DE3246107A1 - Verfahren zur sicheren herstellung von graphitfluorid - Google Patents

Verfahren zur sicheren herstellung von graphitfluorid

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Graphitfluorid durch heterogene direkte Umsetzung von festem Kohlenstoff und Fluorgas, und sie betrifft insbesondere eine Verbesserung bezüglich der Sicherheit und Reproduzierbarkeit der Umsetzung.
Graphitfluorid der chemischen Zusammensetzung (CF) ist eine beständige feste Verbindung, die durch heterogene direkte Umsetzung von Kohlenstoff und Fluorgas hergestellt werden kann. Wie bekannt, hat diese Verbindung eine sehr niedrige Oberflächenenergie und wird in verschiedenen Industriezweigen als überlegenes Material für Schmiermittel, wasser- und ölabweisende Mittel, Anti-Benetzungsmittel, Mittel gegen Verschmutzung, Aktivierungsmittel für bestimmte Elektrolysezellen usw. geschätzt. Neuerdings hat auch ein anderes Graphitfluorid der Formel (C^F) grosses und wachsendes Interesse unter im allgemeinen ähnlichen Gesichtspunkten gefunden. Da die Nachfrage nach solchen Graphitfluoriden stark angestiegen ist, ist es wichtig geworden, ein industriell anwendbares und günstiges Verfahren für die Herstellung von Graphitfluoriden im grossen Maßstab zu entwickeln.
Im allgemeinen wird die oben genannte Umsetzung zur Bildung von Graphitfluorid (CF ) , wobei
folgende Gleichung wiedergegeben:
von Graphitfluorid (CF ) , wobei O < χ < 1,3 ist, durch die
jtL. XX
In der Praxis finden jedoch Nebenreaktionen statt, wenn die Reaktion nach Gleichung (l) fortschreitet. Die Nebenreaktionen werden durch die folgenden Gleichungen wiedergegeben:
C + F2 > CF^, C2F6, usw. (2)
(CFx)n > c + CF4, C2F6, usw. (3)
Die Reaktion von Gleichung (3) ist die Zersetzung des durch die gewünschte Reaktion (1) gebildeten Graphitfluorids. Da die Reaktionen (1) und (2) beide exotherm sind, ist die Ansammlung der Bildungswärme von Graphitfluorid durch die Reaktion (1), noch erhöht durch die Wärme der Reaktion (2), in der Mischung des gebildeten Graphitfluorids und des nicht umgesetzten Teils des Kohlenstoffmaterials und der daraus resultierende Temperaturanstieg über die Zersetzungstemperatur des Graphitfluorids vermutlich der Grund für die Reaktion In vielen Fällen wird die Zersetzungsreaktion (3) in einer kurzen Zeit mit der Bildung einer grossen Menge an Wärme und grossen Mengen an gasförmigen Fluorkohlenstoffen stark beschleunigt und führt zu einer explosionsartig schnellen und heftigen Zersetzung des gesamten Graphitfluorids in dem Reaktionssystem. In solchen Fällen ist es unmöglich, das gewünscht Produkt Graphitfluorid zu erhalten. Darüber hinaus wird manchmal das Reaktionsgefäss durch die explosionsartige Zersetzung des Graphitfluorids stark beschädigt.
Basierend auf der oben stehenden Vermutung ist versucht worden, die Zersetzungsreaktion nach Gleichung (3) dadurch zu verhindern, indem man die Wärmestauung in der festen Phase des Reaktionssystems nach Gleichung (1) verhindert. Die diesbezüglichen Vorschläge bestehen z,B. darin, das Fluorgas für die Reaktion der Gleichung (1) mit einem bestimmten Gas, z.B. CF^, zu verdünnen, um die Geschwindigkeit der Reaktion (1) zu erniedrigen und die Nebenreaktion (3) zu unterdrücken, die Reaktionstemperatur zu begrenzen und einen mehrstufigen Fluorierungsapparat zu verwenden.
Es ist jedoch von der Anmelderin erkannt worden, dass die beinahe augenblickliche Zersetzung des gebildeten Graphitfluorids oft sogar dann stattfindet, wenn die Reaktionswärme wirksam verteilt wird, so dass die Temperatur der festen Phase des Reaktionssystems einen geringen Anstieg zeigt.
β * O Λ,
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von Graphitfluorid durch heterogene direkte Umsetzung von festem Kohlenstoff und Fluorgas zu schaffen, bei dem die gewünschte Reaktion zu Ende geführt werden kann, ohne dass eine signifikante Zersetzung des gebildeten Graphitfluorids auftritt.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung von Graphitfluorid durch heterogene direkte Umsetzung von festem Kohlenstoffmaterial und einem Fluorgas enthaltenden Gas und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe mit mehr als vier Kohlenstoffatomen in der Gasphase des Reaktionssystems so gesteuert wird, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe nicht über 3 VoI ,-°/o ansteigt.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist zur Herstellung von (CF) oder (CoF)^, bzw. allgemein ausgedrückt, zur Herstellung eines Grap]
ist.
Graphitfluorids der Formel (CF ) geeignet, in der O < χ < 1,3
Λ. XX
Die vorliegende Erfindung basiert auf der Feststellung, dass die Bildung von Graphitfluorid durch die Umsetzung nach Gleichung (i) praktisch immer begleitet ist durch die Bildung einiger höherer Fluorkohlenstoffe durch Nebenreaktionen nach Gleichung (2), und dass die Anwesenheit beträchtlicher Mengen höherer Fluorkohlenstoffe, insbesondere derjenigen mit mehr als vier Kohlenstoffatomen, in der Gasphase des Reaktionssystems ein wichtiger Grund für die häufig beobachtete schnelle Zersetzung des Graphitfluorids in der festen Phase des Reaktionssystems ist.
Die experimentellen Untersuchungen ergaben, dass die Produkte der Nebenreaktionen nach Gleichung (2) nicht auf niedere Fluorkohlenstoffe, wie CF^ und CpFg, beschränkt sind, sondern
verschiedene Arten höherer Fluorkohlenstoffe einschliessen, wobei einige von ihnen mehr als zehn Kohlenstoffatome aufweisen. Durch Analysen wurde die Bildung der folgenden Fluorkohlenstoffe bestätigt: CF^, C2F6, CoF8 ♦ 0Z1 1^o' C5F1O? C5F12* C6F12» C6F14» C7F14» C7Fi6» C8F16» C8F18' C9F18' °9F2O» C10F20» C10F22» C11F22» C11F24' C12F24 und C12F26*
Die Existenz höherer Fluorkohlenstoffe, insbesondere derjenige mit fünf und mehr Kohlenstoffatomen, in dem Gas in dem Reaktionsgefäss ist eine unerwartete Tatsache, da im Fluorgas die Zersetzung solcher höherer Fluorkohlenstoffe in niedrigere Fluorkohlenstoffe, ausgedrückt durch CFr, ein thermodynamisch möglicher Weg ist. So beträgt z.B. bei der Reaktion der folgenden Gleichung (k) die Änderung in der freien Energie AG -150,8 Kcal/mol (3OO°c).
C2F6 + F2 > 2CF4 (4)
Wegen dieser Tatsache wurde angenommen, dass die im Fluorgas existierenden höheren Fluorkohlenstoffe im metastabilen Zustan vorliegen und daher leicht zu niederen Fluorkohlenstoffen zersetzt werden bei Zuführung von Energie in bestimmter Form, wie z.B. Hitze, Rühren oder Schütteln oder mechanische Erschüttern oder beim Kontakt mit einem katalytisch aktiven Fluorid, wie z.B. CoF "oder FeF„. Die anschliessend durchgeführten experimentellen Untersuchungen bestätigten, dass diese Vermutung · richtig war. Darüber hinaus wurde gefunden, dass, wenn die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe mit mehr als vier Kohlenstoffatomen in der Gasphase des Reaktionssystems nach Gleichung (1) über 3 Yol.-°/o liegt, sogar eine kleine Erschütterung der Gasphase eine explosionsartig schnelle Zersetzung solcher höherer Fluorkohlenstoffe in niedrigere Fluor— kohlenstoffe, meist CFl, bewirkt, dass die Neigung zur Zersetzung der höheren Fluorkohlenstoffe unverändert bleibt, selb wenn ein verdünntes Fluorgas für die Reaktion nach Gleichung (
verwendet wird, und dass die durch die schnelle Zersetzung der höheren Fluorkohlenstoffe freigesetzte Energie die Zersetzung der gesamten Menge des in der festen Phase des Reaktionssystems vorliegenden Graphitfluorids induziert.
Mit anderen Worten ausgedrückt, wurde gefunden und bestätigt, dass die plötzliche Zersetzung des Graphitfluorids während der Herstellung des Graphitfluorids unter Verwendung der Umsetzung nach Gleichung (1) sicher verhindert werden kann, indem man eine bestimmte Massnahme ergreift, mit der man verhindert, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in der Gasphase des Reaktionssystems über 3 Vol.-^ steigt. Die vorliegende Erfindung ermöglicht die zuverlässige und sichere Herstellung eines gewünschten Graphitfluorids in industriellem Maßstab, indem man eine einfach durchzuführende Modifikation bei bekannten Verfahren zur Herstellung von Graphitfluorid durch heterogene direkte Umsetzung von festem Kohlenstoff und Fluorgas vornimmt·
In der Praxis der vorliegenden Erfindung kann die erforderliche Steuerung der Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe (die mehr als vier Kohlenstoffatome haben) in der Gasphase des Reaktionssystems in verschiedener Weise durchgeführt werden. Wenn z.B. das Fluorgas oder das verdünnte Fluorgas in dem Reaktionsgefäss zur Herstellung des Graphitfluorids zirkuliert, ist es möglich, die Konzentration der höheren Fluorkohlenstoffe, die einen relativ hohen Siedepunkt haben, wirksam zu erniedrigen, indem man das aus der Reaktionskammer ausfliessende Gas durch eine Falle leitet, die an einem geeigneten Ort in dem Gaskreislauf vorgesehen ist und zur Kondensation der höheren Fluorkohlenstoffe gekühlt wird, indem z.B. Methanol und Trokkeneis verwendet werden. Es ist auch möglich, die Konzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas durch Verwendung eines Katalysators, wie z.B. eines bestimmten Metallfluorids wie CoF_ oder FeF_, zu erniedrigen, der eine allmähliche und milde Zersetzung der höheren Fluorkohlenstoffe zu niedrigeren Fluor-
kohlenstoffen bewirkt. Wenn das Fluorgas oder das verdünnte Fluorgas in der Reaktionskammer zur Herstellung des Graphitfluorids eingeschlossen gehalten wird, oline dass eine Kreislauf führung des Gases vorgesehen ist, ist es .möglich, die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas dadurch zu steuern, dass man einen Teil des Gases aus der Reaktionskammer mit fortschreitender Reaktion entweder kontinuierlich oder in geeigneten Intervallen allmählich ausströme lässt.
Unter den üblichen bei der Herstellung von Graphitfluοrid durch Umsetzung von festem Kohlenstoff und Fluorgas, das mit einem geeigneten Gas verdünnt sein kann, verwendeten Reaktion bedingungen, kann die erfindungsgemässe Aufgabe dadurch gelös werden, dass die Konzentration der höheren Fluorkohlenstoffe mit mehr als vier Kohlenstoffatomen, die in der Gasphase des Reaktionssystems anwesend sind, so erniedrigt wird, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas nicht über 3 Vol.—$ steigt. Im Hinblick auf die Tatsache, das die Explosionsgrenze und der Explosionsbereich der höheren Fluorkohlenstoffe in der Gasphase des Reaktionssystems, wie es bei vielen anderen verbrennbaren Gasen üblich ist, in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren, einschliesslich der Gastemperatur und der Konzentration des ebenfalls anwesenden gasförmigen Fluors, veränderlich sind, ist es wünschenswert, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Reaktionsgas so niedrig wie möglich gehalten wird, und daher ist es bevorzugt, erfindungsgemäss die Steuerung so vorzunehmen, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas nicht über 1 YoI,-°/o steigt.
Der Grundgedanke der vorliegenden Erfindung ist auf jedes der üblichen Verfahren zur Herstellung von Graphitfluorid, sei es, dass es sich um absatzweise Verfahren oder um kontinuierliche Verfahren handelt, anwendbar.
Für die Verwendung in dem erfindungsgemässen Verfahren besteht keine besondere Begrenzung bezüglich der Art oder des Typs des Kohlenstoffmaterials, und es kann entweder amorpher oder kristalliner Kohlenstoff verwendet werden. Natürlicher Graphit, synthetischer Graphit, Petrolkoks, Ruß und Aktivkohle können als typische Beispiele von anwendbaren Kohlenstoffmaterialien genannt werden. Bezüglich der physikalischen Form des Kohlenstoff materials ist lediglich erforderlich, dass das Kohlenstoffmaterial in relativ kleine Stücke, üblicherweise in Stücke kleiner als etwa 10 mm oder in noch kleinere Teilchen, geteilt sein sollte.
Es ist möglich, praktisch reines Fluorgas beliebigen Ursprungs zu verwenden. Es ist jedoch bevorzugt für die Steuerung der Geschwindigkeit der Reaktiorvein verdünntes Fluorgas zu verwenden, das z.B. 30 bis 50 0Jo eines inaktiven Gases, wie z.B. Stickstoff oder Helium, enthält.
Die Reaktionstemperatur kann verschieden hoch festgesetzt sein in Abhängigkeit von der Art und der physikalischen Form des Kohlenstoffmaterials und auch in Abhängigkeit von der chemischen Zusammensetzung des zu bildenden Graphitfluorids. Im allgemeinen liegt ein geeigneter Bereich für die Reaktionstemperatur bei etwa 200 C bis etwa 550 C. Falls erwünscht, kann das in dem Reaktionsgefäss gebildete Graphitfluorid durch Erhöhung der Temperatur in dem Reaktionsgefäss bis zu etwa 60O C nach Abschluß der Fluorierungsreaktion kristallisiert werden.
Das erfindungsgemässe Verfahren wird anhand der folgenden Beispiele näher, erläutert.
Beispiel 1 :-
Die Fluorierung von synthetischem Graphit wurde in einem Böden <und Abteilungen aufweisenden Reaktor durchgeführt, der eine .horizontal verlängerte zylindrische Aussenwand aufwies, die mit einer Heizeinrichtung versehen war. Der Reaktor hatte einen
BAD ORIGINAL
inneren Durchmesser von 300 mm und eine Länge von 1000 mm. Im Inneren des Reaktors und mit Abstand zur zylindrischen Aussenwand war ein Reaktionsgefäss angeordnet, das darin eine im senkrechten Querschnitt rechteckige Reaktionskammer abgrenzte. Die Seitenwände des inneren Reaktionsgefässes warei mit Stützen versehen, um trogartige Materialbehälter zu tragei die in die Reaktionskammer in drei Etagen übereinander eingesetzt waren. Der Reaktor war mit einer Umlaufleitung für das Gas versehen, die Kanäle und Ventilatoren aufwies, die so ang« ordnet waren, dass das Fluorgas durch den Zwischenraum zwischc der zylindrischen Aussenwand und dem inneren Reaktionsgefäss, durch die entlang der drei Materialbehälter in der Reaktionskammer gebildeten Zwischenräume und durch einen äusseren Kanal zirkulieren zu lassen. Um die in dem Fluorgas, das aus der Reaktionskammer ausströmte, enthaltenen höheren Fluorkohlenstoffe zu entfernen, war ein Abscheider, bei dem Methanol und Trockeneis verwendet wurden, an dem äusseren Kanal in der Gasumlaufleitung vorgesehen.
Als Rohmaterial wurde 1 kg von granuliertem, synthetischem Graphit in jeden der drei schalenartigen Behälter gegeben, die in dem Reaktor eingesetzt waren. Ein verdünntes Fluorgas, das aus 60 V0I.-9& nach einem üblichen Elektrolyse-Verfahren hergestelltemFluorgas und 40 Vo2.m-c/> Stickstoffgas bestand, wurde in den Reaktor eingeführt und in der oben beschriebenen Weise mit einer beinahe konstanten Strömungsgeschwindigkeit von 20 1 pro Stunde im Kreislauf geführt, so dass ein Gasdruck in der Reaktionskammer von 1 atm aufrecht erhalten wurde. Unter Fortsetzung der Zirkulation des verdünnten Fluorgases wurde die Temperatur in der Reaktionskammer 80 h bei 35° t>is ^00 C gehalten. Während dieser Zeit wurde kein wahrnehmbares Anzeichen für eine Zersetzung des Reaktionsproduktes von Graphit und Fluorgas festgestellt.
Als Ergebnis wurde der synthetische Graphit in den drei Behältern zu Graphitfluorid (C„F) , das insgesamt 6,3 kg wog, fluoriert. Während des Fluorierungsverfahrens wurde das aus der
Reaktionskammer ausfliessende Gas gaschromatografisch in geeigneten Intervallen untersucht, um die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe mit mehr als vier Kohlenstoffatomen in dem Gas zu messen. Es wurde gefunden, dass die Gesamtkonzentration solcher Fluorkohlenstoffe immer unter 0,5 Vol.— °/o lag. Nach Beendigung des Fluorierungs verfahr ens wurden etwa 20 g Fluorkohlenstoffe (meist C' und Cq Fluorkohlenstoffe), die bei Raumtemperatur flüssig sind, neben einigen Fluorkohlenstoffen mit niedrigem Siedepunkt, wie z.B. CpFg, gefunden, die in dem oben genannten Abscheider in der Gasumlaufleitung aufgefangen worden waren.
Beispiel 2
Unter Verwendung der Vorrichtung und des verdünnten Fluorgases, wie sie in Beispiel 1 beschrieben wurden, wurde der in Beispiel 1 verwendete synthetische Graphit bei 350 bis 400°C fluoriert. In diesem Fall wurde jedoch die Gasumlaufleitung ausser Betrieb gesetzt, so dass das Fluorgas in dem Reaktor eingeschlossen war und in der Reaktionskammer stillstand.
Es wurde gefunden, dass die Konzentrationen der niedrigeren und höheren Fluorkohlenstoffe in dem Fluorgas in der Reaktions— kammer mit Ablauf der Reaktionszeit anstiegen,und dass die höheren Fluorkohlenstoffe mit mehr als vier Kohlenstoffatomen mit einer Rate von etwa 7,5 χ 10 Mol/h insgesamt gebildet wurden. Nach Ablauf von 20 h vom Beginn der Reaktion erreichte die Gesamtkonzentration dieser höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas in der Reaktionskammer l'Vol.-$. Danach wurde ein Teil des Gases kontinuierlich aus dem Reaktor mit einer konstanten und relativ niedrigen Geschwindigkeit von 30 ml/min aus dem Reaktor abgelassen, um dadurch die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas in der Reaktionskammer auf einer Höhe von 1 Voi.-$ zu halten. Das Erwärmen des Reaktionsgefässes wurde für weitere 60 h fortgesetzt. Während der Gesamtzeit von 80 h wurde kein wahrnehmbares Anzeichen für
* · * w ν ν
eine Zersetzung des Reaktionsproduktes von Graphit und Fluor gas entdeckt. Als Ergebnis wurden 6,3 kg GraphitfTuorid
(CoF) erhalten.
2 'n
Vergleichsbeispiel
Das Verfahren von Beispiel 2 wurde beinahe identisch wiederholt, mit der Ausnahme, dass kein Teil des Fluorgases aus dem Reaktor selbst nach Ablauf von 20 h seit Beginn der Reaktion abgelassen wurde. Natürlich stieg die Gesamtkonzentratio der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas in der Reaktionskammer weiter mit zunehmender Zeit an.
Nach Ablauf von 72 h vom Beginn der Reaktion erfolgte ein scharfer Anstieg des Gasdruckes in dem Reaktor, der zu einem Bruch einer Berstscheibe führte, die als Sicherheitseinrichtung an dem Reaktor vorgesehen war. Es wurde gefunden, dass der Grund für den Druckanstieg die augenblickliche Zersetzuni der gesamten Menge des durch die Fluorierungsreaktion gebildeten Graphitfluorids war. Unmittelbar vor dem Unfall betrug die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe in dem Gas in der Reaktionskammer 3»1 Vol.—$.
Versuch
Es wurde ein Versuch durchgeführt, um den Explosionsbereich eines gemischten Gases abzuschätzen, das eine relativ grosse Menge an Fluorgas und kleine Mengen an höheren Fluorkohlenstoffen enthält.
Unter Verwendung der Mischung der höheren Fluorkohlenstoffe (meist C„ und C« Fluorkohlenstoffe), die während des Fluorie rungsverfahrens von Beispiel 1 aufgefangen worden waren, wurde sorgfältig ein gemischtes Gas hergestellt, das aus 80 Vol.-?6 Fluor, 18,5 Vol.-96 Stickstoff und 1,5 Vol.-% höhei Fluorkohlenstoffe bestand. Das gemischte Gas wurde in einem
vorher evakuierten zylindrischen Gefäss eingeschlossen, das einen inneren Durchmesser von 50 mm und eine Länge von 3OO mm aufwies und mit einer Sicherheitseinrichtung versehen war, um bei einem starken Anstieg des inneren Druckes einen Bruch zu verhindern. Das Gefäss wurde so erhitzt, dass die Temperatur des eingeschlossenen Gases bis zu 500 C anstieg, wobei jedoch, kein Wechsel oder kein ungewöhnliches Phänomen in dem Gefäss beobachtet wurde. Dann wurde das erhitzte Gefäss mit einem Hammer bearbeitet, um mechanische Erschütterungen in dem darin eingeschlossenen Gas zu erzeugen, es wurde jedoch wiederum keine Veränderung beobachtet. Folglich kann ein Gehalt von 1,5 Vol.— °/o an höheren Fluorkohlenstoffen in einem verdünnten Fluorgas als ein Gehalt angesehen werden, der ausserhalb des Explosionsbereiches unter den getesteten Bedingungen liegt.
Es wurde ein anderes gemischtes Gas, das aus 60 VoI.-^ Fluor, 36 Vol.-°/o Stickstoff und k- VoI.-^ der oben genannten Mischung der höheren Fluorkohlenstoffe (meist C7 und Cq) bestand, demselben Test unterworfen. Das Erhitzen des Gefässes, um die Temperatur des darin eingeschlossenen Gases bis auf 500 C ansteigen zu lassen, ergab keine wahrnehmbare Veränderung in dem Gefäss. Ein Bearbeiten des erhitzten Gefässes mit einem Hammer ergab jedoch eine Betätigung der Sicherheitseinrichtung des Gefässes mit einem lauten Geräusch und einem plötzlichen Anstieg der Temperatur des Gefässes um 50 C. Es wurde bestätigt, dass die Hauptkomponente des in dem Gefäss gebliebenen Gases CFi war. Das Ergebnis dieses Testes zeigt, dass der Gehalt von h Vol.— °/o an höheren Fluorkohlenstoffen in einem verdünnten Fluorgas bestimmt innerhalb des Explosionsbereiches unter den getesteten Bedingungen liegt, und dass die explosionsartige Zersetzung der höheren Fluorkohlenstoffe eine schnelle und stürmische Zersetzung des gleichzeitig vorliegenden Graphitfluorids bewirkt.

Claims (8)

  1. Patentansprüche :
    Verfahren zur Herstellung von Graphitfluorid durch heterogene direkte Umsetzung von einem festen Kohlenstoffmaterial und einem Fluorgas enthaltenden Gas, dadurch gekennzeich net, dass die Gesamtkonzentration der höheren Fluorkohlenstoffe mit mehr als vier Kohlenstoffatomen in der Gasphase des Reaktionssystems so gesteuert wird, dass diese Gesamtkonzentration nicht über 3 Vol.—j6 ansteigt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennz ei chnet, dass die Konzentration gesteuert wird, indem das das Fluorgas enthaltende Gas durch eine Reaktionskammer zirkuliert, in der das Kohlenstoffmaterial vorliegt, und das aus der Reaktions— kammer ausströmende Gas durch eine Kühlfalle geleitet wird, um die höheren Fluorkohlenstoffe zu kondensieren.
    ■2-
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet dass die Konzentration gesteuert wird, indem das das Fluorgas enthaltende Gas durch eine Reaktionskammer zirkuliert, in der das Kohlenstoffmaterial vorliegt, und das aus der Reaktionskammer ausströmende Gas mit einem Katalysator in Kontakt gebracht wird, der die Zersetzung von wenigstens einem Teil der höheren Fluorkohlenstoffe zu niedrigeren Fluorkohlenstoffen mit weniger als vier Kohlenstoffatomen bewirkt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 31 dadurch gekennzeichnei dass der Katalysator ein aus der Gruppe CoF- und FeF„ ausgewähltes Metallfluorid ist.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnei dass die Konzentration gesteuert wird, indem das das Fluorgas enthaltende Gas in einer Reaktionskammer, in der das Kohlenstoff material vorliegt, eingeschlossen gehalten wird, und man mit fortschreitender Reaktion allmählich einen Teil des eingeschlossenen Gases aus der Reaktionskammer ausströmen lässt.
  6. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Graphitfluorid eine chemische Zusammensetzung der Formel (CF ) aufweist, in der O < χ < 1,3 ist.
  7. 7· Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennze i chne t, dass das Reaktionssystem auf Temperaturen im Bereich von 200 bis 550 C gehalten wird,
  8. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kohlenstoffmaterial aus der Gruppe von natürlichem Graphit, synthetischem Graphit, Petrolkoks, Ruß und Aktivkohle ausgewählt ist.
    9· Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gas eine Mischung von Fluorgas und einem anderen Gas ist, das bezüglich des Kohlenstoffmaterials inaktiv ist.
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