JPS5824042B2 - 電圧フオロワ回路 - Google Patents
電圧フオロワ回路Info
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- JPS5824042B2 JPS5824042B2 JP53020276A JP2027678A JPS5824042B2 JP S5824042 B2 JPS5824042 B2 JP S5824042B2 JP 53020276 A JP53020276 A JP 53020276A JP 2027678 A JP2027678 A JP 2027678A JP S5824042 B2 JPS5824042 B2 JP S5824042B2
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- collector
- terminal
- voltage
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- H03F3/45—Differential amplifiers
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- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
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- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は入力電圧をそのまま出力電圧として出力する
電圧フオロ“ワ回路に関する。
電圧フオロ“ワ回路に関する。
第1図は従来の電圧フォロワ回路を示すもので、npn
)ランラスタ10ベースに入力電圧Vin を供給
したときnpn )ランジメタ20ベース電位Vout
がV i n よりも太きければ、トランジスタ2の
コレクタ電流はより多く流れる。
)ランラスタ10ベースに入力電圧Vin を供給
したときnpn )ランジメタ20ベース電位Vout
がV i n よりも太きければ、トランジスタ2の
コレクタ電流はより多く流れる。
この結果トランジスタ50ベース電位はより低下する。
トランジスタ5のベース電位が低下すると、このトラン
ジスタ5のエミッタ電位もより低下する。
ジスタ5のエミッタ電位もより低下する。
トランジスタ5のエミッタ電位はとりもなおさずトラン
ジスタ20ベース電位であるから、このベース電位、つ
まりVoutはより入力電圧Vin に近づくことに
なる。
ジスタ20ベース電位であるから、このベース電位、つ
まりVoutはより入力電圧Vin に近づくことに
なる。
一方反対にトランジスタ20ベース電圧がVin よ
りも低くければ、トランジスタ1のコレクタ電流が増加
する。
りも低くければ、トランジスタ1のコレクタ電流が増加
する。
この結果トランジスタ50ベース電位が上昇し、トラン
ジスタ20ベース電位、Voutを上昇させる。
ジスタ20ベース電位、Voutを上昇させる。
すなわち、トランジスタ20ベースとトランジスタ5の
エミッタとの接続点を出力端としてこの出力端の電位を
出力電圧V ou tとすれば、この出力電圧Vout
と入力電圧Vin とは一致し上記回路は電圧フォロ
ワ回路として作動する。
エミッタとの接続点を出力端としてこの出力端の電位を
出力電圧V ou tとすれば、この出力電圧Vout
と入力電圧Vin とは一致し上記回路は電圧フォロ
ワ回路として作動する。
上記従来の電圧フォロワ回路は構成が簡単であると共に
、入力電圧Vin と出力電圧Voutとの差電圧す
なわちオフセット電圧が小さいという利点がある。
、入力電圧Vin と出力電圧Voutとの差電圧す
なわちオフセット電圧が小さいという利点がある。
しかし逆にオフセット電圧を小さくするためにトランジ
スタ1,2の利得を太き(して設計するので発振を起こ
し易いという欠点がある。
スタ1,2の利得を太き(して設計するので発振を起こ
し易いという欠点がある。
このためにさらに従来では第2図に示すようにトランジ
スタ20ベースとトランジスタ5のエミッタとの間に抵
抗6を接続すると共に、トランジスタ20ベース・コレ
クタ間にコンデンサ7を接続することにより発振を防止
するようにしている。
スタ20ベースとトランジスタ5のエミッタとの間に抵
抗6を接続すると共に、トランジスタ20ベース・コレ
クタ間にコンデンサ7を接続することにより発振を防止
するようにしている。
このため上記回路を集積回路化する場合、コンデンサ7
を形成するために大きな面積を必要とし、この結果チッ
プサイズを小型化することは困難である。
を形成するために大きな面積を必要とし、この結果チッ
プサイズを小型化することは困難である。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
、その目的とするところはオフセット電圧の特性を犠牲
にしても発振が発生せずかつ集積回路化する際のチップ
サイズを小型化できる電圧フォロワ回路を提供すること
にある。
、その目的とするところはオフセット電圧の特性を犠牲
にしても発振が発生せずかつ集積回路化する際のチップ
サイズを小型化できる電圧フォロワ回路を提供すること
にある。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第3図はこの発明の一実施例の電圧フォロワ回路を示す
もので、11および12は夫々コレクタ端子を2つもっ
たnpn )ランリスタである。
もので、11および12は夫々コレクタ端子を2つもっ
たnpn )ランリスタである。
上記トランジスタ11.12内部において、第1のコレ
クタ端子CIl + CI2夫々に接続されているコレ
クタの面積は、第2のコレクタ端子に、1゜K、2夫々
に接続されているコレクタの面積のn倍(n〉1)とな
っている(以下このnをコレクタの分割比と称する)。
クタ端子CIl + CI2夫々に接続されているコレ
クタの面積は、第2のコレクタ端子に、1゜K、2夫々
に接続されているコレクタの面積のn倍(n〉1)とな
っている(以下このnをコレクタの分割比と称する)。
そして上記2つのトランジスタ11,12のエミッタ端
子は共通接続されていると共に、この接続点と接地電位
点との間には第1の定電流素子(例えば抵抗)13が挿
入されティる。
子は共通接続されていると共に、この接続点と接地電位
点との間には第1の定電流素子(例えば抵抗)13が挿
入されティる。
上記トランジスタ11の第1のコレクタ端子C11は、
そのエミッタ端子が電源Vcc に接続されたp叩ト
ランリスタ14のコレクタ端子およびベース端子に接続
されている。
そのエミッタ端子が電源Vcc に接続されたp叩ト
ランリスタ14のコレクタ端子およびベース端子に接続
されている。
また上記トランジスタ11の第2のコレクタ端子に1□
は、上記トランジスタ12の第1のコレクタ端子C,□
に接続されている。
は、上記トランジスタ12の第1のコレクタ端子C,□
に接続されている。
同様にトランジスタ12の第2のコレクタ端子に12は
、トランジスタ11の第1のコレクタ端子CI+に接続
されている。
、トランジスタ11の第1のコレクタ端子CI+に接続
されている。
前記トランジスタ140ベース端子は、そのエミッタ端
子が電源Vcc に接続されたpnp トランジスタ
15のベース端子に接続されている。
子が電源Vcc に接続されたpnp トランジスタ
15のベース端子に接続されている。
またこのトランジスタ15のコレクタ端子は前記トラン
ジスタ12の第1のコレクタ端子C1□に接続されてい
る。
ジスタ12の第1のコレクタ端子C1□に接続されてい
る。
上記トランジスタ15のコレクタ端子と前記トランジス
タ12の第1のコレクタ端子CI2との接続点には、そ
のコレクタ端子が電源V c c に接続されている
npn トランジスタ16のベース端子が接続されてい
る。
タ12の第1のコレクタ端子CI2との接続点には、そ
のコレクタ端子が電源V c c に接続されている
npn トランジスタ16のベース端子が接続されてい
る。
上記トランジスタ16のエミッタ端子は前記トランジス
タ120ベース端子に接続されていて、さらにトランジ
スタ16のエミッタ端子と接地電位点との間には定電流
素子(例えば抵抗)17が接続されている。
タ120ベース端子に接続されていて、さらにトランジ
スタ16のエミッタ端子と接地電位点との間には定電流
素子(例えば抵抗)17が接続されている。
そして前記トランジスタ11のベース端子には入力電圧
Vin が供給されると共に、前記トランジスタ16の
エミッタ端子からは出力電圧Voutを得るようになっ
ている。
Vin が供給されると共に、前記トランジスタ16の
エミッタ端子からは出力電圧Voutを得るようになっ
ている。
次に上記のように接続された回路の作用を説明する。
第4図は従来の電圧フォロワ回路に用いられている差動
増幅回路で第5図はこの発明の電圧フォロワ回路に用い
られている差動増幅回路である。
増幅回路で第5図はこの発明の電圧フォロワ回路に用い
られている差動増幅回路である。
第4図に示す差動増幅回路において、トランジスタ1,
20両ベース間に入力電圧Viを入力したとき、トラン
ジスタ1,2夫々のコレクタ電流I、 、 I2は次式
で与えられる。
20両ベース間に入力電圧Viを入力したとき、トラン
ジスタ1,2夫々のコレクタ電流I、 、 I2は次式
で与えられる。
(ただしvTは熱電圧、■は差動アンプのエミッタ電流
である。
である。
)ここで仮にトランジスタ1〜4夫々のエミッタ接地電
流増幅率βが無限大であるとすると、トランジスタ2,
4の接続点から出力される電流■。
流増幅率βが無限大であるとすると、トランジスタ2,
4の接続点から出力される電流■。
は次式で与えられる。入力電圧Viが熱電圧vTに比べ
て十分に小さい場合には前記evi/VT は(1+v
i/VT)で近似でき、上記(3)式は次の式で近似で
きる。
て十分に小さい場合には前記evi/VT は(1+v
i/VT)で近似でき、上記(3)式は次の式で近似で
きる。
したがって第4図に示す差動増幅回路の、小信号入力に
対するgmは次式で与えられる。
対するgmは次式で与えられる。
(ただしqは紫電荷量、kはボルツマン定数である。
)一方第5図においてトランジスタ11,120両ベー
ス間に入力電圧Viを入力したとき、トランジスタ11
の第1のコレクタ端子C1lおよびトランジスタ12の
第2のコレクタ端子に12を介して流れる電流の和電流
■1′、トランジスタ12の第1のコレクタ端子CI2
およびトランジスタ11の第2のコレクタ端子に11を
介して流れる電流の和電流12′はそれぞれ次式で与え
られる。
ス間に入力電圧Viを入力したとき、トランジスタ11
の第1のコレクタ端子C1lおよびトランジスタ12の
第2のコレクタ端子に12を介して流れる電流の和電流
■1′、トランジスタ12の第1のコレクタ端子CI2
およびトランジスタ11の第2のコレクタ端子に11を
介して流れる電流の和電流12′はそれぞれ次式で与え
られる。
(ただしI1、I2は前記第4図のトランジスタ1゜2
夫々のコレクタ電流) この場合トランジスタ12の第1のコレクタ端子CI2
とトランジスタ15のエミッタ端子との接続点から出力
される電流■。
夫々のコレクタ電流) この場合トランジスタ12の第1のコレクタ端子CI2
とトランジスタ15のエミッタ端子との接続点から出力
される電流■。
′は次式で与えられる。ここで入力電圧が熱電圧vTに
比べて十分に小さい場合、小信号入力に対するgrn’
は次式で与えられる。
比べて十分に小さい場合、小信号入力に対するgrn’
は次式で与えられる。
すなわち、上記(11)式と前記5)式とを比較した場
合、この発明における電圧フォロワ回路に用いられてい
る差動増幅回路のgmは従来のものに比較して(n−1
/n+1)倍となる(ただしn > 1とする)。
合、この発明における電圧フォロワ回路に用いられてい
る差動増幅回路のgmは従来のものに比較して(n−1
/n+1)倍となる(ただしn > 1とする)。
したがって従来に比較してトランジスタ11,12の利
得が小さくなるので、発振防止用の抵抗およびコンデン
サを用いないでも発振が発生することはない。
得が小さくなるので、発振防止用の抵抗およびコンデン
サを用いないでも発振が発生することはない。
また上記発振防止用の抵抗およびコンデンサを必要とし
ない。
ない。
このためにこの発明の電圧フォロワ回路を集積回路化す
る際に、チップサイズを小型化することが容易となる。
る際に、チップサイズを小型化することが容易となる。
次にオフセット電圧について考察する。
前記第3図において、オフセラI・電圧の原因となるも
のは電流源となるトランジスタ14,15の電流伝達比
とトランジスタ160ベース電流の2つである。
のは電流源となるトランジスタ14,15の電流伝達比
とトランジスタ160ベース電流の2つである。
いま出力端子からの出力電流をOとした場合に、トラン
ジスタ11.12夫々の第1のコレクタ端子CIl +
CI2を介して流れるコレクタ電流を11′、■2′
とし、トランジスタ14,15の構造がラテラル構造で
その電流増幅率β1、トランジスタ11,120電流増
幅率をβnとすると、■1′、■2′、β1、βnには
次の関係式が成立する。
ジスタ11.12夫々の第1のコレクタ端子CIl +
CI2を介して流れるコレクタ電流を11′、■2′
とし、トランジスタ14,15の構造がラテラル構造で
その電流増幅率β1、トランジスタ11,120電流増
幅率をβnとすると、■1′、■2′、β1、βnには
次の関係式が成立する。
(ただし■′は定電流素子17に流れる電流)また上記
02)式の11′、エイを11、I2で置き替えると次
式のような関係式が求められる。
02)式の11′、エイを11、I2で置き替えると次
式のような関係式が求められる。
いまトランジスタ11,12のコレクタの分割比nを種
々に変化させた場合のオフセット電圧Vos を下表
に示す。
々に変化させた場合のオフセット電圧Vos を下表
に示す。
すなわち上記表から明らかなようにトランジスタ11.
12のコレクタの分割比nを大きくしていくにしたがっ
てオフセット電圧は除々に小さくなっていく。
12のコレクタの分割比nを大きくしていくにしたがっ
てオフセット電圧は除々に小さくなっていく。
第6図はこの発明による電圧フォロワ回路においてコレ
クタ分割比nを変化したときのオフセット電圧の変化を
示す特性図で、横軸には電圧フォロワ回路に供給する電
源電圧(Vcc)の値を、縦軸にはオフセット電圧Vo
s O値を夫々とったものである。
クタ分割比nを変化したときのオフセット電圧の変化を
示す特性図で、横軸には電圧フォロワ回路に供給する電
源電圧(Vcc)の値を、縦軸にはオフセット電圧Vo
s O値を夫々とったものである。
なお上記特性は常温下(25℃)で測定されている。
この特性図から明らかなようにnを無限大としたときが
最もオフセット電圧が小さい。
最もオフセット電圧が小さい。
上記表から分る通り、Vos には電源電圧依存性が
現われている。
現われている。
しかしnを2.3と10(〜■と考える)とした場合の
Vos O値の比は式(19)で求めたオフセット電
圧の比と正確に一致する。
Vos O値の比は式(19)で求めたオフセット電
圧の比と正確に一致する。
前記第3図に示す実施例回路では、差動増幅器を構成す
る一対のトランジスタにnpn )ランリスタを用いた
が、第7図に示すように一対のpnp )ランリスタ2
1,22としても良い。
る一対のトランジスタにnpn )ランリスタを用いた
が、第7図に示すように一対のpnp )ランリスタ2
1,22としても良い。
この場合前記npn )ランリスタ14,15は夫々n
pn トランジスタ24,25に、またnpn トラン
ジスタ16はpnp )ランリスタ26に置き替える必
要がある。
pn トランジスタ24,25に、またnpn トラン
ジスタ16はpnp )ランリスタ26に置き替える必
要がある。
さらに第7図に示すように新たにpnp )ランリスタ
28および定電流素子29を追加することによって、よ
りオフセット電圧を小さくすることが可能となる。
28および定電流素子29を追加することによって、よ
りオフセット電圧を小さくすることが可能となる。
第8図はこの発明のさらに他の実施例の構成を示すもの
である。
である。
上記第3図に示す実施例回路では二つのトランジスタ1
4,15によって電流11′と12′とを流しているた
めに、この電流間にトランジスタ140ベース電流分だ
けの誤差がある。
4,15によって電流11′と12′とを流しているた
めに、この電流間にトランジスタ140ベース電流分だ
けの誤差がある。
そこで第8図に示す実施例回路では上記両トランジスタ
14,15と入力用のトランジスタ11.12との間に
トランジスタ18,19を挿入して、上記トランジスタ
140ベース電流による誤差電流をトランジスタ190
ベース電流によって打消すようにしたものである。
14,15と入力用のトランジスタ11.12との間に
トランジスタ18,19を挿入して、上記トランジスタ
140ベース電流による誤差電流をトランジスタ190
ベース電流によって打消すようにしたものである。
なおこの発明は上記した実施例に限定されるものではな
く、例えば上記実施例では差動増幅器を構成する一対の
トランジスタ11,12あるいはトランジスタ21.2
2は、夫々2つのコレクタ端子C,,、C,2,K10
. K1□を有し、第1のコレクタ端子CIl LC1
2夫々に接続されているコレクタの面積は、第2のコレ
クタ端子に11.に12夫々に接続されているコレクタ
の面積のn倍(n>1)となっている場合について説明
したが、これは夫夫のトランジスタを(n+1)個のト
ランジスタで構成し、各ベースおよびエミッタを夫々共
通接続して第1のコレクタ端子C11,C1□とし、1
つのコレクタを第2のコレクタ端子に11. K12と
しても良い。
く、例えば上記実施例では差動増幅器を構成する一対の
トランジスタ11,12あるいはトランジスタ21.2
2は、夫々2つのコレクタ端子C,,、C,2,K10
. K1□を有し、第1のコレクタ端子CIl LC1
2夫々に接続されているコレクタの面積は、第2のコレ
クタ端子に11.に12夫々に接続されているコレクタ
の面積のn倍(n>1)となっている場合について説明
したが、これは夫夫のトランジスタを(n+1)個のト
ランジスタで構成し、各ベースおよびエミッタを夫々共
通接続して第1のコレクタ端子C11,C1□とし、1
つのコレクタを第2のコレクタ端子に11. K12と
しても良い。
以上説明したようにこの発明によればオフセット電圧を
出来る限り小さく設計し、しかも発振が発生せずかつ集
積回路化する際のチップサイズを小型化できる電圧フォ
ロワ回路を提供することができる。
出来る限り小さく設計し、しかも発振が発生せずかつ集
積回路化する際のチップサイズを小型化できる電圧フォ
ロワ回路を提供することができる。
第1図は従来の電圧フォロワ回路の構成図、第2図は他
の従来の電圧フォロワ回路の構成図、第3図はこの発明
の一実施例の構成図、第4図および第5図は夫々この発
明を説明するための構成図、第6図はこの発明を説明す
るための特性図、第7図はこの発明の他の実施例の構成
図、第8図はこの発明のさらに他の実施例の構成図であ
る。 11.12,16,18,19,24,25・・・・・
・pn、p トランジスタ、14,15,2L22゜2
6.28・・・・・・pnp トランジスタ13,1γ
。 29・・・・・・定電流素子、CII+C]2・・・・
・・第1のコレクタ端子、K、、 、 K、2・・・・
・・第2のコレクタ端子。
の従来の電圧フォロワ回路の構成図、第3図はこの発明
の一実施例の構成図、第4図および第5図は夫々この発
明を説明するための構成図、第6図はこの発明を説明す
るための特性図、第7図はこの発明の他の実施例の構成
図、第8図はこの発明のさらに他の実施例の構成図であ
る。 11.12,16,18,19,24,25・・・・・
・pn、p トランジスタ、14,15,2L22゜2
6.28・・・・・・pnp トランジスタ13,1γ
。 29・・・・・・定電流素子、CII+C]2・・・・
・・第1のコレクタ端子、K、、 、 K、2・・・・
・・第2のコレクタ端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 それぞれ第1、第2のコレクタ端子を有し、エミッ
タが共通接続された第1、第2のトランジスタ素子と、
前記エミッタ共通接続点に接続された電流源と、前記第
1のトランジスタ素子の第1のコレクタ端子および前記
第2のトランジスタ素子の第2のコレクタ端子に接続さ
れる第1の電流路と、前記第1の電流路に流れる電流に
応じた電流が流れるとともに、前記第2のトランジスタ
素子の第1のコレクタ端子および前記第1のトランジス
タの第2のコレクタ端子に接続される第2の電流路と、
出力電圧を得る出力端子と、前記第1のトランジスタ素
子の第2のコレクタ端子および前記第2のトランジスタ
素子の第1のコレクタ端子の共通接続点の電圧を上記第
2のトランジスタ素子のベース端子および前記出力端子
にそれぞれ供給する手段とを具備し、前記第1のトラン
ジスタ素子のベース端子に入力信号を供給するようにし
たことを特徴とする電圧フォロワ回路。 2 前記第1、第2のトランジスタ素子それぞれは、第
1のコレクタ端子に接続されたコレクタ面積が第2のコ
レクタ端子に接続されたコレクタ面積よりも広くなるよ
うにした特許請求の範囲第1項に記載の電圧フォロワ回
路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53020276A JPS5824042B2 (ja) | 1978-02-23 | 1978-02-23 | 電圧フオロワ回路 |
US06/013,971 US4223276A (en) | 1978-02-23 | 1979-02-22 | Voltage follower circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53020276A JPS5824042B2 (ja) | 1978-02-23 | 1978-02-23 | 電圧フオロワ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54112146A JPS54112146A (en) | 1979-09-01 |
JPS5824042B2 true JPS5824042B2 (ja) | 1983-05-19 |
Family
ID=12022639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53020276A Expired JPS5824042B2 (ja) | 1978-02-23 | 1978-02-23 | 電圧フオロワ回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4223276A (ja) |
JP (1) | JPS5824042B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2903299A1 (de) * | 1979-01-29 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Monolithisch integrierbare tiefpass- filterschaltung |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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