CN101913609A - 三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置 - Google Patents

三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101913609A
CN101913609A CN 201010257626 CN201010257626A CN101913609A CN 101913609 A CN101913609 A CN 101913609A CN 201010257626 CN201010257626 CN 201010257626 CN 201010257626 A CN201010257626 A CN 201010257626A CN 101913609 A CN101913609 A CN 101913609A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon tetrachloride
tower
trichlorosilane
gas
gas mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201010257626
Other languages
English (en)
Inventor
林韬
张华端
陈少华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TIANWEI SICHUAN SILICON INDUSTRY Co Ltd
Original Assignee
TIANWEI SICHUAN SILICON INDUSTRY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TIANWEI SICHUAN SILICON INDUSTRY Co Ltd filed Critical TIANWEI SICHUAN SILICON INDUSTRY Co Ltd
Priority to CN 201010257626 priority Critical patent/CN101913609A/zh
Publication of CN101913609A publication Critical patent/CN101913609A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置,采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气在气汽混合物增湿塔中进行一次喷淋,通过四氯化硅吸附金属氯化物和硅尘,并在三氯氢硅混合气中通入湿氢反应生成SiO2,通过SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼、磷;再在鼓泡塔中对三氯氢硅混合气进行四氯化硅液体二次喷淋,进一步脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品;同时,用于收集两次喷淋后得到四氯化硅的鼓泡塔釜连接到洗涤液精馏塔,将带杂质的的四氯化硅进行精馏提纯,再循环用于喷淋工序;本发明采用湿法除杂,可充分去除三氯氢硅混合气中的杂质,得到高品质精制三氯氢硅,并且实现了四氯化硅的循环利用,从而实现了节能降耗减排。

Description

三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置
技术领域
本发明涉及三氯氢硅合成工艺,特别是三氯氢硅混合气除杂的处理方法和装置。
背景技术
多晶硅生产过程中,从三氯氢硅合成炉内生成的三氯氢硅合成气(主要成分为三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氢气、氯化氢等气体)含有各种杂质(包括硼B、磷P、各金属氯化物),其中除B、P杂质是多晶硅行业普遍头疼的问题,目前大多采用单效精馏提纯的方法,塔顶冷量和塔釜热量未充分综合利用,能耗高。
发明内容
本发明的目的在于提供了三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置,可以在三氯氢硅合成工序能除去三氯氢硅混合气中的杂质,可以大大减轻对后续的精馏工序的负担,得到高品质的精制三氯氢硅,对节能降耗减排有积极重要的作用。
本发明的技术方案如下:
三氯氢硅混合气除杂处理方法,其特征在于处理步骤为:首先采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行一次喷淋,通过四氯化硅吸附金属氯化物和硅尘;然后再在三氯氢硅混合气中通入湿氢反应生成SiO2,通过SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼(B)、磷(P);最后再对三氯氢硅混合气进行四氯化硅液体的二次喷淋,进一步脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品;同时,对于两次喷淋处理后得到的四氯化硅进行精馏提纯处理,再循环用于喷淋工序。
一次喷淋是采用2级四氯化硅提纯塔提纯精制后的四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行喷淋,四氯化硅作为载体,洗涤吸附除去大部分金属氯化物和少量合成炉内带出的硅尘。
所述湿氢就是加水的氢气,加水量控制在PPM级(指用溶质质量占全部溶液质量的百万分比来表示的浓度,也称百万分比浓度)。
其中,水与三氯氢硅混合气中的氯硅烷反应,反应式如下:
(1)BCl3+H2O=HOBCl2+HCl
(2)SiHCl3+2H2O=SiO2+3HCl+H2
反应生成SiO2,SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼(B)、磷(P)杂质。
经过SiO2吸附后的三氯氢硅混合气再通过2级四氯化硅提纯塔提纯精制后的四氯化硅液体进行二次喷淋洗涤,通过四氯化硅再次脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品。
实现上述方法的装置,其特征在于:
至少包括用于一次喷淋的气汽混合物增湿塔、用于连接气汽混合物增湿塔和鼓泡塔的鼓泡塔釜、用于二次喷淋的鼓泡塔和用于四氯化硅精馏提纯的洗涤液精馏塔;
所述气汽混合物增湿塔的顶部设置有三氯氢硅混合气进口、四氯化硅进口,气汽混合物增湿塔的侧壁上部设置有湿氢进口,气汽混合物增湿塔的低端设置有三氯氢硅混合气和带杂质四氯化硅的出口;
所述鼓泡塔的顶部设置有四氯化硅入口和三氯氢硅合成气产品出口,鼓泡塔的侧壁下端设置有与气汽混合物增湿塔出口连通的三氯氢硅混合气入口,鼓泡塔的底部设置有带杂质的四氯化硅出口;
所述洗涤液精馏塔顶部设置有四氯化硅的出口,底部塔釜排除杂质;洗涤液精馏塔顶部的出口与气汽混合物增湿塔的四氯化硅进口和鼓泡塔的四氯化硅入口连通,通过洗涤液缓冲罐将四氯化硅液体输入到气汽混合物增湿塔和鼓泡塔。
气汽混合物增湿塔的出口通过鼓泡塔釜与鼓泡塔的三氯氢硅混合气入口连通,三氯氢硅混合气则进入用于二次喷淋的鼓泡塔,带杂质的四氯化硅进入鼓泡塔釜;鼓泡塔釜与鼓泡塔底部带杂质的四氯化硅出口连通。
气汽混合物增湿塔的出口和鼓泡塔的带杂质的四氯化硅出口均连接至鼓泡塔釜,鼓泡塔釜连接设置有釜液槽,釜液槽连接至洗涤液精馏塔侧壁上部的入口,釜液槽将收集的带杂质的四氯化硅送至洗涤液精馏塔进行循环处理利用。鼓泡塔釜可以设置至少两个釜液槽,用于收集含有杂质的四氯化硅,为防止洗涤液堵塞管道,多套釜液槽可以进行切换处理,保证生产正常运行。
鼓泡塔釜位于气汽混合物增湿塔和鼓泡塔的下方。
气汽混合物增湿塔和鼓泡塔均位于洗涤液缓冲罐的下方。
该装置还设置有用于产生湿氢的氢气增湿器。
本发明的工作原理为:
首先将三氯氢硅混合气送入由气汽混合物增湿塔,在气汽混合物增湿塔中用精制四氯化硅一次喷淋三氯氢硅混合气,除去大部分的金属氯化物和少量合成炉内带出的硅尘;同时在气汽混合物中内通入湿氢,其中水与氯硅烷反应生成SiO2,能吸附三氯氢硅混合气中的B、P杂质;出气汽混合气增湿塔的气体进入鼓泡塔釜,与鼓泡塔釜内蒸发出来的四氯化硅蒸汽混合上升,进入鼓泡塔,鼓泡塔塔顶送入的精制四氯化硅液体对气体二次洗涤,混合气体中金属氯化物进一步被脱除得到纯的三氯氢硅混合气。整个除杂过程中,对四氯化硅洗涤液回收利用,实现物料闭路循环。
一次喷淋的气汽混合物增湿塔是空心塔,与一次喷淋相比,二次喷淋采用的鼓泡塔为浮阀塔,同时有提纯精馏的作用,喷淋方式采用液气错流,即液相从塔顶部流入,从塔底部流出,而气相从塔底部流入,从塔顶部流出。
本发明的有益效果如下:
本发明采用湿法除杂,可以充分去除三氯氢硅混合气中的杂质,得到的高品质精制三氯氢硅完全控制在进精馏工序合格的范围之内,可以大大减轻对后续的精馏工序的负担;并且整个除杂系统中,四氯化硅能实现循环利用,对节能降耗减排有积极重要的作用。
附图说明
图1为本发明实施的工艺流程图
具体实施方式
如图1所示,三氯氢硅混合气除杂处理方法,其处理步骤为:首先采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行一次喷淋,通过四氯化硅吸附金属氯化物和硅尘;然后再在三氯氢硅混合气中通入湿氢反应生成SiO2,通过SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼(B)、磷(P);最后再对三氯氢硅混合气进行四氯化硅液体的二次喷淋,进一步脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品;同时,对于两次喷淋处理后得到的四氯化硅进行精馏提纯处理,再循环用于喷淋工序。
一次喷淋是采用2级四氯化硅提纯塔提纯精制后的四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行喷淋,四氯化硅作为载体,洗涤吸附除去大部分金属氯化物和少量合成炉内带出的硅尘。
所述湿氢就是加水的氢气,加水量控制在PPM级。
其中,水与三氯氢硅混合气中的氯硅烷反应,反应式如下:
(1)BCl3+H2O=HOBCl2+HCl
(2)SiHCl3+2H2O=SiO2+3HCl+H2
反应生成SiO2,SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼(B)、磷(P)杂质。
经过SiO2吸附后的三氯氢硅混合气再通过2级四氯化硅提纯塔提纯精制后的四氯化硅液体进行二次喷淋洗涤,通过四氯化硅再次脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品。
实现上述方法的装置,至少包括用于一次喷淋的气汽混合物增湿塔、用于连接气汽混合物增湿塔和鼓泡塔的鼓泡塔釜、用于二次喷淋的鼓泡塔和用于四氯化硅精馏提纯的洗涤液精馏塔;
所述气汽混合物增湿塔的顶部设置有三氯氢硅混合气进口、四氯化硅进口,气汽混合物增湿塔的侧壁上部设置有湿氢进口,气汽混合物增湿塔的低端设置有三氯氢硅混合气和带杂质四氯化硅的出口;
所述鼓泡塔的顶部设置有四氯化硅入口和三氯氢硅合成气产品出口,鼓泡塔的侧壁下端设置有与气汽混合物增湿塔出口连通的三氯氢硅混合气入口,鼓泡塔的底部设置有带杂质的四氯化硅出口;
所述洗涤液精馏塔顶部设置有四氯化硅的出口,底部塔釜排除杂质;洗涤液精馏塔顶部的出口与气汽混合物增湿塔的四氯化硅进口和鼓泡塔的四氯化硅入口连通,通过洗涤液缓冲罐将四氯化硅液体输入到气汽混合物增湿塔和鼓泡塔。
气汽混合物增湿塔的出口通过鼓泡塔釜与鼓泡塔的三氯氢硅混合气入口连通,三氯氢硅混合气则进入用于二次喷淋的鼓泡塔,带杂质的四氯化硅进入鼓泡塔釜;鼓泡塔釜与鼓泡塔底部带杂质的四氯化硅出口连通。
气汽混合物增湿塔的出口和鼓泡塔的带杂质的四氯化硅出口均连接至鼓泡塔釜,鼓泡塔釜连接设置有釜液槽,釜液槽连接至洗涤液精馏塔侧壁上部的入口,釜液槽将收集的带杂质的四氯化硅送至洗涤液精馏塔进行循环处理利用。鼓泡塔釜可以设置至少两个釜液槽,用于收集含有杂质的四氯化硅,为防止洗涤液堵塞管道,多套釜液槽可以进行切换处理,保证生产正常运行。
鼓泡塔釜位于气汽混合物增湿塔和鼓泡塔的下方。
气汽混合物增湿塔和鼓泡塔均位于洗涤液缓冲罐的下方。
该装置还设置有用于产生湿氢的氢气增湿器。
本发明的工作原理为:
首先将三氯氢硅混合气送入由气汽混合物增湿塔,在气汽混合物增湿塔中用精制四氯化硅一次喷淋三氯氢硅混合气,除去大部分的金属氯化物和少量合成炉内带出的硅尘;同时在气汽混合物中内通入湿氢,其中水与氯硅烷反应生成SiO2,能吸附三氯氢硅混合气中的B、P杂质;出气汽混合气增湿塔的气体进入鼓泡塔釜,与鼓泡塔釜内蒸发出来的四氯化硅蒸汽混合上升,进入鼓泡塔,鼓泡塔塔顶送入的精制四氯化硅液体对气体二次洗涤,混合气体中金属氯化物进一步被脱除得到纯的三氯氢硅混合气。整个除杂过程中,对四氯化硅洗涤液回收利用,实现物料闭路循环。
一次喷淋的气汽混合物增湿塔是空心塔,与一次喷淋相比,二次喷淋采用的鼓泡塔为浮阀塔,同时有提纯精馏的作用,喷淋方式采用液气错流,即液相从塔顶部流入,从塔底部流出,而气相从塔底部流入,从塔顶部流出。

Claims (8)

1.三氯氢硅混合气除杂处理方法,其特征在于处理步骤为:首先采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行一次喷淋,通过四氯化硅吸附金属氯化物和硅尘;然后再在三氯氢硅混合气中通入湿氢反应生成SiO2,通过SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼、磷;最后再对三氯氢硅混合气进行四氯化硅液体的二次喷淋,进一步脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品;同时,对于两次喷淋处理后得到的四氯化硅进行精馏提纯处理,再循环用于喷淋工序。
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅混合气除杂处理方法,其特征在于:一次喷淋是采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行喷淋,四氯化硅作为载体,洗涤吸附除去金属氯化物和硅尘。
3.根据权利要求1或2所述的三氯氢硅混合气除杂处理方法,其特征在于:湿氢中的水与三氯氢硅混合气中的氯硅烷反应,反应式如下:
(1)BCl3+H2O=HOBCl2+HCl
(2)SiHCl3+2H2O=SiO2+3HCl+H2
反应得到的SiO2用于吸附三氯氢硅混合气中的硼、磷。
4.根据权利要求1所述的三氯氢硅混合气除杂处理方法,其特征在于:经过SiO2吸附后的三氯氢硅混合气再通过四氯化硅液体进行二次喷淋洗涤,通过四氯化硅再次脱除金属氯化物,得到三氯氢硅合成气产品。
5.根据权利要求1所述的三氯氢硅混合气除杂处理方法的装置,其特征在于:
至少包括用于一次喷淋的气汽混合物增湿塔、用于连接气汽混合物增湿塔和鼓泡塔的鼓泡塔釜、用于二次喷淋的鼓泡塔和用于四氯化硅精馏提纯的洗涤液精馏塔;
所述气汽混合物增湿塔的顶部设置有三氯氢硅混合气进口、四氯化硅进口,气汽混合物增湿塔的侧壁上部设置有湿氢进口,气汽混合物增湿塔的低端设置有三氯氢硅混合气和带杂质四氯化硅的出口;
所述鼓泡塔的顶部设置有四氯化硅入口和三氯氢硅合成气产品出口,鼓泡塔的侧壁下端设置有与气汽混合物增湿塔出口连通的三氯氢硅混合气入口,鼓泡塔的底部设置有带杂质的四氯化硅出口;
所述洗涤液精馏塔顶部设置有四氯化硅的出口,底部塔釜排除杂质;洗涤液精馏塔顶部的出口与气汽混合物增湿塔的四氯化硅进口和鼓泡塔的四氯化硅入口连通,通过洗涤液缓冲罐将四氯化硅液体输入到气汽混合物增湿塔和鼓泡塔。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于:气汽混合物增湿塔的出口通过鼓泡塔釜与鼓泡塔的三氯氢硅混合气入口连通,气汽混合物增湿塔出来的三氯氢硅混合气进入用于二次喷淋的鼓泡塔,带杂质的四氯化硅进入鼓泡塔釜;鼓泡塔釜与鼓泡塔底部带杂质的四氯化硅出口连通。
7.根据权利要求5或6所述的装置,其特征在于:气汽混合物增湿塔的出口和鼓泡塔的带杂质的四氯化硅出口均连接至鼓泡塔釜,鼓泡塔釜还连接设置有用于收集带杂质四氯化硅的釜液槽,釜液槽还连接至洗涤液精馏塔侧壁上部的入口,将带杂质的四氯化硅送至洗涤液精馏塔。
8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于:所述装置还设置有用于产生湿氢的氢气增湿器。
CN 201010257626 2010-08-19 2010-08-19 三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置 Pending CN101913609A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010257626 CN101913609A (zh) 2010-08-19 2010-08-19 三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010257626 CN101913609A (zh) 2010-08-19 2010-08-19 三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101913609A true CN101913609A (zh) 2010-12-15

Family

ID=43321293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010257626 Pending CN101913609A (zh) 2010-08-19 2010-08-19 三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101913609A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102225767A (zh) * 2011-05-23 2011-10-26 重庆大全新能源有限公司 一种抑制三氯氢硅转化为四氯化硅的方法及装置
CN102794070A (zh) * 2012-07-25 2012-11-28 新疆大全新能源有限公司 一种三氯氢硅合成气的处理方法
CN106554019A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 新特能源股份有限公司 一种三氯氢硅合成尾气净化系统
CN113479892A (zh) * 2021-07-30 2021-10-08 天津大学 三氯氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409195A (en) * 1981-06-15 1983-10-11 Motorola, Inc. Purification of silicon source materials
CN201505494U (zh) * 2009-09-25 2010-06-16 重庆大全新能源有限公司 一种三氯氢硅生产中产生的合成气体的除尘装置
CN101759186A (zh) * 2010-02-26 2010-06-30 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409195A (en) * 1981-06-15 1983-10-11 Motorola, Inc. Purification of silicon source materials
CN201505494U (zh) * 2009-09-25 2010-06-16 重庆大全新能源有限公司 一种三氯氢硅生产中产生的合成气体的除尘装置
CN101759186A (zh) * 2010-02-26 2010-06-30 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102225767A (zh) * 2011-05-23 2011-10-26 重庆大全新能源有限公司 一种抑制三氯氢硅转化为四氯化硅的方法及装置
CN102794070A (zh) * 2012-07-25 2012-11-28 新疆大全新能源有限公司 一种三氯氢硅合成气的处理方法
CN102794070B (zh) * 2012-07-25 2014-12-10 新疆大全新能源有限公司 一种三氯氢硅合成气的处理方法
CN106554019A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 新特能源股份有限公司 一种三氯氢硅合成尾气净化系统
CN106554019B (zh) * 2015-09-29 2019-01-22 新特能源股份有限公司 一种三氯氢硅合成尾气净化系统
CN113479892A (zh) * 2021-07-30 2021-10-08 天津大学 三氯氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置及方法
CN113479892B (zh) * 2021-07-30 2023-09-26 天津大学 三氯氢硅除碳反应-选择性吸附耦合装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106554019B (zh) 一种三氯氢硅合成尾气净化系统
CN102849745B (zh) 一种用于三氯氢硅生产的除尘工艺及系统
CN102951646A (zh) 硅烷的生产方法
CN102874817A (zh) 一种二氯二氢硅歧化制备硅烷的方法
CN103435044A (zh) 一种纯化分离多晶硅尾气中氯硅烷的方法
CN101913609A (zh) 三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置
CN113247908B (zh) 多晶硅生产中氯硅烷的分离方法以及分离装置
CN102030336A (zh) 一种高纯度三氯氢硅的提纯方法
JP5344113B2 (ja) 水素分離回収方法および水素分離回収設備
CN105776222B (zh) 一种多晶硅还原尾气回收与精馏联产系统
CN105503933A (zh) 一种化工单体节能精馏系统及方法
CN105480981B (zh) 一种多晶硅还原生产中的尾气中的二氯二氢硅的回收方法和装置
CN103449448B (zh) 用于纯化三氯氢硅的设备
CN202070276U (zh) 一种用于多晶硅尾气循环冷凝洗涤的净化装置
CN103553057A (zh) 一种利用反应精馏技术处理氯硅烷废气的方法
CN206315495U (zh) 多组分产品精馏分离装置
CN206680190U (zh) 一种隔板精馏塔
CN207943871U (zh) 一种氟硅酸制取无水氯化氢的生产系统
CN206985726U (zh) 一种反应除杂提纯氯硅烷的装置系统
CN108502889A (zh) 多晶硅冷氢化产品分离及提纯装置及方法
CN106115719B (zh) 氯硅烷精馏提纯过程中热量梯级利用的系统及方法
CN204824188U (zh) 硅烷精馏塔
CN205953539U (zh) 洗涤塔装置和三氯氢硅尾气回收系统
CN209663033U (zh) 一种用于三氯氢硅尾气处理的清洁化装置
CN111268682B (zh) 一种制备多晶硅的组合物、制备方法及制备系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Liu Ke

Inventor after: Lin Tao

Inventor after: Chen Shaohua

Inventor before: Lin Tao

Inventor before: Chen Shaohua

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: LIN TAO CHEN SHAOHUA TO: LIU KE LIN TAO CHEN SHAOHUA

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20101215