DE3045366A1 - Schwellwertschalter - Google Patents

Description

R. 669 6

7. J-I .1980 PT)/Kc

ROBERT BOSCH GMBH, 7000 Stuttgart 1

Schwellwertschalter

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einem Schwellwertschalter nach der Gattung des Hauptanspruchs. Derartige Schwellwertschalter sind bekannt. Ferner sind Komparatorschaltungen mit integrierbarem Operationsverstärker bekannt, bei denen über eine Mitkopplung mit Hilfe von mindestens einem Widerstand, der vom Ausgang auf den nicht invertierenden Eingang führt, eine Hysterese bewirkt wird. Ferner sind zahlreiche Schaltungen zur Erzeugung einer festen Referenzspannung als Bandgap-Spannung bekannt.

Vorteile der Erfindung

Der erfindungsgemäße Schwellwertschalter mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß er den oder die Ausgänge der Differenzverstärkerschaltung bei einer definierten Verstimmung der Eingangstranistoren (ungleiche Emitterströme in den Differensverstärker-Transistoren) schalten läßt. Dadurch erhält die

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zum Schalten der Ausgänge erfoderliche Eingangs-Differenzspannung einen der Temperaturspannung U_T proprotionalen Anteil. Weiter sind in Reihe zu den Emittern der genannten Eingangstranistoren Widerstände vorgesehen, die von Strömen durchflossen sind, die einer Dioden-Spannung (Basis-Emitter-Spannung eines Transistors) U__ (I ) proportional sind

Da O

(Anspruch 3), In den Umschaltpunkten können diese Anteile durch geeignete Dimensionierung dieser Widerstände definiert werden. Wie "bei den bekannten Bandgap-Referenzquellen werden nun die einerseits U_m, andererseits U_„ (I ) pro-

L DZi Ο

protionalen Anteile in ein solches Verhältnis gebracht, daß ihre Summe, nämlich die Eingangs-Ansprechspannung, temperaturunabhängig wird.

Die Eingangsschwellspannungen können nach diesem Prinzip symmetrisch oder unsymmetrisch bezüglich einer Bezugsspannung an einem der Eingänge gemacht werden. Sie können ferner beliebig groß oder klein, jedenfalls nicht gleich der Bandgap-Spannung selbst, gemacht werden. Die Eingangsschwellspannungen können darüber hinaus durch definierte Abweichung von zur Bandgap-Spannung proportionaler Aufteilung der beiden Anteile auch mit einem vorgegebenen, von null verschiedenen Temperaturkoeffizienten ausgeführt werden. Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung wird gemäß Anspruch 5 die Hysterese zwischen den beiden definierten Eingangs-Schwellspannungen durch ein Flip-Flop im Ausgangskreis erreicht. Dies hat gegenüber den bekannten Komparator- oder Schwellwertschaltungen mit Hysterese den Vorteil, daß die Hysterese ohne jeglichen, die Genauigkeit (insbesondere den Temperaturgang) der Singangsschaltschwellen störenden Eingriff erfolgt. Außerdem werden bei dieser Methode dynamische Probleme, wie sie sich bei einer Kopplung zwischen Ausgang und Eingang auf-

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grund der hohen Kreisverstärkung und der Verzögerungen über mehrere Verstärkerstufen hinweg ergeben, von vorne herein vermieden.

Ein weiterer Vorteil der Grundschaltung nach Anspruch 2 besteht ferner darin, daß die Ausgangsschaltung freizügig, etwa mit Einzelausgängen oder als Fenster-Komparator, gestaltet werden kann. So sind auch noch weitere logische Verknüpfungen (Anspruch h) zwischen den verfügbaren Ausgängen der Grundschaltung möglich, die in den Ausführungsbeispielen nicht enthalten sind

Zeichnung

Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Schwellwertschalters sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 die Grundschaltung eines erfindungsgemäßen symmetrischen Schwellwertschalters nach dem Bandgap-Prinzip mit zwei Ausgangstranistoren;

Fig. 2 die Darstellung der Abhänigkeit der für die Funktion der Grundschaltung maßgeblichen Ströme von der Eingangsspannung;

Fig. 3 die Schaltung wie in Fig. 1, jedoch mit andere: Stromquellenschaltung und mit Arbeits-Stromquellen für die getrennten Ausgänge;

Fig. k die Darstellung der Abhängigkeit der Ausgangsspannungen von der Eingangsspannung in der Schaltung nach Fig, 3;

" 669 - /-

Fig. 5 eine Schaltung ähnlich wie Fig. 3, jedoch mit Zusammenfassung der Ausgänge als NOR-Gatter, wodurch ein "Fenster-Komparator" entsteht j

Fig. 6 die Darstellung der Abhänigkeit der Ausgangsspannung von der Eingangsspannung in der Schaltung nach Fig. 5;

Fig. 7 eine Schaltung ä-hnlich wie Fig. 3, jedoch mit Verknüpfung der Ausgangstranistoren mit Hilfe zweier weiterer Transistoren zu einem Flip-Flop wodurch ein symmetrischer Schwellwertschalter mit Hysterese entsteht;

Fig. 8 die Darstellung der Abhängigkeit der Ausgangsspannungen des Flip-Flops in der Schaltung nach Fig. 7 von der Eingangsspannung j

Fig. 9 die Schaltung wie in Fig. J, jedoch erweitert um vor die Eingänge geschaltete Substrattransistoren in Emitterfolgerschaltung mit Hilfsstromq.uellen. Dadurch kann das Bezugspotential an einem der neuen Eingänge auf Masse liegen; außerdem werden die Eingangs ströme verkleinert.

Fig.10 zeigt eine Variante zur Grundschaltung nach Fig. 1, bei der die für die Festlegung der Eingangsschwellspannung erforderlichen unterschiedlichen Kollektorrandlängen der Eingangs-Lateraltransistoren durch unterschiedliche Emitterflächen in den Stromspiegel-Tranistoren ersetzt sind.

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- y-

Fig. 11 zeigt eine weitere Variante, bei der der

Basis jedes der beiden den Differenzverstärker bildenden pnp-Lateraltransistoren jeweils eine einen Emitterfolger bildende Vorstufe vorgeschaltet ist. Jeder dieser beiden pnp-Lateraltransistoren besitzt hierbei noch einen dritten Teilkollektor, der mit seiner Basis verbunden
ist -

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

Die Ausführungsbeispiele sind sämtlich für die Realisation in monolithisch integrierter Planartechnik angegeben. Selbstverständlich lassen sich die als Beispiele angeführten und andere Schaltungen nach den erfindungsgemäßen Merkmalen in anderen Techniken, bei denen eine thermische Kopplung der maßgeblichen Elemente vorhanden ist, z. B. in der Hybridtechnik, realisieren

In Fig. 1 ist die Grundschaltung des Schwellwertschalters
gemäß der Erfindung dargestellt. Der Schwellwertschalter
enthält einen Differenzverstärker, der aus zwei pnp-Lateraltransistoren T , T besteht. Die Emitter dieser beiden Transistoren T., T sind hierbei galvanisch miteinander verbunden. Der Verbindungspunkt dieser beiden Emitter ist über eine Stromquelle an die positive Betriebsstromleitung angeschlossen. Die Stromquelle wird hierbei aus den Schaltelementen T ' und R₂, die Referenzq/aelle zur Stromversorgungs quelle aus den Schaltelementen T,', Τ* R^ gebildet. Die Kollektoren der beiden pnp-Lateraltransistoren T , T₀ sind jeweils in zwei Teilkollektoren a, b unterteilt. Der zweite Teilkollektor a ist dabei jeweils mit dem Eingang eines
npn-3tromspiegels T , T^ bzw. T , Tg verbunden, dessen Ausgang jeweils mit dem ersten Teilkollektor b des anderen
der beiden pnp-Lateraltransistoren T₁, T₀ und mit der 3asis eines Ausgangstransistors T„, T_Q verbunden ist. In die Emitter-

T ö

zuleitung jedes der beiden pnp-Lateraltransistoren T , T ist jeweils ein Widerstand R , R ' eingeschaltet. Diese Widerstände werden in der folgenden mathematischen Betrachtung als gleich angenommen und mit R bezeichnet.

In der Schaltung nach Fig. 1 wird der Ausgangstranistor Tq gerade dann angesteuert (Basisstrom des Transistors Tg zunächst vernachlässigt), wenn gilt:

Ά · -b · I₁ * A· a · I₂ . (1a)

Darin ist mit A=B/ (B + 1) die Kollektor-Emitter-Stromverstärkung der pnp-Lateraltransistoren T., T bezeichnet und wegen des "Tracking" bei integrierten -Schaltungen als gleich angenommen. Die Eingangstransistoren T , T besitzen Teilkollektoren, bei denen das Verhältnis ihrer wirksamen Randlängen durch die Verhältniszahlen a : b (mit a + b = 1) gekennzeichnet ist. Aus Gleichung (1a) folgt:

¹Z *

Ferner gilt nach der Knotenregel:

Der Vorstrom I wird durch die in Fig. 1 oder durch die in Fig. 3 dargestellte Stromquellenschaltung zu

°
eingestellt. Aus den Gleichungen (Ib), (2) und (3) folgt für

o69

die Differenz der Ströme I , I :

1 2 ~ a + Ta

Die zum Ansteuern des Ausgangstransistors Tq erforderliche Eingangsspannung ist:

E1

oder mit Gleichung (U) und Gleichung (ib)

E1

b R-

(6a)

Will man U„ temperaturunabhängig machen, so muß man die ht ι

beiden Anteile (den ΙΙ_ΏΓ, proportionalen und den U_ propor-

DSIi 1

tionalen) nach dem Bandgap-Prinzip geeignet aufteilen. Zur Verdeutlichung erweitert man in Gleichung (6a) mit dem

Faktor (a+b)

R₃/(a-b)

El

BE

R₁ und erhält:
a-b R.

^(6b)

Diese Spannung wird temperaturunabhängig, wenn man sie gerade gleich einer Spannung U_ ' macht, die geringfügig höher liegt als die physikalische Bandgap-Spannung U

für Silizium,

um den positiven Temperaturkoeffizienten der integrierten Widerstände R₁,

^UGo'

, R_ zu berücksichtigen. Man macht also R-,

^{= U}

E1

^UG0

- τι

- ^U

BE

a + b

_Ί a ^ln b

(7b ;

— «8 -

Durch Einsetzen von Gleichung (7a) in Gleichung (7b) ergibt sich:

^ÜGO' = ^UBE (V ⁺ U7r-'^UT-^lnt · ^(7C

Aus Gleichung (7c) kann man für die vorgeschriebene Ansprechspannung U^₁ das wirksame Kollektor-Randlängen-Ver hältnis der Transistoren T , T_? bestimmen zu:

V₁ ^UGo' - »BE ^(Io' . (8)

Beispiel: Uq₀' = 1216 mV, I = 10OaA,

U₁,-,(I ) = 680 mV, υ_φ = 26 mV, U^₁ = 35 mV

führt zu (a/b) = 1,81. Daraus ergeben sich wegen a + b = 1 die Anteile a = 0,6!+ _und b = 0,36.

Mit Hilfe des aus Gleichung (8) ermittelten Verhältnisses a/b läßt sich nach Gleichung (7a) weiterhin das Verhältnis der Widerstände R./R_ bestimmen:

^3 ⁼ ΓΤ·\? · <⁹>

Im obigen Beispiel ergibt sich (R./R-) = 0,1. Legt man R₀ = υ_ΏΈ, (I ) / I =

j Bill OO

man R₁ = 68OjT-machen.

₀ = υ_ΏΈ, (I ) / I = 680 mV/l00_AA = 6,8 kjlfest, so muß

j Bill OO f

68T

In Fig. 2 sind die Verläufe der maßgeblichen Ströme in der Schaltung nach Fig. 1 über der Eingangs-Differenzspannung U_ zur Veranschaulichung der Wirkungsweise der Schaltung

schematisch dargestellt. Man erkennt, daß im 3ereich U„ Z. U^₁ der Strom AbI₁ den Strom AaI₀ übersteigt, wodurch der Ausgangstransistor Tn leitend wird. Im Bereich U_^s.U_.. ist dagegen AaI_n^AbI₁, wodurch der Transistor T_ gesättigt und der Transistor Tq ge-'sperrt wird.

Ebenso ist zu erkennen, daß aufgrund der Symmetrie der Anordnung der Umschaltpunkt für den anderen Ausgangstransistor T_ bei U-, = - U„. liegt.

In Fig. 1 sind nur die Ausgangstransistoren T , Tn selbst vorhanden (sogenannte "open-collector"-Ausgänge). In Fig. 3 sind zur Ergänzung der Ausgangskreise "pull-up"-Ströme hinzugefügt, die dem Doppel-Kollektor-Transistor T entnommen werden. Diese Ströme macht man zweckmäßigerweise ungefähr gleich der Hälfte von I , damit sie annähernd der Summe der Kollektorströme der Stromspiegeltransistoren T,, Τ, bzw. T_, T>- im Ansprechpunkt entsprechen. Damit gleichen sich aufgrund des "tracking" der Stromverstärkungen der Transistoren T , T, , T_ bzw. T₁-, Tg, T« deren Basisströme nahezu aus, wodurch die Eingangs-Ansprechspannungen U₇₇₁, - U-. von der Stromverstärkung und ihrem Temperaturgang nahezu unabhängig werden.

In Fig. 3 ist gleichzeitig eine andere Form der allgemeinen Stromversorgungsquelle vorgesehen, die für Erweiterungen wie hier im Beispiel durch den Transistor T₁₀ zweckmäßiger ist. Diese Stromversorgungsquelle wird gemäß Fig. 3 durch die Schaltelemente R₂, R,, T , T , T,,, T_i!t, T₁₅ gebildet.

- VÖ -

Fig. U zeigt schematisch die Abhängigkeit der Ausgangsspannungen U₁₁ und U₁₂ von der Eingangs-Differenz-Spannung U₁₅, für die Schaltung nach Fig. 3. Bei hoher Stromverstärkung der Ausgangstranistoren T₇, Tg schalten diese bei den Ansprechpunkten + U₁₃₁₁ und - U^₁₁ praktisch durch.

In Fig. 5 ist durch Zusammenfassen der Kollektoren der Ausgangstransistoren T₇, Tq zu einem gemeinsamen Ausgang A eine NOR-Schaltung entstanden (wenn der Transistor T₇ oder der Transistor To leitet, ist der Ausgang A "low"). Wie man aus Fig. 6 erkennt, ist damit die Schaltung nach Fig. 5 zu einem "Fenster-Komparator" mit einem zu U„ = 0 symmetrischen, temperaturkompensierten Ansprech-Fenster mit der Breite 2 U„ geworden.

Endlich ist in Fig. T eine Schaltung dargestellt, bei der gegenüber Fig. 3 die Ausgangstransistoren T₇, Tn nach einem weiteren Merkmal der Erfindung durch Hinzufügen der Transistoren Τ«,-, T„_ zu zwei kreuzweise mitge-

1 ο 1 γ

koppelten NOR-Schaltungen, also zu einem einfachen RS-Flip-Flop, ergänzt wurden.

Fig. 8 veranschaulicht die Wirkungsweise der Schaltung. Die Flip-Flop-Ausgänge A1, A2 schalten an den Umschalt-Ounkten U„. und - U₁₃₁₁ mit Hysterese um. Die Schaltung

£1 I XLa I

nach Fig. 8 bietet damit die Möglichkeit, sinusähnliche Eingangsspannungen in rechteckförmige Ausgangsspannungen umzuwandeln. Beide Ausgänge A1, A2 sind also wahlweise, gegebenenfalls nach entsprechender Signalverstärkung, als Ausgänge für diesen Zweck geeignet.

Die Schaltung nach Fig. 7 ist für den speziellen Fall, daß das 3ezugspotential an einem der Eingänge El oder E2 auf Null (Masse) liegen soll (zum Beispiel veil ein induktiver Geber einseitig an Masse liegt), noch nicht ohne weiteres brauchbar, weil dann die Eingangstransistoren T , T praktisch im Sättigungsbereich arbeiten müßten.

Diese Schwierigkeit wird, wie in Fig. 9 dargestellt, durch Vorschalten von Eingangstransistoren Tg, T beseitigt, die in integrierter (Bipolar-Planar-) Technik zveckmäßiger weise als pnp-Substrattransistoren ausgeführt werden. Wenn man vermeiden will, daß unterschiedliche Basisströme der Transistoren T₁, T₂ in den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren Tq, T eine entsprechende, zusätzliche Offsetspannung (Unsymmetrie' der Schaltpunkte) hervorrufen, muß man, wie in Fig. 9 gezeigt, Vorströme I_, die verhältnismäßig groß gegen die Basisströme der Tranistoren T , T sind, mit Hilfe eines weiteren Stromquellen-Transistors T mit Doppelkollektor zuführen. Aufgrund der hohen Stromverstärkung der Substrattransistoren T₁Q, T _Q kommt man dennoch zu kleineren Eingangsströmen I₁₇₁, I„_o als bei der einfachen Schaltung ti\ hid

nach Fig. T. Dies kommt wegen der Ungenauigkeit des Geber-Innenwiderstandes der Symmetrie der Schaltpunkte zugute. Der in Fig. 9 dargestellte Widerstand R , der mit dem Emitter des Transistors T verbunden ist, dient zur Einstellung dieses Vorstroms I . Außerdem sind in Fig. 9 Stabilisierungswiderstände Ri dargestellt, die die Genauigkeit der einzustellenden Ströme verbessern.

In Fig. 10 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel als Variante zur Grundschaltung nach Fig. 1 dargestellt. Im Unterschied zur Schaltung nach Fig. 1 besitzen die Ein-

gangstranistoren T , T gleiche Teilkollektoren (hälftige Aufteilung). Statt dessen sind die Emitterflächen der npn-Stromspiegel-Transistoren T , T. bzw. T. , T im. Verhältnis a : Ta ausgeführt. Auch so läßt- sich nämlich der Erfindungsgedanke, daß die Ausgänge der Schaltung "bei einem definierten Verhältnis I : I der Emitterströme der Eingangstransistoren T., T- schalten, verwirklichen. Anstelle von Gleichung (1a) heißt es in dieser Version:

f. I₂ , (1a·)

was wiederum zu

ii

führt, so daß alle weiteren Gleichungen, die für die Schaltung nach Fig. 1 hergeleitet wurden, auch für diese Version gelten.

Selbstverständlich lassen sich auch beide Methoden (nach Fig. 1 und nach Fig. 10) kombinieren, um das gewünschte Verhältnis I : I im Schaltpunkt zu bekommen. Dies kann z. B. aus konstruktiven Gründen (im topologischen layout) zweckmäßig sein.

In Fig. 11 ist eine Abwandlung der Schaltungsanordnung nach Fig. 9 dargestellt. Jeder der beiden den Differenzverstärker bildenden pnp-Lateraltransistoren T , T_? besitzt hier noch einen dritten Teilkollektor c, der mit der Basis dieses Transistors T₁ bzw. T_? verbunden ist. Hierdurch erübrigt sich die Strom-

- /3 q.uelle R₅, T₂₀ aus Fig. 9.

Schließlich sei ervähnt, daß man nach dem erfindungsgemäßen Prinzip auch dem Betrag nach verschiedene

φ Ug₁) einrichten

Schaltpunkte U_£1, - U_E2 (mit I

kann. Hierzu sind die Kollektor-Randlängen der Transistoren T , T und/oder die Emitterflächen der Transistoren T , Ti bzw. T₁-J T/- unsymmetrisch aufzuteilen. Dabei kann "beim Transistor T und/oder "beim Transistor T ein weiterer Teilkollektor zur Ableitung eines überschüssigen Stromanteils nach Masse erorderlich werden. Außerdem sind die in Fig. 1 als gleich angenommenen Widerstände R₁, R ' dann entsprechend verschieden zu dimensionieren. Einer der Schaltpunkte U₁₇₁ , - U_„ kann auch zu Null gemacht werden.

Selbstverständlich lassen sich die beschriebenen Schaltungen auch in komplementärer Technik (pnp- und npn-Transistoren vertauscht) realisieren. Dabei ist zu beachten, daß an die Stelle der Kollektorteilung bei den pnp-Lateraltransistoren die Parallelschaltung von npn-Transistoren mit gleicher oder ungleicher Emitterfläche und vice versa tritt.

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ROBERT BOSCH GMBH, 7000 Stuttgart 1

Schwellwertschalter

Zusammenfassung

Beim Antiblockiersystem werden zur Aufnahme der Drehgeschwindigkeit der Räder des Kraftfahrzeuges induktive Geber verwendet, die "bei geringer Fahrgeschwindigkeit, auch bedingt durch einen großen Luftspalt im magnetischen Kreis, eine sinusähnliche Spannung mit nur geringer Amplitude abgeben. Diese Spannung soll durch eine vorzugsweise in Bipolar-Planar-Technik hergestellte integrierte Schaltung in eine rechteckförmige Ausgangsspannung mit einem Tastverhältnis nahe 1:1, die zur weiteren Signalverarbeitung einer umfangreichen Logikschaltung zugeführt wird, umgewandelt werden. Um die genannten Bedingungen und gleichzeitig einen möglichst hohen Störspannungsabstand am Eingang der Logikschaltung zu erhalten, wird ein Schwellwertschalter vorgeschlagen, der möglichst genaue, insbesondere temperaturstabile, zu einem Bezugspotential, vorzugsweise Masse, symmetrisch liegende Ansprechschwellspannungen mit Hysterese aufweist !lach Erarbeitung des erfindungsgemäßen Lösungsprinzips ergaben sich noch folgende Anwendungsmöglichkeiten:

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a) Ausgangssignale einzeln ohne Hysterese-Verknüpfung ;

b) Ausgangssignale so verknüpft, daß die Anordnung als "Fenster-Komparator" arbeitet;

c) unsymmetrische Ansprechschwellspannungen.

Leerseite

Claims (1)

1. η. 66 9 β

   18. 1 1 . 1980 F"b/Kc

   ROBERT BOSCH GMBH, 7000 Stuttgart 1

   Ansprüche

   (\.j Schwellwertschalter mit einem Differenzverstärker mit
   mindestens einem Schwellwert, dadurch gekennzeichnet, daß
   der Schwellwert durch definierte Verstimmung der den Differenzverstärker bildenden Transistoren (T., T_?) erreicht wird,
   und daß zur definierten Verstimmung dieser Transistoren
   (T-, T₂) Mittel vorgesehen sind, die in der Auskoppelschaltung des Differenzverstärkers angeordent sind.

   2. Schwellwertschalter nach Anspruch 1 mit einem Differenzverstärker, der durch zwei pnp-Lateraltransistoren (T , T) gebildet wird, deren Emitter galvanisch miteinander verbunden und über eine Stromquelle an die positive Betriebsstromleitung angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoren der beiden pnp-Lateraltransistoren (T₁> T_?) jeweils in zwei Teilkollektoren (a, b) unterteilt sind, daß jeweils der zweite Teilkollektor (a) der beiden pnp-Lateraltransistoren (T , Tp) mit dem Eingang eines npn-Stromspiegels

   ORIGINAL INSPECTED

   (Τ_, Τι bzw. Τ_, Tr) verbunden ist, dessen Ausgang jeweils mit dem ersten Teilkollektor (b) des anderen der beiden pnp-Lateraltransistoren (T₁, T₂) und mit der Basis eines Ausgangstransistors (^T7> ^T8^ verbunden ist (Fig. 1).

   3. Schwellwertschalter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung temperaturkompensierter Schwellspannungen (U₁₇₁₁ , - U_, ) in die Emitter zuleitung

   υ Ι δ I

   jedes der beiden pnp-Lateralttransistoren (T., Tp) jeweils ein Widerstand (R₁, R₁') eingeschaltet ist und daß der Speisestrom (I ) des Differenzverstärkers einer Diodenflußspannung proportional ist (Fig. 1).

   k. Schwellwertschalter nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgänge der beiden Ausgangstransistoren (T j Tn) durch eine logische Schaltung miteinander verknüpft sind (Fig. 5).

   5. Schwellwertschalter nach Anspruch U, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgangstransistoren (T_, Tn) Bestandteil eines RS-Flip-Flops sind (Fig. 7).

   6. Schwellwertschalter nach einem der Ansprüche 2 bis 5 dadurch gekennzeichnet, daß der Basis jedes der beiden den Differenzverstärker bildenden pnp-Lateraltransitoren (T₁, T₀) jeweils eine einen Emitterfolger bildende Vor-

   stufe (T₁₈, T₁₉) vorgeschaltet ist (Fig. 9).

   T. Schwellwertschalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mit jeder der "beiden Basen der "beiden den Differenzverstärker bildenden pnp-Lateraltransistoren (T , T) Stromquellen (I aus T) verbunden sind (Fig. 9).

   8. Schwellwertschalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der beiden den Differenzverstärker bildenen pnp-Lateraltransistoren (T., T₃) noch einen dritten Teilkollektor (c) besitzt, der mit seiner Basis verbunden ist (Fig. 11).

   9- Schwellwertschalter nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die die beiden npn-Stromspiegel bildenden Transistoren (T_, T. bzw. T₁.» Tg) unterschiedliche Emitterflächen (a, b) haben (Fig. 10).

   10. Schwellwertschalter nach einem der Ansprüche 2 bis

   9, dadurch gekennzeichnet, daß er in komplementärer Technik (pnp- und npn-Transistoren vertauscht) ausgeführt ist, wobei an die Stelle der Kollektorteilung bei den pnp-Lateraltransistoren die Parallelschaltung von npn-Transistoren mit gleicher oder ungleicher Emitterfläche und vice versa tritt.