DE2944657C2 - Komparatorschaltung - Google Patents
KomparatorschaltungInfo
- Publication number
- DE2944657C2 DE2944657C2 DE19792944657 DE2944657A DE2944657C2 DE 2944657 C2 DE2944657 C2 DE 2944657C2 DE 19792944657 DE19792944657 DE 19792944657 DE 2944657 A DE2944657 A DE 2944657A DE 2944657 C2 DE2944657 C2 DE 2944657C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- current
- transistor
- output
- input
- comparator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
- G01R19/16571—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing AC or DC current with one threshold, e.g. load current, over-current, surge current or fault current
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/2893—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
- H03K3/2897—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger with an input circuit of differential configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
Komparatorschaltung zu Finden, die einen Stromkomparator
mit interner Erzeugung einer Schalthysterese darstellt
Vorteile der Erfindung
Gelöst wird die Aufgabe durch die erfmdungsgemäße
Komparatorschaltung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs. Sie hat den Vorteil, daß die
zur Erzeugung der Hysterese benötigte Signalrückf 2hrung vollständig innerhalb der Komparatorschaltung
liegt, so daß die Eingänge nicht berührt werden. Beide Eingänge bleiben daher hochohmig und frei beschaltbar.
Die Komparatorschaltpunkte sind hier bestimmt durch einmalig konstruktiv festgelegte Differenzen zwischen
Eingangs- und Referenzsignal und folgen dem Referenzsigna! im Abstand dieser festgelegten, konstanten
Differenz. Dadurch ist der Betrieb mit variabler Referenz und die Unterdrückung von Gleichtaktspannungen
möglich.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und
Verbesserungen der im Hauptanspruch angegebenen Komparatorschaltung möglich.
Besonders vorteilhaft ist die mit den wenigen benötigten Bauelementen erzielbare hohe Genauigkeit und
die Unabhängigkeit von den Batteriespannungen, mit der sowohl die Größe des Hysteresebereiches als auch
dessen Lage in Bezug zum Referenzsignal eingestellt werden können. Als weiterer Vorteil ist anzusehen, daß
die Auskopplung des Ausgangssignals so möglich ist, daß sie ohne Rückwirkung auf die Lage der Schaltpunkte
bleibt. Weiterhin ist die erfindungsgemäße Komparatorschaltung besonders gut für eine monolithische Integration
geeignet.
Zeichnung
Ausführungsbcispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung
näher erläutert. Es zeigen
F i g. 1 bis 3 schaltungsmäßige Ausgestaltungen der Komparatorschaltung. In
F i g. 4 und 5 sind zusätzlich zwei schaltungsmäßige Ausgestaltungen einer Auskoppelschaltung dargestellt.
F i g. 6 zeigt eine Ausführung in der alle Transistorfunktionen der Fig.5 durch die zu ihnen komplementären
Transistorfunkticnen ersetzt sind.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
F i g. 1 zeigt in einem Stromkomparator das Grundprinzip der erfindungsgemäßen Lösung. Die Komparatorschaltung
umfaßt einen als Stromspiegel 1 geschalteten Differenzverstärker. Dabei ist die Basis eines Transistors
2 in Diodenschaltung mit dessen eigenem Kollektor und mit der Basis eines weiteren Transistors 3 verbunden.
Dieser Knotenpunkt ist der Eingangsanschluß des Stromspiegels 1 und der Kollektor des Transistors 3
ist der Ausgangsanschluß des Stromspiegels 1. Die Emitter der Transistoren 2,3 sind beide direkt auf Masse
4 geschaltet, können aber auch zum Ausgleich restlicher Strom-Unsymmetrien über Symmetriewiderstände
mit Masse 4 verbunden werden. Ein Schalter 5, der von der am Kollektor des Transistors 3 abgenommenen
Ausgangsspannung U, gesteuert wird, ist mit der Basis der Transistoren 2, 3, dem Eingang des Stromspiegels 2
vprbunden. Weiterhin ist der Schalter an einen Stromgenerator
6 geschaltet, der einen Strom Ins erzeugt Dem Eingang des Stromspiegels 2 wird ein Eingangsstrom Ic und dem Ausgang des Stromspiegels 1 ein Referenzstrom
Iref zugeführt. Weiterhin ist ein Stromgenerator 7 vorgesehen, der einen Strom Iho in den Eingang
des Stromspiegels 1 einspeist
Die Wirkungsweise der Schaltung aus F i g. 1 ist folgende: Werden zunächst die Ströme Iho und Ins aus der
Betrachtung herausgelassen, dann geht die Ausgangsspannung des aus den gleichartigen Transistoren 2, 3
bestehenden Stromspiegels 1 vom //-Zustand (High-Zustand, hohe Ausgangsspannung) in den L-Zustand (Low-Zustand,
niedrige Ausgangsspannung) über, wenn der Eingangsstrom le die Größe des Referenzstromes IKr
erreicht oder übersteigt. Wird über den von der Ausgangsspannung gesteuerten Schalter 5 der Strom Ihs in
der Weise hinzugefügt, daß er auf den Eingang des Stromspiegels 1 gelangt, wenn die Ausgangsspannung
im L-Zustand ist und der Strom Ins nicht auf Eingang
des Stromspiegels gelangt, wenn die Ausgangsspannung im //-Zustand ist, so weist der Komparator eine Schalthysterese
auf. Mit dem konstanten Strom Iho, der direkt auf den Eingang des Stromspiegels I gelangt, ist es möglich,
die Lage des durch den Strom Ins hervorgerufenen
Hysteresebereiches im Bezug zum Referenzsstrom zu verschieben. Der Ausgang des Komparators schaltet
unter den angegebenen Bedingungen vom //-Zustand in den L-Zustand, wenn der Eingangsstrom auf den Wert
der Differenz aus Referenzstrom und Strom Iho angestiegen ist und schaltet umgekehrt vom L-Zustand in
dem //-Zustand, wenn der Eingangsstrom auf den Wert der Differenz aus dem Referenzstrom und der Summe
von Iho und Ihs abgefallen ist. Beide Schaltpunkte verschieben sich also mit Iho nach Betrag und Richtung in
gleicher Weise, während die Größe des Hysteresebereiches nur von Ihs abhängt.
In F i g. 2 ist eine schaltungsmäßige Ausgestaltung des Schalters 5 mit den oben beschriebenen Schaltfunktionen
in Form eines emittergekoppelten Transistorpaares 8,9 dargestellt. 1st die Ausgangsspannung im L-Zustand,
so übernimmt der Tranistor 8 den Strom Ihs und leitet ihn auf den Eingang des Stromspiegels 1. Ist die Ausgangsspannung
im //-Zustand, so übernimmt der Transistor 9 den Strom //«und leitet ihn nach Masse 4 ab.
Fig. 3 zeigt eine schaltungsmäßige Ausgestaltung eines Spannungskomparators, in der gleichzeitig eine
für integrierte Schaltungen vorteilhafte Ausführung für die verschiedenen benötigten Stromgeneratoren gezeigt
ist. Dazu ist ein lateraler Transistor 12 vorgesehen, der aus jedem seiner Teilkollektoren einen zum Strom
im Bezugs-Teilkollektor 17 proportionalen Strom konstruktiv einstellbarer Größe zur Verfugung stellt. Der
Emitter des Transistors 12 ist mit der auf Batteriespannung liegenden Leitung 13 verbunden. Der Teilkollektor
14 des Transistors 12 liefert den Summenstrom /, für ein emittergekoppeltes Eingangstransistorpaar 10, 11
und ist mit den Emittern dieses Transistorpaares 10,11
verbunden. Der Kollektor des Transistors 10 ist mit dem Ausgang des Stromspiegels 1 und der Kollektor des
Transistors 11 mit dem Eingang des Stromspiegels 1 verbunden. An der Basis des Transistors 11 liegt die
Eingangsspannung, während an der Basis des Transistors 10 die Referenzspannung des Komparators liegt.
De. Teilkollektor 15 des lateralen Transistors 12 ist mit den Emittern des emittergekoppelten Transistorspaares
8,9 verbunden. Die Kollektorströme des emittergekoppelten Eingangstransistorpaares 10, 11 entsprechen
dem in F i g. 2 dargestellten Referenzstrom l,cr und dem
Eingangsstrom /t- Für die beiden Schaltpunkte gilt, daß
die Ausgangsspannung des Komparator vom H-Zustand in den ^-Zustand übergeht, wenn die Eingangsspannung auf den Wert der Referenzspannung abgefallen
ist und vom /.-Zustand in den Η-Zustand zurückgeht,
wenn die Eingangsspannung wieder auf den Wert der Summe aus Referenzspannung und Hysteresespannung
angestiegen ist. Die Hysteresespannung ist eine logarithmische Funktion des Stromquotienten Iq/IHs,
welcher durch das Verhältnis der Randlängen der Teilkollektoren 14 und 15 des lateralen Transistors 12 unveränderlich
festgelegt ist. Daher ist die Hysteresespannung unabhängig von der Batteriespannung. Der Hysteresebereich
vom Betrage der Hysteresespannung liegt in dem Schaltungsbeispiel nach F i g. 3 einseitig oberhalb
der Referenzspannung, kann aber entsprechend Fig. 1 durch Hinzufügen eines weiteren Stromes Iho,
der aus einem weiteren, nicht dargestellten Teilkollektor des lateralen Transistors 12 gewonnen werden
könnte, verschoben werden. Dabei wäre der Teilkollektor direkt mit dem Eingang des Stromspiegels zu verbinden.
Die Verschiebung des Hysteresebereiches wäre ebenfalls unabhängig von der Batteriespannung.
Eine weitere Möglichkeit der Beeinflussung des Hysteresebereiches und seiner Lage im Bezug zur Referenzgröße
besteht in der Stromdichtebeeinflussung in den Emittern der Transistoren 2 und 3 des Stromspiegels
1. Das geschieht in der Weise, daß die Transistoren 2,3 unterschiedliche Emitterflächen erhalten können.
Um für sehr kleine Hysteresespannungen die Randlänge des Teilkollektors 15 des lateralen Transistors 12
im Interesse der Schaltpunktgenauigkeit nicht zu klein machen zu müssen, werden die Kollektoren des emittergekoppelten
Transistorpaares in Teilkollektoren unterteilt und nur ein Teilkollektor des Transistors 8 wird mit
dem Eingang des Stromspiegels 1 verbunden, so daß nur der über diesen Teilkollektor fließende Teilstrom von
Ins hystereseerzeugend wirkt. Alle weiteren Teilkollektoren
des emittergekoppelten Transistorpaares 8,9 sind mit Masse 4 verbunden. Durch die bisher beschriebenen
Ausführungsbeispiele ist es möglich, besonders die Schaltpunkte bei kleinen Hysteresebereichen genau
einzustellen. Größere Hysteresebereiche können über entsprechende Spannungsabfälle an Emitterwiderständen,
die in die Emitterzweige des emittergekoppelten Eingangstransistorpaares 10,11 geschaltet werden können,
erzeugt werden.
Da in dem beschriebenen Komparator immer ein Stromvergleich durchgeführt wird, reagiert ein solcher
Komparator mit einer Verschiebung der Schaltpunkte, wenn beim Auskoppeln des Ausgangssignals am Kollektor
des Transistors 3 des Stromspiegels 1 ein Strom entnommen wird. Deshalb sollte bei höheren Anforderungen
an die Genauigkeit der Schaltpunkte der Auskoppelstrom am Kollektor des Transistors 3 so gering
wie möglich sein. Dieses wird durch eine Auskoppelschaltung, wie sie in F i g. 4 dargestellt ist, gewährleistet
Ein zusätzlich vorgesehener Auskoppel-Stromspiegel 23 mit den Transistoren 19,20 wird über einen Emitterfolger
21 angesteuert Der Kollektor des Emitterfolgers 21 ist an die Plusleitung 13 angeschlossen. Der Kollektor
des Transistors 20 des Auskoppel-Stromspiegels 23 ist mit einem weiteren Teilkollektor des lateralen Transistors
12 verbunden. Der Ausgangsspannungshub ist in diesem beschriebenen Ausführungsbeispiel nicht mehr
auf etwa die Referenzspannung beschränkt sondern umfaßt den maximal möglichen Bereich in der Größe
der Batteriespannung. Die Schaltung verhindert außerdem, daß der Transistor 10 des emittergekoppelten Eingangs-Transistorpaares
in Sättigung gelien kann, verbessert also gleichzeitig die Eingangseigenschaften des
Komparators an der Basis des Transistors 10. In einem
vereinfachten Ausführungsbeispiel kann der als Eingangsdiode geschaltete Transistor 19 des Auskoppelstromspiegels
23 weggelassen werden, so daß die Auskoppelschaltung einen Darlington-Eingang aufweist.
Der laterale Transistor 12 weist in F i g. 4 einen weiteren Kollektor 18 auf, der mit dem Eingang des Stromspiegels
1 verbunden ist und den Strom /ho liefert.
In dem in F i g. 5 dargestellten Ausführungsbeispiei ist der Kollektor des Transistors 9 des emittergekoppelten
Transistorpaares mit dem Eingang des Auskoppel-Stromspiegels 23 verbunden. Damit wird die Tatsache
ausgenutzt, daß die Information des Ausgangssignais bereits voll in den beiden verschiedenen Wegen des
Hysteresestroms Ins enthalten ist. Im Umschaltpunkt
des Hysteresestroms vom Transistor 9 auf den Transistör 8 und umgekehrt wechselt auch das Ausgangssignal
vom //-Zustand in den L-Zustand und umgekehrt. Es
wird der bisher unbenutzt nach Masse 4 abgeführte Kollektorstrom des Transistors 9 in den Auskoppel-Stromspiegel
23 eingespeist. Da der Hysteresestrom Ihs mit dem der Auskoppel-Stromspiegel angesteuert wird,
sehr klein sein kann, ist es vorteilhaft, mit dem Auskoppel-Stromspiegel 23 gleichzeitig eine Stromübersetzung
vorzunehmen. Dazu werden die Transistoren 19 und 20 mit unterschiedlichen Emitterflächen versehen. Ein als
Diode geschalteter Transistor 22 ist einerseits mit dem Kollektor des Transistors 10 des emittergekoppelten
Transistorpaares 10, 11 und andererseits mit dem Eingang des Auskoppel-Stromspiegels 23 so verbunden,
daß die Spannung am Kollektor des Transistors 10 gegen Masse 4 auf die Größe der Spannung an zwei Dioden
begrenzt bleibt. Diese Maßnahme verhindert die Sättigung des Transistors 10 des emittergekoppelten
Eingangs-Transistorpaares 10, 11. Da die Diode 22 erst zu einem Zeitpunkt schaltet, in dem der eigentliche
Komparatorschaltpunkt bereits überschritten wird, wird die Genauigkeit des Schaltpunktes nicht beeinflußt.
In vereinfachter Ausführung kann der Transistor 19 des Auskoppel-Stromspiegels 23 weggelassen werden.
Die beschriebenen Schaltungsbeispiele der Komparatorschaltung lassen sich auch mit dualen Transistoren
realisieren. Die Stromquellen, die in den beschriebenen Beispielen durch Kollektorteilung des lateralen Transistors
12 erstellt wurden, werden dann durch eine entsprechende Anzahl kleinster Emitterflächen einzelner
npn-Transistoren ausgeführt. Umgekehrt kann dann durch Kollektorteilung das hergestellt werden, was in
den beschriebenen Ausführungsbeispielen durch unterschiedliche Emitterflächen realisiert wurde. Ein dem
Ausführungsbeispiei aus F i g. 5 entsprechendes Ausführungsbeispiel ist in F i g. 6 gezeigt, wobei die sich einander
entsprechenden Teile mit gleichen Bezugsziffern mit einem hochgestellten Strich bezeichnet sind.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1 2
durch gekennzeichnet, daß die Auskoppelschaltung
Patentansprüche: als Auskoppel-Stromspiegel (23) ausgebildet ist, der
über einen Trennverstärker, vorzugsweise ein Emit-
1 KomDaratorschaltung mit einem als Stromspie- terfolger (21), angesteuert wird.
gel (1) geschalteten Stromkomparator, mit einer Ein- 5 10. Komparatorschaltung nach Anspruch 8 oder 9,
gangsdiode (2) und wenigsgens einem Ausgangs- dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (5) als
transistor (3), dadurch gekennzeichnet, emittergekoppeltes Transistorpaar (8,9) ausgebildet
daß der durch die Eingangsdiode (2) fließende Strom ist, wobei mindestens ein Teilstrom des zweiten
(Ie) mit dem durch den Kollektor des Ausgangstran- Transistors (9) auf den Eingang der Auskoppelschal-
sistors (3) fließenden Strom (lrC(\ verglichen wird, io tung geführt wird.
wobei die Kollektorspannung (U3) des Ausgangs- 11. Komparatorschaltung nach Anspruchs da-
transistors (3) das Vergleichsergebnis darstellt und durch gekennzeichnet, daß der Ausgang des Strom-
daß zur Erzeugung einer Schalthysterese über einen spiegeis (1), vorzugsweise über eine Diode oder ei-
von der Kollektorspannung des Ausgangstransistors nen als Diode geschalteten Transistor (23), mn dem
gesteuerten Schalter (5) ein zusätzlicher Stromfluß is Eingang des Auskoppel-Stromspiegels (23) in Ver-
(Ihs) durch die Eingangsdiode (2) des Stromspiegels bindung steht
(5) zur Veiänderung der Schaltschwellen des Strom- 12. Komparatorschaltung nach einem der Ansprü-
komparators erzeugt wird. ehe 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß wenig-
2 Komparatorschaltung nach Anspruch 1, da- stens ein Transistor (19,20) der Auskoppelschaltung
durch gekennzeichnet, daß zur Verschiebung der 20 zum Zweck der Stromübersetzung unterschiedliche
Lage des Hysteresebereiches ein additiver Strom- Geometrien aufweist.
fluß (Iho) durch die Eingangsdiode (2) des Strom-
spiegels(l) erzeugt wird.
3. Komparatorschaltung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (5) als 25
dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (5) als 25
emittergekoppeltes Transistorpaar (8,9) ausgebildet Stand der Technik
ist, wobei der Kollektor des ersten Transistors (8)
ist, wobei der Kollektor des ersten Transistors (8)
und die Basis des zweiten Transistors (9) des emitter- Die Erfindung geht aus von einer Komparatorschal-
gekoppelten Transistorpaares (8, 9) mit dem Ein- tung i.ach der Gattung des Hauptanspruchs,
gang des Stromspiegels (1) in Verbindung steht und 30 Als einfache Komparatorschaltungen zum Vergleich
die Basis des ersten Transistors (8) mit dem Ausgang analoger Eingangsgrößen, z. B. elektrischer Spannun-
des Stromspiegels (1) in Verbindung steht. gen oder Ströme, werden häufig Differenzverstärker
4 Komparatorschaltung nach Anspruch 3, da- mit genügend hoher Verstärkung benutzt, die eine digi-
durch gekennzeichnet, daß mindestens ein Transi- tale Ausgangsgröße abgeben. Übersteigt die Eingangs-
stor (8) des emittergekoppelten Transistorpaares (8, 35 spannung LU des Differenzverstärkers dessen Bezugs-
9) durch konstruktive Maßnahmen den durch ihn spannung ι/«* dann wechselt der Ausgangspegel. In ei-
fließenden Strom unterteilt und daß nur Teilströme nem gewissen Übergangsbereich, der um so kleiner ist.
des mindestens einen Transistors (8) auf den Eingang je größer die Verstärkung des Differenzverstärkers ist.
des Stromspiegels (1) gelangen. existieren jedoch indifferente Ausgangszustände, die
5. Komparatorschaltung nach einem der Ansprü- 40 weder dem Zustand L noch dem Zustand H zugeordnet
ehe 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beein- werden können. Damit die Ausgengsgröße nicht zwiflussung
des Hysteresenbereichs über die Strom- sehen d'om L-Zustand und dem Η-Zustand hin und herübersetzung
des Stromspiegels die Transistoren (2, schaltet, muß ein Hysteresebereich vorgesehen werden,
3) des Stromspiegels (1) unterschiedliche Geome- der den indifferenten Bereich überdeckt. Der Hysteretrien
aufweisen. 45 sebereich wird dadurch ei reicht, daß die Komparator-
6. Komparatorschaltung nach einem der Ansprü- schaltung in der Nähe des Umschaltpunktes (Eingangsche
1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein emitter- spannung = Bezugsspannung) mit einer Mitkopplung
gekoppeltes Eingangstransistorpaar (10, 11) vorge- ausgestattet wird. Der Hysteresebereich und die Schaltsehen
ist, wobei der Kollektor des einen Transistors punkte werden durch die Art der Mitkopplung des Aus-(11)
mit dem Eingang des Stromspiegels (1) und der 50 gangs auf den Eingang festgelegt. Das ist etwa aus der
Kollektor des anderen Transistors (10) mit dem Aus- DE-OS 28 26 126 bekannt.
gang des Stromspiegels (1) in Verbindung steht und Aus der DE-OS 28 56 376 ist weiterhin ein Stromdaß
an der Basis des einen Transistors (11) des emit- komparator bekannt, bei dem der Ausgangsstrom einer
tergekoppelten Eingangstransistorpaares (10,11) ei- Stromsignalquelle mit dem Ausgangsstrom einer Refene
Eingangsspannung (le) und an der Basis des ande- 55 renzsignalquelle, insbesondere einer Konstantstromren
Transistors (10) eine Referenzspannung (LVc/) quelle, verglichen wird. Hierfür werden beide Ausliegt.
gangsströme an der Basis eines Ausgangstransistors ad-
7. Komparatorschaltung nach Anspruch 6, da- diert, so daß bei positiver Stromdifferenz der Ausgangsdurch
gekennzeichnet, daß in den zu den Emittern transistor schaltet. Dieser Komparator weist jedoch keides
emittergekoppelten Eingangstransistorpaares to ne Hysterese auf.
(10, 11) führende Leitungen Emitterwiderstände Aus der DE-OS 28 44 737 ist eine Anordnung zum
vorgesehen sind. Vergleichen von Signalen, ein Spannungskomparator.
8. Komparatorschaltung nach einem der Ansprü- bekannt,die ebenfalls kein Hysterese aufweist.
ehe 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur rück- Die GB-PS 14 53 038 zeigt einen Komparatorschaltwirkungsfreien
Auskoppelung des Ausgangssignals 65 kreis mit Hysterese, bei dem die Hystereseschwellen
des Stromkomparators eine Auskoppelschaltung von außen eingestellt werden,
vorgesehen ist. Aus dem Stand der Technik nicht bekannt ist die der
9. Komparatorschaltung nach Ansprüche, da- Erfindung zugrundeliegende Aufgabe, nümlich eine
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792944657 DE2944657C2 (de) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Komparatorschaltung |
FR8023537A FR2468915A1 (fr) | 1979-11-06 | 1980-11-04 | Montage comparateur de courant electrique |
GB8035731A GB2062996A (en) | 1979-11-06 | 1980-11-06 | Comparator circuit |
JP15527380A JPS5675722A (en) | 1979-11-06 | 1980-11-06 | Comparator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792944657 DE2944657C2 (de) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Komparatorschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2944657A1 DE2944657A1 (de) | 1981-06-04 |
DE2944657C2 true DE2944657C2 (de) | 1985-02-14 |
Family
ID=6085196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792944657 Expired DE2944657C2 (de) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Komparatorschaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5675722A (de) |
DE (1) | DE2944657C2 (de) |
FR (1) | FR2468915A1 (de) |
GB (1) | GB2062996A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4121941C1 (en) * | 1991-07-03 | 1993-02-25 | Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De | Circuitry storing switching states in dependence on threshold values - has differential amplifier stage with two emitter-coupled transistors and current mirror as active load forming comparison stage |
DE3736379B4 (de) * | 1986-11-14 | 2004-04-15 | National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara | Gepulster Komparator hoher Verstärkung |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3146958C1 (de) * | 1981-11-26 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Erzeugung einer Referenzspannung bei einem Komparator |
EP0288977A1 (de) * | 1987-04-28 | 1988-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Stromvergleichsschaltung |
DE4016316B4 (de) * | 1990-05-21 | 2004-02-12 | Robert Bosch Gmbh | Auswerteschaltung für die Signale einer Signalquelle |
JP2921968B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1999-07-19 | キヤノン株式会社 | 比較器 |
US5808489A (en) * | 1994-06-30 | 1998-09-15 | Harris Corporation | High speed A/D converter and slew controlled pulse detector |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3816761A (en) * | 1973-01-02 | 1974-06-11 | Rca Corp | Comparator circuitry |
SE409511B (sv) * | 1977-06-15 | 1979-08-20 | Svein Erik | Spenningskomparator |
US4198581A (en) * | 1977-10-13 | 1980-04-15 | Rca Corporation | Temperature compensating comparator |
JPS6025743B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1985-06-20 | ソニー株式会社 | 電流比較回路 |
-
1979
- 1979-11-06 DE DE19792944657 patent/DE2944657C2/de not_active Expired
-
1980
- 1980-11-04 FR FR8023537A patent/FR2468915A1/fr not_active Withdrawn
- 1980-11-06 JP JP15527380A patent/JPS5675722A/ja active Pending
- 1980-11-06 GB GB8035731A patent/GB2062996A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3736379B4 (de) * | 1986-11-14 | 2004-04-15 | National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara | Gepulster Komparator hoher Verstärkung |
DE4121941C1 (en) * | 1991-07-03 | 1993-02-25 | Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De | Circuitry storing switching states in dependence on threshold values - has differential amplifier stage with two emitter-coupled transistors and current mirror as active load forming comparison stage |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2468915A1 (fr) | 1981-05-08 |
DE2944657A1 (de) | 1981-06-04 |
GB2062996A (en) | 1981-05-28 |
JPS5675722A (en) | 1981-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2423478C3 (de) | Stromquellenschaltung | |
DE2457753C2 (de) | Spannungsregelschaltung | |
DE2207233C3 (de) | Elektronischer Signalverstärker | |
DE3119923C2 (de) | Schaltungsanordnung für einen Bereichskomparator | |
DE3419664A1 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE3013172C2 (de) | Transistor-Vergleicherschaltung | |
DE1029871B (de) | Bistabiler Schalter mit in der Aufeinanderfolge ihrer Zonen verschiedener Stoerstellendichte komplementaerer Transistoren | |
DE2944657C2 (de) | Komparatorschaltung | |
DE3011835C2 (de) | Leistungsverstärker | |
DE19620839C2 (de) | Operationsverstärker | |
EP0351639B1 (de) | Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker | |
DE2905659B2 (de) | Gegentakt-Verstärkerkreis | |
DE2924171C2 (de) | ||
DE2409929C3 (de) | Verzerrungsarmer, niederfrequenter Gegentakt-Leistungsverstärker | |
DE2444060A1 (de) | Treiberschaltung | |
DE2328402A1 (de) | Konstantstromkreis | |
DE2200580B2 (de) | Differenz verstärker-Verg lei ch sschaltkreis | |
DE2363599C3 (de) | FM-Demodulatorschaltung | |
DE3135723C2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
DE2635574C3 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE1948178C3 (de) | Aus einer Vielzahl individueller logischer Kreise bestehende monolithische Halbleiterschaltung mit integrierter Gleichspannungsstabilisierungs-Halbleiterschaltung | |
DE3017566C2 (de) | Verstärker, insbesondere für eine Teilnehmerschaltung | |
DE2526310A1 (de) | Schaltung zur elektronischen verstaerkungseinstellung | |
DE3145771C2 (de) | ||
DE1199525B (de) | Addierschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |