DE3248813T1 - Reinigung von siliciumquellenmaterialien - Google Patents

Reinigung von siliciumquellenmaterialien

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    • C01B33/10778—Purification
    • C01B33/10794—Purification by forming addition compounds or complexes, the reactant being possibly contained in an adsorbent
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Claims (10)

-YS- PATENTANSPRÜCHE ,
1. Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen aus einem Siliciumquellenmaterial, das die folgenden Stufen umfaßt:
Umsetzung von Sauerstoff mit dem Siliciumquellenmaterial und den Verunreinigungen unter Bildung von Komplexen der Verunreinigungen;
und Abtrennung der Komplexe von dem Siliciumquellenmaterial unter Bildung eines Quellenmaterials mit einer höheren Reinheit.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Stufe der Umsetzung bei einer erhöhten Temperatur durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, worin die erhöhte Temperatur zwischen etwa 170 und 3000C liegt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Siliciumquellenmaterial Trichlorsilan umfaßt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Siliciumquellenmaterial Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, worin der Sauerstoff in einem Mengenverhältnis gegenüber HSiCl-, von etwa 0,01 bis 1,0 Mol-% vorliegt.
AS
-Vt-
7. Verfahren zur Reinigung von Trichlorsilan, das die folgenden Stufen umfaßt: Erhitzen von Trichlorsilan auf eine Temperatur zwischen etwa 170 und 3000C; Umsetzung eines Teils des Trichlorsilans mit Sauerstoff bei dieser Temperatur unter Bildung von Zwischenprodukt-Trichlorsilan-Oxidationsprodukten; Ausbildenlassen eines Komplexes aus den Oxidationsprodukten, der die in dem Trichlorsilan enthaltenden Verunreinigungen enthält; und Destillieren zur Entfernung des Komplexes zusammen mit den Verunreinigungen aus dem Trichlorsilan.
8. Verfahren zur Entfernung von Bor- und Phosphorverunreinigungen aus Trichlorsilan, das die folgenden Stufen umfaßt: Erhitzen von Trichlorsilan, das Bor- und Phosphor-IS verunreinigungen enthält, auf eine Temperatur von mehr als etwa 1700C; Umsetzung von Sauerstoff mit dem Trichlorsilan und den Bor- und Phosphorverunreinigungen unter Bildung von Borkomplexen und Phosphorkomplexen; und Destillieren
zur Entfernung der Komplexe aus dem Trichlorsilan. 20
9. Verfahren nach Anspruch 8, worin das Trichlorsilan mit Siliciumtetrachlorid gemischt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, worin der Sauerstoff in 2^ einem Mengenverhältnis gegenüber Trichlorsilan von etwa 0,01 bis etwa 1,0 Mol-% vorliegt.
DE823248813T 1981-06-15 1982-05-10 Reinigung von siliciumquellenmaterialien Granted DE3248813T1 (de)

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