiniert war, während das verbleibende Bromatom mit einem Benzolring
verbunden war, der um den Phthalocyaninring angeordnet war.
Dann wurden 0,01 g des Phthalocyaninproduktes in einen Aluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage
eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von '4000C unter Bedampfen mit einer Widerstandsheizung
aufrechterhalten, um einen dünnen Film von 0,02 μΐη auf
einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum des dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenbereich
von 600 - 900 nm durch ein automatisches
Registrierspektralphotometer aufgenommen und die Ergebnisse
davon in Form von Kurven in Fig. 9 angezeigt. Die Kurve A3 in Fig. 9 war das Spektrum der dünnen Filmprobe
selbst und zeigte ein Maximum bei 750 nm.
Die dünne Filmprobe wurde weiterhin einer Behandlung durch Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden lang
unterworfen, um eine weitere Probe zu bilden, deren Absorptionsspitze des Spektrums davon auf die Seite
höherer Wellenlängen verschoben wurde, wobei das Maximum bei 795 nm in der Kurve B3 der Fig. 9 lag.
Dann wurde das Phthalocyaninprodukt einer Dampfbehandlung durch Widerstandserhitzen unterworfen, um
eine Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Filmstärke von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51, wie in
Fig. 5 gezeigt ist, zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden
ausgesetzt, dann das Polyvinylcarbazolharz für die
Elektrophotographie in THF aufgelöst und auf die Trägerentwicklerschicht 52 aufgebracht, und die so erhaltene
Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet, um das THF zu entfernen, wodurch eine Trägertransportschicht
53 mit 10 μια Stärke entstand und so ein Photoleiter erhalten wurde..
Die durch Messen der Spektralempfindlichkeit erhaltenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische
Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind in der Kurve C3 in Fig. 10 wiedergegeben.
Entsprechend der Fig. 10 wurde eine sehr hohe
2
Sensitivität von mehr als 1 cm /iiJ selbst bei einer Wellenlänge von 850 nm beobachtet und weiter eine aus-
Sensitivität von mehr als 1 cm /iiJ selbst bei einer Wellenlänge von 850 nm beobachtet und weiter eine aus-
2 !
reichend hohe Sensitivität von 1 - 1,5 cm /[iJ bei
800 - 850 nm entsprechend der Wellenlänge des allgemeinen Halbleiterlaserlichtes in Bezug auf den in diesem Beispiel
hergestellten Photoleiter erhalten.
In Übereinstimmung mit dem Verfahren von Beispiel 7 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Bildung eines Films
von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedämpfung
gebildet und danach der Film mit einer THF-Lösung von Polyvinylcarbazol überzogen, um eine Trägertransportschicht
53 mit einer Trockenstärke von 8 um zu erhalten, ohne dabei die Dampfbehandlung mit dem THF-Lösungsmittel
in Beispiel 7 durchzuführen, so daß ein Photol^iter entstand.
Die Spektralsensxtxvität des gemäß Beispiel 8 hergestellten Photoleiters wurde in gleicher Weise wie
zuvor gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve D3 in Fig. 10 wiedergegeben. Aus der Kurve D3
geht deutlich hervor, daß in Vergleich mit dem Photoleiter, der dadurch hergestellt wurde, indem die Trägerentwicklerschicht
52 von Beispiel 7 einer Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel unterzogen wurde, der vorliegende
2 Photoleiter eine hohe Sensitivität von 2 - 3 cm /p.J in
einem Wellenlängenbereich bei 800 - 850 nm und von 2
1 cm /μ J selbst bei 900 nm zeigte. Der Photoleiter in
diesem Beispiel zeigte auch dann noch eine sehr hohe Sensitivität, wenn eine Dampfbehandlung durch das
Lösungsmittel auf der Trägerentwicklerschicht 52 nicht durchgeführt worden war, so daß sich der gebildete Photoleiter
geeigneter als derjenige erwies, der in dem Laserstrahldrucker zu verwenden war, in welchem ein solches
oszillierendes Halbleiterlicht von 800 - 850 nm als seine Lichtquelle benutzt wurde. Da der Halbleiter dieses
Beispiels ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt wurde, bestand außerdem ein Vorteil darin,
daß das Herstellungsverfahren davon vereinfacht werden konnte.
In Übereinstimmung mit dem gleichen Verfahren von Beispiel 7 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Herstellung
einer Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Stärke von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch
Bedampfung benutzt. Dann wurde ein Film (dessen Trockenfilmstärke
10 μιη betrug) ohne Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel auf der Trägerentwicklerschicht
gebildet/ indem diese mit einer Lösung überzogen wurde,
die durch Auflösen einer 1:1 Mischung, im Gewichts-Verhältnis,
von 1 -Phenyl-3- (4' -diäthylaminostyryl) 5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin
in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt durch die Union Carbide Corp.) in THF hergestellt wurde. In diesem Falle
wurden die Pyrazolinderivate derartig synthetisiert,
daß Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und das erhaltene Pentadien-(2-1) zur Reaktion
mit Phenylhydrazin gebracht wurde.
Die Spektralsensitivität des erhaltenen Photoleiters wurde in gleicher Weise wie bei den Photoleitern
zuvor aufgenommen und das Ergebnis davon durch die Kurve E-. in Fig. 10 wiedergegeben. Der sich ergebende
Photoleiter zeigte im wesentlichen die gleich hohe
Sensitivität von 1,5 - 2,5 cm /\iJ bei einer Wellenlänge
von 800 - 850 nm und von 0,8 cm /μJ bei einer Wellenlänge
von 900 nm in Vergleich zu denjenigen der Beispiele 7 und 8. Entsprechend Beispiel 9 kann, selbst
wenn die Trägertransportschicht 53 von Beispiel 8 aus einem Pyrazolinderivat hergestellt wird, ein Photoleiter
mit hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der vorliegende Photoleiter für einen Laserstrahldrucker wie
zuvor als seine Lichtquelle mit Licht bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm sehr geeignet ist.
Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril
wurde mit 6,68 g von Aluminiumbromid (AlBr3) mit einer
Reinheit von 99,999% zur Reaktion gebracht, indem diese unter Rühren zum Vermischen in ein Becherglas gegeben
wurden, das in einem Mantelheizgerät bei 3000C untergebracht
war.
Es wurde bestätigt, daß die Struktur des erhaltenen Produktes Phthalocyanin mit der zuvor genannten
allgemeinen Formel war. Als Ergebnis der Elementaranalyse des Produktes wurde insbesondere gefunden, daß
das Elementverhältnis davon C-OH^C CN_ 0Br0 OA14 Λ war,
so daß das erhaltene Produkt Phthalocyanin mit der zuvor genannten allgemeinen Formel war, die auch im wesentlichen
das Elementverhältnis von C00ELt-N0Br-Al,, hatte, wobei
ein Bromatom mit dem Zentralmetall der allgemeinen Formel kombiniert war, während das verbleibende Bromatom mit
dem Benzolring verbunden war, der um den Phtalocyaninring angeordnet war.
Dann wurde eine Menge von 0,01 g des Phthalocyaninproduktes in einem Aluminiumoxidtiegel in einer
Metallbedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von 400°C durch Bedampfen mittels Widerstandsheizung
aufrechterhalten, um einen dünnen Film mit einer Stärke von 0,02 μπι auf einer Glasplatte zu bilden.
Das Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenlängenbereich von
600 - 900 nm durch ein automatisches Registrierspektralphotometer aufgenommen und das Ergebnis davon in Fig. 11
dargestellt. Die Kurve A4 in Fig. 11 war das Spektrum
der dünnen Filmprobe selbst und zeigte ein Maximum bei 730 nm.
Die dünne Filmprobe wurde weiterhin mit Tetrahydrofurandampf
(THF) für 20 Stunden lang behandelt/ um eine weitere Probe zu bilden, deren Absorptionsspektrum
Spitzen bei 650 nm und 780 nm hatte, wie es die Kurve
B. zeigt.
Dann wurde das zuvor genannte Phthalocyaninprodukt einer Dampfbehandlung durch Widerstandsheizung
unterzogen, um eine Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Filmstärke von 0,2 um auf einem Aluminiumsubstrat 51
gemäß Fig. 5 zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde mit THF-Dampf für 20 Stunden lang behandelt, dann
das Polyvinylcarbazolharz für die Elektrophotographie nach Auflösen in THF auf die Trägerentwicklerschicht 52
gebracht und die Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet,um das THF zu entfernen, wobei eine Trägertransportschicht
53 mit einer Stärke von 12 μπι gebildet und ein Photoleiter erhalten wurde.
Die durch Messen der Spektralsensitivität erhaltenen
Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters
dar und sind durch die Kurve C4 in Fig. 12 wiedergegeben.
Gemäß Fig. 12 wurde eine hohe Sensitivität von 2
0,6 cm /uJ selbst bei einer Wellenlänge von 900 nm und
0,6 cm /uJ selbst bei einer Wellenlänge von 900 nm und
2 ferner eine ausreichend hohe Sensitivität von 1 cm /\iJ
bei 800 - 850 nm entsprechend der Wellenlänge des zuvor erwähnten allgemeinen Halbleiterlaserlichtes in Bezug
auf den in diesem Beispiel hergestellten Photoleiter beobachtet.
a ft * η A f
- 25 -
In Übereinstimmung mit dem Verfahren von Beispiel
10 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Herstellung eines Films von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51
bei Bedampfung benutzt und danach der Film mit einer THF-Lösung von Polyvinylcarbazol überzogen/ um eine
Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 12 .um zu. erhalten, ohne dabei eine Dampfbehandlung wie
in Beispiel 10 mit dem THF-Lösungsmittel durchzuführen,
so daß ein Photoleiter erhalten wurde.
Die Spektralsensitivität des in diesem Beispiel hergestellten Photoleiters wurde in gleicher Weise wie
zuvor gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve D. in Fig. 12 wiedergegeben. Aus der Kurve D. in
Fig. 12 geht deutlich hervor, daß in Vergleich mit äem
-15 Photoleiter, welcher dadurch hergestellt wurde, iiidem
die-Trlgerentwicklerschicht 52 von Beispiel 12 einer
Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel unterworfen
wurde, der Photoleiter hier eine etwas niedrigere Sensitivität bei einer Wellenlänge von 900 nm zeigte,
2 aber eine höhere Sensitivität bei 1 cm /μ,J bei 800 850
nm hatte. So zeigte der vorliegende Photoleiter aus diesem Beispiel eine sehr hohe Sensitivität, selbst
wenn eine Löslichkeitsbehandlung auf der Trägerentwicklerschicht 52 nicht durchgeführt worden war, so daß der
vorliegende Photoleiter für den in dem zuvor beschriebenen LaserStrahldrucker zu verwendenden Photoleiter
geeigneter ist, in dem oszillierendes Licht eines solchen Halbleiterlasers bei 800 - 850 nm als seine
Lichtquelle benutzbar ist. Da überdies der Photoleiter dieses Beispiels ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel
hergestellt wurde, besteht ein Vorteil darin, daß der Herstellungsprozeß davon vereinfacht werden kann.
In Übereinstimmung mit dem gleichen Verfahren von Beispiel 10 wurde das gleiche Phthalocyanin, wie
zuvor beschrieben, zur Bildung einer Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Stärke von 0,2 μπι auf einem
Aluminiumsubstrat durch Bedampfung gebildet. Dann wurde. ohne Dampfbehandlung durch ein THF-Lösungsmittel ein
Film (dessen Trockenfilmstärke 10 um betrug) auf der
Trägerentwicklerschicht 52 erzeugt, indem diese mit einer Lösung überzogen wurde, die durch Auflösen einer
1:1 Mischung, im Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4'-diäthylaminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)
-2-pyrazolin in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in THF hergestellt
wurde. In diesem Falle wurden die Pyrazolinderivate in einer Weise synthetisiert, daß Pentadien-(2-1) aus
Benzaldehydund Aceton hergestellt und das erhaltene
Pentadien-(2-1) zur Reaktion mit Phenylhydrazin gebracht
wurde.
Die Spektralsensitivität des erhaltenen Photoleiters wurde in gleicher Weise, wie bei den Photoleitern
zuvor, gemessen und das Ergebnis davon durch die Kurve E. in Fig. 12 wiedergegeben. Der erhaltene Photoleiter
zeigte im wesentlichen die gleich hohe Sensitivität
2
von 1 cm /\iJ bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie in den Beispielen 10 und 11. Entsprechend dem Beispiel 12 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht von Beispiel 11 aus einem Pyrazolinderivat hergestellt ist, ein Photoleiter von hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der vorliegende Photoleiter sehr geeignet war, wenn er in einem Laserstrahldrucker als Photoleiter benutzt wurde, in dem eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie zuvor, benutzt wurde.
von 1 cm /\iJ bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie in den Beispielen 10 und 11. Entsprechend dem Beispiel 12 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht von Beispiel 11 aus einem Pyrazolinderivat hergestellt ist, ein Photoleiter von hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der vorliegende Photoleiter sehr geeignet war, wenn er in einem Laserstrahldrucker als Photoleiter benutzt wurde, in dem eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie zuvor, benutzt wurde.
Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril
wurde mit 7,7 g von Galliumbromid (GaBr3) mit einer Reinheit von 99,999% unter Rühren zwecks Vermischen
in einem Becherglas zur Reaktion gebracht, das in einem Mantelheizgerät bei 3OO°C untergebracht war. Das erhaltene
Produkt konnte mit Tetrahydrofuran (THF) in einen löslichen und einen unlöslichen Bestandteil getrennt
werden. Der erhaltene unlösliche Bestandteil wurde weiter mit THF gewaschen und der gewaschene Bestandteil
einer Sublimation und Reinigung unterworfen.
Als Ergebnis wurde festgestellt, daß die Struktur des durch THF unlöslichen Bestandteils Phthalocyanin
mit der genannten allgemeinen Formel war. Als Ergebnis der Elementaranalyse des Produktes wurde insbesondere
bestätigt, daß das Elementverhältnis davon C00H1. ON_ QBro ~Ga , o war, so daß das erhaltene
iZ 14.O /.ο Δ.U Ami
Produkt Phthalocyanin die allgemeine Formel wie zuvor und auch im wesentlichen das 'Elementverhältnis
C00H-C-N0Br0Ga1 hatte, wobei ein Bromatom davon mit dem
Zentralmetall der genannten allgemeinen Formel und das verbleibende Bromatom mit dem Benzolring kombiniert
waren, der um den Phthalocyaninring angeordnet war.
Dann wurde 0,01 g des Phthalocyaninproduktes in einen Aluminiumoxidtiegel in einer Metal!bedampfungsanlage
eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von 400°C durch Bedampfen mit einer Widerstandsheizung
aufrechterhalten, um einen dünnen Film mit einer Stärke von 0,02 μπι auf einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum
des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenlängenbereich von 600 - 900 nm
durch ein automatisches Registrierspektralphotometer
aufgenommen und die Ergebnisse davon in Fig. 13 wiedergegeben.
Die Kurve Ας in Fig. 13 war das Spektrum der
genannten dünnen Filmprobe selbst und zeigte ein
Maximum bei 740 nm.
genannten dünnen Filmprobe selbst und zeigte ein
Maximum bei 740 nm.
Die dünne Filmprobe wurde ferner einer Dampfbehandlung durch Tetrahydrofuran 20 Stunden lang unterworfen,
um eine weitere Probe zu bilden, bei der die
Absorptionsspitze des Spektrums auf die Seite des
höheren Wellenlängenbereichs, wie in Kurve B5 der Fig. 13, verschoben wurde. Insbesondere verschob sich das Maximum davon zu einem Punkt bei 785 nm in Kurve B-.
Absorptionsspitze des Spektrums auf die Seite des
höheren Wellenlängenbereichs, wie in Kurve B5 der Fig. 13, verschoben wurde. Insbesondere verschob sich das Maximum davon zu einem Punkt bei 785 nm in Kurve B-.
Anschließend wurde das Phthalocyaninprodukt
einer Dampfbehandlung durch Widerstandsheizung unterworfen, um so eine Trägerentwicklerschicht 52 von
einer Dampfbehandlung durch Widerstandsheizung unterworfen, um so eine Trägerentwicklerschicht 52 von
0,2 um Filmstärke auf einem Aluminiumsubstrat 51, wie
in Fig. 5 gezeigt ist, zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde in THF-Dampf 20 Stunden lang behandelt und dann Polyvinylcarbazolharz für Elektrophotographie
in THF aufgelöst und auf die Trägerentwicklerschicht 52 aufgetragen, wobei die Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet wurde, um das THF zu entfernen,
wodurch eine Trägertransportschicht 53 mit 10 um Stärke gebildet und so ein Photoleiter erhalten wurde.
in Fig. 5 gezeigt ist, zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde in THF-Dampf 20 Stunden lang behandelt und dann Polyvinylcarbazolharz für Elektrophotographie
in THF aufgelöst und auf die Trägerentwicklerschicht 52 aufgetragen, wobei die Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet wurde, um das THF zu entfernen,
wodurch eine Trägertransportschicht 53 mit 10 um Stärke gebildet und so ein Photoleiter erhalten wurde.
Die durch Messen der Spektralsensitivität erhaltenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische
Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind durch die Kurve C1. in Fig. 14 wiedergegeben.
Entsprechend der Fig. 14 wurde eine sehr hohe
Sensitivität von mehr als 1,5 cm /uJ selbst bei einer
Sensitivität von mehr als 1,5 cm /uJ selbst bei einer
Wellenlänge von 900 nm und weiter eine sehr hohe Sensitivität von etwa 2 cm /μJ bei 800 - 850 nm entsprechend
der Wellenlänge des üblichen Halbleiterlaserlichtes in Bezug auf den in diesem Beispiel vorbereiteten Photoleiter
beobachtet.
In Übereinstimmung mit dem Verfahren von Beispiel 13 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Bildung
eines Films von 0,2 μΐη auf einem Aluminiumsubstrat 51
durch Bedampfung benutzt und danach der Film mit einer THF-7-.ösung von Polyvinylcarbazol überzogen, um eine
Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 10 μπι ohne Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel
von Beispiel 13 zu bilden und so einen Photoleiter zu erhalten.
Die Spektralintensivität des in Beispiel 14 hergestellten
Photoleiters wurde in gleicher Weise wie in
den Beispielen zuvor gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve D5 in Fig. 14 wiedergegeben. Entsprechend
der Kurve D- wurde deutlich, daß in Vergleich mit dem
Photoleiter, der dadurch hergestellt wurde, indem die Trägerentwicklerschicht 52 von Beispiel 13 einer Dampfbehandlung
mit dem THF-Lösungsmittel unterzogen wurde, der Photoleiter in diesem Beispiel eine etwas niedrigere,
jedoch erheblich höhere Sensitivität von 1 cm /\iJ bei
einer Wellenlänge von 800 - 850 nm und von 1 cm /μJ
bei 900 nm zeigte. Der vorliegende Photoleiter von Beispiel 14 zeigte daher eine ausreichend hohe Sensitivität,
selbst wenn eine Dampfbehandlung durch Lösungsmittel auf der Trägerentwicklerschicht 52 nicht erfolgte, so daß
dieser Photoleiter geeigneter als derjenige war, der in dem beschriebenen Laserstrahldrucker zu verwenden war,
wonach ein oszillierendes Licht eines Laserhalbleiters
im Wellenlängenbereich von 800 - 850 mn als seine Lichtquelle
benutzt wurde. Da überdies der Photoleiter dieses Beispiels ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel
hergestellt wurde, besteht ein Vorteil auch darin, daß das Herstellungsverfahren vereinfacht werden kann.
In Übereinstimmung mit dem gleichen Verfahren von Beispiel 13 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Herstellung
einer Trägerentwicklerschicht 52 mit einer
Stärke von 0,2 \im auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch
Bedampfung gebildet. Anschließend wurde ohne Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel ein Film mit einer
Trockenfilmstärke von 8 μΐη auf der Trägerentwicklerschicht
52 gebildet, indem diese mit einer Lösung überzogen wurde, die durch Auflösen einer 1:1 Mischung,im
Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4'-diäthylaminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin
in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in THF hergestellt wurde. In diesem
Falle wurden· die Pyrazolinderivate in der Weise synthetisiert, daß Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton
hergestellt und dabei das erhaltene Pentadien-(2-1) mit Phenylhydrazin zur Reaktion gebracht wurde.
Die Spektralsensitivität des erhaltenen Photoleiters
wurde in gleicher Weise wie zuvor gemessen und das erhaltene Ergebnis davon durch die Kurve E5 in
Fig. 14 wiedergegeben. Der erhaltene Photoleiter zeigte
im wesentlichen die gleich hohe Sensitivität von
2
1,0 - 1,5 cm /\iJ bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm
1,0 - 1,5 cm /\iJ bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm
2
und von 0,9 cm /\iJ bei 900 nm, wie in den Beispielen 13 und 14. Entsprechend dem Beispiel 15 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht 53 von Beispiel 14 aus
und von 0,9 cm /\iJ bei 900 nm, wie in den Beispielen 13 und 14. Entsprechend dem Beispiel 15 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht 53 von Beispiel 14 aus
einem Pyrazolinderivat hergestellt ist, ein Photoleiter von hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der
vorliegende Photoleiter sehr geeignet war, wenn er in einem Laserstrahldrucker als Photoleiter verwendet
wurde, bei dem eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie zuvor, benutzt wurde.
In dem erfindungsgemäßen Photoleiter reicht ein sehr dünner Film, beispielsweise mit einer Stärke von
etwa 0,2 μΐη für die zuvor beschriebene Trägerentwicklerschicht
52 aus, und daher wird nur eine kurze Zeitperiode zum Betätigen einer Bedampfungsanlage hinsichtlich
der Herstellung von Photoleitern benötigt, so daß die Herstellung der Photoleiter leicht und damit zugleich
billig für die Massenherstellung geeignet ist.
Da überdies die Hauptrohmaterialien zur Herstellung des Photoleiters organische Substanzen sind, bestehen im
Hinblick hierauf keine Bedenken, daß der Photoleiter als Wegwerfartikel hergestellt wird. überdies liegt
auch ein weiterer Vorteil darin, daß der Photoleiter der vorliegenden Erfindung nicht nur für einen Laserstrahldrucker,
sondern auch für einen optischen Sensor und andere Aufnahmegeräte, wie Facsimileschreiber,
benutzbar ist, in dem die LED insbesondere beim Halbleiterlaser als Lichtquelle verwendet wird.
Claims (7)
1. Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion, der durch Bildung einer Trägerentwicklerschicht aus einem
organischen, photoleitenden Material auf einem leitenden
Substrat hergestellt ist und eine Trägertransportschicht auf der Trägerentwicklerschicht bildet,
dadurch gekennzeichnet, daß das organische, photoleitende Material eine Grundstruktur
hat, die einem Phthalocyanin mit der folgenden allgemeinen Formel entspricht:
in der ein Zentralmetall Me aus der Gruppe gewählt ist, die aus Indium, Gallium und Aluminium besteht, wobei das
Zentralmetall Me ferner mit einem Halogen kombiniert ist, und in der das Phthalocyanin diejenige Verbindung ist,
in welcher ein Teil der Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen
durch Halogen ersetzbar ist.
2. Photoleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische, photoleitende Material eine Mischung
ist, die das Phthalocyanin der Grundstruktur mit der folgenden allgemeinen Formel enthält:
/ N
in der das Zentralmetall Me aus der Gruppe gewählt ist, die Indium, Gallium unü Aluminium umfaßt, wobei das
Zentralmetall Me ferner mit einem Halogen kombiniert ist, und in der ein weiteres Phthalocyanin vorkommt, in
welchem ein Teil der Wasserstoffatome der um den Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringe
durch das Halogen ersetzt ist.
3. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Indium, das Halogen dagegen Chlor ist.
4. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Zentralmetall Me Gallium, das Halogen dagegen Chlor ist.
5. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Zentralmetall Me Indium, das Halogen dagegen Brom ist.
6. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Aluminium/ das Halogen dagegen
Brom ist.
7. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Gallium, das Halogen dagegen
Brom ist.
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JP329783A JPS59128544A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電子写真用感光体 |
JP672383A JPS59133550A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 電子写真用感光体 |
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