DE2951161A1

DE2951161A1 - Verstaerker

Info

Publication number: DE2951161A1
Application number: DE19792951161
Authority: DE
Inventors: Kikuo Ishikawa; Susumu Sueyoshi
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1978-12-27
Filing date: 1979-12-19
Publication date: 1980-07-17
Also published as: GB2039184A; DE2951161C2; GB2039184B; JPS5590110A; JPS5592006A

Description

Beschreibung;

Die Erfindung betrifft Verstärker; sie ist insbesondere auf einen Breitbandverstärker gerichtet,der bipolare Transistoren verwendet·

Für einen Verstärker , der zum Verstärken einer großen Bandbreite dienen soll, etwa eines Videosignals, ist es notwendig, die Verzerrung des Verstärkers möglichst klein zu machen. Zu diesem Zweck wird ein Verfahren zum Unterdrücken der Verzerrung mittels einer negativen Rückkoppelung in großem Umfang verwendet. Die negative Rückkoppelung kann jedoch nicht angewandt werden, ohne den Verstärkungsfaktor herabzusetzen. Um den gewünschten Verstärkungsfaktor zu erzielen, ist es deshalb notwendig, mehrere Verstärkungsglieder oder Verstärkerkreise zu verwenden. In diesem Fall wird die Stabilität der gesamten Verstärkerschaltung vermindert, was zu einer Schwingung führen kann·

Verwendet man die Ein-Ausgangskennlinie zwischen Basis und Emitter eines Transistors als Verstärkungselement, so ist dieses nichtlinear. Um diese Nichtlinearität zu beheben, verwendet man entweder ein Verfahren mit einem hohen Strom oder ein Verfahren mit einer negativen Rückkoppelung. Keines dieser Verfahren hat sich jedoch als vollkommen akzeptabel erwiesen. Speziell die negative Rückkopplungstechnik leidet unter den oben beschriebenen Schwierigkeiten.

Die Erfindung bezweckt daher, einen Transistorverstärker zu schaffen, bei dem die nichtlineare Verzerrung von Transistoren eliminiert ist, ohne daß dazu eine negative Rückkopplung verwendet wird.

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Um dies zu erreichen, werden in einem erfindungsgemäßen Verstärker zwei in ihrer Leitfähigkeit entgegengesetzte Transistoren derart verbunden, daß vorzugsweise einer der Transistoren als Emitterfolger geschaltet ist, während der andere so verbunden ist, daß er den Ausgang des Emitterfolgers verstärkt. Eine Stromversorgungseinrichtung, wie etwa eine Stromspiegelschaltung, liefert praktisch gleiche Strome zu den beiden Transistoren als Emitterlast und Kollektorlast der beiden Transistoren, so daß zwischen dem Bezugspotential und dem Emittervorwiderstand eines Transistors, der die Kollektorlast des oben erwähnten verstärkenden Transistors der die Stromspiegelschaltung bildenden Transistoren ist, ein verstärkter Ausgang vorgesehen wird.

In einem erfindungsgemäßen Verstärker werden zwei in ihrer Leitfähigkeit entgegengesetzte Transistoren und ein Ausgangswiderstand als Mittel zur Umwandlung des Ausgangs verwendet. Einer der beiden Transistoren ist als Emitterfolger geschaltet, während der zweite zum Verstärken des Ausgangs des Emitterfolgers angeschlossen ist. Weiter ist eine Stromspiegelschaltung als Emitterlast des ersten Transistors und als Kollektorlast des zweiten Transistors vorgesehen. Die Stromspiegelschaltung liefert praktisch gleiche Ströme zu den beiden Transistoren und zum Ausgangswiderstand· Der Ausgang des Verstärkers liegt über dem Ausgangswiderstand .

Ein bevorzugter Gedanke liegt darin, einen rauscharmen, bipolaren Breitband-Transistorverstärker vorzusehen, in dem die durch die nichtlineare Transistorkennlinie verursachte Verstärkung praktisch behoben wird, indem ein Eingangssignal an die Basis eines ersten, als Emitterfolger geschalteten Transistors gelegt wird, wobei das am Emitter

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des ersten Transistors erzeugte Signal an die Basis eines zweiten Transistors gelegt wird. Dem ersten und dem zweiten Transistor werden von einer Stromspiegelschaltung gleiche Ströme zugeführt. Als Reaktion auf Stromänderungen in einem Transistor der Stromspiegelschaltung, der Strom zu dem zweiten Transistor schickt, wird ein Ausgangs signal erzeugt.

Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. Darin zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild, das ein erstes Ausführungsbeispiel

des erfindungsgemäßen Verstärkers zeigt; Fig. 2 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels

des erfindungsgemäßen Verstärkers; Fig. 3 ein Schaltbild eines dritten Ausführungsbeispiels

des erfindungsgeraäßen Verstärkers; Fig. 4 ein Schaltbild eines vierten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verstärkers.

In dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 wird ein Eingangssignal Vjjj an die Basis eines pnp-tfransistors Q* gelegt, der als Emitterfolger geschaltet ist, und der Emitterfolgerausgang des Transistors Q^ ist an die Basis eines npn-Transistors Q2 in der Folgestufe gelegt. Eine Stromspiegelschaltung 1 ist als Emitterlast des Transistors Q^.und als Kollektorlast des Transistors Qp vorgesehen, so daß ein gleicher Strom zu den beiden Transistoren geleitet wird. Die Stromspiegelschaltung 1 besteht aus pnp-Transistoren Q, und Q^, deren Basen miteinander verbunden sind, und Emittervorwiderständen R~ und R,, die mit den Emittern der Transistoren Q, bzw. Q^ verbunden sindJDer Transistor Q* ist als Diode geschaltet, d.h. seine Basis ist mit seinem

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ORIGINAL INSPECTED

Kollektor verbunden. Wenn demnach die Widerstände der Vorwiderstände Ro und Rz gleich gewählt werden, dann werden praktisch gleiche Ströme von den Kollektoren der Transisto ren Qx und Q^ zu dem Emitterfolger-Transistor Q^ und dem zu verstärkenden Transistor Qo geschickt.

Ein Emitterwiderstand R^ liegt zwischen dem Emitter des verstärkenden Transistors Q₂ und der Erde des Bezugspotentials ""d der verstärkte Ausgang erscheint zwischen einer Klemme des Widerstandes R₂ und Erde.

Wenn in dieser Schaltung die Basis-Emitterspannungen der Transistoren Q/j und Q₂ mit Vgjvj bzw. V^g₂, die Spannung am Emitter des Transistors Q^ mit V^ und der in den Transistoren Q^ und Q₂ fließende Strom mit Iq^ bzw. Iq₂ bezeichnet werden, (wobei ^Ici^eIC2^' dann können folgende Gleichungen aufgestellt werden:

^VA - ^VIN ^{+ V}BE1

¹C₂ - CV^₂)A_{1 (2)}

Die Ausgangsspannung V_QUT wird durch die folgende Gleichung (3) wiedergegeben:

^voüt · ^νσσ *"

worin V„„ die Speisespannung ist.

Durch Substitution der Gleichung (2) in die Gleichung (3) erhält man die folgende Gleichung (4)

^V00T - ^VCC - iq

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Unter Verwendung von Gleichung (1) kann die Gleichung wie folgt umgeschrieben werden:

R₂

^VOÜT " ^V0C " EJ ^⁷IN ^{+ V}BE1 ~ ^V^

Wie schon erwähnt, wird durch die Stromspiegelschaltung 1 der Strom I_G>. gleich dem Strom I«₂ gemacht. Man kann daher berücksichtigen, daß die Basis-Emitterspannung des Transistors Q₁ gleich derjenigen des Transistors Q₂ ist· Folglich läßt sich die Gleichung (5) weiter umschreiben zu der folgenden Gleichung (6)

Rp
^VODT - ^VCC "Β* '¹TS

Wie aus der Gleichung (6) hervorgeht, ist der Ausgang unabhängig von der Basis-Emitter spannung ν_βΕ jedes Transistors. Der Eingang Vj_n wird um einen Verstärkungsfaktor angehoben, der von dem Verhältnis des Widerstandes R₂ zum Widerstand Ry. abhängt. Dies ist der Tatsache zuzuschreiben, daß die Auswirkungen der Nichtlinearität der Transistoren Qj und Q₂ aufgrund ihrer Basis-Emitterspannungen dadurch beseitigt werden, daß die in den Transistoren Q^ und Q₂ fließenden Strome gleich gemacht werden.

Nunmehr werden die in den verschiedenen Elementen der in Fig. 1 gezeigten Schaltung fließenden Ströme im einzelnen beschrieben. Wenn man annimmt, daß die in den Widerständen R₂ und R, fließenden Ströme gleich sind und sich jeweils als Ig-SIg darstellen, wobei I_ß der Basisstrom jedes Transistors ist, dann sind die Kollektorströme der Transistoren Q, und Q^ einander gleich und jeweils Ig-3Ig. Der Kollektorstrom Ig-3I_B des Transistors Q^ wird den Basisströmen 2I_B der beiden Transistoren hinzugefügt und der resultierende Strom Ijj-Ig wird an den Kollektor des Transistors Q₂ angelegt. Folglich kann der Emitterstrom des Transistors Q₂

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durch Ig ausgedrückt werden. Andererseits wird aus dem Kollektorstrom I_E - 31g der Strom Ig als Basisstrom des Transistors Qo verwendet, während der verbleibende Strom Ij, - 4I_B als Emitterstrom des Transistors Q^ fließt·

Also ist der Emitterstrom der beiden Transistoren Q₁ und Q2 durch Ij, - 41g bzw. Ij, angegeben. Das bedeutet, die Differenz zwischen dem Emitterstrom ist 41g. Demzufolge sind die Basis-Emitterspannungen der beiden Transistoren nicht vollständig gleich und die Auswirkungen ihrer Nichtlinearität sind nicht vollständig eliminiert. Doch in der Praxis kann dies vernachlässigt werden.

In Fig. 2 ist eine Schaltung zur vollständigen Aufhebung der Nichtlinearitäten gezeigt, in der diejenigen Teile, die schon anhand der Fig. 1 beschrieben wurden, die gleichen Bezugsziffern tragen. Nachfolgend werden nur die von Fig. 1 verschiedenen Bestandteile beschrieben. In Fig. 1 ist der Transistor Q^ als Diode geschaltet. In der in Fig.2 gezeigten Schaltung dagegen ist zusätzlich ein pnp-Transistor Qc vorgesehen und die Basis und der Kollektor des Transistors Q^ sind mit dem Emitter bzw. der Basis des Traneistors Qc verbunden. Außerdem ist der Kollektor des Transistors Qc mit dem Kollektor des Transistors Q, verbunden. Mit Hilfe des Transistors Q₁- werden also die Basisströme 21g der Transistoren Q* und Q^ dem Kollektorstrom des Transistors Qj hinzugefügt, so daß am Kollektor des Transistors Qx ein Strom Ij. - Ig vorhanden ist. Von dem Strom Ig-Ig wird der Strom Ig als Basisstrom des Transistors Q₂ verwendet, während der restliche Strom I_E-2Ig als Emitterstrom des Transistors Q^ fließt.

Wenn der Stromverstärkungsfaktor des Transistors Q₁- groß ist, ist der Basisstrom des Transistors entsprechend klein, so daß er vernachlässigt werden kann. Folglich fließt in

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diesem Fall der Kollektorstrom I_E-3I_B des Transistors Q^ praktisch vollständig in den Kollektor des Transistors Qg. Daher ist der Emitterstrom des Transistors Qg ¹E^-21B^{1 was exakt} e^{leicl1 dem döS} Transistors Q₁ ist, und demgemäß sind die Basis-Emitterspannungen der beiden Transistoren gleich. Somit werden mit Hilfe des Transietore Qc die Basisströme der Transistoren in der Stromspiegel» schaltung, deren Basen miteinander verbunden sind, an den Kollektor des Transistors Q, und demgemäß an den Emitter des Transistors Q₁ angelegt, so daß die Effekte der Nichtlinearitäten aufgrund der Basis-Emitterspannungen Vgg dee Emitterfolger Q., und des verstärkenden Transistors Qg vollständig eliminiert werden.

Fig. 3 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verstärkers. Ein Eingangssignal Vj^, das verstärkt werden soll, wird an die Basis eines pnp-Transistors Q₁, der als Emitterfolger geschaltet ist, angelegt. Der Emitterfolgerausgang des Transistors ist an die Basis eines verstärkenden npn-Transistors Qg in der Folgestufe angelegt. Eine Stromspiegelschaltung 1 ist als Emitterlast des Transistors Q^ und als Kollektorlast des Transistors Qg vorge sehen, um zu diesen Transistoren gleiche Ströme zu schicken. Die in Fig. 3 gezeigte Stromspiegelschaltung 1 weist pnp-Transistoren Q,, Q^ und Qg sowie Widerstände Rg, IU und Rc auf, die jeweils mit den Emittern der Transistoren Q*, Q und Qg verbunden sind. Die Basen der Transistoren Qx, und Qg sind zusammengeschaltet. Der Transistor Q^ ist als Diode geschaltet, das heißt, seine Basis ist mit seinem Kollektor verbunden. In dieser Schaltanordnung werden durch Wahl der Widerstände Rg, R, und R,- so, daß diese gleiche Widerstandswerte haben, von den genannten Transistoren Qx, Q^ und Q₆ praktisch gleiche Ströme geliefert.

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Der Kollektorstrom des Transistors Q, wird an den Emitterfolger-Transistor Q₁ angelegt, der Kollektorstrom des Transistors Q^ wird an den verstärkenden Transistor Q₂ angelegt und der Kollektorstrom des Transistors Qg wird an den Auegangewiderstand R^ angelegt. Der Ausgangswiderstand R^ liegt »wischen der Ausgangsklemme der Schaltung und Erde· Der Ausgang der Schaltung erscheint somit über dem Ausgangswider stand.

Venn in den oben beschriebenen S chaltung die Basis-Emitterspannungen der Transistoren Q₁, Q₂* Q₄. und Q₆ sich als ^VBE1* ^VBE2* ^VBE4 ^{un<il V}BE6 d^steHe¹¹ u²¹^ di® Spannung des Emitters des Transistors Q₁ mit V^ bezeichnet ist und die in den Transietoren Q₁ und Q₂ und dem Ausgangswiderstand R^ fließenden Ströme mit 1^₁, Iq₂ bzw. I₀^ bezeichnet sind,dann können die folgenden Gleichungen aufgestellt werdeni

^VA * ^VIN ^{+ V}BE1

*02 ■ ^(VB - ^VBE2^)/R1

Die Spannung Vg an der gemeinsamen Basisleitung der Transistoren in dor Stromspiegelschaltung ist:

Die unter Verwendung der Gleichungen (7) und (8) umgeform te Gleichung (9) lautet dann:

^VB * ^VC0 - ^VBE4 * Rf (^VIN ^{+ V}BE1

Ferner kann der Strom Iq, durch die folgende Gleichung dargestellt werden? c

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ORIGINAL INSPECTED

Daher ist der Ausgang V_QOT der Schaltung:

R ~ I

^{l V}BE4 ^VBE6 ~ ^tVIN ^VBE1 ^VBE2^iK I

- ¹C₃^₄- -"T-^CC - ^VBE6 ■ V· . 5

Wenn die Gleichung (10) in die Gleichung (12) eingesetzt wird, dann:

RR

^v0UT ρ ^{l V}BE4 ^VBE6 ~ ^tVIN ^VBE1 R₅ R₁

Da die in den Transistoren Q^ und Q₂ fließenden Ströme einander gleich sind und die in den Transistoren Q^ und Qg fließenden Ströme ebenfalls einander gleich sind, sind die Basis-Emitterspannungen dieser Transistoren einander gleich. Daher kann die Gleichung (13) folgendermaßen umgeschrieben werden:

Aus Gleichung (14) wird deutlich, daß der Ausgang Vqut ¹^¹" abhängig von der Basis-Emitterspannung V_BE der Transistoren ist. Außerdem erhält man den Ausgang V_QUT durch Anheben des Eingangs Vj_n um einen Verstärkungsfaktor, der durch das Verhältnis der Widerstände R^ und Rp und der Widerstände R^ und Rc definiert ist.

Nunmehr werden die Ströme an verschiedenen Punkten in der Schaltung der Fig. 3 genauer beschrieben. Nimmt man an, daß der in den Widerständen Rp und R, fließende Strom gleich ist und jeweils sich als I_E-2I_ß darstellt, worin I_ß der Basisstrom jedes Transistors ist, dann sind die Kollektorströme der beiden Transistoren Q, und Qj, einander gleich und stellen sich als I_E - 3I_ß dar. Der Kollektorstrom Ig - 31g des Transistors Q^ wird den Basisströmen 3Iv der drei Transistoren Q,, Q^ und Q₆ am Kollektor des Transistors Q₂ hinzugefügt. Das heißt, an den Kollektor des Transistors Q₂ wird ein Kollektorstrom I^ angelegt. Demgemäß ist der

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Emitterstrom des Transistors Q2 gleich I-g + Ig· Vom Kollektorstrom I₃₃ - 31g wird der Strom Ig als Basisstrom des Transistors Qg verwendet, während der verbleibende Strom I-g - 4-Ig als Emitter strom des Transistors Q₁ fließt.

Die Emitterströme der beiden Transistoren Q₁ und Qg sind also Χ« - 4I_B bzw. Ij. + Ig. Folglich sind die Basis-Emitterspannungen Vgj, dieser beiden Transistoren nicht vollständig gleich, wie in dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1, und demgemäß sind die Auswirkungen der Nichtlinearität dieser Transistoren nicht vollständig beseitigt. In der Praxis kann dies jedoch vernachlässigt werden.

Um die Nichtlinearitäten vollständiger zu eliminieren, kann gemäß der Erfindung eine Schaltung vorgesehen werden, wie sie in Fig. 4· gezeigt ist. In Fig. 4- haben die schon im Zusammenhang mit den Fig. 1 bis 3 beschriebenen Komponenten die gleichen Bezugsζiffern. Nachstehend werden nur die Teile beschrieben, die sich von denen in Fig. 3 unterscheiden.

In den Fig. 1 und 3 ißt der Transistor Q^ als Diode geschaltet. Stattdessen ist in der Schaltung der Fig. 4 ein pnp-Transistor Q₁- vorgesehen, dessen Emitter und Basis mit der Basis bzw. dem Kollektor des Transistors Q^ verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Qc ist mit dem Kollektor des Transistors Q* verbunden.

Mittels des Transistors Qc werden also die Basisströme 31g der Transistoren Q^, Q^ und Q₆ dem Kollektorstrom des Transistors Q, hinzugefügt, so daß man als Resultat einen Strom Ig erhält. Vom Strom Ij. wird der Strom Ig als Basisstrom des Transistors Qo verwendet, während der restliche Strom I-g - Ig als Emitterstrom des Transistors Q₁ fließt.

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Wenn der Stromverstärkungsfaktor des Transistors Qc groß gewählt wird, dann ist der Basisstrom des Transistors ausreichend klein, um vernachlässigt zu werden. Daher fließt praktisch der gesamte Kollektorstrom des Transistors Q^ in den Kollektor des Transistors Q₂- Der Emitterstrom des Transistors Q₂ ist also Ig - 2I_Q. Somit ist die Differenz zwischen dem Emitterstrom des Transistors Q₂ und demjenigen des erwähnten Transistors Q^ nur Ig und daher sind die Basis-Emitterspannungen V«™ der beiden Transistoren near einander gleich als diejenigen in der Schaltung der Pig. 1 und 3-

Die Schaltung in Pig. 4- ist so konstruiert, daß mit Hilfe des Transistors Qc die Basisstrome der Transistoren, deren Basen miteinander in der Stromspiegelschaltung verbunden sind, an den Kollektor des Transistors Q, und damit an den Emitter des Transistors Q^ angelegt werden. Folglich sind die Auswirkungen der Nichtlinearitäten des Emitter— folger-Transistors Q>j und des verstärkenden Transistors Q2 vollständig eliminiert.

Aus vorstehender Beschreibung wird deutlich, daß der erfindungsgemäße Transistorverstärker einfach in seiner Konstruktion ist und die Verzerrung ohne negative Rückkopplung eliminiert ist und ein angestrebter Verstärkungsfaktor erzielt ist.

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, Λ5 Leerseite

Claims

PATENTANWÄLTE A. GRÜNECKER W. STOCKMAIR 0« -INO · AaCICALIKX K. SCHUMANN Dft REft NAT - DVL-PHVS P. H. JAKOB αη-κα G. BEZOLD BR KR NW - Cm.-O«* 8 MÜNCHEN MAXIMILIANSTRASS« 19. Des. 1979 P 14 563 PIONEEK EISCTRQNIC CQBFOBATION No. 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo, Japan Verstärker Patentansprüche

1. Verstärker, gekennzeichnet durch einen ersten Transistor (Qxj) an dessen Basis ein Eingang angelegt ist, einen zweiten Transistor (Q₂)* an dessen Basis ein Ausgang des ersten Transistors angelegt ist und dessen Leitfähigkeit derjenigen des ersten Transistors entgegengesetzt ist, ferner durch eine Stromzuführungseinrichtung (1), die dem ersten und zweiten Transistor (0^,Q₂) gleiche Ströme zuführt, und durch eine Anordnung, um einen Ausgang vorzusehen, der den Veränderungen in dem an den zweiten Transistor angelegten Strom entspricht.

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(oas) aaaaea telex οβ-aasso tkleoramme monapat telekopicrcr

ORiGINAL INSPECTED

2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Stromzuführungseinrichtung einen dritten und vierten Transistor (Qx,Q^.) aufweist, deren Basen miteinander verbunden sind, und ein Glied, das einen Leitungspfad bildet, der die Basisströme des dritten und vierten Transistors zum ersten Transistor" leitet.

3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß das den Leitungspfad für den Basisstrom bildende Glied ein fünfter Transistor(Qc) ist, dessen Basis mit dem Kollektor des vierten Transistors (Q/i)t dessen Emitter mit den Basen des dritten und vierten Transistors (Q*, Q^) und dessen Kollektor mit dem Emitter des ersten Transistors (Q^) verbunden ist·

4. Verstärker, gekennz e ichnet durch einen ersten Transistor (Q/]), an dessen Basis ein Eingang angelegt ist, einen zweiten Transistor (Qo), an dessen Basis ein Ausgang des ersten Transistors angelegt ist und dessen Leitfähigkeit zu derjenigen des ersten Transistors entgegengesetzt ist, ein Glied (RO zum Umwandeln des Ausgangs, das zwischen einem Bezugspotentialpunkt und einer Ausgangsklemme der Schaltung liegt und einen den Änderungen des in dem Glied fließenden Stromes entsprechenden Ausgang liefert, und durch eine Stromzuführungseinrichtung (1), die praktisch gleiche Ströme zu dem ersten Transistor, dem zweiten Transistor und dem den Ausgang wandelnden Glied schickt.

5. Verstärker nach Anspruch 4·, dadurch gekennzeichnet , daß die Stromzuführungseinrichtung eine Stromspiegelschaltung (1) ist, die praktisch gleiche Ströme zum ersten Transistor, zum zweiten Transistor und zu dem den Ausgang wandelnden Glied schickt.

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6. Verstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Stromspiegelschaltung einen dritten und vierten Transistor (Qz,Q^.) aufweist, deren Kollektoren mit dem Emitter des ersten Transistors bzw. dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden sind, deren Basen miteinander verbunden sind und deren Emitter jeweils über einen Widerstand (IU,Ro) an ein Bezugspotential gelegt sind.

7· Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß noch ein fünfter Transistor (Qc) vorgesehen ist, dessen Emitter mit den Basen des dritten und vierten Transistors verbunden ist, dessen Basis am Kollektor des vierten Transistors liegt und dessen Kollektor mit dem Kollektor des dritten Transistors verbunden ist.

8. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das den Ausgang wandelnde Glied einen sechsten Transistor (Q5) aufweist, dessen Basis mit den Basen des dritten und vierten Transistors verbunden ist, dessen Emitter über einen Widerstand (R_c) an das Bezugspotential gelegt ist und dessen Kollektor über einen Widerstand (R^) geerdet ist, wobei der Ausgang am Kollektor des sechsten Transistors erscheint.

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