DE2226418B2 - Schmitt-Trigger - Google Patents

Description

gen notwendig ist. Hinzu kommt, daß sich abhängig von der Einstellung der Hysterese die Größe beider F.ingangs-Steuerspannungen ändert, bei denen eine ; Auslösung erfolgt. Wegen dieser Verkopplung von ' HystereseeinsteHung und Eingangssteuerspannung ist ein unabhängiger Bezug von Werten der Eingangs-Steuerspannung auf die Ansprechwerte nicht möglich.

Die Erfindung vermeidet ausgehend von der eingangs bezeichneten Schaltung diese Nachteile dadurch, daß im Kollektorkreis des ersten Transistors eine erste Steuerschaltung vorgesehen ist, die Strom an den Kollektor des zweiten Transistors liefert, wobei dieser durch die erste Stromquelle begründete Strom eine vorbestimmte Beziehung zu dem Kollektorstrom des ersten Transistors hat, daß ein Rückkupplungsschalter vorgesehen ist, dessen Steuereinuang mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist und der in seinem einen Schaltzustand von dem Überschuß des von der ersten Steuerschaltung gelieferten Stroms zu dem Kollektorstrom des zweiten Transistors gehalten wird und daher in seinen zweiten Schaltzustand umschaltet, wenn der Kollektorstrom des zweiten Transistors gleich oder größer ist als der Strom, der von der ersten Steuerschaltun« geliefert wird, daß eine zweite Stromquelle vorgesehen ist, die mit dem Eingang des Rückkupplungsschalters verbunden ist und in seinem zweiten Schaltzustand angeschaltet ist, um ihn mit ihrem Strom in diesem Schaltzustand zu halten, wobei der Rückkupplungsschalter von seinem zweiten zu seinem ersten Leitzustand umgeschaltet wird auf Grund eines Stromes, der von der ersten Steuereinrichtung im Überschuß zu dem Kollektorstrom des zweiten Transistors geliefert wird und der gleich ist einem vorbestimmten Bruchteil des Stromes, der von der /weiten Stromquelle geliefert wird.

Weites Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Darstellung eines Ausführungsbeispiels sowie aus der folgenden Be-Schreibung. Es zeigt

F i g. 1 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung und

F i g. 2 ein Spannungs-Zeitdiagramm zur Beschreibung der Arbeitsweise des in F i g. 1 gezeigten Schaltkreises.

In F i g. 1 ist, eingeschlossen in gestrichelten Linien, ein monolithischer integrierter Schaltkreis gezeigt. Die Betriebsspannung für den Schaltkreis wird von einer Quelle (nicht gezeigt) geliefert, die an den Klemmen 10 und 15 angeschlossen ist. An der Betriebsspannung liegen drei Spannungsteiler, wobei der erste Spannungsteiler zwei Widerstände 11 und 12 aufweist, die in Serie mit einer Diode 14 verbunden sind. Der zweite Spannungsteiler enthält zwei Widerstände 16 und 17, und der dritte Spannungsteiler enthält zwei Widerstände 18 und 19. Bei diesen beiden letzten Spannungsteilern weisen sowohl die Widerstände 16 und 18 als auch die Widerstände 17 und 19 gleiche Widerstandswerte auf.

Der Schaltkreis besitzt eine Eingangsstufe in der Form eines Differenzverstärkers 20 mit zwei NPN-Transistoren 22 und 23. Die Emitter der Transistoren 22 und 23 sine* miteinander verbunden und werden über einen NPW-Transistor 25 mit Strom vcrsorgt, dessen Basis mit dem Widerstand 12 und der Diode 14 verbunden ist und dessen Emitter über einen Emitter-Widerstand 26 mit dem geerdeten Pol 15 der Spannungsquelle verbunden ist. Die Diode 14 liefen ein verhältnismäßig stabiles Betriebspotential für die ßasis des Transistors 25 und gewährleistet weiterhin eine Temperaturkompensation bezogen auf den Basis-Emitter-Übergang des Transistors 25. Daher ist der von dem Transistor 25 gezogene und dem Differentialverstärker 20 zugeführte Strom verhältnismäßig konstant gegenüber Veränderungen in einem gewissen Bereich der Betriebsspannung und der Umgebungstemperatur. Dieser Strom wird zwischen den zwei Transistoren 22 und 23 in Übereinstimmung mit der relativen Leitfähigkeit dieser Transistoren aufgeteilt.

Der statische Arbeitspunkt für die Transistoren 22 und 23 wird für den Transistor 22 von dem Potential an dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 16 und 17, der mit der Basis des Transistors 22 verbunden ist, eingestellt. Für den Transistor 23 ist das Potential an dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 18 und 19 der mit der Basis des Transistors 23 verbunden ist, maßgebend. Da sowohl die Widerstände 16 und 18 als auch die Widerstände 17 und 19 gleiche Widerstandswerte besitzen, sind die Vorspannungspotentiale, die den Basen der Transistoren 22 und 23 zugeführt werden, im unausgesteuerten Zustand gleich.

Die Transistoren 22 und 23 sind jedoch so hergestellt, daß die Emitterfläche des Transistors 22 größer als die Emitterfläche des Transistors 23 ist. Dies ist in F i g. 1 dadurch angedeutet, daß der Emitter des Transistors 22 wesentlich stärker als der Emitter des Transistors 23 gezeichnet ist.

Wegen dieser unterschiedlichen Emitterfläche leitet der Transistor 22 einen größeren Kollektorstrom als der Transistor 23 bei gleichem an den Basen der Transistoren 22 und 23 angelegtem Potential. Dies ist daher der Schaltkreis-Arbeitszustand, wenn keine Differenz-Eingangsspannung an die Basen der Transistoren 22 und 23 angelegt ist.

Die relative Leitfähigkeit der Transistoren 22 und 23, die sich in den Kollektorströmen ausdrückt, die von diesen Transistoren gezogen werden, werden durch eine Steuerschaltung in dor Form eines Zweifach-Kollektor-PNP-Transistors 29 erfaßt, der zwei Kollektoren 30 und 31 aufweist. Der Emitter dieses Transistors 29 ist mit dem positiven Pol 10 der Stromversorgungsquelle verbunden, während der Kollektor 30 gemeinsam mit der Basis des Transistors 29 an dem Kollektor des Transistors 22 angeschlossen ist. Dies bewirkt, daß quasi eine Diode in Serie zwischen dem Punkt 10 und dem Kollektor des Transistors 22 angeschlossen ist. Der Kollektor 31 des Transistors 29 ist mit dem Kollektor des Transistors 23 verbunden, so daß die Leitfähigkeit des Transistors 29 von der Leitfähigkeit des Transistors 22 gesteuert wird und bewirkt, daß gleiche Ströme sowohl in dem Kollektor 30 als auch in dem Kollektor 31 fließen, vorausgesetzt, sie haben die gleiche Fläche. Die Größe der Ströme in den Kollektoren 30 und 31 verändert sich ir, Übereinstimmung mit der Leitfähigkeit des Transistors 22.

Ein zweitei Teil des Schmitt-Triggers ist ein positiver Rückführ-Schaltkreisteil 35 mit einem zweiten Zweifach-Kollektor-PNP-Steuertransistor 36, der erste und zweite Kollektoren 37 und 38 aufweist. Der Kollektor 38 des Transistors 36 ist mit seiner Basis (Verbindungspunkt 'JO) verbunden, die weiterhin mit dem Kollektor 31 des Transistors 29 und dem KoI-

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lektor des Transistors 23 verbunden ist. Daher bringt stors 23 gegenüber der Leitfähigkeit des Transistors

die Kopplung des Kollektors 38 mit dem Verbin- 22 erhöht, wird der von dem Kollektor des Transi-

dungspunkt 40 effektiv eine Diode in Serie zwischen stors 23 gezogene Strom zusätzlich zu dem von dem

die Anschlußklemme 10 und den Verbindungspunkt Kollektor 31 gelieferten Strom der Klemme 10 mit-

40. 5 tels der Transistor-Diode zugeführt, die von der Ver-

Es sei angenommen, daß der Transistor 36 nicht bindung des Kollektors 38 des Transistors 36 mit seileitet und daß die an die Basen der Transistoren 22 ner Basis am Verbindungspunkt 40 gebildet wird, und 23 angelegten Potentiale so sind, daß der Transi- Daher wird der von dem Schalttransistor 36 gezostor 22 einen größeren Strom zieht als der Transistor gene Strom in den Strom aufgeteilt, der durch den 23. Der von den Transistoren 22 und 23 gezogene io Stromquellen-Transistor 50 geliefert wird, und den Gesamtstrom wird, wie oben schon erwähnt, von Strom, der von dem Transistor 23 im Überschuß zu dem Transistor 25 bestimmt und wird von den KoI- dem von dem Transistor 29 gelieferten Strom benölektoren 30 und 31 des Transistors 29 bzw den KoI- tigt wird.

lektoren der Transistoren 22 bzw. 23 geführt. Die In F i g. 2 ist der anfängliche Schaltpunkt A des Vorspannung des Transistors 29 wird jedoch von 15 Schalters 35 von einem nichtleitenden zu einem leidem Kollektor des Transistors 22 erhalten, und der tenden Zustand auf der Kurvenform VI gezeigt, ent-Transistor Ϊ9 versucht an sich, gleiche Ströme an je- sprechend einer bestimmten Differenzspannung, die den der Kollektoren 30 und 31 zu liefern. Der Wert über den Klemmen 43 und 44 anliegt. Die Ausgangsdieses Stromes ist dabei gleich dem Strom, der durch spannung an der Klemme 52, die mit dem Kollektor den Kollektor des Transistors 22 fließt. *» 37 und der Diode 39 verbunden is*, steigt dann von

Da der Transistor 22 jedoch stärker als der Tran- einem niedrigen Pegel auf das Maximum (0,7 Volt),

sistor 23 leitet, zieht der Kollektor des Transistors 23 dem Spannungsabfall über der Diode 39 an, wie in

nicht so viel Strom wie der Kollektor des Transistors F i g. 2 im Kurvenverlauf der Ausgangsspannung

22. Infolgedessen stellt sich ein Überschußstrom an (Rechteck) angedeutet. Obwohl die Ausgangsspan-

dem Kollektor des Transistors 31 ein. Dieser Strom, as nung in F i g. 2 als eine in der Größe ansteigende

der dem Verbindungspunkt 40 als ein umgekehrter Spannung gezeigt ist, die in A und B gleich der

Strom an der Basis des Transistors 36 zugeführt Größe der Eingangsspannung VI ist, wird die Größe

wird, bewirkt, daß der Transistor 36 in seinem nicht- Jer Ausgangsspannung von den Parametern der

leitenden Zustand gehalten wird. In diesem Zustand Diode 39 bestimmt und nicht von der Größe der Dif-

wird der Transistor 29 gesättigt. 30 ferenz-Eingangsspannung. Die Ausgangsspannung

Wenn nun eine Differenzspannung (VI der Quelle kann auch entweder größer oder kleiner sein als die

47) zwischen die Basen der Transistoren 22 und 2? Größe der Eingangsspannung VI. Die relativen Grö-

an zwei Eingangs-Verbindungsklemmen 43 bzw. 44 ßen der Ausgangsspannung und der Spannung VI,

angelegt wird, kann die relative Leitfähigkeit der wie in Fig.2 gezeigt ist, wurden lediglich zur Erläu-

Transistoren 22 und 23 verändert werden. Man 35 terung so gewählt.

nehme zunächst an, daß das von der Quelle 47 ange- Ein strommäßig zweckmäßigerer Ausgang kann

legte Potential in der gezeigten Richtung erhöht wird, dadurch erhalten werden, indem der Basis-Emitter-

wodurch das Potential an der Klemme 44 ansteigend weg eines NPN-Transistors über die Diode 39 gelegt

positiver wird in bezug auf das Potential an der wird, wobei der Kollektor dieses Transistors den

Klemme 43. Dabei wird der Transistor 22 weniger 40 Ausgangsstrom liefert.

leitend und der Transistor 23 stärker leitend, bis die Wenn nun die Differenzspannung zwischen den

durch die eingebauten unterschiedlichen Emitterflä- Anschlüssen 43 und 44 beginnt sich zu vermindern,

chen der Transistoren 22 und 23 vorgegebene Diffe- verursacht sie dabei einen Anstieg der Leitfähigkeit

renz überschritten wird und die Kollektorströme in des Transistors 22 und einen Abfall der Leitfähigkeit

den Transistoren 22 und 23 gleich werden. Von da 45 ^des Transistors 23: dabei tritt der fallende Ast der

ab zieht der Transistor 23 allen Strom, der von dem Km ve VII (s. F i g. 2) auf. Wenn die Größe der Dif-

Kollektor 31 des Transistors 29 zugeführt wird, so ferenzeingangsspannung VI dabei die Größe entspre-

daß ein umgekehrter Strom nicht mehr an der Basis cliend dem PunktA in Fig.2 erreicht, sch-ltet der

des PNP-Transistors 36 eingespeist wird. Schalter 35 noch nicht in seinen ursprünglichen

Der Transistor 36 wird leilend, und es fließt Strom 50 nichtleitenden Zustand zurück. Dies beruht auf der /on dem Kollektor 37 durch eine Diode 39 zu dem Tatsache, daß die Stromquelle 50 beginnt, Übergeerdeten Pol 15. Das Potential an der Anode der schußstrom (über dem, der von dem Kollektor des Diode 39 wird als Betriebspotential der Basis eines Transistors 23 gefordert wird) von dem Kollektor 31 NPN-Stromquellen-Transistors 50 zugeführt, dessen des Transistors 29 zu ziehen. Das ergibt eine entspre-Emitter über einen Widerstand 51 mit dem geerdeten 55 chende Reduzierung des Stromes, der von dem Pol 15 verbunden ist. Der Kollektor des Stromquel- Stromquellen-Transistor 50 von dem Kollektor 38 len-Transistors 50 ist mit dem Verbindungspunkt 40 des Transistors 36 gezogen wird, aber der Transistor verbunden, so daß nach dem Leitendwerden des 36 bleibt dennoch leitend.

Stromquellen-Transistors 50 mittels des Stromes, der Die von den Stromquellen 25 und 50 gezogenen

durch den Transistor 36 fließt, der Stromquellentran- 60 Ströme sind so ausgewählt, daß die Stromquelle 25

sistor 50 den Transistor 36 mittels des Stromes lei- einen ausreichend hohen Strom mit Bezug auf den

tend hält, der durch den Kollektor 38 gezogen wird. Strom zieht, der von der Stromquelle 50 gezogen

Die Leitung des Schaltkreisteils 35 ist dann abhängig wird und den Trigger-Schaltkreis 35 rückgekoppelt

von dem Leitfähigkeits-Zustand des Differential-Ver- unterbricht. Während die Leitfähigkeit des Transi-

stärkers 20. 65 stors 23 weiterhin vermindert wird, wird mehr und

Wenn die relative Leitfähigkeit der Differenzver- mehr Strom von dem Kollektor 31 des Transistors 29

stärker-Transistoren 22 und 23 weiterhin sich in eine zum Verbindungspunkt 40 geliefert und von diesem

Richtung verändert, die die Leitfähigkeit des Transi- Punkt durch den Stromquellen-Transistor 50 abgezo-

■j η r.

gen. Wenn die Leitfähigkeit des Transistors 23 bis auf den Punk*, reduziert ist, daß der Überschußstrom, der von dem Kollektor des Transistors 31 geliefert wird, einen bestimmten Bruchteil (typischerweise in der Nähe von ein halb) des Stromes liegt, der dann ve;.- der Stromquelle 50 gezogen wird, geht der Schalter 35 in einen unstabilen Zustand über, und seine Leitung wird sprunghaft unterbrochen. Die Größe der Differenz-Eingangs-Spanpung VI, die dieses bewirkt, ist am Punkt B in F i g. 2 angedeutet; es ist dabei zu bemerken, daß die Größe von VT am Punkt B geringer ist als die Größe von VI am Punkt A, die den Schalter 35 leitend gemacht hat.

Wenn der Transistor 36 nichtleitend geworden ist, wird die Stromquelle 50 ebenfalls nichtleitend. Der umgekehrte Strom, der der Basis des Transistors 36 zugeführt wird, hält den Schalter 35 in diesem Betriebszustand, bis wiederum die Differenz-Eingangsspannung VI eine Größe A erreicht.

Aus dem Vorhergehenden wird deutlich, daß der obere Schwellwert oder Trigger-Punkt (Punkt A in F i g. 2) von den unterschiedlichen Emitterflächen der Transistoren 22 und 23 bestimmt wird und daß der untere Schwellwert abhängt von dem Verhältnis der Ströme, die von den Stromquellen 25 und 50 zu dem Verbindungspunkt 40 geführt werden. Dieses untere Schwellwert-Verhältnis bestimmt den Betrag oiT Hysterese der Trigger-Schaltung, d. h. die Differenz zwischen den oberen und den unteren Schaltschwellwerten. Der untere Schwellwert ist dabei nicht unabhängig von dem oberen Schwellwert definiert, sondern wird relativ zu dem oberen Schwellwert bestimmt, so daß, wenn gewünscht, z. B. eine sehr niedrige Hysterese von dem Schaltkreis erhalten werden kann. Das Verhältnis der Ströme, die von den Stromquellen 25 und 50 gezogen werden, bestimmt somit

die Hysterese der Schaltung, basierend auf einem oberen Schwellwert, der von den Emittern der Differenz-Verstärker-Transistoren 22 und 23 vorgegeben wird.

Der obere Schwellwert kann auch durch Verändern rung der relativen Flächen der Kollektoren 30 und 31 des Transistors 29 oder der Kollektoren 37 und 38 des Transistors 36 eingestellt werden, da dies ebenfalls die relativen Ströme ändern würde, die von den Kollektoren von diesen Transistoren geliefert

werden. Die grundlegende Arbeitsweise des Schaltkreises würde jedoch die gleiche sein, wie sie beschrieben wurde. Die Schaltung ist in der Lage, bei sehr niedrigen Differenü-Eingangsspannungen zu arbeiten; typische Schaltkreise arbeiten im Bereich von

ao 20 bis 40 Millivolt.

Obwohl die Transistoren 29 und 36 als Zweifach-Kollektor-Lateral-PNP-Transistoren gezeigt wurden, könnte jeder dieser Transistoren ersetzt werden durch ein Paar von Einfach-Kollektor-Latcral-

»5 PNP-Transistoren. Die Transistoren eines jeden Paares würden gemeinsame Basis- und Emitterverbindungen haben, entsprechend zu den Basis- und Emitterverbindungen der Transistoren 29 und 36 der Fig. 1. Die getrennten Kollektoren dieser Trans i-ή o-

ren bei derartigen Paaren würden direkt dem Paar von Kollektoren eines jeden der Transistoren 29 und 36 entsprechen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

409 512/394

Claims (1)

¹ 2

Patentansprüche; 5. Trigger nach Anspruch 4, dadurch gekenn-

ι βΜ ff τ · · , T^·,. zeichnet, daß der Rückkupplungsschalter eine

L. schmitt-1 rigger mit als Djfterenzstufe arbei- zweite Diodeneinrichtung (36, 38), die zwischen

tenden ersten und zweiten Transistoren vom glei- dem einen Pol der Spannungs-Versorgung und

cnen Leittahigkeitstyp, die ausgangsseitig mit 5 dem Kollektor des zweiten Transistors angedem einen Pol der Spannungsversorgung verbun- schlossen ist, sowie einen vierten Transistor (36,

den sind, basisseitig von derEingangs-Steuerspan- 37) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der dritte

nuiig beaufschlagt sind und deren Emitter über Transistor aufweist, dessen Basis den Steuerein-

e.ne erste Stromquelle an den anderen Pol der gang des Rückkupplungsschalters büdet und wo-

Spannungsversorgung angeschlossen sind, da- io bei der Emitter an einen Pol der Spannungsveraurcn gekennzeichnet, daß im Kollek- sorgung und der Kollektor an einen Schaltkreis

torkreis des ersten Transistors (22) eine erste (39) zur Erzeugung einer Vorspannung für die

Steuerschaltung (29 30) vorgesehen ist, die zweite Stromquelle (51, 51) angeschlossen ist,

strom (.über _ 31) an den Kollektor des zweiten jvobei diese zweite Stromquelle zwischen dem an-

l ransistors (23) liefert wobei dieser durch die t₅ deren Pol der Spannungsversorgung und dem erste Stromquelle (25, 26) begründete Strom eine Steuereingang (40) des Rückkupplungsschalters

vorbestimmte Beziehung zu dem Kollektorstrom liegt

des ersten Transistors (22) hat, daß ein Rückkupplungsschalter (35) vorgesehen ist, dessen

Steuereingang (4(^ mit dem Kollektor des zwei- ao

ten Transistors (23) verbunden ist und der in seinem einen Schaltzustand von dem Überschuß des

von der ersten Steuerschaltung gelieferten Stro- Die Erfindung betrifft einen Schmitt-Trigger mit

mes zu dem Kollektorstrom des zweiten Transi- als Differenzstufe arbeitenden ersten und zweiten stors gehalten wird und daher in seinen zweiten a₅ Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp, die aus-Scnaltzustand umschaltet, wenn der Kollektor- gangsseitig mit dem einen Pol der Spannungsversorstrom des zweiten Transistors (23) gleich oder gung verbunden sind, basisseitig von der Eingangsgrouer ist als der Strom, der von der ersten Steu- Steuerspannung beaufschlagt sind und deren Emitter erschaltung ge hefen wird, daß eine zweite Strom- über eine erste Stromquelle an den anderen Pol der queue: (50 51) vorgesehen ist, die mit dem Ein- 30 Spannungsversorgung angeschlossen sind, gang des Rückkupplungsschalters (35) verbunden Der Schmitt-Trigger ist ein Schaltverstärker, der,

ist und in seinem zweiten Schaltrustand ange- abhängig vom angelegten Eingangssignal, zwei scharf schaltet ist, um ihn mit ihrem Strom in diesem unterschiedene Ausgangssignale »0« und »L« abgeschaltzustand zu halten, wobei dei Rückkupp- ben kann. Er wird daher hauptsächlich zur Signalilungsschalter (35) von seinem zweiten zu seinem 35 sierung der unter- oder Überschreitung eines beersten Leitzustand umgeschaltet wird auf Grund stimmten Spannungsgrenzwertes (Schwellwert) beeines stromes, der von der ersten Steuereinrich- nutzt, z. B. in FM-Stereo-Multiplex-Empfängern zur tung ,m Überschuß zu dem Kollektorstrom des Bewirkung der Abdämpfung für den Stereo-Verar-.weiten Transistors geliefert wird und der gleich beitungskanal während monoraler Sendungen oder ist einem vorbestimmten Bruchteil des Stromes, 40 zur Abdämpfung von Stereo-Empfangssignalen, die der von der zweiten Stromquelle geliefert wird. _zu schwach sind, um eine zufriedenstellende Arbeits- L. 1 rigger nach Anspruch 1, gekennzeichnet weise des Empfängers sicherzustellen. Bei derartigen £""« η- -'^chaItkl™s-Einnchtungen (größere Anwendungen ist es notwendig, daß die Einschalttmittertlache von 22), um den ersten Transistor und Abschaltschwellen der Trigger-Schaltung genau (22) bei der Differenz-Eingangsspannung 0 star- 45 gesteuert sind.

herleitend zu machen als den zweiten Transistor. Schmitt-Trigger sind in mannigfaltigen Ausfüh-

•\ ^A "Sf^er,"^aciL Anspruch 2, dadurch gekenn- rungsformen bekanntgeworden. Dabei ist es von S' ₍ · ^TiW^rt|>f^tung * ein mono- Nachteil, daß der Trigger in den herkömmlichen hth.scher integrierter Schaltkreis aufgebaut ist Schaltungen eine gewisse Hysterese besitzt, d.h., daß iSiSf Λ ersten Transistors (22) eine 50 das Ausgangssignal bei steigendem Eingangssignal größere Flache besitzt als der Emitter des zwei- bei einer anderen Schwelle wechselt als bei fallendem ten l ransistors (23). Eingangssignal.

4. l rigger nach den Ansprüchen 1 bis 3, da- Durch die deutsche Offenlegungsschrift 1948 603

durch gekennzeichnet, daß die erste Steuerschal- ist eine Schmitt-Triggerschaltung bekanntgeworden, tung eine erste Dioden-Einrichtung (29, 30) auf- ₅₅ bei der die Hysterese einstellbar ist, und zwar dam?nl: ν ^¹⁵⁰*¹™ ^{dem emen Po1} der Span- durch, daß die Steuerelektrode eines Transistors mit nungs-yersorgung und dem Kollektor des ersten einem Abgriff des Lastwiderstandes verbunden ist

If_nTnTiU ⁽T ^angr^hXn^Se£J^St' ^{Und Weiterhin und daß die} Ausgangselektrode dieses Transistors

emfi^eset^⁵¹! -ßw' w ^enthä·¹¹' ^{der VOn mit dem} Trigger-Eingang verbunden ist, so daß zu-

ChJn¹Sf fl \Τ-^^Ψ^Ψ ^1St' ^VergH- ^{6o sätzlich zur} Steuerspannung eine vom Schaltzustand

des Zw^ ten ^,^ ^g κ -^y5- ^d£^S -¹^⁶" ^{Und des Tri}Sg^ers abhängige Rückkopplungsspannung am

des zweiten Transistors, wobei die Basis des drit- Trigger-Eingang auftritt

TrlnStorf l°Jl ""π ^¹? ^K?^llekt0.^{r des erste}n Diese bekannte Schaltung hat den Nachteil, daß

einen Po? νΐ" ' ' ^" ^Emi"^er "If ^{dem die zusätzliche} Rückkopplungsspannung gleichzeitig

Kollektor J A ^Ver.^S0^^u,ⁿg^ssP^annunI «nd sein 6₅ auf das Ansprechen bei beiden Schwellwerten wirkt

stolnnH^Tt ■ ^1Iektor des zweiten Transi- Es ist wegen dieser Verkopplung nicht möglich,

chalteis verbund^?⁶³"⁸ ^ ^RückkuPP^lun^ d™» Schwellwert unabhängig von dem anderen ein^

schalters verbunden ist. zustellen, wie es jedoch für verschiedene Anwendun-