DE3332005A1

DE3332005A1 - Photoleiter fuer elektrophotographie mit trennfunktion

Info

Publication number: DE3332005A1
Application number: DE19833332005
Authority: DE
Inventors: Katsuaki Tokyo Kaifu; Masakazu Kato; Yoichi Nishioka
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1982-09-06
Filing date: 1983-09-05
Publication date: 1984-03-08
Also published as: US4587188A; DE3332005C2

Description

— A —

OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., Ltd., Tokyo, Japan

Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion

Die Erfindung betrifft einen Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, insbesondere einen Photoleiter mit ausgezeichneten physikalischen Eigenschaften, der eine hohe Sensitivität in Bezug auf Licht im Langwellens^ bereich bei etwa 800 nm hat.

In üblichen Photoleitern für Elektrophotographie ist ein Photoleiter gemäß Fig. 1 dadurch herstellbar, daß ein Selenfilm von etwa 50 um Stärke auf ein photoleitendes Substrat aufgedampft wird, das beispielsweise aus Aluminium besteht. Nachteilig bei diesem Photoleiter ist es, daß etwa eine Stunde für die Selenbedampfung erforderlich ist und der Selenphotoleiter eine Sensitivität mit einer Wellenlänge nur bis etwa 500 nm hat. Wie die Fig. 2 zeigt, ist auch ein Photoleiter vorgeschlagen worden, in welchem eine Selenschicht von etwa 50 μπι auf einem photoleitenden Substrat und darauf eine Selen-Tellur-Legierungsschicht von mehreren Mikrometern gebildet ist. In diesem Photoleiter führt der höhere Tellurgehalt in der Selen-Tellur-Legierungsschicht zwar zu einer höheren Spektralsensitivität, das heißt, daß sich seine Sensitivität bis in den Langwellenbereich erstreckt, daß aber die Retentionsexgenschaft der Oberflächenladung des Photoleiters mit zunehmendem Telluranteil abnimmt und daher kaum als photoempfindliches Material benutzbar ist. Fig. 6 zeigt in einer graphischen Darstellung die Spektralempfindlichkeit eines Photoleiterschichtsystems,

das dadurch hergestellt wird, indem eine Selenschicht mit einer Stärke von 50 μΐη auf einem Aluminiumsubstrat und darauf dann eine Selen-Tellur-Legierungsschicht mit einer Stärke von 3 um gebildet wird, die 85 Mol-% Selen und 15 Mol-% Tellur enthält. Nun ist zwar der zugesetzte Telluranteil, wie beschrieben, begrenzt, doch hat das Photoleitersystem eine Sensitivität nur bis etwa 700 nm (Kurve C).

i. ußerdem ist ein Photoleiter mit sogenannter Trennfunktion gemäß Fig. 3 vorgeschlagen worden, der aus einer Trägerentwicklerschicht besteht, welche dadurch hergestellt wird, indem Chlordianblau oder ein Quadratsäurederivat auf ein Aluminiumsubstrat mit einer Stärke von etwa 1 μΐη aufgetragen und eine Trägertransportschicht gebildet wird, die durch überziehen mit einer Mischung aus Polyvinylcarbazol oder einem Pyrazolinderivat von hohem Isolierwert und Polycarbonatharz auf der Trägerentwicklerschicht mit einer Stärke von 10 bis 20 um hergestellt wird. Die spektralen Sensitivitätseigenschaften eines solchen Photoleiters mit Trennfunktion sind auf der Basis von Eigenschaften der Trägerentwicklerschicht bestimmt. Feststeht jedenfalls, daß zur Zeit die Sensitivität eines solchen Photoleiters in Bezug auf Licht nicht viel höher als 700 nm ist.

In jüngster Zeit sind auch Versuche unternommen worden, um Halbleiterlaser als Lichtquelle in einem Laserstrahldrucker oder ähnlichem zu verwenden, wobei Laserlicht als Lichtquelle und ein Photoleiter für Elektrophotographie verwendet wurde. Da die Wellenlänge einer solchen Lichtquelle, wie beschrieben, bei etwa 800 nm liegt, ist in einem solchen Fall ein Photoleiter mit charakteristisch hoher Sensitivität in Bezug auf den Langwellenbereich des Lichtes von etwa 800 nm sehr erwünscht.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 vorzuschlagen, um die genannten Nachteile auszuschalten.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst.

Gemäß der Erfindung soll insbesondere ein Photoleiter mit Trennfunktion vorgeschlagen werden, der eine hohe Sensitivität in Bezug auf Licht mit einer Wellenlänge von etwa 800 nm hat und außerdem billig herstellbar ist.

Der erfindungsgemäße Photoleiter soll eine Trägerentwicklerschicht aufweisen, die aus einem organischen, photoleitenden Material hergestellt ist, das eine Grundstruktur entsprechend einem Phthalocyanin mit der folgenden Formel aufweist:

in der das Metall Me im zentralen Teil der Formel auftritt (im folgenden einfach als "Zentralmetall" bezeichnet) und aus einer Gruppe gewählt ist, die Indium, Gallium und Aluminium umfaßt, und in der X ein Halogen ist, das mit dem Zentralmetall (im folgenden einfach als "kombiniertes Halogen" bezeichnet) kombiniert ist, wobei das Phthalocyanin diejenige Verbindung ist, in welcher ein Teil der

Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring angeordneten Benzolringen durch das gleiche Halogen mit dem kombinierten Halogen ersetzbar ist.

Im erfindungsgemäßen Photoleiter mit Trennfunktion soll eine Trägerentwicklerschicht vorgesehen sein, die aus einem organischen, photoleitenden Material hergestellt ist, welches eine Mischung ist, die Phthalocyanin der Grundstruktur mit der gleichen allgemeinen Formel enthält, wobei Me und X, wie definiert, angeordnet sind, und ein weiteres Phthalocyanin enthält, in welchem ein Teil der Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch das gleiche Halogen mit dem kombinierten Halogen substituierbar ist.

Für den erfindungsgemäßen Photoleiter soll das Zentralmetall der Phthalocyaninverbindung aus der Gruppe von Indium, Gallium und Aluminium ausgewählt werden, während das kombinierte Halogen Chlor oder Brom sein soll. Ausführungsbeispiele zur Kombination des Zentralmetalls mit dem kombinierten Halogen werden in den Beispielen 1 bis 15 im einzelnen erläutert, wobei besonders gute Ergebnisse mit folgenden Kombinationen erhalten wurden:

Zentralmetall Kombiniertes Halogen Indium Chlor

Gallium Chlor

Indium Brom

Aluminium Brom

Gallium Brom

Es ist noch zu bemerken, daß die angegebenen Kombinationen nicht notwendigerweise auf die speziellen Ausführungsbeispiele begrenzt sein müssen.

■ - 8 -

In der vorliegenden Erfindung ist das Halogen, das für einen Teil der Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring angeordneten Benzolringen substituiert ist/ das gleiche, wie das kombinierte Halogen. In diesem Falle bedeutet die Substitution des Halogens eine Substitution von mehr als einem Wasserstoffatom im Benzolring. Insbesondere können, obwohl ein solcher Fall, bei dem im wesentlichen ein Wasserstoff durch ein derartiges Halogen substituierbar ist, was im einzelnen in Verbindung mit den Ausführungsbeispielen noch zu beschreiben ist, zwei oder mehr Wasserstoffatome durch ein solches Halogen, je nach Synthetisierungsverfahren, ersetzt werden.

überdies können die gleichen Vorteile mit der Erfindung auch dann noch erreicht werden, wenn das Phthalocyanin, in dem zwei oder mehr Wasserstoffatome durch ein derartiges Halogen substituierbar sind, verwendet wird.

Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand von Zeichnungen und graphischen Darstellungen. Es zeigen:

FIG. 1 in einer Schnittansicht einen bekannten Photoleiter für Elektrophotographie;

F I G. 2 in einer Schnittansicht ein bekanntes Selen-Tellur-Photoleiterschichtsystem für Elektrophotographie;

F I G. 3 in einer Schnittansicht einen bekannten Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion;

FIG. 4 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra eines Beispiels des in der Erfindung verwendeten Phthalocyanins;

F I G. 5 in einer Schnittansicht ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Photoleiters;

FIG. 6 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven des Photoleiters entsprechend den Ausführungsbeispielen 1, 2 und 3 der Erfindung;

FIG. 7 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra des Phthalocyanins, das im Ausführungsbeispiel 4 der Erfindung verwendet wird;

F I G. 8 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra des Photoleiters entsprechend den Ausführungsbeispielen 4, 5 und 6 der Erfindung;

FIG. 9 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorption sspek tr a des Phthalocyaninpigmentes, das im Ausführungsbeispiel 7 der Erfindung benutzt wird;

FIG.10 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven des Photoleiters entsprechend den Äusführungsbeispielen 7, 8 und 9 der Erfindung;

FIG. 11 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra des Phthalocyaninpigmentes, das im Beispiel 10 benutzt wird;

FIG. 12 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven des Photoleiters entsprechend den Ausführungsbeispielen 10, 11 und 12 der Erfindung;

FIG. 13 in einer graphischen Darstellung Lichtabsorptionsspektra des Phthalocyaninpigmentes, das im Ausführungsbeispiel 13 verwendet wird und

F I G. 14 in einer graphischen Darstellung Spektralsensitivitätskurven des Photoleiters entsprechend den Beispielen 13, 14 und 15 der Erfindung.

Wie eingangs im einzelnen ausgeführt wurde, ist gemäß Fig. 1 bei einem bekannten Photoleiter auf einem,

beispielsweise aus Aluminium bestehenden, photoleitenden Substrat 11 ein Selenfilm 12 aufgedampft. Ein weiterer bekannter Photoleiter, wie die Fig. 2 zeigt, besteht aus einem photoleitenden Substrat 21, dem eine Selenschicht 22 folgt und auf der wiederum eine Selen-Tellurschicht 23 gebildet ist. Außerdem ist gemäß Fig. 3 ein Photoleiter mit einer Substratschicht 31, einer Trägerentwicklerschicht 32 und einer -transportschicht 33 bekannt.

Die Erfindung wird nun, wie angegeben, anhand von Ausführungsbeispielen im einzelnen näher erläutert.

Beispiel 1

Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril (hergestellt von der Tokyo Kasei Co.) wurde mit 5,5 g von Indiümchlorid (InCl₃) mit einer Reinheit von 99,999% (hergestellt von der Furuuchi Kagaku Co.) unter Rühren zwecks Vermischen in einem Becherglas zur Reaktion gebracht, das in einem Mantelheizgerät bei 300°C in Übereinstimmung mit dem Phthalonitrilverfahren untergebracht war, um eine Mischung aus einer Verbindung zu synthetisieren, die die Grundstruktur von Phthalocyanin mit der zuvor beschriebenen allgemeinen Formel hat, in der das Zentralmetall Indium ist und ein weiteres Phthalocyanin vorkommt, bei dem ein Teil der Wasserstoffatome von um den Phathalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch Chlor ersetzt ist. Das erhaltene Produkt war ein bläulich-schwarzer Klumpen, der fein zerteilt und gereinigt wurde. Als Ergebnis der Analyse des Chlorgehaltes des erhaltenen Phthalocyanin nach der Verbrennung im Glaskolben wurde festgestellt, daß der Chloranteil 1,75 pro Mol des Phthalocyanine betrug und daß ein Chloratom davon mit dem Indium des Zentralmetalls so kombiniert war, daß dieses Chloratom, das für ein Wasserstoffatom von um den Phthalocyaninring angeordneten

Benzolringen substituiert war, einen Durchschnitt von 0,75 pro Mol des Phthalocyanins hatte. Somit war klar, daß das synthetisierte Phthalocyanin eine Mischung war, die aus Phthalocyanin der angegebenen Grundstruktur und einem weiteren Phthalocyanin bestand, in der ein Teil der Wasserstoffatome des Benzolringes durch Chlor ersetzt war.

Dann wurden 10 mg des Phthalocyaninproduktes in einen Äluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von 400⁰C in Übereinstimmung durch Bedampfen mit einer Widerstandsheizung aufrechterhalten, um einen dünnen Film von 0,02 μΐη auf einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenbereich von 600 - 900 nm mit Hilfe eines automatischen Registrierspektralphotometers aufgenommen und die Ergebnisse davon durch die Kurve A.. in Fig. 4 dargestellt. Wie sich aus dieser graphischen Darstellung ergibt, zeigte das Absorptions-Spektrum des dünnen Films einen Wendepunkt (shoulder peak) bei 670 nm und ein Maximum bei 750 nm.

Die dünne Filmprobe wurde Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden ausgesetzt und das Lichtabsorptionsspektrum in gleicher Weise untersucht. Hierbei wurde festgestellt, daß sich die Absorptionsspitze in den Bereich größerer Wellenlängen verschob, was nichts anderes bedeutet, daß sich das Maximum, wie durch die Kurve B₁ in Fig. 4 gezeigt ist, zu einem Punkt von 810 nm verschob.

Dann wurde ein Aluminiumoxidtiegel mit 0,1 g des speziell hergestellten Phthalocyaninproduktes gefüllt und das im Alumiumoxidtiegel enthaltene Produkt einer

Bedampfung durch Widerstandserhitzen für 20 Minuten unterworfen, während die Temperatur des Tiegels bei 40O⁰C aufrechterhalten wurde, um eine Trägerentwicklerschicht (carrier generation layer) 52 von 0,2 μπι Stärke auf einem Aluminiumsubstrat 51, wie in der in Fig. 5 gezeigten Anordnung zu bilden. Das erhaltene Material wurde für 20 Stunden Tetrahydrofurandampf ausgesetzt, dann das so behandelte Material mit Polyvinylcarbazolharz (hergestellt von der Tokyo Kasei Co., Sondergrad) überzogen, das in Tetrahydrofuran aufgelöst und das so überzogene Material ausreichend getrocknet wurde, um Tetrahydrofuran zu entfernen, wobei eine Trägertransportschicht 53 von 6 μΐη Stärke auf der Trägerentwicklerschicht 52 gebildet wurde, um einen Photoleiter zu erhalten.

Die durch Messen der Spektralsensitivität gewonnenen Ergebnisse stellen charkateristische, elektrophotographische Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters, dar, die in der Kurve C₁ in Fig. 6 dargestellt sind.

Wie aus Fig. 6 hervorgeht, wurde eine sehr hohe

2
Sensitivität von mehr als 1 cm /uJ selbst bei 900 nm

—' und weiter eine hohe Sensitivität von 2,0 cm /μJ bei

800 - 850 nm mit Bezug auf den Photoleiter beobachtet. Es ist also sehr vorteilhaft, den Photoleiter mit solchen charakteristischen Eigenschaften, wie beschrieben, für Geräte, wie Laserstrahldrucker, zu verwenden, in welchem ein Haltleiterlaser als seine Lichtquelle benutzt wird.

Beispiel 2

Ein dünner Film mit einer Stärke von 0,2 μπι wurde auf einem Aluminiumsubstrat 51 gebildet, in dem das in Beispiel 1 durch Bedampfung hergestellte Phthalocyaninprodukt verwendet wurde. Das erhaltene Material wurde mit

einer Tetrahydrofuranlösung von Polyvinylcarbazol überzogen, ohne daß dabei eine Dampfbehandlung mit einem Tetrahydrofuran-Lösungsmittel erfolgte, um eine Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 6 μπι zu bilden, so daß ein Photoleiter erhalten wurde.

Die Spektralsensitivität des sich ergebenden Photoleitero wurde gemessen und das Ergebnis davon durch die Kurve D₁ in Fig. 6 angegeben. Gemäß Fig. 6 wird deutxich, daß der Photoleiter eine höhere Sensitivität als der von Beispiel 1 bis zu einer Wellenlänge von 850 nm insgesamt zeigt, wobei insbesondere in diesem

Ausführungsbeispiel hohe Sensitivitäten von 2,5 cm /\iJ bei 750 - 800 nm und von 1,5 cm /\iJ bei 900 nm beobachtet wurden, was bedeutet, daß der erhaltene Photoleiter für den in einem Laserstrahldrucker zu verwendenden Photoleiter sehr geeignet ist, bei dem insbesondere eine Lichtquelle von etwa 800 nm benutzt wird.

Da der Photoleiter nach Beispiel 2 ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt x-rarde, liegt ein Vorteil darin, daß das Herstellungsverfahren vereinfacht werden kann.

Beispiel 3

Wie in Beispiel 2 wurde das Phthalocyaninprodukt benutzt, um einen Film von 0,2 μπι als eine Trägerent-Wicklerschicht 52 auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung zu bilden. Eine weitere Trägertransportschicht 53 wurde auf der Trägerentwicklerschicht 52 durch überziehen derselben (mit einem Film in einer Stärke von 8 μΐη) mit einer Lösung hergestellt, indem eine 1:1 Mischung, im Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4'-diäthyl-aminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin

in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in Tetrahydrofuran aufgelöst wurde. In diesem Fall sind die Pyrazolinderivate diejenigen ι die in Übereinstimmung mit einer Methode synthetisiert wurden, wonach Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und das sich ergebende Pentadien-(2-1) zur Reaktion mit Phenylhydrazin gebracht wurde.

Die Spektralsensitivität des sich ergebenden Photoleiters wurde gemessen und das Ergebnis davon durch die Kurve E₁ in Fig. 6 wiedergegeben. Wie aus der Fig. 6 deutlich zu entnehmen ist, wurde im wesentlichen die gleiche Spektralsensitivität wie in Beispiel 2 mit dem Photoleiter dieses Ausführungsbeispiels.erhalten, und zwar selbst bei Einsatz von Pyrazolinderivaten für die Trägertransportschicht 53, wobei ein solcher Photoleiter

2
hohe Sensivitäten von 2 cm /μJ bei 750 - 850 nm und von

2
1 cm ^J bei 900 nm erreichte.

Demgemäß ist dieser Photoleiter ebenfalls zur Verwendung in einem Laserstrahldrucker sehr geeignet, in dem eine Lichtquelle von etwa 750 - 850 nm benutzt wird.

Beispiel 4

Eine Menge von 12,8 g.von o-Phthalodinitril (hergestellt von der Tokyo Kasei Co.) wurde mit 4,4 g von Galliumchlorid (GaCl₃) mit einer Reinheit von 99,999% (hergestellt von Furuuchi Kagaku Co.) unter Rühren zwecks Vermischen zur Reaktion in ein Becherglas eingebracht, das in einem Mantelheizgerät bei 300⁰C entsprechend dem Phthalonitrilverfahren untergebracht war, um eine Mischung aus einer Verbindung zu synthetisieren, die die Grundstruktur von Phthalocyanin mit der zuvor beschriebenen allgemeinen Formel hat, in der das Zentralmetall Gallium

ist und ein weiteres Phthalocyanin vorkommt, bei dem ein Teil der Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch Chlor ersetzt wird. Das sich ergebende Produkt war ein bläulichschwarzer Klumpen, der fein zerteilt und dann durch Waschen des feinen Pulvers mit Tetrahydrofuran (THF) gereinigt wurde, um THF-lösliche Bestandteile zu entfernen. Als Ergebnis der Analyse des Chlorgehaltes des erhaltenen Phthalocyanins nach Verbrennung im Glaskolben wurde festgestellt, daß der Anteil des Chlors 2,26 pro Mol des Phthalocyanins betrug und daß ein Chloratom davon mit dem Gallium des Zentralmetalls so kombiniert war, daß dieses Chloratom, das für das Wasserstoffatom von um den Phthalocyaninring angeordneten Benzolringen substituiert war, einen Durchschnitt von 1,26 pro Mol des Phthalocyanins hatte.

Anschließend wurden 10 mg des Phthalocyaninproduktes in einen Aluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Temperatur des Tiegels von 400⁰C entsprechend der Bedampfungsmethode durch Widerstandserhitzen aufrechterhalten, um einen dünnen Film von 0,02 μπι auf einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenlängenbereich von 600 - 900 nm durch ein automatisches Registrierspektralphotometer gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve A„ in Fig. 7 dargestellt. Wie aus der graphischen Darstellung der Kurve A» der Fig. 7 hervorgeht, zeigt das Absorptionsspektrum des dünnen Films einen Wendepunkt bei 670 nm und ein Maximum bei 730 nm.

Die dünne Filmprobe wurde 20 Stunden lang in Tetrahydrofurandampf gehalten und dann das Lichtabsorptionsspektrum in gleicher Weise untersucht. Hierbei zeigte sich, daß sich die Absorptionsspitze in den Bereich

größerer Wellenlängen verschob, was nichts anderes bedeutet, daß das Maximum beim Punkt 745 nm auftrat, wie durch die Kurve B₂ in Fig. 7 angegeben ist.

Dann wurde ein Aluminiumoxidtiegel mit 0,1 g des Phthalocyaninproduktes gefüllt, das wie zuvor speziell hergestellt und einer Bedampfung durch Widerstandserhitzen für etwa 20 Minuten unterworfen war, wobei eine Tiegeltemperatur bei 400⁰C aufrechterhalten wurde, um eine Trägerentwicklerschicht 52 von 0,2 μΐη Stärke auf einem Aluminiumsubstrat 51 gemäß der in Fig. 5 gezeigten Anordnung zu bilden. Das sich ergebende Material wurde Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden ausgesetzt, dann das so behandelte Material mit Polyvinylcarbazolharz (hergestellt von der Tokyo Kasei Co., Spezialgrad) überzogen, das in Tetrahydrofuran aufgelöst und das so überzogene Material ausreichend getrocknet wurde, um Tetrahydrofuran zu entfernen, wobei eine Trägertransportschicht 53 von 6 μπι Stärke auf der Trägerentwicklerschicht 52 gebildet wurde, um einen Photoleiter zu erhalten.

Die durch Messen der Spektralempfindlichkeit gewonnenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind in der Kurve C~ in Fig. 8 wiedergegeben.

Wie aus der Fig. 8 hervorgeht, wurde eine sehr

2 hohe Sensitivität von mehr als 1 cm /\iJ selbst bei

2 900 nm und weiter eine hohe Sensitivität von 2,5 cm /\iJ bei 800 nm in Bezug auf den Photoleiter beobachtet. Ein derartiger Photoleiter mit einer im wesentlichen flachen Charakteristik von 600 - 900 nm ist zur Zeit kaum bekannt,

so daß der vorliegende Photoleiter mit großem Vorteil in einem Laserstrahldrucker oder ähnlichem verwendet werden kann.

Beispiel 5

Ein dünner Film von 0,2 um wurde auf einem Aluminiumsubstrat 51 gebildet, in dem das in Beispiel 4 durch Bedaiapfung hergestellte Phthalocyaninprodukt verwende+-, wurde. Das so erhaltene Material wurde mit einer Tetranya-ccfuranlösung von Polyvinylcarbazol ohne Dampfbehandlung durch das Tetrahydrofuranlösungsmittel überzogen, um eine Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 6 μΐη zu bilden, so daß ein Photoleiter erhalten wurde.

Die Spektralempfindlichkeit des erhaltenen Photoleiters wurde gemessen und das Ergebnis davon durch die Kurve D_ in Fig. 8 wiedergegeben. Aus Fig. 8 geht deutlich hervor, daß der erhaltene Photoleiter im wesentlichen

2 eine gleich hohe Empfindlichkeit von 1 - 1,5 cm /uJ in Vergleich mit dem Photoleiter von Beispiel 4 bis zu einer Wellenlänge von 850 nm zeigte. Im vorliegenden Beispiel nahm die Sensitivität jedoch um die Hälfte gegenüber dem in Beispiel 4 gezeigten Photoleiter bei etwa 900 nm ab. Abgesehen davon, daß die Sensitivität etwas niedriger als bei dem Photoleiter in Beispiel 4 bei etwa 900 nm liegt, ist der Photoleiter in diesem Beispiel im wesentlichen mit dem von Beispiel 4 gleich, so daß sich daraus ergibt, daß der in Beispiel 5 erhaltene Photoleiter für den im Laserstrahldrucker zu verwendenden Photoleiter sehr geeignet ist, in welchem eine Lichtquelle von 800 nm benutzt wird.

Da der Photoleiter gemäß Beispiel 5 ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt wurde,

besteht ein Vorteil darin, daß das Herstellungsverfahren vereinfacht werden kann.

Beispiel 6

Wie in Beispiel 5 wurde das Phthalocyaninprodukt benutzt, um einen Film von 0,2 μΐη Stärke als eine Trägerentwicklerschicht 52 auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung und eine weitere Trägertransportschicht 53 auf der Trägerentwicklerschicht 52 zu bilden, indem die gleiche (mit einem Film von 8 μΐη Stärke) durch überziehen mit einer Lösung hergestellt wurde, die durch Auflösen einer 1:1 Mischung, im Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4·-diäthylaminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in Tetrahydrofuran hergestellt wurde. In diesem Falle sind die Pyrazolinderivate diejenigen, welche in Übereinstimmung mit einem weiteren Verfahren synthetisiert wurden, wonach Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und das so erhaltene Pentadien-(2-1) mit Phenylhydrazin zur Reaktion gebracht wurde.

Die Spektralempfindlichkeit des erhaltenen Photoleiters wurde gemessen und das Ergebnis davon in der Kurve E₁ in Fig. 6 gezeigt. Aus der Fig. 6 ist deutlich zu entnehmen, daß im wesentlichen die gleiche Spektralsensitivität wie in Beispiel 2 in dem Photoleiter dieses Beispiels erhalten wurde, und selbst wenn Pyrazolinderivate für die Trägertransportschicht 53 verwendet wurden, ein solcher Photoleiter mit einer hohen Sensitivität erhalten werden konnte.

Demgemäß ist dieser Photoleiter ebenso für einen Einsatz in einem Laserstrahldrucker geeignet, in dem eine Lichtquelle von etwa 800 nm benutzt wird.

Beispiel 7

Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril wurde mit 8,88 g von Indiumbromid (InBr-) mit einer Reinheit von 99,999% unter Umrühren zwecks Vermischen zur Reaktion in ein Becherglas eingebracht, das sich in einem Mantelheizgerät bei 3OO°C befand.

Es wurde bestätigt, daß die Struktur des erhaltenen Produktes Phthalocyanin mit der zuvor angegebenen allgemtinen Formel war. Als Ergebnis der Elementaranalyse des Produktes wurde insbesondere gefunden, daß das Elementverhältnis davon C₃₃H_{15 2}N_ 0Br₁ QIn_{1 Q} war, so daßjäas erhaltene Produkt Phthalocyanin mit der angegebenen Formel war, die auch im wesentlichen das Elementverhältnis von C₃₂H₁₅NgBr₂In₁ hatte, wobei ein Brom davon mit dem Zentralmetall der allgemeinen Formel kombiniert war, während das verbleibende Bromatom mit einem Benzolring verbunden war, der um den Phthalocyaninring angeordnet war.

Dann wurden 0,01 g des Phthalocyaninproduktes in einen Aluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von '400⁰C unter Bedampfen mit einer Widerstandsheizung aufrechterhalten, um einen dünnen Film von 0,02 μΐη auf einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum des dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenbereich von 600 - 900 nm durch ein automatisches

Registrierspektralphotometer aufgenommen und die Ergebnisse davon in Form von Kurven in Fig. 9 angezeigt. Die Kurve A₃ in Fig. 9 war das Spektrum der dünnen Filmprobe selbst und zeigte ein Maximum bei 750 nm.

Die dünne Filmprobe wurde weiterhin einer Behandlung durch Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden lang unterworfen, um eine weitere Probe zu bilden, deren Absorptionsspitze des Spektrums davon auf die Seite höherer Wellenlängen verschoben wurde, wobei das Maximum bei 795 nm in der Kurve B₃ der Fig. 9 lag.

Dann wurde das Phthalocyaninprodukt einer Dampfbehandlung durch Widerstandserhitzen unterworfen, um eine Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Filmstärke von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51, wie in Fig. 5 gezeigt ist, zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde Tetrahydrofurandampf für 20 Stunden ausgesetzt, dann das Polyvinylcarbazolharz für die Elektrophotographie in THF aufgelöst und auf die Trägerentwicklerschicht 52 aufgebracht, und die so erhaltene Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet, um das THF zu entfernen, wodurch eine Trägertransportschicht 53 mit 10 μια Stärke entstand und so ein Photoleiter erhalten wurde..

Die durch Messen der Spektralempfindlichkeit erhaltenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind in der Kurve C₃ in Fig. 10 wiedergegeben.

Entsprechend der Fig. 10 wurde eine sehr hohe

2
Sensitivität von mehr als 1 cm /iiJ selbst bei einer Wellenlänge von 850 nm beobachtet und weiter eine aus-

2 !

reichend hohe Sensitivität von 1 - 1,5 cm /[iJ bei 800 - 850 nm entsprechend der Wellenlänge des allgemeinen Halbleiterlaserlichtes in Bezug auf den in diesem Beispiel hergestellten Photoleiter erhalten.

Beispiel 8

In Übereinstimmung mit dem Verfahren von Beispiel 7 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Bildung eines Films von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedämpfung gebildet und danach der Film mit einer THF-Lösung von Polyvinylcarbazol überzogen, um eine Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 8 um zu erhalten, ohne dabei die Dampfbehandlung mit dem THF-Lösungsmittel in Beispiel 7 durchzuführen, so daß ein Photol^iter entstand.

Die Spektralsensxtxvität des gemäß Beispiel 8 hergestellten Photoleiters wurde in gleicher Weise wie zuvor gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve D₃ in Fig. 10 wiedergegeben. Aus der Kurve D₃ geht deutlich hervor, daß in Vergleich mit dem Photoleiter, der dadurch hergestellt wurde, indem die Trägerentwicklerschicht 52 von Beispiel 7 einer Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel unterzogen wurde, der vorliegende

2 Photoleiter eine hohe Sensitivität von 2 - 3 cm /p.J in

einem Wellenlängenbereich bei 800 - 850 nm und von 2

1 cm /μ J selbst bei 900 nm zeigte. Der Photoleiter in diesem Beispiel zeigte auch dann noch eine sehr hohe Sensitivität, wenn eine Dampfbehandlung durch das Lösungsmittel auf der Trägerentwicklerschicht 52 nicht durchgeführt worden war, so daß sich der gebildete Photoleiter geeigneter als derjenige erwies, der in dem Laserstrahldrucker zu verwenden war, in welchem ein solches oszillierendes Halbleiterlicht von 800 - 850 nm als seine Lichtquelle benutzt wurde. Da der Halbleiter dieses Beispiels ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt wurde, bestand außerdem ein Vorteil darin, daß das Herstellungsverfahren davon vereinfacht werden konnte.

Beispiel 9

In Übereinstimmung mit dem gleichen Verfahren von Beispiel 7 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Herstellung einer Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Stärke von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung benutzt. Dann wurde ein Film (dessen Trockenfilmstärke 10 μιη betrug) ohne Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel auf der Trägerentwicklerschicht gebildet/ indem diese mit einer Lösung überzogen wurde, die durch Auflösen einer 1:1 Mischung, im Gewichts-Verhältnis, von 1 -Phenyl-3- (4' -diäthylaminostyryl) 5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt durch die Union Carbide Corp.) in THF hergestellt wurde. In diesem Falle wurden die Pyrazolinderivate derartig synthetisiert, daß Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und das erhaltene Pentadien-(2-1) zur Reaktion mit Phenylhydrazin gebracht wurde.

Die Spektralsensitivität des erhaltenen Photoleiters wurde in gleicher Weise wie bei den Photoleitern zuvor aufgenommen und das Ergebnis davon durch die Kurve E-. in Fig. 10 wiedergegeben. Der sich ergebende Photoleiter zeigte im wesentlichen die gleich hohe

Sensitivität von 1,5 - 2,5 cm /\iJ bei einer Wellenlänge

von 800 - 850 nm und von 0,8 cm /μJ bei einer Wellenlänge von 900 nm in Vergleich zu denjenigen der Beispiele 7 und 8. Entsprechend Beispiel 9 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht 53 von Beispiel 8 aus einem Pyrazolinderivat hergestellt wird, ein Photoleiter mit hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der vorliegende Photoleiter für einen Laserstrahldrucker wie zuvor als seine Lichtquelle mit Licht bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm sehr geeignet ist.

Beispiel 10

Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril wurde mit 6,68 g von Aluminiumbromid (AlBr₃) mit einer Reinheit von 99,999% zur Reaktion gebracht, indem diese unter Rühren zum Vermischen in ein Becherglas gegeben wurden, das in einem Mantelheizgerät bei 300⁰C untergebracht war.

Es wurde bestätigt, daß die Struktur des erhaltenen Produktes Phthalocyanin mit der zuvor genannten allgemeinen Formel war. Als Ergebnis der Elementaranalyse des Produktes wurde insbesondere gefunden, daß das Elementverhältnis davon C-_OH^_{C C}N_ ₀Br_{0 O}A1₄ _Λ war, so daß das erhaltene Produkt Phthalocyanin mit der zuvor genannten allgemeinen Formel war, die auch im wesentlichen das Elementverhältnis von C₀₀ELt-N₀Br-Al,, hatte, wobei ein Bromatom mit dem Zentralmetall der allgemeinen Formel kombiniert war, während das verbleibende Bromatom mit dem Benzolring verbunden war, der um den Phtalocyaninring angeordnet war.

Dann wurde eine Menge von 0,01 g des Phthalocyaninproduktes in einem Aluminiumoxidtiegel in einer Metallbedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von 400°C durch Bedampfen mittels Widerstandsheizung aufrechterhalten, um einen dünnen Film mit einer Stärke von 0,02 μπι auf einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenlängenbereich von 600 - 900 nm durch ein automatisches Registrierspektralphotometer aufgenommen und das Ergebnis davon in Fig. 11 dargestellt. Die Kurve A₄ in Fig. 11 war das Spektrum der dünnen Filmprobe selbst und zeigte ein Maximum bei 730 nm.

Die dünne Filmprobe wurde weiterhin mit Tetrahydrofurandampf (THF) für 20 Stunden lang behandelt/ um eine weitere Probe zu bilden, deren Absorptionsspektrum Spitzen bei 650 nm und 780 nm hatte, wie es die Kurve B. zeigt.

Dann wurde das zuvor genannte Phthalocyaninprodukt einer Dampfbehandlung durch Widerstandsheizung unterzogen, um eine Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Filmstärke von 0,2 um auf einem Aluminiumsubstrat 51 gemäß Fig. 5 zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde mit THF-Dampf für 20 Stunden lang behandelt, dann das Polyvinylcarbazolharz für die Elektrophotographie nach Auflösen in THF auf die Trägerentwicklerschicht 52 gebracht und die Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet,um das THF zu entfernen, wobei eine Trägertransportschicht 53 mit einer Stärke von 12 μπι gebildet und ein Photoleiter erhalten wurde.

Die durch Messen der Spektralsensitivität erhaltenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind durch die Kurve C₄ in Fig. 12 wiedergegeben.

Gemäß Fig. 12 wurde eine hohe Sensitivität von 2
0,6 cm /uJ selbst bei einer Wellenlänge von 900 nm und

2 ferner eine ausreichend hohe Sensitivität von 1 cm /\iJ bei 800 - 850 nm entsprechend der Wellenlänge des zuvor erwähnten allgemeinen Halbleiterlaserlichtes in Bezug auf den in diesem Beispiel hergestellten Photoleiter beobachtet.

a ft * η A f

- 25 -

Beispiel 11

In Übereinstimmung mit dem Verfahren von Beispiel 10 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Herstellung eines Films von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat 51 bei Bedampfung benutzt und danach der Film mit einer THF-Lösung von Polyvinylcarbazol überzogen/ um eine Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 12 .um zu. erhalten, ohne dabei eine Dampfbehandlung wie in Beispiel 10 mit dem THF-Lösungsmittel durchzuführen, so daß ein Photoleiter erhalten wurde.

Die Spektralsensitivität des in diesem Beispiel hergestellten Photoleiters wurde in gleicher Weise wie zuvor gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve D. in Fig. 12 wiedergegeben. Aus der Kurve D. in Fig. 12 geht deutlich hervor, daß in Vergleich mit äem

-15 Photoleiter, welcher dadurch hergestellt wurde, iiidem die-Trlgerentwicklerschicht 52 von Beispiel 12 einer Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel unterworfen wurde, der Photoleiter hier eine etwas niedrigere Sensitivität bei einer Wellenlänge von 900 nm zeigte,

2 aber eine höhere Sensitivität bei 1 cm /μ,J bei 800 850 nm hatte. So zeigte der vorliegende Photoleiter aus diesem Beispiel eine sehr hohe Sensitivität, selbst wenn eine Löslichkeitsbehandlung auf der Trägerentwicklerschicht 52 nicht durchgeführt worden war, so daß der vorliegende Photoleiter für den in dem zuvor beschriebenen LaserStrahldrucker zu verwendenden Photoleiter geeigneter ist, in dem oszillierendes Licht eines solchen Halbleiterlasers bei 800 - 850 nm als seine Lichtquelle benutzbar ist. Da überdies der Photoleiter dieses Beispiels ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt wurde, besteht ein Vorteil darin, daß der Herstellungsprozeß davon vereinfacht werden kann.

Beispiel 12

In Übereinstimmung mit dem gleichen Verfahren von Beispiel 10 wurde das gleiche Phthalocyanin, wie zuvor beschrieben, zur Bildung einer Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Stärke von 0,2 μπι auf einem Aluminiumsubstrat durch Bedampfung gebildet. Dann wurde. ohne Dampfbehandlung durch ein THF-Lösungsmittel ein Film (dessen Trockenfilmstärke 10 um betrug) auf der Trägerentwicklerschicht 52 erzeugt, indem diese mit einer Lösung überzogen wurde, die durch Auflösen einer 1:1 Mischung, im Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4'-diäthylaminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl) -2-pyrazolin in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in THF hergestellt wurde. In diesem Falle wurden die Pyrazolinderivate in einer Weise synthetisiert, daß Pentadien-(2-1) aus Benzaldehydund Aceton hergestellt und das erhaltene Pentadien-(2-1) zur Reaktion mit Phenylhydrazin gebracht wurde.

Die Spektralsensitivität des erhaltenen Photoleiters wurde in gleicher Weise, wie bei den Photoleitern zuvor, gemessen und das Ergebnis davon durch die Kurve E. in Fig. 12 wiedergegeben. Der erhaltene Photoleiter zeigte im wesentlichen die gleich hohe Sensitivität

2
von 1 cm /\iJ bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie in den Beispielen 10 und 11. Entsprechend dem Beispiel 12 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht von Beispiel 11 aus einem Pyrazolinderivat hergestellt ist, ein Photoleiter von hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der vorliegende Photoleiter sehr geeignet war, wenn er in einem Laserstrahldrucker als Photoleiter benutzt wurde, in dem eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie zuvor, benutzt wurde.

Beispiel 13

Eine Menge von 12,8 g von o-Phthalodinitril wurde mit 7,7 g von Galliumbromid (GaBr₃) mit einer Reinheit von 99,999% unter Rühren zwecks Vermischen in einem Becherglas zur Reaktion gebracht, das in einem Mantelheizgerät bei 3OO°C untergebracht war. Das erhaltene Produkt konnte mit Tetrahydrofuran (THF) in einen löslichen und einen unlöslichen Bestandteil getrennt werden. Der erhaltene unlösliche Bestandteil wurde weiter mit THF gewaschen und der gewaschene Bestandteil einer Sublimation und Reinigung unterworfen.

Als Ergebnis wurde festgestellt, daß die Struktur des durch THF unlöslichen Bestandteils Phthalocyanin mit der genannten allgemeinen Formel war. Als Ergebnis der Elementaranalyse des Produktes wurde insbesondere bestätigt, daß das Elementverhältnis davon C₀₀H₁. _ON_ _QBr_o ~Ga , _o war, so daß das erhaltene

iZ 14.O /.ο Δ.U Ami

Produkt Phthalocyanin die allgemeine Formel wie zuvor und auch im wesentlichen das 'Elementverhältnis C₀₀H-C-N₀Br₀Ga₁ hatte, wobei ein Bromatom davon mit dem Zentralmetall der genannten allgemeinen Formel und das verbleibende Bromatom mit dem Benzolring kombiniert waren, der um den Phthalocyaninring angeordnet war.

Dann wurde 0,01 g des Phthalocyaninproduktes in einen Aluminiumoxidtiegel in einer Metal!bedampfungsanlage eingebracht und dabei eine Tiegeltemperatur von 400°C durch Bedampfen mit einer Widerstandsheizung aufrechterhalten, um einen dünnen Film mit einer Stärke von 0,02 μπι auf einer Glasplatte zu bilden. Das Lichtabsorptionsspektrum des erhaltenen dünnen Films wurde in Bezug auf Licht im Wellenlängenbereich von 600 - 900 nm durch ein automatisches Registrierspektralphotometer

aufgenommen und die Ergebnisse davon in Fig. 13 wiedergegeben. Die Kurve Α_ς in Fig. 13 war das Spektrum der
genannten dünnen Filmprobe selbst und zeigte ein
Maximum bei 740 nm.

Die dünne Filmprobe wurde ferner einer Dampfbehandlung durch Tetrahydrofuran 20 Stunden lang unterworfen, um eine weitere Probe zu bilden, bei der die
Absorptionsspitze des Spektrums auf die Seite des
höheren Wellenlängenbereichs, wie in Kurve B₅ der Fig. 13, verschoben wurde. Insbesondere verschob sich das Maximum davon zu einem Punkt bei 785 nm in Kurve B-.

Anschließend wurde das Phthalocyaninprodukt
einer Dampfbehandlung durch Widerstandsheizung unterworfen, um so eine Trägerentwicklerschicht 52 von

0,2 um Filmstärke auf einem Aluminiumsubstrat 51, wie
in Fig. 5 gezeigt ist, zu bilden. Die Trägerentwicklerschicht 52 wurde in THF-Dampf 20 Stunden lang behandelt und dann Polyvinylcarbazolharz für Elektrophotographie
in THF aufgelöst und auf die Trägerentwicklerschicht 52 aufgetragen, wobei die Trägerentwicklerschicht 52 ausreichend getrocknet wurde, um das THF zu entfernen,
wodurch eine Trägertransportschicht 53 mit 10 um Stärke gebildet und so ein Photoleiter erhalten wurde.

Die durch Messen der Spektralsensitivität erhaltenen Ergebnisse stellen charakteristische, elektrophotographische Eigenschaften des erhaltenen Photoleiters dar und sind durch die Kurve C₁. in Fig. 14 wiedergegeben.

Entsprechend der Fig. 14 wurde eine sehr hohe
Sensitivität von mehr als 1,5 cm /uJ selbst bei einer

Wellenlänge von 900 nm und weiter eine sehr hohe Sensitivität von etwa 2 cm /μJ bei 800 - 850 nm entsprechend

der Wellenlänge des üblichen Halbleiterlaserlichtes in Bezug auf den in diesem Beispiel vorbereiteten Photoleiter beobachtet.

Beispiel 14

In Übereinstimmung mit dem Verfahren von Beispiel 13 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Bildung eines Films von 0,2 μΐη auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung benutzt und danach der Film mit einer THF-7-.ösung von Polyvinylcarbazol überzogen, um eine Trägertransportschicht 53 mit einer Trockenstärke von 10 μπι ohne Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel von Beispiel 13 zu bilden und so einen Photoleiter zu erhalten.

Die Spektralintensivität des in Beispiel 14 hergestellten Photoleiters wurde in gleicher Weise wie in den Beispielen zuvor gemessen und die Ergebnisse davon durch die Kurve D₅ in Fig. 14 wiedergegeben. Entsprechend der Kurve D- wurde deutlich, daß in Vergleich mit dem Photoleiter, der dadurch hergestellt wurde, indem die Trägerentwicklerschicht 52 von Beispiel 13 einer Dampfbehandlung mit dem THF-Lösungsmittel unterzogen wurde, der Photoleiter in diesem Beispiel eine etwas niedrigere,

jedoch erheblich höhere Sensitivität von 1 cm /\iJ bei

einer Wellenlänge von 800 - 850 nm und von 1 cm /μJ bei 900 nm zeigte. Der vorliegende Photoleiter von Beispiel 14 zeigte daher eine ausreichend hohe Sensitivität, selbst wenn eine Dampfbehandlung durch Lösungsmittel auf der Trägerentwicklerschicht 52 nicht erfolgte, so daß dieser Photoleiter geeigneter als derjenige war, der in dem beschriebenen Laserstrahldrucker zu verwenden war, wonach ein oszillierendes Licht eines Laserhalbleiters

im Wellenlängenbereich von 800 - 850 mn als seine Lichtquelle benutzt wurde. Da überdies der Photoleiter dieses Beispiels ohne Dampfbehandlung durch ein Lösungsmittel hergestellt wurde, besteht ein Vorteil auch darin, daß das Herstellungsverfahren vereinfacht werden kann.

Beispiel 15

In Übereinstimmung mit dem gleichen Verfahren von Beispiel 13 wurde das gleiche Phthalocyanin zur Herstellung einer Trägerentwicklerschicht 52 mit einer Stärke von 0,2 \im auf einem Aluminiumsubstrat 51 durch Bedampfung gebildet. Anschließend wurde ohne Dampfbehandlung durch das THF-Lösungsmittel ein Film mit einer Trockenfilmstärke von 8 μΐη auf der Trägerentwicklerschicht 52 gebildet, indem diese mit einer Lösung überzogen wurde, die durch Auflösen einer 1:1 Mischung,im Gewichtsverhältnis, von 1-Phenyl-3-(4'-diäthylaminostyryl)-5-(4"-diäthylaminophenyl)-2-pyrazolin in Pyrazolinderivaten und Phenoxyharz (hergestellt von der Union Carbide Corp.) in THF hergestellt wurde. In diesem Falle wurden· die Pyrazolinderivate in der Weise synthetisiert, daß Pentadien-(2-1) aus Benzaldehyd und Aceton hergestellt und dabei das erhaltene Pentadien-(2-1) mit Phenylhydrazin zur Reaktion gebracht wurde.

Die Spektralsensitivität des erhaltenen Photoleiters wurde in gleicher Weise wie zuvor gemessen und das erhaltene Ergebnis davon durch die Kurve E₅ in Fig. 14 wiedergegeben. Der erhaltene Photoleiter zeigte

im wesentlichen die gleich hohe Sensitivität von

2
1,0 - 1,5 cm /\iJ bei einer Wellenlänge von 800 - 850 nm

2
und von 0,9 cm /\iJ bei 900 nm, wie in den Beispielen 13 und 14. Entsprechend dem Beispiel 15 kann, selbst wenn die Trägertransportschicht 53 von Beispiel 14 aus

einem Pyrazolinderivat hergestellt ist, ein Photoleiter von hoher Sensitivität erhalten werden, so daß der vorliegende Photoleiter sehr geeignet war, wenn er in einem Laserstrahldrucker als Photoleiter verwendet wurde, bei dem eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 800 - 850 nm, wie zuvor, benutzt wurde.

In dem erfindungsgemäßen Photoleiter reicht ein sehr dünner Film, beispielsweise mit einer Stärke von etwa 0,2 μΐη für die zuvor beschriebene Trägerentwicklerschicht 52 aus, und daher wird nur eine kurze Zeitperiode zum Betätigen einer Bedampfungsanlage hinsichtlich der Herstellung von Photoleitern benötigt, so daß die Herstellung der Photoleiter leicht und damit zugleich billig für die Massenherstellung geeignet ist.

Da überdies die Hauptrohmaterialien zur Herstellung des Photoleiters organische Substanzen sind, bestehen im Hinblick hierauf keine Bedenken, daß der Photoleiter als Wegwerfartikel hergestellt wird. überdies liegt auch ein weiterer Vorteil darin, daß der Photoleiter der vorliegenden Erfindung nicht nur für einen Laserstrahldrucker, sondern auch für einen optischen Sensor und andere Aufnahmegeräte, wie Facsimileschreiber, benutzbar ist, in dem die LED insbesondere beim Halbleiterlaser als Lichtquelle verwendet wird.

Claims

Reiche! u. B.eichel Parksiraße 13 6000 Frankfurt a.M. 1 10 486 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., Ltd., Tokyo, Japan Patentansprüche

1. Photoleiter für Elektrophotographie mit Trennfunktion, der durch Bildung einer Trägerentwicklerschicht aus einem organischen, photoleitenden Material auf einem leitenden Substrat hergestellt ist und eine Trägertransportschicht auf der Trägerentwicklerschicht bildet, dadurch gekennzeichnet, daß das organische, photoleitende Material eine Grundstruktur hat, die einem Phthalocyanin mit der folgenden allgemeinen Formel entspricht:

in der ein Zentralmetall Me aus der Gruppe gewählt ist, die aus Indium, Gallium und Aluminium besteht, wobei das Zentralmetall Me ferner mit einem Halogen kombiniert ist, und in der das Phthalocyanin diejenige Verbindung ist, in welcher ein Teil der Wasserstoffatome von um den Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringen durch Halogen ersetzbar ist.

2. Photoleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische, photoleitende Material eine Mischung ist, die das Phthalocyanin der Grundstruktur mit der folgenden allgemeinen Formel enthält:

/ N

in der das Zentralmetall Me aus der Gruppe gewählt ist, die Indium, Gallium unü Aluminium umfaßt, wobei das Zentralmetall Me ferner mit einem Halogen kombiniert ist, und in der ein weiteres Phthalocyanin vorkommt, in welchem ein Teil der Wasserstoffatome der um den Phthalocyaninring der Grundstruktur angeordneten Benzolringe durch das Halogen ersetzt ist.

3. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Indium, das Halogen dagegen Chlor ist.

4. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Gallium, das Halogen dagegen Chlor ist.

5. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Indium, das Halogen dagegen Brom ist.

6. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Aluminium/ das Halogen dagegen Brom ist.

7. Photoleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zentralmetall Me Gallium, das Halogen dagegen Brom ist.