DE3112019A1 - Verfahren und einrichtung zum polieren von halbleiterscheibchen - Google Patents

Verfahren und einrichtung zum polieren von halbleiterscheibchen

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DE3112019A1 DE19813112019 DE3112019A DE3112019A1 DE 3112019 A1 DE3112019 A1 DE 3112019A1 DE 19813112019 DE19813112019 DE 19813112019 DE 3112019 A DE3112019 A DE 3112019A DE 3112019 A1 DE3112019 A1 DE 3112019A1
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Description

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Anwaltsakte: 31 445
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheibchen, insbesondere dünnen Scheibchen aus einem Halbleitermaterial, wie Silizium, und betrifft insbesondere ein Verfahren und eine Einrichtung zum Polieren solcher Scheibchen, deren polierte Fläche eine gleichförmige Ebenheit aufweisen soll.
Moderne chemisch-mechanische Halbleiter-Polierverfahren werden üblicherweise mit einer Einrichtung durchgeführt, bei welcher die Scheibchen an einer Trägerplatte durch ein Halte- bzw. Klebemittel angebracht sind; hierbei wird auf die Scheibchen über den Träger mittels einer Andrückplatte eine Andrückkraft ausgeübt , um die Scheibchen durch Reibungskontakt an eine Polierauflage zu drücken, die an einem rotierenden Drehteller angebracht ist. Die Träger- und Andrückplatten drehen sich entweder aufgrund der Reibung mit dem Drehteller oder werden durch eine Antriebseinrichtung unmittelbar in Drehung versetzt, die an der Andrückplatte angebracht ist. Die an der Scheibchenoberfläche erzeugte Reibungswärme verbessert die chemische Wirkung eines Polierfluids und steigert folglich auch den Poliervorgang. Derartige Polierfluida sind beispiels-
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weise in der US-PS 3 170 273 beschrieben. Durch eine verstärkte Nachfrage der elektronischen Industrie nach polierten Halbleiterscheibchen wird die Forderung nach schnelleren Poliervorgängen noch unterstützt,wobei jedoch ziemlich große Belastungen bzw. Anpreßdrucke und ein entsprechend hoher Leistungseingang an den Poliereinrichtungen erforderlich sind. Der erhöhte Leistungseingang erscheint dann als Reibungswärme an der Scheibchenoberfläche. Um einen übermäßigen Temperaturanstieg zu vermeiden, wird die Wärme durch Kühlen des Drehtellers von dem System entfernt. Ein übliches Drehteller-Kühlsystem weist in der Drehtellerwelle koaxiale Kühlwassereinlässe und -auslasse auf, die im Inneren des Drehtellers mit Kühlkanälen verbunden sind, die in entsprechender Weise voneinander getrennt sind, um einen Umlauf zwischen dem Einlaß und dem Auslaß zu verhindern. Es hat.sich herausgestellt, daß eine Hauptursache für eine Verformung der Scheibchenoberflächen eine Krümmung bzw. Verformung der auf dem Drehteller angebrachten Polierfläche ist, was wiederum auf den Wärmefluß von der Scheibchenoberfläche zu dem Kühlwasser zurückzuführen ist, wodurch die Oberseite des Drehtellers auf einer höheren Temperatur liegt als dessen Unterseite. Dieser Temperaturunterschied führt zu einer unterschiedlichen thermischen Ausdehnung, wodurch die Drehtelleroberfläche gegen die Kühlfläche hin von der Drehachse zum Außenrand hin gebogen wird.
Der Scheibchenträger ist durch eine elastische Druckauflage bezüglich der Druckplatte thermisch isoliert. Folglich weist
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— β -»
der Träger ein thermisches Gleichgewicht mit einer im wesentlichen gleichförmigen Temperatur auf und bleibt eben. Aufgrund des Krüinmungsunterschiedes zwischen der durch die Scheibchen festgelegten Ebene und der gewölbten Oberfläche des Drehtellers wird zur Mitte des Trägers hin zuviel Material entfernt, was dann eine ungleichmäßige Scheibchendicke und damit eine schlechte Ebenheit zur Folge hat. Die fehlende Gleichmäßigkeit und Ebenheit wird bei größeren Scheibchendurchmessern, die bei der modernen Technologie gefordert werden, noch größer, was zu sehr ernsthaften Schwierigkeiten bei dem Endverbrauch der polierten Scheibchen oder Wafers führt, beispielsweise wenn polierte Siliziumscheibchen oder -wafer bei der Herstellung von Schaltungen mit einem hohen bzw. einem sehr Integrationsgrad, d.h. bei sogenannten LSI- bzw. VLSI-Schaltungen, verwendet werden. Bei diesen Anwendungsfällen werden im wesentlichen ebene, polierte Scheibchenflächen gefordert, um ein hohes Auflösungsvermögen bei den photolitographischen Schritten während der Herstellung von integrierten Schaltungen zu erhalten.
Ferner sind durch technologische Fortschritte die Verfahren verbessert worden, um Halbleiterscheibchen an der Trägerplatte zu haltern, so daß die Scheibchen verschiedenen Bearbeitungsvorgängen wie Waschen, Läppen, Polieren u.a. unterzogen werden können, ohne daß es zu einer mechanischen Verformung oder einer Unebenheit bei den polierten Scheibchen'Jcommt. Wenn beispielsweise zur Durchführung weiterer Bearbeitungsvorgänge
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— Q —
die Siliziumscheibchen an Trägerplatten mittels Wachs gehaltert werden, und insbesondere durch Polieren eine hochwertige Oberflächenbearbeitung vorgenommen wird, damit auf solchen
Scheibchen oder Wafern integrierte Schaltungen hergestellt
werden können, ist festgestellt worden, daß eingeschlossene
Luftblasen in der Wachsschicht unter den Scheibchen zu Fehlern in den Erzeugnissen führen, was auf die herkömmlichen Bearbeitungsmethoden zurückzuführen ist.
Eine solche unvollkommene Methode ist durch die US-Patentanmeldung S.N. 126 807 mit dem Titel "Verfahren und Einrichtung zum Haltern von dünnen Scheibchen oder Wafern mittels Wachs, um sie zu polieren" beschrieben. Die Verbesserungen, die mit Hilfe dieser Halterungsverfahren erreicht worden sind, stellen eine kleine Hilfe dar, um gleichförmig polierte, in sich ebene Halbleiterscheibchen zu erhalten. Im Hinblick auf die
Anforderungen der Halbleiter verarbeitenden Industrie können bei polierten Siliziumscheibchen keine Schwankungen in der
OberflHehemebunheit toleriert werden. Bei der Herstellung von sogenannten VLSI-Schaltungen muß eine hohe Packungsdichte der Schaltungselemente auf einem Siliziumwafer geschaffen werden können, was eine außerordentlich hohe Genauigkeit und ein hohes Auflösungsvermögen erfordert, wan wiederum eine bisher
nicht benötigte Ebenheit dor Scheibchen bedingt. Die erforderliche Ebenheit der polierten Scheibchen für derartige Anwendungszwecke, die bei weniger als etwa 2μπι zwischen dem Maximal- und dem Minimalwert liegt, kann nicht erreicht werden,
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wenn die an dem Träger gehalterten Scheibchen auf einer thermisch-mechanisch gewölbten Polierfläche poliert werden.
Gemäß der Erfindung soll daher ein Verfahren und eine Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheibchen geschaffen werden, indem die Ebenheit der polierten Scheibchen durch eine mechanische Einstellung der die Scheibchen polierenden Fläche verbessert wird, was durch ein mechanisches Wölben der Trägerscheibe erreicht wird, an welcher die Scheibchen gehaltert sind. Ferner soll gemäß der Erfindung ein Verfahren und eine Einrichtung der vorbeschriebenen Art geschaffen werden, bei welchen solche dünne Scheibchen u.a. geometrisch gehaltert werden, um so im wesentlichen Fehler in der polierten Oberfläche zu vermeiden, die auf einer Unebenheit der anliegenden Polierfläche beruhen.
Ferner soll gemäß der Erfindung ein Verfahren und eine Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheibchen geschaffen werden, mit welchen Scheibchen in besonders hohem Maße eben poliert werden können, so daß auf ihnen sogenannte VLSI-Schaltungen aufgebracht werden können. Ferner soll ein Verfahren und eine Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheibchen geschaffen werden, welche in Verbindung mit der Massenherstellung von sogenannten LSI- bzw. VLSI-Schaltungen leicht und einfach angewendet werden können und mit welchen Scheibchen oder Wafer aus einkristallinem Halbleiter-Silizium u.a. verarbeitet werden können. Darüber hinaus soll gemäß der Erfindung ein Ver-
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fahren und eine Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheibchen geschaffen werden, welche mit einem Minimum an manuellen Handgriffen in der Praxis ausgeführt werden kann und welche auch automatisiert werden könnten.Schließlieh soll gemäß der Erfindung eine Einrichtung zum Haltern von Scheibchen an einem verformbaren Träger geschaffen werden, bei welchem eine Verformung der Ebenheit vermieden werden kann, wenn die Scheibchen mit einer gewölbten Polierfläche in Anlage gebracht werden.
Gemäß der Erfindung ist dies mit einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Unteransprüchen 2 bis 9 angegeben. Gemäß der Erfindung ist dies ferner durch eine Einrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs
10 durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 10 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Einrichtung sind in den Unteransprüchen 11 bis 14 angeführt.
Durch die Erfindung ist eine verbesserte Ebenheit von polierten Scheibchen durch Einstellen des Oberflächenprofils an der Berührungsfläche mit den Scheibchen erreicht, welche durch eine Andrückplatte gegen eine Polierfläche gedrückt werden, die von einem Drehteller getragen ist, welcher eine thermisch und mechanisch bedingte Wölbung von der Drehachse zu seinem Randteil hin aufweist.
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Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig.1 im Schnitt eine schematische Darstellung einer herkömmlichen Einrichtung zum Durchführen eines Verfahrens zum Polieren von Scheibchen, die an einer Träger- und Ändrückplattenanordnung gehaltert sind und durch diese gegen einen rotierenden Drehteller gedrückt werden, an welchem ein Polierteil angebracht ist;
Fig.2 eine vertikale Schnittansicht durch die Scheibchen tragende Trägerplatte entlang der Linie 2-2 der Fig.1i
Fig.3 eine vergrößerte Darstellung eines Teils der
herkömmlichen, in Fig.1 wxedergegebenen Einrichtung, wobei im Schnitt die nichtplane Berührungsfläche der Scheibchen mit dem wassergekühlten, gewölbten Drehteller wiedergegeben ist, welcher die Polierauflage trägt, und
Fig.4 eine Schnittansicht von Teilen der Einrichtung < gemäß der Erfindung, wobei der Scheibchenträger in einer konkaven Form verformt ist.
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Nachfolgend sind in den einzelnen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen die gleichen oder einander entsprechende Teile bezeichnet.
Zur Zeit werden chemisch-mechanische Polierverfahren für Silizium- und andere Halbleiter-Wafer oder -Scheibchen üblicherweise auf einer Einrichtung ausgeführt, wie sie in Fig.1 dargestellt ist. Die Wafer oder Scheibchen 1 sind an einem TrS-yer S durch Halte- oder Klebemittel 3 befestigt, die entweder Wachs oder eines von verschiedenen wachsfreien Haltemitteln sein können, welche dafür sorgen, daß Scheib'chen durch Reibung, Oberflächenspannung oder auf andere Weise an dem Träger 5 haften. Der Träger 5 ist über eine elastisch federnde Druckunterlage 7 an einer Druckplatte 9 gehaltert, welche Ihrerseits über einen Ti\uj- und Lagerniechan!stoiiä 11 an einer Welle 13 gehaltert ist; die Welle 13 und das Lager 11 nehmen eine Belastung 15 auf , die auf die Druckplatte 9 und lüLztendlich auf. die Scheibchen 1 ausgeübt wird, wenn diese (1) während des Betriebs durch Drehen mit einer Polierauflage 19 in Kontakt kommen, wenn beispielsweise ein Drehteller 21 gedreht wird, indem die Drehbewegung des Trägers 5 durch Reibung übertragen wird, oder er durch eine unabhängige Antriebseinrichtung angetrieben wird. Der Drehteller 21 wird um eine Welle 25 gedreht, welche einen Kühlwasserauslaß 27 und einen -einlaß 29 aufweist, die mit einem Hohlraum im Inneren des Drehtellers in Verbindung stehen, wobei die beiden Kühlströme durch ein Umlenkteil 23 voneinander getrennt sind.
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Die heute geforderten höheren Poliergeschwindigkeiten führen beim Polieren zu höheren Belastungen und bedingen einen entsprechend hohen Leistungseingang. Diese höhere Drehzahl und der höhere Leistungseingang erscheinen während des Polierens als Reibungswärme an der Scheibchenoberfläche. Um einen übermäßigen Temperaturanstieg zu verhindern, wird Wärme durch Kühlen des Drehtellers aus dem System entfernt, wie in Fig.1, 2 und 4 dargestellt ist.
Wenn Silizium-Scheibchen mit der in Fig.1 dargestellten Einrichtung poliert werden, hat sich ergeben, daß Materialvon den Oberflächen der an dem Träger gehalterten Scheibchen nicht gleichmäßig entfernt wird, sondern zur Mitte des Trägers hin stärker und zum Außenrand des Trägers hin geringer .. Dies hat dann im allgemeinen ein Dünnerwerden oder Verjüngen der Scheibchen in radialer Richtung von der Mitte des Trägers aus zur Folge. Die radiale Verjüngung (RT) läßt sich folgendermaßen festlegen: RT = T - T..
T ist an der Stelle 33 die Scheibchendicke von 3,2mm von dem äußeren Rand aus und T. ist an der Stelle 31 die Scheibchendicke von 3,2mm von dem Innenrand des Scheibchens aus, wie in Fig.2 dargestellt ist. Es ist nicht ungewöhnlich, daß die radialen Verjüngungswerte bis zu 15μπι bei größeren Scheibchen betragen. Bei der modernen Halbleitertechnologie werden immer stärker Siliziumscheibchen bzw. -wafer mit größerem Durchmesser gefordert; folglich wirkt sich diese radiale Verjüngung
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bei diesen größeren Durchmessern noch stärker aus. Scheibchen oder Wafer mit einer entsprechend großen radialen Verjüngung haben eine verhältnismäßig schlechte Ebenheit, was zu großen Schwierigkeiten bei der Verwendung von Scheibchen oder Wafern in Schaltungen mit einem hohen und sehr hohen Integrationsgrad führt.
Die Schwierigkeit aufgrund einer radialen Verjüngung ist im wesentlichen das Ergebnis einer Verformung des Drehtellers von einer ebenen oder planen Fläche in eine nach oben konvexe Fläche, was sich aufgrund von thermischen und mechanischem Beanspruchungen ergibt. Diese Erscheinung ist etwas übertrieben in Fig.3 dargestellt. Ein Hauptteil der Verformung wird thermisch durch den Wärmefluß 35 von den Oberflächen der Scheibchen 1 zu dem Kühlwasser hervorgerufen, wodurch die Temperatur an der oberen Fläche des Drehtellers höher ist als die auf der unteren Fläche, welche im wesentlichen auf der Kühlwassertemperatur liegt. Dieser Temperaturunterschied hat eine unterschiedliche Wärmeausdehnung zur Folge, wodurch die Drehtelleroberfläche und die auf dieser aufgebrachte Polierauflage 19 zu dem Außenrand hin nach unten bzw. abwärts gewölbt werden. Der Träger 5 ist durch die elastische Druckauflage 7 thermisch bezüglich der Druckplatte 9 isoliert. Folglich befindet sich der Träger auf einer im wesentlichen gleichförmigen Temperatur im Gleichgewicht und bleibt eben. Der Krümmungsunterschied zwischen dem Träger 5 und dem Drehteller 21 führt zu einer übergroßen Materialentfernung zur Mitte des Trägers 5 hin, was
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dann die Schwierigkeit aufgrund einer radialen Verjüngung zur Folge hat. Lösungen, die außer dem Verfahren und der Einrichtung gemäß der Erfindung teilweise die Schwierigkeit beseitigen, würden natürlich darin bestehen/ die Poliergeschwindigkeit zu erniedrigen und damit den Wärmefluß zu verringern, bis die Verformung toleriert werden kann. Jedoch würde eine derartige Geschwindigkeitsverringerung in starkem Maße auch den Scheibchendurchsatz der Poliereinrichtung verringern und folglich die Scheibchenpolierkosten erhöhen. Eine wirtschaftlichere Lösung ist durch das Verfahren und die Einrichtung gemäß der Erfindung erreicht, bei welcher eine Einstellung der Einrichtung geschaffen ist, durch welche die geometrischen Schwierigkeiten ausgeglichen werden, die sich aus dem Wärmefluß ergeben, obwohl gleiche oder höhere Polierraten bzw. -geschwindigkeiten erhalten werden.
In Fig.4 sind eine hohle Welle 39 und die Andrückplatte 9 gemäß der Erfindung ausgelegt, wodurch eine Vakuum- oder ünterdruckausnehmung 37 geschaffen ist, die mit dem Raum oder einer Vakuumkammer zwischen der Andrückplatte 9, dem Träger 5 und der elastischen Auflage 7 in Verbindung steht. Die ganzflächige ,elastische Druckauflage der herkömmlichen Einrichtung ist durch eine ringförmige, elastische Auflage ersetzt, und das Material der Druckauflage ist so gewählt, daß es luftundurchlässig ist, wie beispielsweise Gummi oder Kautschuk oder elastische Polymerisationsmaterialien. Während eines Poliervorgangs ist eine Vakuumquelle mit der Vakuumausnehmung 37 ver-
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bunden, und der Luftraum zwischen dem Träger 5 und der Andrückplatte 9 ist teilweise entleert. Durch den Differenzdruck bzw. den Druckunterschied an dem Träger 5 wird dieser in eine sich nach unten öffnende konkave Form verformt, welche so gemacht werden kann, daß sie der verformten Fläche des Drehtellers angepaßt ist, wie in Fig.4 dargestellt ist. Auf diese Weise polierte Scheibchen oder Wafer zeigen eine stark verbesserte radiale Verjüngung und damit eine-bessere Ebenheit.
In der praktischen Durchführung wird die Verformung des Trägers 5 dadurch eingestellt, daß die Größe des Vakuums und/oder der Durchmesser (die Fläche) der ringförmigen Druckauflage geändert wird, bis eine zufriedenstellende radiale Verjüngung und eine entsprechende Ebenheit erhalten werden. In einigen Fällen kann es erforderlich sein, dieDlcke der Trägerplatte zu ändern, um die Verformung in den richtigen Boreich y.xi bringen, um sie der Verformung des Drehtellers anzupassen.
In den folgenden Beispielen 2 bis 6 sind die mit der Erfindung erisJelbaren Ergebnisse im Vergleich zu einem Beispiel 1 dargestellt, das eine herkömmliche Anwendung zeigt. Beispiele
Das Verfahren und .die Einrichtung, wie sie in Fig.1, 3 und dargestellt sind, wurden beim Polieren von Siliziumscheibchen oder -wafern von 100mm (Durchmesser) angewendet. Die Trägerplatten waren bei einem Durchmesser von 31,75cm 1,27cm dick
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und waren aus rostfreiem Stahl hergestellt. Die ringförmige Druckaufläge hätte einen Innenduröhmeö6er von 20,3cm und einen Außendurchmesser von 26,7cm. Die Poliertemperatür betrug etwa 53°C, und die folgenden Ergebnisse wurden erhalten, wobei die einzige Veränderliche das angelegte Vakuum (in cm HG) war.
In der nachstehenden Tabelle ist der Einfluß der Änderung des angelegten Vakuums auf die radiale Verjüngung RT und die Ebenheit bei polierten Scheibchen oder Wafer von 100mm (Durchmesser) wiedergegeben.
Tabelle Beispiel
1 2 3 4 5 6
Angelegtes Vakuum cm Hg
22,3 35,6 50,8 61,0 68,6
Radiale Verjüngung in μΐη (durchschnittlich)
11,9 9,9 7,6 3,3 0,2
-2,3
Waferebenheit in μπι
(durchschnittlich)
4,0 2,4
1,4
1,1 0,9 1,7
Aus den in der Tabelle angeführten Daten ist zu ersehen, daß die Wirksamkeit des Verfahrens und der Einrichtung gemäß der Erfindung physikalische Grenzen in der Praxis erreicht, d.h., daß in Beispiel 6 die konkave Verformung der Trägerplatte in negativer Weise stärker als die Drehtellerwölbung wird und die Ergebnisse folglich unerwünscht sind. Die Daten, die bei den Beispielen 1 bis 6 wiedergegeben sind,
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zeigen deutlich die Brauchbarkeit der Erfindung im Unterschied zu den herkömmlichen Verfahren, wie in Beispiel 1 und ein überkompensieren durch die Erfindung wie in Beispiel 6 wiedergegeben ist.
Knde der Beschreibung
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Claims (14)

Patentansprüche
1. Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheibchen, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Fläche eines verformbaren, dünnen, scheibenförmigen Scheibchenträgers (5) durch Vakuum an einer drehbaren, mit einer elastischen Auflage (7) versehenen Andrückplatte (9) gehalten ist, wobei an der zweiten Fläche des Trägers (5) mindestens ein dünnes Scheibchen (1) gehalten ist, daß der Scheibchenträger (5) in konvexer Form nach innen zu der mit der elastischen Auflage (7) versehenen Andrückplatte (9) hin verformt wird, wobei die zweite Fläche des konkaven Trägers (5)
- 2 VII/XX/Ha
»(089)988272 Telegramme: 1 O U U O H / U ( IU Bankkonten: Hypo-Bink München 4410122850
988273 BERGSTAPFPATENT München (BLZ 70020011) Swift Code: HYPO DE MM
988274 TELEX: · Bayet Vereinsbank MUnchen 453100(BLZ 70020270) 983310 0524560 BERQ d Poilscheck München Λ5341 BUS (BL/ 70OHKlHi)J
das oder die Scheibchen (1) trägt, und daß das oder die an der konkaven Trägerfläche gehaltenen Scheibchen (1) an einer an einem Drehteller (21) angebrachten, drehbaren Polierfläche anliegen, wobei der Drehteller (21) eine Achse aufweist, um eine Oberflächenwolbung · wegzudrücken oder -zuhalten, wobei die Wölbung weg von der Berührungsfläche der Scheibchen (1) verläuft, die durch Drehen poliert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polieren durch Drehen des Drehtellers (21) und durch durch Reibung bewirktes Drehen der drehbaren Andrückplatte (9) und des konkaven Trägers (5) erreicht wird, an dem Scheibchen (1) gehaltert sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Drehteller (21) als auch die Andrückplatte (9) unabhängig voneinander angetrieben und gedreht werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der verformbare, dünne, scheibenförmige Scheibchenträger (5) durch ein Vakuum an der Andrückplatte (9) über einen elastischen Ring (7) gehalten ist, der eine Vakuumkammer zwischen der ersten Fläche des scheibenförmigen Trägers (5) und der Andrückplatte (5) festlegt, wobei durch die Vakuumkammer ein Steuern einer Verformung des scheibenförmigen Trägers (5) verbessert ist.
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5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Andrückplatte (9), der Träger (5) und die Scheibchen (1) über der Polierfläche des Drehtellers (21) angeordnet ist,und daß die Trägerplatte (5) mit ihrer zweiten Fläche konkav bezüglich des Drehtellers (21) verformt wird, welcher von seiner Drehachse zum Rand hin nach unten gekrümmt ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch geke. nnzeichn e t, daß die Scheibchen (1) aus Halbleitermaterialien gebildet sind und eine Dicke von etwa 200 bis etwa 750μΐη haben.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material Silizium ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die polierten Scheibchen eine radiale Verjüngung
(RT) von weniger als etwa 2,5μπι aufweisen.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ebenheit der Scheibchen (1) durchschnittlich
kleiner als etwa 1,5μπι ist.
10. Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheibchen, dadurch gekenn ze ichnet, daß eine dünne verformbare Trägerscheibe (5) an einem elastischen Ring (7) gehaltert ist, welohtsr seinerseits an ein^r drtshbaren Andrückplatte (9) q«haHtsr1 ist, daß die Andrückplatte (9), der elastische Ring (7) und die
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erste Fläche des Trägers (5) eine Kammer bilden, die mit einer Vakuumeinrichtung in Verbindung steht, um die Trägerscheibe (5) zu der Kammer hin in einer nach innen konvexen Form zu verformen, daß an einer zweiten konkaven Fläche des verformten Trägers Scheibchen (1) gehaltert sind, und daß die Scheibchen (1) rotierend mit einer Polierauflage (19) in Anlage bringbar sind, die an einem Drehteller (21) angebracht ist, der zum Ableiten der Wärme von der Polierauflage (19) und der ersten Oberfläche des Drehtellers (21) in seinem Inneren eine Kühleinrichtung (27, 29) aufweist, durch die die zweite Oberfläche des Drehtellers (21) während des Polierens kühler ist als die erste Oberfläche, was dann eine thermische Wölbung ■ des Drehtellers (23) zu der zweiten Fläche hin zur Folge hat.
11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheibchen (1) durch Wachs an der konkaven Fläche des Trägers (5) gehaltert sind.
12. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der rotierende Drehteller (21) durch Reibung eine Drehung des scheibchen_tragenden Trägers (5) und der Andrückplatte (9) schafft.
13. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheibchen (1) durch eine unabhängige, die Andrückplatte (9) drehende und antreibende Einrichtung gedreht werden.
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14. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere, eine Trägerplatte haltende Andrückplatten an dem Drehteller (21) entsprechend den radialen Abmessungen des Drehtellers (21) in Anlage bringbar sind.
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