DE3213269A1

DE3213269A1 - Verstaerker fuer pulsbreitenmodulierte signale

Info

Publication number: DE3213269A1
Application number: DE19823213269
Authority: DE
Inventors: Miki Yokohama Kanagawa Abe
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1981-04-10
Filing date: 1982-04-08
Publication date: 1982-11-04
Also published as: FR2503961B1; JPS57170606A; CA1173524A; US4458208A; KR840000112A; DE3213269C2; AU8237382A; GB2096850A; GB2096850B; NL8201546A; AU550765B2; FR2503961A1; KR900004193B1

Description

-6-Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf einen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale, insbesondere auf einen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale, in dem das Erzeugen einer Schwingung beim Anlegen einer Stromversorgungsspannung verhindert wird.

Ein Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach dem Stand der Technik ist ein Verstärker der Art, bei der die Amplitudenänderung eines Audiosignals in eine Änderung der Impulsbreite eines Impulses (der eine Rechteckwelle mit der Frequenz von ungefähr 500 kHz ist) umgesetzt und dann das Signal verstärkt wird. Nachdem ein derartiger Verstärker einen hohen Wirkungsgrad hat, geringe Abmessungen aufweist und ein geringes Gewicht hat sowie ein großes Ausgangssignal erzeugen kann, wird er verhältnismäßig häufig verwendet.

Ein Beispiel für einen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach dem Stand der Technik ist in Fig. 1 gezeigt. In diesem Beispiel wird das Ausgangssignal des Verstärkers rückgekoppelt, um die Verzerrung zu verringern.

In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 1 eine Eingangsklemme, an die ein Audiosignal geführt wird. Dieses an die Eingangsklemme 1 geführte Audiosignal wird über eine Reihenschaltung eines Kondensators Cp und eines Widerstandes R_T an den invertierenden Eingang eines Operationsverstärkers 2a, der einen Integrator 2 bildet und dessen nichtinvertierender Eingang geerdet ist, geführt. Es ist ein Trägersignaloszillator 3 vorgesehen, der ein Trägersignal, nämlich ein rechteckförmiges Signal, mit einer Frequenz von beispielsweise 500 kHz erzeugt. Das Trägersignal, das aus dem Trägersignaloszi11ator 3 gewonnen wird, wird über einen Widerstand R _Q an den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2a gelegt, dessen Ausgangsseite über einen Kondensator 2b mit seinem invertierenden Eingang verbunden

I -7-

ί 1 ist. An der Ausgangsseite des Operationsverstärkers 2a wird

\ ein Signal gewonnen, das durch Integrieren eines aus dem

ι Audiosignal und dem Trägersignal zusammengesetzten Signals

ΐ bereitgestellt wird. Es wird in der Folge an die Eingangs-

j 5 seite eines Komparators 4 gelegt. Dieser Komparator 4 be-

^ steht beispielsweise aus einer Reihenschaltung von Inver-

'; tern 4 , 4,, 4 u. 4. und vergleicht das Ausgangssignal des

I Integrators 2 mit einem Referenzpotential, nämlich bei-

1- spielsweise Erdpotential. Von der Ausgangsseite des Kompara-

I ίο tors 4 wird ein Signal bereitgestellt, bei dem die Pulsbrei-

i te des Trägersignals in Abhängigkeit von der Änderung des

I Audiosignals geändert ist, d. h. es wird ein pulsbreitenmo-

duliertes Signal, wie in Fig. 2 gezeigt, geliefert.

ι 15 Das pulsbreitenmodulierte Signal aus dem Komparator 4 wird

I über eine erste Treiberschaltung 5p an die Gate-Elektrode

I eines p-Kanal-MOS-FeIdeffekttransistors (im folgenden ein-

I fach als MOS-FET bezeichnet), der einen Teil eines C-MOS-In-

ί verters 6 oder eines Ausgangsverstärkers bildet, und eben- I 20 falls über eine zweite Treiberschaltung 5n an die Gate-Elek-

X trode eines η-Kanal-MOS-FET 6n, der zusammen mit dem p-Ka-

I nal-MOS-FET 6p den C-MOS-Inverter 6 bildet, geführt.

I Die Source-Elektrode des MOS-FET 6p ist mit einer Stromver-

I 25 sorgungsklemme 7p verbunden, an die der positive Pol einer I Gleichspannungsquelle ⁺V_CC gelegt ist, während die Source- i Elektrode des MOS-FET 6n mit einer weiteren Stromversor-ϊ gungsklemme 7n verbunden ist, an die der negative Pol der j Gleichspannungsquelle -V~~ gelegt ist. Die Drain-Elektroden

I 30 der MOS-FETs 6p u. 6n sind miteinander verbunden. Das Si- * gnal, das an diesem Verbindungspunkt gewonnen wird, wird j über einen negativen Rückkopplungswiderstand 9 an den inver-

■ tierenden Eingang des Operationsverstärkers 2a, der einen Integrator 2 bildet, zurückgekoppelt, um dadurch die Verzerrung zu vermindern. Eine Ausgangsklemme 8 ist von dem Verbindungspunkt der Drain-Elektroden der MOS-FETs 6p u. 6n herausgeführt.

-δι Bei dem Schaltungsbeispiel gemäß dem Stand der Technik, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, wird, während die Periode, in der das pulsbreitenmodulierte Signal, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, negativ ist, der MOS-FET 6p in seinen Schaltzustand "EIN" versetzt, wogegen während der Periode, in der das impulsbreitenmodulierte Signal positiv ist, der MOS-FET 6n in seinen Schaltzustand "EIN" versetzt wird. Auf diese Weise wird an dem Verbindungspunkt der Drain-Elektroden der MOS-FETs 6p u. 6n, nämlich an der Ausgangsklemme 8, ein verstärktes pulsbreitenmoduliertes Signal gewonnen. Das pulsbreitenmodulierte Signal, das auf diese Weise verstärkt und gewonnen wird, wird mittels eines Tiefpaßfilters (nicht gezeigt) demoduliert. Es wird dann, wenn das demodulierte Signal beispielsweise einem Lautsprecher (nicht gezeigt) zugeführt wird, eine gute Tonwiedergabe erzielt.

Gemäß dem Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach dem Stand der Technik, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, setzen, bevor der Trägersignaloszillator 3 nach dem Anlegen der Stromversorgungsspannung normal arbeitet, in der geschlossenen Schleife, die den Integrator 2 enthält, Eigenschwingungen bei einer Frequenz von mehreren MHz bis zu mehreren zehn MHz ein, was häufig in der Erzeugung von Knal1-Geräuschen resultiert. Der Grund für dieses Phänomen kann darin gesehen werden, daß nachdem die Stromversorgungsspannung eingeschaltet ist, das Ausgangssignal von dem C-MOS-Inverter 6, der den Ausgangsverstärker darstellt, unstabil ist und daß das Ausgangssignal davon, das negativ zu dem Integrator 2 rückgekoppelt werden muß, im wesentlichen positiv zurückgekoppelt wird.

Dementsprechend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen neuartigen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale zu schaffen, der von den Mängeln, die Schaltungen nach dem Stand der Technik anhaften, frei ist. Im übrigen besteht die Aufgabe für die vorliegende Erfindung darin, einen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale zu schaffen, bei dem bei Anlegen der Stromversorgungs-

spannung keine Schwingung erzeugt und demzufolge eine Geräuscherzeugung vermieden wird.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist für ein Ausführungsbeispiel für die vorliegende Erfindung ein Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale vorgesehen, der eine Stromversorgungsquelle zum Bereitstellen einer Gleichspannung, eine Eingangsklemme zum Empfangen eines Eingangssignals, das impulsbreitenmoduliert werden soll, einen Integrator mit einer Eingangsklemme und einer Ausgangsklemme, einen Trägersignaloszillator zum Bereitstellen eines Trägersignals, eine Schaltung zum Liefern des Eingangssignals und des Trägersignals an die Eingangsklemme eines Integrators, einen Komparator mit einer Eingangsklemme und einer Ausgangsklemme, wobei die Eingangsklemme desselben mit der Ausgangsklemme des Integrators verbunden ist und die Ausgangsklemme desselben ein pulsbreitenmoduliertes Signal erzeugt, einen Ausgangsverstärker, der mit der Gleichspannung aus der Stromversorgungsquelle versorgt wird und der eine Eingangsklemme und eine Ausgangsklemme hat, wobei die Eingangsklemme desselben mit der Ausgangsklemme des Komparators verbunden ist und die Ausgangsklemme desselben ein verstärktes pulsbreitenmoduliertes Signal erzeugt, und eine negative Rückkopplungsschaltung, die zwischen die Eingangsklemme des Integrators und die Ausgangsklemme des Ausgangsverstärkers gelegt ist, sowie eine Reihenschaltung einer Rückkopplungsimpedanz und eines ersten Schalters, wobei der Schalter nach einer vorbestimmten Zeit von dem Zeitpunkt aus, zu dem die Gleichspannung von der Stromversorgungsquelle an den Ausgangsverstärker geliefert wird, leitend gemacht wird, um auf diese Weise die Erzeugung von Schwingungen zu verhindern, enthält.

Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der im folgenden anhand der Figuren gegebenen Beschreibung ersichtlich, wobei gleich Bezugszeichen gleiche Elemente und Teile bezeichnen.

-ΙΟΙ Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild, das ein Beispiel für einen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach dem Stand der Technik darstellt.

Fig. 2 zeigt ein Wellenformdiagramm des Ausgangssignals aus dem Verstärker gemäß Fig. 1.

Fig. 3 zeigt ein Blockschaltbild, das ein Ausführungsbeispiel für einen Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.

Fig. 4 zeigt ein Prinzipschaltbild, das eine Übertragungsgatterschaltung und eine Steuerschaltung, welche gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden, darstellt.

Fig. 5A - Fig. 5F zeigen jeweils WeI1enformdiagramme zur

Erklärung der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung. 20

Ein Ausführungsbeispiel für den Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun anhand von Fig. 3 beschrieben, in der Teile und Elemente, die mit solchen in Fig. 1 korrespondieren, mit gleichen Bezugszeichen versehen sind und wobei eine ins einzelne gehende Erklärung dieser Teile und Elemente fortgelassen ist.

In dem Ausführungsbeispiel für die vorliegende Erfindung, ³^ das in Fig. 3 gezeigt ist, ist der Verbindungspunkt der Drain-Elektroden der MOS-FETs 6p und 6n, die den C-MOS-Inverter 6 bilden, mit einem Anschluß S^_a eines Verbindungsschalters Sl verbunden, dessen anderer Anschluß S^ über den Rückkopplungswiederstand 9 mit dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2a, der den Integrator 2 bildet, verbunden ist. Die Ausgangsseite des Operationsverstärkers 2a ist mit einem Anschluß S„ eines weiteren Verbindungsschalters S2 verbunden, dessen anderer Anschluß S_?.

-πι mit den Verbindungspunkt zwischen dem Verbindungsschalter SI und dem RUckkopplungswiederstand 9 verbunden ist.

Die Verbindungsschalter Sl und S2 sind jeweils p.ra-kti scherweise als eine Übertragungsgatterschaltung, wie in Fig. 4 gezeigt, ausgebildet. Das heißt, daß der Verbindungsschalter Sl als eine Übertragungsgatterschaltung 10 ausgebildet ist, die aus einem p-Kanal -MOS-FET 10p und einem n-Kanal-MOS-FET 1On besteht. Die Source-El ektroden dieser MOS-FETs 10p und 1On sind miteinander verbunden, um als der eine

Anschluß S₁ des Verbindungsschalters Sl zu dienen, während ι a

Drain-Elektroden der MOS-FETs 10p und 1On miteinander verbunden sind, um als der andere Anschluß S_1fa des Verbindungsschalters Sl zu dienen. Diese Übertragungsgatterschaltung 10 wird, wenn die jeweiligen Gate-Elektroden der MOS-FETs 10p und 1On mit einem Signal niedrigen Pegels, nämlich einem Signal mit dem Binärwert "0" oder dem Potential ~Vrr bzw. einem Signal hohen Pegels, nämlich einem Signal mit dem Binärwert "1" oder dem Potential + V_cc versorgt werden, leitend.

Der Verbindungsschalter S2 ist als eine Übertragungsgatterschaltung 11 ausgeführt, die aus einem p-Kanal-MOS-FET 11p und einem η-Kanal-MOS-FET lln gebildet ist. Die Source-Elektroden dieser MOS-FETs 11p und ITn sind miteinander verbun den, um den einen Anschluß S₀, des zweiten Verbindungsschal-

c. a

ters S2 zu bilden, während die Drain-Elektroden der MOS-FETs 11p und lln miteinander verbunden sind, um als der andere Anschluß Sp_fa des Verbindungsschalters S2 zu dienen.

Wenn die jeweiligen Gate-Elektroden der MOS-FETs 11p und lln mit einem Signal niedrigen Pegels, nämlich einem Signal mit dem Binärwert "0", beispielsweise mit dem Potential -Vq_C, bzw. mit einem Signal hohen Pegels, nämlich einem Signal mit dem Binärwert "1", beispielsweise mit dem Poten tial +Vqq, versorgt werden, wird die Übertragungsgatter schaltung 11 leitend.

In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen 12 einen Anschluß-

punkt, dem ein Signal hohen Pegels» nämlich ein Signal mit dem Binärwert "1" oder mit dem Potential +V_cc zur gleichen Zeit zugeführt wird, zu der die Stromversorgungsspannung angelegt wird. Das Signal, das an den Anschlußpunkt 12 geführt wird, wird der Eingangsseite eines UND-Gliedes 13 und ebenfalls der Eingangsseite einer Verzögerungsschaltung 14, die aus einer Reihenschaltung von Invertern 14., 14. und 14_C besteht, zugeführt. Das Signal, das um τ (vergl. Fig. 5) verzögert und in seiner Phase durch die Verzögerungsschaltung 14 invertiert wird, wird einem anderen Eingang des UND-Gliedes 13 zugeführt. Das Ausgangssignal des UND-Gliedes 13 wird einem Rücksetzsignaleingang R eines Flipflop 15 zugeführt.

In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen 16 einen Anschlußpunkt, an den das Ausgangssignal des C-MOS-Inverters 6 gelegt wird. Das Ausgangssignal des C-MOS-Inverters 6 wird über den Anschlußpunkt 16 an einen Setzsignaleingang S des Flipflop 15 gelegt.

Mit den Anstiegsflanken des Signals, daß dem Setzsignal eingang S und dem Rücksetzsignaleingang R des Flipflop 15 zugeführt wird, wird dieses gesetzt (was bedeutet, daß ein Signal hohen Pegels, nämlich ein Signal mit den Binärwert "1" oder dem Potential ⁺V_CC an einem Ausgang Q des Flipflop 15 und ein Signal niedrigen Pegels oder ein Signal mit dem Binärwert "O" oder mit dem Potential -V_cc an dem invertierenden Ausgangs Q gewonnen wird) und ebenfalls rückgesetzt (was bedeutet, daß das Signal niedrigen Pegels "0" an dem Ausgang Q und das Signal hohen Pegels "1" an dem invertierenden Ausgang Q gewonnen wird).

Der Ausgang Q des Flipflop 15 ist über einen Inverter 17 mit der Gate-Elektrode des MOS-FET 10p der Übertragungsgatterschaltung 10, welche den Verbindungsschalter Sl bildet, und ebenfalls über eine Reihenschaltung des Inverters 17 und eines Inverters 18 mit der Gate-Elektrode des MOS-FET 1On der Übertragungsgatterschaltung 10 verbunden, während

der invertierende Ausgang "Q des Flipflop 15 über einen Inverter 19 mit der Gate-Elektrode des MOS-FET 11p der Übertragungsgatterschaltung 11, die den VerbindungsschaTter 52 bildet, und über eine Reihenschaltung des Inverters 19 und eines Inverters 20 mit der Gate-Elektrode des MOS-FET lln der Übertragungsgatterschaltung 11 verbunden ist.

Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung, die nach dem oben Ausgeführten aufgsb^ut ist, wird nun anhand der Figuren 5A bis 5F erklärt.

Wenn eine Stromversorgungsspannung zu einem Zeitpunkt t, an die Schaltung gelegt wird, wird das Signal, das an den Anschlußpunkt 12 geführt ist, von dem Zeitpunkt t, an zu einem Signal hohen Pegels, wie dies in Fig, 5A gezeigt ist, so daß das Ausgangssignal des Inverters 14c in der Art beeinflußt wird, wie dies in Fig. 5B gezeigt ist. Deshalb erzeugt das UND-Glied 13 ein Ausgangssignal, das in Fig. 5C gezeigt ist, und liefert dasselbe an den Rücksetzsignaleingang R des Flipflop 15. Auf diese Weise wird das Flipflop 15 zu dem Zeitpunkt t, rückgesetzt, nämlich in den Zustand versetzt, in dem ein Signal niedrigen Pegels "O" oder mit dem Potential -V_cc an dem Ausgang Q des Flipflop gewonnen wird und ein Signal hohen Pegels "1", bei spielsweise mit dem Potential ⁺V_CC, an dem invertierenden Ausgang Q" des Flipflop gewonnen wird.

Zu diesem Zeitpunkt wird, da die Gate-Elektroden der MOS-FETs 10p und 1On der Übertragungsgatterschaltung 10, die den Verbindungsschalter Sl bildet, mit dem Signal hohen Pegels "1" bzw. dem Signal niedrigen Pegels "0" versorgt werden, die Übertragungsgatterschaltung 10 nichtleitend gemacht, d. h. der Verbindungsschalter Sl nimmt seinen nichtleitenden oder unterbrochenen Schaltzustand ein. Zu dieser Zeit werden die Gate-Elektroden der MOS-FETs 11p und Hn der Übertragungsgatterschaltung 11, die den Verbindungsr schalter S2 darstellt, mit einem Signal niedrigen Pegels "0" bzw. einem Signal hohen Pegels "1" versorgt, so daß die

Ubertragungsgatterschaltung 11 ihren leitenden oder verbindenden Zustand einnimmt, d. h. der Verbindungsschalter S2 nimmt seinen leitenden oder verbindenden Zustand ein.

Wie ausgeführt, ist, da sich zum Zeitpunkt t₁ der Verbindungsschalter Sl in seinem nichtleitenden Zustand befindet, der Verbindungsschalter S2 sich jedoch in seinem leitenden Zustand befindet, die Ausgangsseite des Operationsverstärkers 2a, der den Integrator 2 bildet, über den Rückkopp-1ungswiderstand 9 mit seinem invertierenden Eingang verbunden, um dadurch eine Rückkopplung zu bewirken. Dementsprechend werden in Übereinstimmung mit dem Betrieb des Trägersignaloszi 1 ^?lators 3 der Integrator 2, der Komparator 4 und der C-MOS-Inverter 6 nacheinander stabil in dieser Reihenfolge betätigt. Danach erzeugt zu einem Zeitpunkt t^ nach dem Zeitpunkt t-, um eine vorbestimmte Periode T verzögert der C-MOS-Inverter 6 ein verstärktes pulsbreitenmoduliertes Signal, wie dies in Fig. 5D gezeigt ist. Nachdem das Signal des C-MOS-Inverters 6, das in Fig. 5D gezeigt ist, über den Anschlußpunkt 16 an den Setzsignaleingang S des Flipflop 15, wie zuvor beschrieben, gelegt wird, wird das Flipflop 15 zu dem Zeitpunkt t_? gesetzt, nämlich in den Schaltzustand versetzt, daß das Signal hohen Pegels "1" oder das Signal mit dem Potential +V-- an dessen Ausgang Q erzeugt wird und daß das Signal niedrigen Pegels "O" oder das Signal mit dem Potential ~^rr ^an dessen invertierenden Ausgang Q gewonnen wird.

Zu diesem Zeitpunkt wird, da die MOS-FETs 10p und 1On der Ubertragungsgatterschaltung 10, die den Verbindungsschalter Sl bildet, mit dem Signal niedrigen Pegels "0" bzw. dem Signal hohen Pegels "1" versorgt werden, die Übertragungsgatterschalter 10 leitend gemacht, d. h. der Verbindungsschalter Sl nimmt seinen leitenden Zustand ein. Während dieser Zeit werden die MOS-FETs 11p und Hn der Ubertragungsgatterschaltung 11, die den Verbindungsschalter S2 darstellt, mit einem Signal hohen Pegels "1" bzw. einem Signal niedrigen Pegels "0" versorgt, so daß die Übertra-

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gungsgatterschaltung 11 in ihren nichtleitenden Zustand überführt wird, d. h. der Verbindungsschalter S2 wird nichtleitend.

Wie ausgeführt, wird, da zum Zeitpunkt t~ der Verbindungsschalter Sl seinen leitenden Zustand, der Verbindungsschalter S2 jedoch seinen nichtleitenden Zustand eingenommen hat, von dem Zeitpunkt t_? an das Ausgangssignal des C-MOS-Inverters 6 an den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2a, der den Integrator 2 bildet, über den Rückkopplungswiderstand 9 geliefert, um dadurch eine normale Rückkopplung zu bewirken. Dementsprechend wird der normale Betrieb der Schaltungsanordnung mit der negativen Rückkopplung mit dem Zeitpunkt t_? initiiert.

Wie zuvor beschrieben, wird entsprechend dem Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale gemäß der vorliegenden Erfindung der negative Rückkopplungsweg, über den das Ausgangssignal von beispielsweise dem C-MOS-Inverter 6, der den Verstärker bildet, an die Eingangsseite des Integrators 2 geliefert wird, während der vorbestimmten Periode T, nachdem die Stromversorgung eingeschaltet ist, unterbrochen, so daß kein unstabiles Ausgangssignal von dem C-MOS-Inverter usw. an die Eingangsseite des Integrators 2 gelegt wird.

Daher wird keine Eigenschwingung in der geschlossenen Schleife, die den Integrator gemäß der Erfindung enthält, aufgrund des Anlegens der Stromversorgungsspannung erzeugt, so daß keinerlei Geräusch oder kein sog. Knal1-Geräusch, das durch Eigenschwingung verursacht würde, erzeugt wird.

In dem Ausführungsbeispiel für die vorliegende Erfindung, das zuvor beschrieben worden ist, wird der Verbindungsschalter S2 während der vorbestimmten Periode T nach dem Anlegen der Stromversorgung leitend gemacht oder in seinen leitenden Zustand versetzt, um die Rückkopplung zu dem Integrator 2 zu bewirken, so daß der Integrator 2 sogar während dieser Periode T stabil arbeitet.

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Die zuvor gegebene Beschreibung betrifft lediglich ein einziges bevorzugtes Ausführungsbeispiel für die vorliegende
Erfindung. Es ist jedoch ersichtlich, daß zahlreiche Modifikationen und Variationen durch den Fachmann ausgeführt werden können, ohne daß dazu der allgemeine Erfindungsgedanke
oder der Schutzumfang für die neuartigen Konzepte der Erfindung verlassen werden müßten. Der Schutzumfang für die vorliegende Erfindung ist durch die Ansprüche bestimmt.

Patentanwalt

u/u/t

Claims

Ansprüche:

(T) Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale, mit einer GIeichspannungsstromversorgung, mit einer Eingangsklemme zum Empfangen eines Eingangssignals, das pul breitenmoduliert werden soll, mit einem Integrator, der einen Eingang und einen Ausgang hat, mit einem Trägersignaloszillator zum Liefern eines Trägersignals, mit Schaltungsmitteln zum Liefern des Eingangssignals und des Trägersignals an die Eingangsklemme des Integrators, mit einem Komparator, der Eingangs- und Ausgangsklemmen hat, wobei dessen Eingangsklemme mit der Ausgangsklemme des Integrators verbunden ist und dessen Ausgangsklemme ein pulbreitenmoduliertes Signal erzeugt, und mit einem Ausgangsverstärker, der mit einer Gleichspannung aus der Stromversorgungsquelle versorgt wird und der Eingangsklemmen und eine Ausgangsklemme hat, wobei die Eingangsklemmen mit der Ausgangsklemme des Komparators verbunden sind und wobei an der Ausgangsklemme des Ausgangsverstärkers ein verstärktes pulsbreitenmoduliertes Signal abgegeben wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine negative Rückkopplungsschaltung zwischen die Eingangsklemme des Integrators (2) und die Ausgangsklemme des Ausgangsverstärkers geschaltet ist und daß eine Reihenschaltung einer Rückkopplungsimpedanz und eines ersten Schaltmit· tels vorgesehen ist, wobei das erste Schaltmittel nach einer vorbestimmten Zeitperiode (T) von dem Zeitpunkt an, zu dem die Gleichspannung aus der Stromversorgungsquelle an den Ausgangsverstärker gelegt wird, leitend gemacht wird, so daß keine Schwingung erzeugt wird.
2. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 1, dadurch gekennzei chnet , daß die Rückkopplungsimpedanz aus einem Rückkopplungswiderstand (9) besteht und daß das erste Schaltmittel aus einem ersten EIN/AUS-Schalter besteht.
3. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 1, dadurch gekennzei chnet , daß der Ausgangsverstärker aus einem Paar von komplementären MOS-Feldeffekttransistoren (6p, 6n) besteht, die zu einem C-MOS-Inverter (6) zusammengeschaltet sind.
4. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 3, dadurch gekennzei chnet , daß eine lokale negative Rückkopplungsschleife zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Integrators vorgesehen ist.
5. Verstärker für pul sbreitenmodul ierte Signale nach Anspruch 4, dadurch gekennzei chnet , daß die lokale negative Rückkopplungsschleife eine Reihenschaltung aus einer Impedanz und einem zweiten Schaltmittel enthält.
6. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 5, dadurch gekennzei chnet , daß das zweite Schaltmittel aus einem zweiten Ein/AUS-Schalter besteht.
7. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 6, dadurch gekennzei chnet , daß der zweite EIN/AUS-Schalter in Zusammenarbeit mit dem ersten EIN/AUS-Schalter wirksam ist.
8. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 7, dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t , daß der erste EIN/AUS-Schalter ein Paar von Anschlüssen (S₁ , S₁. )

ta id

enthält, daß für den ersten EIN/AUS-Schalter ein erster p-Kanal-MOS-FeIdeffekttransistör (10p), der eine Gate-, eine Source- und eine Drain-Elektrode hat, und ein erster n-Ka-

nal-MOS-Feldeffekttransistor (1On), der eine Gate-, eine Source- und Drain-Elektrode hat, vorgesehen sind, daß die Source-Elektroden des ersten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (10p) und des ersten η-Kanal-MOS-Feldeffekttransi-

κ stors (1On) miteinander und mit einem Anschluß (S₁,) des ^ ι a

Paares von Anschlüssen (S, , S,. ) verbunden sind, daß die Drain-Elektroden des ersten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (10p) und des ersten η-Kanal-MOS-Feldeffekttransi stors (1On) miteinander und mit einem anderen Anschluß ^ib^ ^^{es Paares von} Anschlüssen (S, , S,^) verbunden sind und daß die Gate-Elektroden des ersten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (10p) und des ersten η-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (10p) mit einen Paar von Steuersignalen mit unterschiedlichen Polaritäten versorgt werden, um gleichzeitig den Schaltzustand "EIN" oder den Schaltzustand "AUS" bewirken zu können.
9. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite EIN/AUS-Schalter ein Paar von Anschlüssen (So,» S?b^ enthält, daß für den zweiten EIN/AUS-Schalter ein zweiter p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (lip), der eine Gate-, eine Source- und eine Drain-Elektrode hat, und ein zweiter η-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor (lln), der eine Gate-, eine Source- und eine Drain-Elektrode hat, vorgesehen sind, daß die Source-Elektroden des zweiten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lip) und des zweiten η-Kanal-MOS-FeIdeffekttransistor (lln) miteinander und mit einem Anschluß (Sp ) des Paares von Anschlüssen (S., ^pu) verbunden sind, daß die Drain-Elektroden des zweiten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lip) und des zweiten η-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lln) miteinander und mit einem anderen Anschluß (Spu) des Paares von Anschlüssen (S₂ , S_2b) verbunden sind und daß die Gate-Elektroden des zweiten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lip) und des zweiten n-Könal-MOS-Feldeffekttransistors (lln) mit einem Paar von Steuersignalen mit unterschiedlichen Polaritäten versorgt werden, um gleichzeitig den Schaltzustand "EIN" oder den Schaltzu-

-4-stand "AUS" bewirken zu können.
10. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 9, dadurch gekennzei chnet , daß eine Gate-Steuerschaltung zum Leitendmachen des ersten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (10p) und des ersten n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (1On) sowie zum Nichtleitendmachen des zweiten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lip) und des zweiten η-Kanal-MOS-FeIdeffekttransistors (lln) vorgesehen ist.
11. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 10, dadurch gekennzei chnet , daß die Gate-Steuerschaltung aus einem Flipflop (15) besteht, das einen Setzsignaleingang (S), einen Rücksetzsignaleingang (R), einen nichtinvertierenden Ausgang (Q) und einen invertierenden Ausgang ("Q) hat, daß Schaltungsmittel zum Verbinden des Setzsignaleingangs (S) des Flipflop (15) mit dem Ausgang des Ausgangverstärkers und zum Verbinden des Rücksetzsignaleingangs (R) des Flipflop (15) mit der Stromversorgungsquelle vorgesehen sind, daß eine Schaltungsanordnung zum Verbinden des nichtinvertierenden Ausgangs (Q) mit der Gate-Elektrode des ersten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (10p) über einen ersten Inverter (17) und der Gate-Elektrode des ersten η-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (!On) über den ersten Inverter (17) und einen zweiten Inverter (18) vorgesehen ist und daß eine Schaltungsanordnung zum Verbinden des invertierenden Eingangs ("Q) mit der Gate-Elektrode des zweiten p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lip) über einen dritten Inverter (19) und mit der Gate-Elektrode des zweiten η-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors (lln) über den dritten Inverter (19) und einen vierten Inverter (20) vorgesehen ist.
12. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein Rücksetzimpuls-Generator vorgesehen ist, der zwischen die Stromversorgungsquelle und den Rücksetzsignaleingang (R)

-δι des Flip-flop (15) geschaltet ist.
13. Verstärker für pulsbreitenmodulierte Signale nach Anspruch 12, dadurch g e k e η η ζ e i c h ne t , daß der Rücksetzimpuls-Generator ein UND-Glied (13) enthält, das ein Paar von Eingängen und einen Ausgang hat, wobei ein Eingang des Paares von Eingängen direkt mit der Stromversorgungsquelle und der andere Eingang des Paares von Eingängen mit der Stromversorgungsquelle über eine Verzögerungsschaltung (14) und der Ausgang desselben mit dem Rücksetzsignaleingang (R) des Flipflop (15) verbunden ist.
14. Verstärker für pul sbreitenmodul ierte Signale nacfi Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungsschaltung (14) aus einer Vielzahl von in Reihe geschalteten Invertern (14,, 14., 14,J besteht.

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