DE3235108A1 - Strahlungsempfindliche beschichtungsmasse - Google Patents
Strahlungsempfindliche beschichtungsmasseInfo
- Publication number
- DE3235108A1 DE3235108A1 DE19823235108 DE3235108A DE3235108A1 DE 3235108 A1 DE3235108 A1 DE 3235108A1 DE 19823235108 DE19823235108 DE 19823235108 DE 3235108 A DE3235108 A DE 3235108A DE 3235108 A1 DE3235108 A1 DE 3235108A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- poly
- acetate
- component
- composition according
- isoamyl acetate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
STRAHLUNGSEMPFINDLICHE BESCHICHTUNGSMASSE
Die Erfindung betrifft eine positiv arbeitende strahlungsempfindliche
Beschichtungsmasse mit hoher Empfindlichkeit gegen Strahlungen, wie Elektronenstrahlung, Ionenstrahlung,
Röntgenstrahlung etc., insbesondere eine strahlungsempf indliehe
Beschichtungsmasse, die zur Bildung strahlungsempfindlicher Harzfilme guter Verträglichkeit geeignet
ist.
Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen unter Verwendung einer strahlungsempfindlichen Masse auf
der Grundlage eines alkalilöslichen Novolakharzes und von Poly (2-methylpenten-1-sulfon) ist in der veröffentlichten
japanischen Patentanmeldung Nr. 153 578/79 beschrieben, wobei lediglich ein gemischtes Lösungsmittel aus
Methoxyethylacetat und Cyclohexanon als Lösungsmittel für eine solche Masse angegeben ist.
Im allgemeinen ist die Verträglichkeit zwischen PoIy-(2-methylpenten-1-sulfon)
und Novolakharzen nicht sehr gut. Wenn somit eine Lösung der beiden Materialien in
Form einer Schicht auf ein Substrat aufgetragen und unter Bildung eines Beschichtungsfilms getrocknet wird,
zeigt sich, daß leicht eine Phasentrennung der beiden Materialien erfolgt, so daß es nicht möglich ist einen
Beschichtungsfilm mit homogener Qualität zu erzeugen. Da der gebildete Beschichtungsfilm oder überzug ein Material
des positiven Typs oder ein positiv arbeitendes Material ist, bei dem die mit der Strahlung belichteten Bereiche
in einem Entwickler gelöst werden, zeigen die belichteten Bereiche und die nicht belichteten Bereiche nur geringfügige
Unterschiede im Hinblick auf die Löslichkeit in dem Entwickler, wenn der Beschichtungsfilm nicht
homogen ist. Demzufolge ist die Bildung eines homogenen Beschichtungsfilms aus den oben angesprochenen Harzkomponenten
seit langem erwünscht.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, einen strahlungsempfindliche Beschichtungsmasse anzugeben,
die als Harzbestandteile ein alkalilösliches Harz und Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon) enthält, dessen
beide Harzbestandteile gut miteinander verträglich sind und einen homogenen Beschichtungsfilm mit wünschenswerten
Eigenschaften liefern.
Diese Aufgabe wird nun gelöst durch die Beschichtungsmasse
gemäß Hauptanspruch. Die Unteransprüche betreffen besonders bevorzugte Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstandes. Gegenstand der Erfindung ist somit eine
strahlungsempfindliche Beschichtungsmasse enthaltend
(a) mindestens ein alkalilösliches Harz ausgewählt aus der Phenolharze, Poly-(p-Vinylpenol) und halogenierte
Poly-(p-Vinylphenole) umfassenden Gruppe,
(b) Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon) und
(c) Isoamylacetat oder eine Mischung aus 90 bis 99,9
Vol.-% Isoamylacetat und 0,1 bis 10 Vol.-% eines oder mehrerer mit Isoamylacetat verträglicher Lösungsmittel.
Als alkalilösliches Harz, d. h. den Bestandteil (a) kann man ein Phenol-Novolakharz, ein Kresol-Novolakharz oder
ein ähnliches Phenolharz, Poly-(p-Vinylphenol) und halogenierte
Poly-(p-Vinylphenole), wie bromiertes Poly-(p-Vinylphenol)
verwenden. Diese alkalilöslichen Harze kann man allein oder in Form von Mischungen verwenden.
Als Bestandteil (b) verwendet man Poly-(2-Methylpenten-isulfon),
welches vorzugsweise ein durch Gelpermeations-
4 Chromatographie bestimmtes Molekulargewicht von 1x10
bis 1 χ 10 aufweist. Der Bestandteil (b) wird in einer Menge von vorzugsweise 8 bis 20 Gew.-%, bevorzugter
10 bis 20 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des alkalilöslichen Harzes eingesetzt. Wie nachfolgend noch näher
erläutert werden wird, zeigt ein Beschichtungsfilm aus lediglich Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon) eine geringe
Empfindlichkeit. Wenn somit der Anteil des Poly(2-Methylpenten-1-sulfons)
in den strahlungsempfindlichen Bestandteilen, d. h. den Bestandteilen (a) und (b) zu hoch
ist, ergibt sich eine Verminderung der Empfindlichkeit.
Jedoch wird Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon) bei der Belichtung
mit Strahlung zersetzt, so daß diese Substanz in einer solchen Menge zugesetzt werden sollte, daß die
Masse aus positiv arbeitende strahlungsempfindliche Masse funktioniert. Demzufolge ist es bevorzugt, den Bestandteil
(b) innerhalb des oben angegebenen Mengenbereiches einzusetzen.
Es ist gut bekannt, daß bei vielen Kombinationen von Polymeren nicht immer eine Mischung aus zwei verschiedenen
Polymeren mit guter Verträglichkeit gebildet wird. Selbst bei verträglichen Kombinationen werden in Abhängigkeit
von den Herstellungsbedingungen als Folge von Phasentrennungen und dergleichen häufig keine Mischungen mit
guter Verträglichkeit erhalten. Erfindungsgemäß ist es
wesentlich, als Lösungsmittel/ d. h. den Bestandteil (c), Isoamylacetat zu verwenden, um einen homogenen Beschichtungsfilm
mit guter Verträglichkeit der Harzbestandteile (a) und (b) zu ergeben, wenn die gebildete
Harzmasse in Form eines Überzuges auf ein Substrat aufgebracht wird. Die gleichen vorteilhaften Ergebnisse
kann man erzielen, wenn man eine Mischung aus 99,9 bis 90 Vol.-% Isoamylacetat und 0,1 bis 10 Vol.-% eines
oder mehrerer Lösungsmittel, die mit Isoamylacetat verträglich sind, verwendet. Im allgemeinen besteht die
Tendenz zu besseren Effekten bei Erhöhung des Anteils des Isoamylacetats.
Beispiele für mit Isoamylacetat verträgliche Lösungsmittel
sind Essigsäureester, wie n-Amylacetat, n-Butylacetat,
Isobutylacetat, Methoy-cellosolveacetatiEthylenglykolmonomethyletheracetat),
Ethyl-cellosolveacetat etc., Ketone, wie Cyclohexanon, Methylethylketon, Methylisobutylketon
etc. Diese Lösungsmittel kann man einzeln oder in Form von Mischungen verwenden.
Der Feststoffgehalt, d. h. die Gesamtmenge an alkalilöslichem
Harz und Poly(2-Methylpenten-1-sulfon), in der die Bestandteile (a), (b) und (c) enthaltenden
strahlungsempfindlichen Beschichtungsmasse beträgt vorzugsweise 5 bis 30 Gew.-% und noch bevorzugter 10
bis 20 Gew.-%. Dieser Feststoffgehalt hat jedoch keine kritische Bedeutung, da er lediglich im Hinblick
auf die für den Beschichtungsvorgang geeignete Viskosität der Beschichtungsmasse ausgewählt wurde.
Die Gründe für den Erhalt besonders guter Ergebnisse im Fall der Anwendung von Isoamylacetat sind darin zu
sehen, daß mit Hilfe einer solchen Beschichtungsmasse ein homogener Beschichtungsfilm oder Uberzugsfilm aus
beispielsweise einem halogenierten Poly-(p-Vinylphenol)
oder einem m- und p-Kresol-Novolakharz und Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon)
mit ausgezeichneter Verträglichkeit erhalten werden kann. Diese verträglichen Harzmischungen
zeigen erheblich bessere Eigenschaften als Materialien auf der Grundlage anderer Harze. Dies sei
im folgenden erläutert:
Wie bereits erwähnt, zeigt der Beschichtungsfilm oder
Überzugsfilm aus Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon) als solchem
eine geringe Empfindlichkeit und zersetzt sich nicht
vollständig, wenn er mit einer Dosis von einigen Zehn μ(ϋ/σΐη belichtet wird. Da andererseits der Bestandteil
(a) ein in Alkali lösliches Harz ist, wird der Anteil des Films, der nicht mit der Strahlung belichtet wird,
d. h. der Anteil des Materials, der nicht gelöst werden sollte, in gewissem Ausmaß durch den Entwickler gelöst,
insbesondere dann, wenn eine konzentrierte wässrige alkalische Lösung als Entwickler verwendet wird. Wenn
die Zugabe einer geringen Menge Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon)
zu dem alkalilöslichen Harz zu einer deutlichen Veränderung der Löslichkeitsrate führt, besitzt die erhaltene
Harzmischung gute Anwendungseigenschaften. Da mit anderen Worten eine Mischung mit einem geringeren
Anteil von Poly(2-Methylpenten-1-sulfon) eine höhere
Empfindlichkeit besitzt, wird die Löslichkeitsrate einer Mischung, die eine geringe Menge Poly-(2-Methylpenten-i
-sulfon) enthält gering, so daß man gute Ergebnisse erzielt, da die Differenz der Löslichkeitsrate
zwischen den mit der Strahlung belichteten Bereichen, d. h. den Bereichen, in denen Poly-(2-Methylpenten-1-sulfon)
zersetzt wird, und den nicht mit der Strahlung belichteten Bereichen groß wird.
Wenn die Löslichkeitsrate verschiedener Harze als Tn und
die einzelner Mischungen mit einem Gehalt von 10 Gew.-% Poly(2-Methylpenten-1-sulfon) als T1 Q bezeichnet werden,
erzielt man aus den oben angegebenen Gründen bei größeren Werten des Verhältnisses To/T Q gute Ergebnisse. Die folgende
Tabelle I zeigt die TqZT1^Verhältnisse verschiedener
alkalilöslicher Harze bei der Verwendung einer wässrigen Tetramethylammoniurahydroxidlösung als Lösungsmittel.
15 | Harz | Hersteller | VT10 | wässrige Tetramethyl- ammoniuni- hydroxid- lösung |
Poly(p-Vinylphenol) | Maruzene Oil Co., Ltd. |
3,6 | 1,3% | |
bromiertes PoIy- (p-Vinylphenol) |
Il | 18,0 | 0,15% | |
20 | Phenol-Novolakharζ | Hoechst AG | 11,1. | 1,7% |
Phenol-Novolak- harz |
Shinko Tech, S Research Co., Ltd. |
9,6 | 1,7% | |
25 | m-Kresol-Novolak- harz |
M | 14,5 | 1,7% |
m-Kresol-Novolak- harz |
Gunei Chemical Industry Co., Ltd. |
9,5 | 0,95% | |
30 | m,p-Kresol-Novolak har ζ |
Il | 21,5 | 1,7% |
o-Kresol-Novolak- | Il | 3,4 | 0,48% | |
larz |
-S-
Wie aus der obigen Tabelle I hervorgeht, liefern die Kombinationen
aus m,p-Kresol-Novolakharz und Poly(2-Methylpenten-1-sulfon)
bzw. bromiertem Poly-(p-Vinylphenol) und Poly-(2-Methylpenten-1~sulfon) besonders große Werte, was
bedeutet, daß diese Mischungen wegen der guten Verträglichkeit der Harzbestandteile besonders herausragende Ergebnisse
liefern. Wie aus der Tabelle I weiter hervorgeht, zeigen gleiche Harztypen geringfügig unterschiedliche Werte
für das T0ZT1„-Verhältnis in Abhängigkeit von den Herstellern,
die sich aufgrund von Unterschieden in physikalischen und chemischen Eigenschaften, wie dem Molekulargewicht
etc. ergeben.
Wenn als Lösungsmittel für die Bestandteile (a) und (b) Isoamylacetat oder ein gemischtes Lösungsmittel, welches
90 Vol.-% oder mehr Isoamylacetat enthält, verwendet wird, liefert die erhaltene Beschichtungsmasse bei guter Verträglichkeit
einen homogenen Beschichtungsfilm oder Überzugsfilm.
Die folgenden Beispiele dienen dabei zur Erläuterung der
Erfindung.
Man löst 3 g eines m,p-Kresol-Novolakharzes (hergestellt von der Firma Gunei Chemical Co., Ltd.) und 0,6 g Poly {2-Methylpenten-1-sulfon)
in 20 ml Isoamylacetat. Nach dem Filtrieren der erhaltenen Lösung unter Verwendung eines
Tetrafluorethylenharzfilters mit einer Porengröße von
0,2 μ,πι wird das Filtrat durch Schleuderbeschichtung bei
-1
2000 min in Form eines Überzuges auf ein Siliciumplättchen aufgetragen. Der erhaltene Photolackfilm besitzt eine Filmdicke von 1 μπι bei einer guten Verträglichkeit der Harzbestandteile.
2000 min in Form eines Überzuges auf ein Siliciumplättchen aufgetragen. Der erhaltene Photolackfilm besitzt eine Filmdicke von 1 μπι bei einer guten Verträglichkeit der Harzbestandteile.
Das mit dem Photolackfilm beschichtete Siliciumplättchen
wird während 10 Minuten auf 80 0C erhitzt, dann mit
Elektronenstrahlen mit einer Dosis von 3 \iC/cm belichtet
, erneut während 5 min. auf 110 0C erhitzt
und dann während 5 min. in eine 1,4%ige Tetramethylammoniumhydroxidlösung
getaucht, wobei sich ein gutes positives Bildmuster ergibt.
Man löst 3 g eines Phenol-Novolakharzes (hergestellt von der Firma Hoechst AG) und 0,6 g Poly(2-Methylpenten-1-sulfon)
in 20 ml Isoamylacetat. Nach dem Filtrieren der erhaltenen Lösung über ein Tetrafluorethylenharzfilter
mit einer Porengröße von 0,2 μπι wird das Filtrat durch
Schleuderbeschichtung bei 2000 min auf ein Siliciumplättchen aufgebracht. Der erhaltene Photolackfilm besitzt
eine Filmdicke von 1,1 μπι und zeigt eine gute Verträglichkeit der Harzbestandteile.
Das mit dem Photolackfilm beschichtete Siliciumplättchen
wird während 10 min. auf 80 °C erhitzt, dann mit Elektronenstrahlen mit einer Dosis von 5 μΟ/σπι belichtet, er-
neut während 5 min. auf 110 C erhitzt und schließlich
während 7 min. in eine 0,7 %-ige Tetramethylammonium-
hydroxidlösung eingetaucht, wobei sich ein gutes positives
Muster ergibt.
Man bildet nach der in Beispiel 2 beschriebenen Verfahrensweise einen Photolackfilm mit einer Stärke von 1,2 μπι und
guter Verträglichkeit, mit dem Unterschied, daß man als Bestandteil (a) ein m-Kresol-Novolakharz verwendet.
— Q/*
Wenn man die in Beispiel 2 beschriebene Verfahrensweise wiederholt, jedoch die Entwicklung dadurch bewirkt, daß
man das Material während 9 min. in eine 2,4 %ige wässrige Tetramethylammoniumhydroxidlösung eintaucht, so erhält
man ebenfalls ein Positivmuster mit guten Eigenschaften.,
Man wiederholt die Maßnahmen des Beispiels 2 mit dem Unterschied,
daß man Poly(p-Viny!phenol) (hergestellt von
der Firma Maruzen Oil Co., Ltd.) als alkalilösliches Harz verwendet, die Schleuderbeschichtung bei 2500 min
durchführt, den Belichtungsvorgang mit einer Dosis von
2
8 μΟ/σιη bewirkt und das Material durch Eintauchen während 2 min. in eine 2,1 %ige wässrige Tetramethylammoniumhydroxid" lösung entwickelt. Das erhaltene Positivmuster besitzt gute Eigenschaften.
8 μΟ/σιη bewirkt und das Material durch Eintauchen während 2 min. in eine 2,1 %ige wässrige Tetramethylammoniumhydroxid" lösung entwickelt. Das erhaltene Positivmuster besitzt gute Eigenschaften.
Unter Anwendung der Verfahrensweise von Beispiel 2 mit dem Unterschied, daß man bromiertes Poly(p-Vinylphenol)
als alkalilösliches Harz verwendet, erhält man einen Photolackfilm mit einer Dicke von 1,5 μπι und guter Verträglichkeit.
Behandelt man den erhaltenen Photolackfilm in gleicher
Weise wie in Beispiel 2 beschrieben mit dem Unterschied, daß man die Belichtung mit einer Dosis von 8 μ,Ο/οχα bewirkt
und das Material durch Eintauchen während 10 min. in eine 0,15%ige wässrige Tetramethylammoniumhydroxidlösung
entwickelt, so erhält man ein Positivmuster mit guten Eigenschaften.
Wenn man eine Mischung aus 95 Vol.-% Isoamylacetat und 5 VpI.-% eines mit Isoamylacetat verträglichen Lösungsmittels,
wie n-Butylacetat, oder eine Mischung aus
- γί -
90 Vol.-% Isoamylacetat und 10 Vol.-% eines mit Isoamylacetat
verträglichen Lösungsmittels, wie n-Amylacetat, verwendet, so erhält man gleich gute Ergebnisse
wie die oben beschriebenen.
Wie bereits erwähnt, kann man bei Anwendung des speziellen Lösungsmittels (c) aus einer Mischung aus einem alkalilöslichen
Harz, dem Bestandteil (a) und Poly(2-Methylpenten-1-sulfon)
(dem Bestandteil (b)) einen positiv arbeitenden, strahlungsempfindlichen Photolackfilm mit
guten Eigenschaften, d. h. guter Verträglichkeit bilden.
Claims (8)
1. Strahlungserapfindliche Beschichtungsmasse enthaltend
(a) mindestens ein alkalilösliches Harz ausgewählt aus der Phenolharze, Poly(p-Vinylphenol) und halogenierte
Poly(p-Vinylphenole) umfassenden Gruppe,
(b) Poly(2- ethylpenten-1-sulfon) und
(c) ■Isoamylacetat oder eine Mischung aus 90 bis 99,9 %
Isoamylacetat und 0,1 bis 10 Vol-% eines oder mehrerer mit Isoamylacetat verträglicher Lösungsmittel.
2. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Bestandteil (a) ein m,p-Kresol-Novolakharz
ist.
3. Masse nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet,
daß der Bestandteil (a) ein Poly(p-Vinylphenol) ist.
4. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bestandteil (a) ein halogeniertes
Poly(p-Vinylphenol) ist.
5. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Bestandteil (a) ein m-Kresol-Novolakharz
ist.
6. Masse nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet , daß der Bestandteil (c) Isoamylacetat ist.
7. Masse nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die Gesamtmenge der Bestandteile
(a) und (b) 5 bis 30 Gew.-%, die Menge des Bestandteils
(c) 95 bis 70 Gew.-% und die Menge des Bestandteils (b) 8 bis 20 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht des Bestandteils
(a) betragen.
8. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das mit Isoamylacetat verträgliche
Lösungsmittel n-Amylacetat, n-Butylacetat, Isobutylacetat,
Ethylenglykolmonomethyletheracetat, Ethyl-Cellosolveacetat,
Cyclohexanon, Methylethylketon oder Methylisobutylketon ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56149420A JPS5852638A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 放射線感応性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3235108A1 true DE3235108A1 (de) | 1983-04-07 |
DE3235108C2 DE3235108C2 (de) | 1986-06-19 |
Family
ID=15474716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3235108A Expired DE3235108C2 (de) | 1981-09-24 | 1982-09-22 | Strahlungsempfindliche Beschichtungsmasse |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4409317A (de) |
JP (1) | JPS5852638A (de) |
DE (1) | DE3235108C2 (de) |
NL (1) | NL185806C (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3322886A1 (de) * | 1982-06-25 | 1983-12-29 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Bilderzeugende harzmasse |
EP0141311A2 (de) * | 1983-10-25 | 1985-05-15 | International Business Machines Corporation | Negativer Elektronenlack für Trockenentwicklung |
DE3705896A1 (de) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines fotoresistmusters auf einer substratflaeche und ein dafuer geeignetes schaumentfernungsmittel |
EP0546703A1 (de) * | 1991-12-12 | 1993-06-16 | AT&T Corp. | Lithographisches Material und Verfahren zur Verwendung |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3563273D1 (en) * | 1984-03-19 | 1988-07-14 | Nippon Oil Co Ltd | Novel electron beam resist materials |
US4550069A (en) * | 1984-06-11 | 1985-10-29 | American Hoechst Corporation | Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate |
US5143814A (en) * | 1984-06-11 | 1992-09-01 | Hoechst Celanese Corporation | Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak and propylene glycol alkyl ether acetate |
US4600683A (en) * | 1985-04-22 | 1986-07-15 | International Business Machines Corp. | Cross-linked polyalkenyl phenol based photoresist compositions |
US4692398A (en) * | 1985-10-28 | 1987-09-08 | American Hoechst Corporation | Process of using photoresist treating composition containing a mixture of a hexa-alkyl disilazane, propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate |
US4983490A (en) * | 1985-10-28 | 1991-01-08 | Hoechst Celanese Corporation | Photoresist treating composition consisting of a mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate |
US4948697A (en) * | 1985-10-28 | 1990-08-14 | Hoechst Celanese Corporation | Positive photoresist with a solvent mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate |
US5039594A (en) * | 1985-10-28 | 1991-08-13 | Hoechst Celanese Corporation | Positive photoresist containing a mixture of propylene glycol alkyl ethers and propylene glycol alkyl ether acetate |
US4806458A (en) * | 1985-10-28 | 1989-02-21 | Hoechst Celanese Corporation | Composition containing a mixture of hexa-alkyl disilazane and propylene glycol alkyl ether and/or propylene glycol alkyl ether acetate |
JPS62191850A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-22 | Nec Corp | ポジレジスト材料 |
US4873278A (en) * | 1986-11-14 | 1989-10-10 | General Electric Company | Inhibition of irradiation yellowing in polysulfone compositions |
JPS63218949A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
EP0301641A1 (de) * | 1987-07-23 | 1989-02-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Originalscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Schablone |
US4824758A (en) * | 1988-01-25 | 1989-04-25 | Hoechst Celanese Corp | Photoresist compositions based on acetoxystyrene copolymers |
DE69027707T2 (de) * | 1989-04-03 | 1997-01-09 | Toshiba Kawasaki Kk | Photoempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
US5298367A (en) * | 1991-03-09 | 1994-03-29 | Basf Aktiengesellschaft | Production of micromoldings having a high aspect ratio |
US5550004A (en) * | 1992-05-06 | 1996-08-27 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chemically amplified radiation-sensitive composition |
US5340687A (en) * | 1992-05-06 | 1994-08-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chemically modified hydroxy styrene polymer resins and their use in photoactive resist compositions wherein the modifying agent is monomethylol phenol |
EP0698825A1 (de) * | 1994-07-29 | 1996-02-28 | AT&T Corp. | Energieempfindlicher Resist und Verfahren zur Herstellung eines Geräts mit diesem Resist |
US6537736B1 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patten formation method |
US7550249B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-06-23 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Base soluble polymers for photoresist compositions |
US7704670B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-04-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | High silicon-content thin film thermosets |
US7759046B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-07-20 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
US8026040B2 (en) | 2007-02-20 | 2011-09-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Silicone coating composition |
KR101523393B1 (ko) | 2007-02-27 | 2015-05-27 | 이엠디 퍼포먼스 머티리얼스 코프. | 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2322230A1 (de) * | 1972-05-05 | 1973-11-22 | Oce Van Der Grinten Nv | Lichtempfindliche praeparate |
US3935331A (en) * | 1975-01-09 | 1976-01-27 | Rca Corporation | Preparation of olefin SO2 copolymer electron beam resist films and use of same for recording |
US4267257A (en) * | 1976-07-30 | 1981-05-12 | Rca Corporation | Method for forming a shallow surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer |
US4289845A (en) * | 1978-05-22 | 1981-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Fabrication based on radiation sensitive resists and related products |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56149420A patent/JPS5852638A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-21 US US06/420,878 patent/US4409317A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-09-22 DE DE3235108A patent/DE3235108C2/de not_active Expired
- 1982-09-23 NL NLAANVRAGE8203701,A patent/NL185806C/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2322230A1 (de) * | 1972-05-05 | 1973-11-22 | Oce Van Der Grinten Nv | Lichtempfindliche praeparate |
US3935331A (en) * | 1975-01-09 | 1976-01-27 | Rca Corporation | Preparation of olefin SO2 copolymer electron beam resist films and use of same for recording |
US4267257A (en) * | 1976-07-30 | 1981-05-12 | Rca Corporation | Method for forming a shallow surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer |
US4289845A (en) * | 1978-05-22 | 1981-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Fabrication based on radiation sensitive resists and related products |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3322886A1 (de) * | 1982-06-25 | 1983-12-29 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Bilderzeugende harzmasse |
EP0141311A2 (de) * | 1983-10-25 | 1985-05-15 | International Business Machines Corporation | Negativer Elektronenlack für Trockenentwicklung |
EP0141311A3 (en) * | 1983-10-25 | 1987-06-16 | International Business Machines Corporation | Negative working electron beam resist system to be dry-developed |
DE3705896A1 (de) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines fotoresistmusters auf einer substratflaeche und ein dafuer geeignetes schaumentfernungsmittel |
EP0546703A1 (de) * | 1991-12-12 | 1993-06-16 | AT&T Corp. | Lithographisches Material und Verfahren zur Verwendung |
US5728506A (en) * | 1991-12-12 | 1998-03-17 | Lucent Technologies Inc. | Lithographic processes employing radiation sensitive polymers and photosensitive acid generators |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5852638A (ja) | 1983-03-28 |
DE3235108C2 (de) | 1986-06-19 |
NL8203701A (nl) | 1983-04-18 |
NL185806B (nl) | 1990-02-16 |
NL185806C (nl) | 1990-07-16 |
JPH0151822B2 (de) | 1989-11-06 |
US4409317A (en) | 1983-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3235108C2 (de) | Strahlungsempfindliche Beschichtungsmasse | |
EP0164620B1 (de) | Positiv-arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung | |
DE1622301C2 (de) | Mit Alkali entwickelbare Kopierschicht | |
DE2149527C2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche Gemische | |
DE3626578C2 (de) | ||
DE2655455C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Maske und Lackstruktur zur Verwendung bei dem Verfahren | |
DE3603372A1 (de) | Positive photoresistmischung | |
DE2733267C2 (de) | Photolack | |
DE1447916B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer feuchtigkeitsfesten, lichtempfindlichen flachdruckplatte | |
DE1622675B1 (de) | Lichtvernetzbare Schichten aus Polymeren | |
DE69030836T2 (de) | Material und Verfahren zur Herstellung von Mikromustern | |
DE2849996C2 (de) | Photodepolymerisierbares Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes | |
DE3337315A1 (de) | Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten | |
DE69010817T2 (de) | In wässeriger Base entwickelbare negative Schutzschichtzusammensetzungen. | |
DE1472797B2 (de) | Photographischer schichttraeger aus biaxial orientiertem polyaethylenterephthalat | |
DE3842896C2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung | |
EP0226741B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists | |
DE2806928B2 (de) | Strahlungsempfindliches Material und seine Verwendung als Resistmaterial | |
DE1447024C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials und dessen Verwendung | |
DE2259768C2 (de) | Abbildungsmaterial, seine Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung einer Abbildung | |
DE2165034A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von photographischem Material | |
DE1597590C3 (de) | Bildempfangsmaterial für das Silbersalzdiffusionsverfahren | |
DE2038207C3 (de) | Verfahren zum Ausbleichen von Sensibillsierungsfarbstoffen in einer photoleitfähkjen Schicht | |
DE1904764A1 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche Flachdruckplatten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2226008C3 (de) | Lichtempfindliches Gemisch |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBEL-HOPF, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |