DE60030601T2 - Vorrichtung zum chemisch-mechanisch Planarisieren - Google Patents

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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Gerät für CMP (chemischmechanisches Planarisieren) von Halbleiterscheiben gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1. Ein Beispiel eines solchen Geräts ist in US 5549502 A offenbart.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Das meiste der Leistung und Nützlichkeit heutiger digitaler IC-Anordnungen kann auf die anwachsenden Integrationsgrade zurückgeführt werden. Mehr und mehr Komponenten (Widerstände, Dioden, Transistoren und dergleichen) werden ständig in den eigentlichen Chip oder IC integriert. Das Startmaterial für typische ICs ist Silizium sehr hoher Reinheit. Das Material wird als ein Einkristall gewachsen. Es nimmt die Form eines massiven Zylinders an. Dieser Kristall wird dann gesägt (wie ein Brotlaib), um Scheiben, die typisch 10 bis 30 cm im Durchmesser und 250 μm dick sind, zu erzeugen.
  • Die Geometrie der Strukturelemente der IC-Komponenten werden gemeinhin durch einen als Photolithografie bekannten Prozess definiert. Sehr feine Oberflächengeometrien können mit dieser Technik genau reproduziert werden. Der Photolithografieprozess wird benutzt, um Komponentengebiete zu definieren und Komponenten in einer Schicht auf einer anderen aufzubauen. Komplexe ICs können oft viele verschiedene aufgebaute Schichten haben, wobei jede Schicht Komponenten hat, jede Schicht verschiedene Verbindungen hat, und jede Schicht auf die vorhergehende Schicht gestapelt ist. Die resultierende Topografie dieser komplexen ICs ähneln oft bekannten terrestrischen „Gebirgsketten", mit vielen „Bergen" und „Tälern", so wie die IC-Komponenten auf die darunter liegende Oberfläche der Siliziumscheibe aufgebaut sind.
  • In dem Photolithografieprozess wird ein Maskenbild, oder eine Struktur, welche die verschiedenen Komponenten definiert, unter Verwendung von ultraviolettem Licht auf eine photoempfindliche Schicht fokussiert. Das Bild wird mit den optischen Mitteln der Photolithografieanlage auf die Oberfläche fokussiert und wird in die photoempfindliche Schicht belichtet. Um immer kleinere Strukturelemente zu bauen, müssen zunehmend kleinere Bilder auf die Oberfläche der photoempfindlichen Schicht fokussiert werden, d.h. die optische Auflösung muss zunehmen. Wenn die optische Auflösung zunimmt, verengt sich die Fokustiefe des Maskenbildes entsprechend. Das ist zurückzuführen auf den schmalen Bereich in Fokustiefe, der von den Linsen hoher numerischen Apertur in der Photolithografieanlage aufgezwungen wird. Diese Verschmälerung der Fokustiefe ist oft der limitierende Faktor in dem erhältlichen Auflösungsgrad und also der kleinsten erhältlichen Komponenten bei Verwendung der Photolithografieanlage. Die extreme Topografie komplexer ICs, die „Berge" und „Täler", verstärken den Effekt der abnehmenden Fokustiefe. Also ist, um das Maskenbild, das Submikron-Geometrien definiert, korrekt auf die photoempfindliche Schicht zu fokussieren, eine präzis flache Oberfläche gewünscht. Die präzis flache (d.h. komplett planarisierte) Oberfläche erlaubt extrem kleine Fokustiefen und erlaubt in Folge die Definition und Fabrikation von extrem kleinen Komponenten.
  • Chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) ist das bevorzugte Verfahren, eine völlige Planarisierung einer Scheibe zu erzielen. Es umfasst das Entfernen einer Opferschicht aus dielektrischem Material oder Metall unter Verwendung eines mechanischen Kontakts zwischen der Scheibe und einem sich bewegenden Polierpad mit chemischer Hilfe einer Polierschlämme. Polieren ebnet Höhenunterschiede, da hohe Bereiche der Topografie (Berge) schneller entfernt werden als Bereiche niedriger Topografie (Täler). CMP ist die einzige Technik mit der Fähigkeit, Topografie über Planarisierungsabstände im Millimeterbereich zu glätten, und zu Maximalwinkeln von viel weniger als einem Grad nach dem Polieren zu führen.
  • 1 zeigt eine Seitenschnittansicht einer konventionellen CMP-Maschine 100 wie die Strasbaugh 6DS-SP. Die CMP Maschine 100 besteht typischerweise aus einem Tisch 104, oder Drehteller, der mit einem Polierpad 102, das aus einem elastischen Material gemacht ist, bedeckt ist. Das Polierpad 102 ist typischerweise strukturiert, oft mit einer Vielzahl von vorher festgelegten Rillen, um den Polierprozess zu unterstützen. Das Polierpad 102 und der Tisch 104 rotieren mit einer vorher festgelegten Geschwindigkeit. Die Scheiben 105 werden an den unteren Enden von Spindeln 101 festgehalten, um mit der Vorderseite nach unten poliert zu werden. Die Spindeln 101 werden durch Motorbaugruppen 110 , die sich in einem Brückengehäuse 120 befinden, angetrieben. Das Brückengehäuse 120 selbst bewegt sich in einer Translationsbewegung (angedeutet mit Pfeil 130), und erlaubt dabei den Scheiben 105, mehr der Oberfläche des Polierpads 102 abzudecken. Typischerweise enthält die CMP-Maschine 100 auch einen Schlämmeverteilmechanismus zum Verteilen eines Schlämmeflusses auf dem Polierpad 102. Die CMP-Maschine 100 kann auch eine Umhüllung 140 zum Bereitstellen einer isolierten Umgebung für CMP-Arbeitsvorgänge enthalten.
  • Die Schlämme ist eine Mischung aus entionisiertem Wasser und Poliermitteln, entworfen, um chemisch und mechanisch die Scheibe zu glätten und vorhersagbar zu planarisieren. Die rotierende Arbeitsweise von sowohl dem Polierpad 102 als auch der Spindeln 101 und die Translationsbewegung des Brückengehäuses 120 in Verbindung mit der polierenden Arbeitsweise der Schlämme kombinieren sich, die Scheiben 105 so zu planarisieren oder polieren, dass Topografie über Planarisierungsabstände im Millimeterbereich fast komplett weggeglättet wird. Sofort wenn CMP beendet ist, werden die Scheiben 105 von dem Polierpad 102 entfernt und für die nächste Phase in dem Anordnungsfabrikationsprozess vorbereitet.
  • Bei der Rate, mit der die Scheiben 105 planarisiert werden, wird generell von der Abtragsrate gesprochen. Eine konstante und voraussagbare Abtragsrate ist für die Uniformität und Leistung des Scheibenfabrikationsprozesses wichtig. Die Abtragsrate sollte zweckdienlich sein, trotzdem exakt planarisierte Scheiben, frei von Oberflächentopografie, hervorbringen. Wenn die Abtragsrate zu langsam ist, nimmt die Anzahl der planarisierten Scheiben, die in einer gegebenen Zeitperiode produziert werden, ab, was den Scheibendurchsatz des Fabrikationsprozesses verringert. Wenn die Abtragsrate zu schnell ist, kann der CMP-Prozess über die Oberfläche der Scheibe ungleichmäßig sein, was die Ausbeute des Fabrikationsprozesses verringert. Also ist es wichtig, die Abtragsrate präzise zu steuern.
  • Die Abtragsrate kann aber von einer Scheibe zu einer anderen variieren. Auch wenn die Scheiben zur selben Zeit poliert werden, können Unebenheiten in der Oberfläche der Scheiben und des Polierpads dazu führen, dass eine Scheibe schneller poliert wird als eine andere. Die Abtragsrate kann auch von einer Charge zu einer anderen Charge variieren, wenn das sich Polierpad ungleichmäßig abnutzt. Das Ergebnis ist, dass die Scheiben ungleichmäßig planarisiert werden.
  • Was deshalb gebraucht wird, ist ein verbessertes Gerät und Methodik zum Durchführen von CMP. Was weiter gebraucht wird, ist ein Gerät zum derartigen Durchführen von CMP, dass die Scheiben gleichmäßig planarisiert werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
  • Entsprechend schafft die vorliegende Erfindung ein Gerät zum Ausführen chemisch-mechanischer Planarisierung (CMP) von Halbleiterscheiben mit Verbesserung von Prozessfenster, Prozessflexibilität und Kosten, das die Merkmale von Anspruch 1 aufweist. Speziell erlaubt die vorliegende Erfindung unabhängige Mikro-Steuerung jeder Spindel für abgestimmte CMP-Leistung.
  • Die vorliegende Erfindung schafft, in einer Ausführungsform, ein CMP-Gerät, das eine stationäre Brücke umfasst, die eine Zahnstangenbaugruppe aufnimmt. Die Zahnstangenbaugruppe ist an eine Vielzahl von Spindel-Motor-Baugruppen gekoppelt, von denen jede gekoppelt ist, eine Spindel zu drehen. Bezeichnenderweise wird Translationsbewegung der Spindeln mit der Zahnstangenbaugruppe erreicht. Weiterhin kann die Translationsbewegung der Spindeln unabhängig und individuelle gesteuert werden. Ein Vorteil des vorliegenden unabhängigen Spindelbewegungsdesigns erlaubt Optimierung des CMP-Prozesses für jede Spindel und ermöglicht genauere Voraussage des Effekts der Translation auf die CMP-Leistung. Unabhängige Rotation und Anpresskraftfähigkeit der vorliegenden Erfindung schaffen zusätzliche Flexibilität in Hinsicht auf Einstellen der Polierraten und Uniformität. Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, dass eine kompaktere Umhüllung für die Isolation der Scheiben erreicht werden kann.
  • Entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung enthält das CMP-Gerät einen mit einem Polierpad bedeckten Drehtisch; Spindeln, die ausgebildet sind, Scheiben gegen das Polierpad zu drücken; an die Spindeln gekoppelte Spindel-Motor-Baugruppen, die ausgebildet sind, die Scheiben auf dem Polierpad zu drehen. Translationsbewegungen der Spindeln über das Polierpad werden individuell durch den Zahnstangenmechanismus getrieben, der innerhalb eines Brückengehäuses enthalten ist. In der vorliegenden Erfindung sind die Zahnstangenbaugruppen individuell mikro-gesteuert, um eine CMP-Leistung zu erreichen, die maßgeschneidert für den speziellen CMP-Prozess ist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die begleitenden Zeichnungen, die in dieser Spezifikation enthalten sind und einen Teil davon bilden, illustrieren Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erklären. Es zeigen:
  • 1 eine Seitenansicht eines konventionellen CMP-Geräts, und
  • 2 eine erklärende Seitenansicht eines CMP-Geräts gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Detail wird jetzt Bezug genommen auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, ein Gerät zur Durchführung von CMP mit verbesserten Prozessfenster, Prozessflexibilität und Kosten, ein Beispiel, das in der begleitenden Zeichnung illustriert wird. Während die Erfindung in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wird, soll verstanden werden, dass diese nicht gedacht sind, die Erfindung auf diese Ausführungsformen zu limitieren. Im Gegensatz, die Erfindung ist gedacht, Alternativen, Modifikationen und Äquivalente, die in den Geist und den Rahmen der Erfindung, wie sie in den anhängenden Ansprüchen definiert sind, eingeschlossen werden können, abzudecken. Außerdem sind in der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein umfassendes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu schaffen. Aber es wird Fachleuten deutlich sein, dass die vorliegende Erfindung ohne diese spezifischen Details praktiziert werden kann. In anderen Fällen sind gut bekannte Verfahren, Prozeduren, Komponenten und Schaltungen nicht im Detail beschrieben, um verwirrende Aspekte der vorliegenden Erfindung zu vermeiden.
  • Chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) ist ein bevorzugtes Verfahren, um völlige Planarisierung einer Halbleiterscheibe mit Anordnungen für Fabrikationsprozesse zu erzielen. Der CMP-Prozess umfasst das Entfernen von einer oder mehrerer Materialschichten (z.B, dielektrisches Material, Aluminium, Wolfram- oder Kupferschichten oder dergleichen), wobei sowohl der Reibungskontakt zwischen der Scheibe und einem sich bewegenden Polierpad, das mit einer Polierschlämme gesättigt ist, wie auch die chemische Wirkung der Schlämme selbst verwendet wird. Polieren durch den CMP-Prozess glättet Höhendifferenzen, da hohe Gebiete der Topografie (Berge) schneller entfernt werden als Gebiete niedriger Topografie (Täler). Der CMP-Prozess ist die bevorzugte Technik mit der Fähigkeit, über Planarisierungsabstände im Millimeterbereich die Topografie zu glätten und zu Maximalwinkeln von viel weniger als einem Grad nach dem Polieren zu führen.
  • Die vorliegende Erfindung schafft ein Gerät für chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) von Halbleiterscheiben, das unabhängige Mikro-Steuerung jeder Spindel für maßgeschneiderte CMP-Leistung erlaubt. Das CMP-Gerät der vorliegenden Ausführungsform enthält eine stationäre Brücke; die eine Zahnstangenbaugruppe enthält. Die Zahnstangenbaugruppe ist an Vielzahl von Motorbaugruppen gekoppelt, von denen jede gekoppelt ist, eine Spindel zu rotieren. Bezeichnenderweise sind die Translationsbe wegungen der Spindeln individuell und unabhängig von der Zahnstangenbaugruppe gesteuert. Ein Vorteil des vorliegenden unabhängigen Spindelbewegungsdesigns erlaubt die Optimierung des CMP-Prozesses für jede Spindel und ermöglicht eine genauere Voraussage des Effekts der Translationsbewegung auf den CMP-Prozess. Unabhängige Rotation und Anpresskraftfähigkeit der vorliegenden Erfindung schaffen zusätzliche Flexibilität in Bezug auf das Einstellen der Polierraten und der Uniformität. Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, dass eine kompaktere Umhüllung für die Isolation der Scheiben erreicht werden kann.
  • 2 zeigt eine Seitenschnittansicht eines CMP-Geräts 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das CMP-Gerät 200 besteht aus einem Tisch 204, oder Drehteller, der mit einem Polierpad 202 bedeckt ist. Das Polierpad 202 und der Tisch 204 rotieren mit einer vorher festgelegten Geschwindigkeit. Die Scheiben 205 werden am unteren Ende der Spindeln 201 festgehalten, um mit der Vorderseite nach unten poliert zu werden. Die Spindeln 201 werden durch Spindel-Motor-Baugruppen 210 rotiert, die zwischen einem Brückengehäuse 220 und den Spindeln 201 gekoppelt sind. Das Brückengehäuse 220 selbst ist stationär. Das CMP-Gerät 200 kann auch einen Schlämmeverteilmechanismus zum Verteilen eines Schlämmeflusses auf dem Polierpad 202 enthalten. Das CMP-Gerät 200 kann auch and Maschinen und Geräte gekoppelt werden, welche die Polierrate der Scheiben 205 überwachen.
  • Bezeichnenderweise enthält das Brückengehäuse 220 die Zahnstangenbaugruppen 250, wie in 2 illustriert ist. Wie gezeigt, ist jede Zahnstangenbaugruppe 250 an die Spindel-Motor-Baugruppe 210 gekoppelt. In der vorliegenden Ausführungsform ist jede Zahnstangenbaugruppe 250 an ein elektronisches Steuerungssystem (nicht gezeigt) des CMP-Geräts 200 gekoppelt.
  • Im Betrieb wird die Zahnstangenbaugruppe 250 individuell gesteuert, um eine einstellbare Translationsbewegung für die Spindeln 201 zu schaffen. Mit anderen Worten, die Translationsbewegung einer Spindel ist vollkommen unabhängig von der Bewegung einer anderen Spindel. Im Vergleich zu konventionellen CMP-Geräten (z.B. CMP-Gerät 100) schafft die vorliegende Erfindung einen zusätzlichen Freiheitsgrad für die Bewegung der Spindeln 201, und ermöglicht so, den CMP-Prozess für jede individuelle Spindel 201 zu optimieren. Wenn beispielsweise eine der Scheiben 205 bei einer höheren Rate poliert wird als eine andere, kann die Translationsbewegung der entsprechenden Spindel(n) eingestellt werden, die Polierrate zu erhöhen/zu verringern.
  • Zur Unterstützung der vorliegenden Ausführungsform wird die Rotationsbewegung der Spindeln 201 durch die Spindel-Motor-Baugruppen 210 individuell gesteuert. Zusätzlich enthält das Brückengehäuse 220 Mechanismen (nicht gezeigt) zum Versorgen jeder Spindel 201 mit unabhängig und individuell einstellbarer Anpresskraft. Unabhängige Rotation und Anpresskraftfähigkeit der vorliegenden Erfindung schafft zusätzliche Flexibilität in Bezug auf Polierraten und Uniformität.
  • Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, dass eine kompaktere Umhüllung für die Isolation der Scheiben erreicht werden kann. CMP-Prozesse können Defekte in die Halbleiterscheiben einbringen. Ein möglicher durch den CMP-Prozess gebildeter Defekt ist die Bildung einer Oxidationsschicht auf einer Komponente in der Halbleiterscheibe. Die Oxidationsschicht kann nachfolgende Fabrikationsanwendungen an den Halbleiterscheiben beeinflussen, so wie die Haftung nachfolgend deponierter Materialschichten. Die Anwesenheit von Schmutz oder anderer physikalischen Verunreinigungen kann die Ebenheit oder Glätte der fertigen Halbleiterscheibe beeinflussen. Die Partikel können von einer Größe, Härte oder Charakteristik sein, welche den CMP-Prozess beeinflussen. Also ist es wichtig, Sauerstoff, Fremdpartikel und Feuchtigkeitsverunreinigungen in dem CMP-Betrieb auszuschließen. Eine detailliertere Beschreibung der Verunreinigungsprobleme während des CMP-Betriebs und ihre Lösungen können in der US-Patent-Applikation mit der Seriennummer 09/305.977 mit dem Titel „Method and Apparatus For A Gaseous Envirenrnent Providing Improved Control of CMP Processs" von Charles F. Drill et al., eingereicht am 5. Mai 1999 und zugewiesen dem gegenwärtigen Rechtsnachfolger, was hier als Hintergrundmaterial als Referenz aufgenommen ist.
  • Entsprechend enthält das CMP-Gerät 200 in der vorliegenden Aisführungsform eine optionale abgedichtete Umhüllung 280, um eine isolierte Umgebung für den CMP-Betrieb zu schaffen. In anderen Lösungen für das CMP-Verunreinigungsproblem muss das gesamte CMP-Gerät (z.B. das CMP-Gerät 100) umhüllt werden, um eine isolierte Umgebung für die Scheiben zu schaffen. Im Vergleich kann in der vorliegenden Ausführungsform eine kompaktere Umhüllung 280 erzielt werden, weil das Brückengehäuse 200 stationär ist.
  • Man muss sich aber bewusst sein, dass die vorliegende Erfindung ein stationäres Brückengehäuse nicht erfordert. In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann das Brückengehäuse bewegbar sein, um Translationsbewegung als Ergän zung zu der von der Zahnstangenbaugruppe geschaffenen Translationsbewegung zu schaffen. In der Ausführungsform kann die von dem Brückengehäuse geschaffene Translationsbewegung senkrecht zu der von der Zahnstangenbaugruppe geschaffenen sein. Auf diese Weise kann sogar mehr Prozessflexibilität erzielt werden.
  • Die vorliegende Erfindung, ein Gerät für chemisch-mechanische Planarisierung mit verbesserten Prozessfenster, Prozessflexibilität und Kosten wurde so offenbart. Die vorangegangenen Beschreibungen spezifischer Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wurden zum Zweck der Illustration und Erklärung präsentiert. Sie sind nicht dazu gedacht, erschöpfend zu sein oder die Erfindung auf die genauen offenbarten Formen zu limitieren, und offensichtlich sind viele Modifikationen und Variationen im Licht der obigen Lehren möglich. Die Ausführungsformen wurden ausgewählt und beschrieben, um am Besten die Prinzipien der Erfindung und ihrer praktischen Anwendung zu erklären und dabei anderen Fachleuten zu ermöglichen, die Erfindung und verschiedenen Ausführungsformen mit verschiedenen Modifikationen zu verwenden, wie sie passend für die bestimmte Verwendung angedacht sind. Es ist beabsichtigt, dass der Rahmen der Erfindung in den hieran beigefügten Ansprüchen definiert wird.
  • Text in den Zeichnung:
    • bridge
      Brücke
      Prior Art
      Stand der Technik

Claims (6)

  1. Gerät (200) zur chemischen und mechanischen Planarisierung (CMP) von Scheiben (205), das Folgendes umfasst: – einen mit einem Polierpad (202) bedeckten Tisch (204), wobei der Tisch (204) ausgebildet ist, mit einer vorgegebenen Geschwindigkeit zu rotieren; – eine erste Spindel (201), die ausgebildet ist, eine erste Scheibe (205) gegen das genannte Polierpad (202) zu drücken und die genannte erste Scheibe (205) in einer ersten Translationsbewegung zu bewegen; – eine zweite Spindel (201), die ausgebildet ist, eine zweite Scheibe (205) gegen das genannte Polierpad (202) zu drücken und die genannte zweite Scheibe (205) in einer zweiten Translationsbewegung zu bewegen; – ein Brückengehäuse (220), das an die genannte erste Spindel (201) und die genannte zweite Spindel (201) gekoppelt ist; – eine erste Spindel-Motor-Baugruppe (210), die an die genannte erste Spindel (201) gekoppelt ist und ausgebildet ist, die genannte erste Scheibe (205) auf genanntem Polierpad (202) zu drehen, und eine zweite Spindel-Motor-Baugruppe (210), die an die genannte zweite Spindel (201) gekoppelt ist und ausgebildet ist, die genannte zweite Scheibe (205) auf genanntem Polierpad (202) zu drehen, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte Brückengehäuse (220) ausgebildet ist, die genannte erste Scheibe (205) zu veranlassen, sich in der ersten Translationsbewegung quer über das genannte Polierpad (202) zu bewegen und ausgebildet, die genannte zweite Scheibe (205) zu veranlassen, sich in der zweiten Translationsbewegung quer über das genannte Polierpad (202) zu bewegen, und wobei die genannte erste Translationsbewegung unabhängig in Bezug auf die genannte zweite Translationsbewegung ist, wobei das Brückengehäuse (220) in einer Richtung senkrecht zu den Translationsbewegungen der Spindeln (201) bewegbar ist, um so Translationsbewegung zu schaffen, um die der Spindeln (201) zu ergänzen.
  2. Gerät nach Anspruch 1, in dem die Rotationsgeschwindigkeiten der genannten ersten Scheibe (205) und der genannten zweiten Scheibe (205) unabhängig einstellbar sind.
  3. Gerät nach Anspruch 1, in dem das genannte Brückengehäuse (220) eine Zahnstangenbaugruppe (250) umfasst, die an die genannte erste Spindel (201) gekoppelt ist, um die genannte erste Translationsbewegung zu schaffen.
  4. Gerät nach Anspruch 3, in dem das genannte Brückengehäuse (220) eine zweite Zahnstangenbaugruppe (250) umfasst, die an die genannte zweite Spindel (201) gekoppelt ist, um die genannte zweite Translationsbewegung zu schaffen.
  5. Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben, das das Gerät (200) nach einem der Ansprüche 1–4 verwendet und folgende Schritte umfasst: – Platzierung einer ersten Scheibe (205) zwischen die erste Spindel und die Oberfläche des Polierpads (202); – Platzierung einer zweiten Scheibe (205) zwischen die zweite Spindel und die genannte Oberfläche des genannten Polierpads (202); – Rotieren der genannten ersten Scheibe (205) auf der genannten Oberfläche des genannten Polierpads (202) durch Rotieren der genannten ersten Spindel (201); – Rotieren der genannten zweiten Scheibe (205) auf der genannten Oberfläche des genannten Polierpads (202) durch Rotieren der genannten zweiten Spindel (201); – Rotieren des genannten Polierpads (202); – Veranlassen der genannten ersten Scheibe (205), sich quer über genannte Oberfläche von dem genanntem Polierpad (202) in einer ersten Translationsbewegung zu bewegen; – Veranlassen der genannten zweiten Scheibe (205), sich quer über genannte Oberfläche von dem genanntem Polierpad (202) in einer zweiten Translationsbewegung zu bewegen, wobei genannte erste Translationsbewegung unabhängig in Bezug auf genannte zweite Translationsbewegung ist, und – Bewegen des Brückengehäuses (200) in eine Richtung senkrecht zu der genannten ersten und zweiten Translationsbewegung.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, in dem die Translationsbewegung von mindestens einer Spindel (201) eingestellt wird, um die Polierrate der entsprechenden Scheibe (205) zu erhöhen oder zu verringern.
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