DE2950212A1 - Negative tiefultraviolette abdeckung und verfahren zum herstellen eines abdeckungsmusters - Google Patents

Negative tiefultraviolette abdeckung und verfahren zum herstellen eines abdeckungsmusters

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DE2950212A1 DE19792950212 DE2950212A DE2950212A1 DE 2950212 A1 DE2950212 A1 DE 2950212A1 DE 19792950212 DE19792950212 DE 19792950212 DE 2950212 A DE2950212 A DE 2950212A DE 2950212 A1 DE2950212 A1 DE 2950212A1
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Description

Die Erfindung betrifft eine negative Abdeckung, die eine gute Empfindlichkeit in bezug auf tiefultraviolettes Licht (UV) mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm aufweist, und ein Verfahren zum Herstellen eines negativen Abdeckungsmusters auf einem Substrat unter Verwendung der Abdeckung, (Heeiet).
Es ist bekannt, daß die Photolithographie unter Verwendung von ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von 550 nm bis 450 nm bisher als Verfahren zum Bilden eines Schaltungsmusters, beispielsweise einer integrierten Halbleiterschaltung, verwendet worden ist. Da die Bildung von Mustern mit sehr hoher Elementendichte auf Substraten beim Stand der Technik notwendig ist, sind Muster mit feinen Details mit einer Grenzbreite von weniger ale 2 oder 3/um erforderlich gewesen. Als Ergebnis ist Lithographie unter Verwendung eines Elektronenstrahls oder eines Röntgenstrahls vorgeschlagen worden, um die Anforderungen der flikrofabrikation zu erfüllen.
Die Lithographie unter Verwendung eines Elektronenstrahls oder eines Röntgenstrahls ergibt jedoch für die Schaltung Nachteile und die Einrichtung zum Ablenken des Elektronen- oder- Röntgenstrahls ist kompliziert.
Die Verwendung von tief ultravioletten Lieht mit einer Wellenlänge von Ί80 bis 350 nm anstelle von normalem ultravioletten Licht ist für die Lithographie bereits vorgeschlagen worden, siehe J.Vac. Sei. Tecnnol., Vol.12t Hr. 6, Hovember/Bezeaber 19?% Seiten Λ$ΐγ bisT32O. Dabei ist- angegeben, daß eis. Rüster mit feinen Bet*ils
von 1/um oder weniger leicht erhalten werden konnte, indem optische Strukturen bei üblicher Photolithographie verwendet worden sind.
5 Als negative Photoabdeckungen zur Verwendung bei tiefultravioletter Lithographie ist ein allylat- oder allylsubstituiertes Kopoly(maleinanhydrid-fluoralkylvinylather), 2,3-Dibrompropylacrylat od.dgl. vorgeschlagen worden. Diese negativen Photοabdeckungen sind Jedoch darin nach-10 teilig, daß (1) die Auflösungsleistung gering ist, (2) die genaue Belichtung durch die Strahlungsumgebung stark beeinflußt wird und (3) die Speicherstabilität gering ist.
15 Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die vorstehend erwähnten Nachteile der bekannten negativen Photoabdeckungen, die bei der tiefultravioletten Lithographie verwendet werden, zu vermeiden und eine negative Abdeckung zu schaffen, die zur Verwendung bei tiefultravioletter
Lithographie geeignet ist, eine hohe Auflösungsleistung, eine genaue Belichtung, die nicht durch eine Strahlungsatmosphäre beeinflußt wird, und eine gute Speicherstabilität aufweist.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines negativen Musters mit feinen Details auf einem Substrat unter Verwendung einer negativen Abdeckung für tiefultraviolette Lithographie mit hoher Auflösungsleistung, genauer Belichtung, die nicht durch eine Strahlungsatmosphäre beeinflußt wird, und guter Speicherstabilität zu schaffen.
Gelöst werden diese Aufgaben durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 4. Weiterbildungen der Erfindung sind in den 35 Ansprüchen 2, 3» 5 und 6 angegeben.
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Die Polymere von Diallylestern der Dikarbonsäuren nach der Erfindung enthalten beispielsweise Polymere der Diallylester der aliphatischen Dikarbonsäuren mit der allgemeinen Formel (I)
CH2=CH-CH2-O-C-KH2-^-O-Ch2-CH=CH2
worin η Null oder eine ganze Zahl zwischen 1 und 8 ist, und Polymere der Diallylester der aromatischen Dikarbonsäuren der allgemeinen Formel (II)
CH=CH-CH0-0-C-A-C-0-CHo-CH=CHo ,,TT-v
2 2 (| |( 2 2 (II),
O O
worin A eine Phenylen- oder Naphtalengruppe ist, und andere Polymere, die beispielsweise von Diallylkarbonat, Diallylmaleat od.dgl. abgeleitet sind.
Typische Beispiele von Diallyldikarboxilaten mit der allgemeinen Formel (I) sind Diallyloxilat, Diallylmalonat, Diallylsuccinat, Diallylglutarat, Diallyladipat, Diallylsebacat u.dgl.. Typische Beispiele der Diallyldikarboxilaten mit der allgemeinen Formel (II) sind Diallylphthalat, Diallylisophthalat, Diallylterephthalat od.dgl.
Unter diesen Polymeren sind die Polymere der Diallylester der aromatischen Dikarbonsäuren unter praktischen Gesichtspunkten die bevorzugtesten. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Polymere mit Phenylgruppen im allgemeinen wärmebeständig sind.
Das gewichtsdurchschnittliche Molekulargewicht (Hw) der Polymere nach der Erfindung liegt im allgemeinen innerhalb des Bereichs von 2000 bis 500.000 und insbesondere im Bereich von 5000 bis 100.000. Um eine negative tiefultra-'violette Abdeckung mit guter Auflösungsleistung zu
erhalten, ist der Dispersionsgrad, der
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durch das Verhältnis des gewichtsdurchschnittlichen Molekulargewichts (Rw) zum zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht (Rn), also Rw/Rn, definiert ist, im allgemeinen 3 oder weniger und liegt vorzugsweise im 5 Bereich von 1,0 bis 3,0.
Die Polymere des Diallylesters der Dikarbonsäuren nach der Erfindung können nach einem üblichen Verfahren, wie Radikalpolymerisation, dargestellt werden. Beispielsweise kann Poly(diallylphthalat) in folgender Weise dargestellt werden.
0,2 Gewichtsteil Benzoylperoxid wird zu 100 Gewichtsteilen Diallylphthalat hinzugegeben und die Mischung wird auf eine Temperatur von 60 C erwärmt. Die Polymerisation wird gestoppt, bevor Gel gebildet wird. Die auf diese Weise erhaltene polymere Lösung wird dann in Methanol eingebracht, wodurch das Polymer von dem Monomer getrennt wird. Der Ertrag des Polymers ist geringer als 25 %.
Das auf diese Weise abgetrennte Polymer wird dann in Methyläthylketon (MEK) gelöst, um eine 5 G«w.-%-Lösung zu erhalten. Eine geeignete Menge von Isopropylalkohol (IPA) wird dieser Lösung zugegeben, wodurch einige
polymere Fraktionen ausgefällt werden. Das Molekulargewicht und der Dispersionsgrad können durch eine zusätzliche Menge von IPA eingestellt werden. Das in der ersten Fraktion enthaltene Polymer, das durch die erste Zugabe von IPA ausgefällt ist, wird gemäß der Erfindung nicht verwendet. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die erste Fraktion sehr große Moleküle enthält und deshalb der Dispersionsgrad groß ist, womit ein Abdeckungsmuster mit feinen Details, das eine hohe Auflösung aufweist, nicht erhalten werden kann.
In dem Fall, in dem die Diallylester der Dikarbonsäuren polymerisiert werden, bilden einige der Allylgruppen,
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die in den Diallylestern der Dikarbonsäuren enthalten sind, Hinge in den Molekülen während des Polymerisationsschritts. Auf diese Weise fällt der Gehalt der Allylgruppe (Allylgehalt) in den Polymeren ab im Vergleich mit dem Allylgehalt in den Ausgangsmonomeren. Der bevorzugte Allylgehalt in den Polymeren nach der Erfindung liegt jedoch im Bereich zwischen 30 bis 95 % auf der Basis des anfänglichen gesamten Allylgehalts, der in den Anfangsmonomeren, d.h. auf der Basis der theoretischen Menge, vorhanden ist.
Gemäß der Erfindung kann ein negatives Abdeckungsmuster mit feinen Details auf einem Substrat, wie Siliaiumsubstrat, SiOp-Substrat und Si^N^-Substrat, in der folgenden Weise hergestellt werden.
Eine Abdeckungslösung, welche das oben erwähnte Polymer enthält, wird zuerst auf ein Substrat in einem üblichen Verfahren, z.B. Spinüberziehen, aufgebracht, um einen Abdeckungsüberzug oder einen Film auf dem Substrat zu bilden. Dieser Spinfilm wird dann etwa 15 bis 60 Minuten bei einer Temperatur von etwa 60 bis 8O0C beispielsweise unter Nitrogenatmosphäre erwärmt.
Der auf diese Weise gebildete Film wird dann mit tiefultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge zwischen 180 und 35Ο nm in Übereinstimmung mit einem gewünschten Muster bestrahlt. Die gemäß der Erfindung verwendeten Lichtquellen können beispielsweise Deuteriumspektrallampen,
JO Ie-Hg-Bogenlampen u. dgl. sein. Diese Bestrahlung bewirkt die Kreuzverkettung des Polymerfilms. Der bestrahlte Teil des Films, d.h. des kreuzverketteten Films, wird deshalb in den Lösungsmitteln unlöslich, während der nichtbestrahlte Teil des Films leichter in den Lösungsmitteln
35 als der bestrahlte Teil des Films lösbar ist. Der
bestrahlte Film wird dann mit einem geeigneten Lösungsmittel
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wie beispielsweise Methylisobutylketon, einer Mischung von Chlorbenzol und Isoamylazetat (1:0,5 bis 1:4),einer Mischung von Toluol und Äthylenglykolmonoäthyläther (1:1 bis 1<3), od.dgl. entwickelt. Das entwickelte negative Abdeckungsfilmmuster hat die folgenden Vorteile:
(1) Da das Muster hochkreuzverkettet ist, ist es gegen thermische Deformation widerstandsfähiger als ein Muster, das von üblichen tiefvioletten Abdeckungen gebildet ist.
(2) Da die Auflösungsleistung der Abdeckung sehr hoch ist, kann ein Muster mit Abmessungen von 1 /um oder weniger erhalten werden.
15 (3) Das auf diese Weise erhaltene Muster hat einen hochtrockenen Ätzwiderstand.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben, in der 20 sind
Fig. 1 eine Darstellung der Energieverteilungskurve einer bei den Beispielen verwendeten Deuteriumspektrallampe,
Fig. 2 eine Darstellung der Beziehung der Restabdeckungsfilmdicke und der Belichtung einer üblichen Abdeckung, Fig. 3 eine Darstellung der spektralen übertragung der
im Beispiel 1 verwendeten Abdeckung DAP-1, Fig. 4 eine Darstellung der Molekulargewichtsverteilungskurven der in den Beispielen verwendeten Abdeckungen und
Fig. 5 eine Darstellung der Beziehung der fiestabdeckungs-
filmdicke und der Belichtung des Poly(diallyldikarboxylats) der Erfindung.
35 Beispiel 1
Abdeckungslösungen wurden durch Auflösen der Polymere des Diallylphthalats (nachfolgend mit "DAP" bezeichnet) und des Polymers des Diallylisophthalats (nachfolgend mit
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"DAI" bezeichnet) in 2-Äthoxyäthylazetat hergestellt, wobei die beiden Polymere in der unten angegebenen Tabelle aufgeführt sind. Die Konzentration des Polymers in Jeder Abdeckungslösung beträgt 20 Gew.-% und der Allylgehalt in jedem Polymer ist etwa 60% auf der Basis des theoretischen Werts.
Jede auf diese Weise hergestellte Abdeckungslösung wird auf einem Siliziumsubstrat mit einem 0,5/um dicken, wärmeoxidierten SiOo-FiIm spinüberzogen. Die trockene Dicke des Abdeckungsfilms beträgt 0,5 /um. Der überzogene Abdeckungsfilm wird dann unter Stickstoffatmosphäre 30 Minuten lang bei einer Temperatur von 800C erwärmt. Der auf diese Weise erhaltene Abdeckungsfilm wird dann mit einer 200 W-Deuteriumspektrallampe unter Verwendung einer geeigneten Maske bestrahlt. Die Energieverteilungskurve der Deuteriumspektrallampe ist in Fig. 1 gezeigt, wobei die Energie der Lampe deutlich in einem tiefultravioletten Bereich, d.h. innerhalb eines Wellenlängenbereichs von 180 bis 350 nm, zentriert oder konzentriert ist.
Der bestrahlte Abdeckungsfilm wird dann in einer Mischung aus Monochlorbenzol und Isoamylazetat unter den in Tabelle 1 angegebenen Bedingungen entwickelt, wobei die nichtbestrahlten Teile weggewaschen werden.
Fig. 2 zeigt die Beziehung der Restabdeckungsfilmdicke und der Belichtung einer bekannten Abdeckung PMMA Poly(methylmethacrylat), die in der Tabelle 1 angegeben ist. Die Empfindlichkeit der Abdeckung ist als Belichtung A definiert, wenn die Restabdeckungsfilmdicke 100% nach der Entwicklung wird. Die Empfindlichkeit der vorliegenden Abdeckung ist relativ auf der Basis des Belichtungswerts von PMMA unter der Annahme bestimmt, daß der Belichtungswert von PMMA 1,0 ist, wenn die Restdicke des Widerstandsfilms, der eine Dicke von 0,5/um
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aufweist, unter den in Tabelle 1 angegebenen Entwicklungsbedingungen Null wird. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
Die Molekulargewichte der Abdeckungen in Tabelle 1 wurden aus den Molekulargewichtsverteilungskurven der Abdeckungen unter Verwendung einer Kalibrierungskurve eines Standardpolystyrens berechnet. Die Molekulargewichtsverteilungskurven wurden unter Verwendung eines Hochgeschwindigkeits-Flüssigkeits-Chromatographen erhalten.
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Tabelle
rs) οι
Ab- Mr 105 1.88 χ 105 Ri/Hh Entwicklungsbedingungen Zeit
(sec) 		Temperatur
CC) 		Empfindlich
keit (rela
deckung 3.05 χ 104 7.15 χ 103 1.62 Lösungs
mittel 		60 20 tive
Belichtung)
sTVA 1.11 x 104 1.55 χ 104 1.55 MIBK/IPA
-1/3(V/V)		 50 20 1.0
CAP-I 2.67 χ 104 1.69 χ 104 1.72 MCB/IAA
=1/2.5 (V/V)		 60 20 0.096
EftP-2 3.88 χ 105 5.66 χ 104 2.30 MCB/IAA
=1/3 (V/V)		 ibid 0.047
CAP-3 1.47 χ 105 6.1 χ 104 2.60 ibid 0.036
CAP-4 1.10 χ 1.80 ibid 0.013
CAI-I 0.016
Bemerkungen MIBK : Methylisobutylketon IPA : Isopropylalkohol MCB : Monochlorbenzol
: Isoamylazetat
Wie sich aus den Ergebnissen in Tabelle 1 ergibt, ist, obwohl sich die Empfindlichkeit der tiefultravioletten Abdeckung nach der Erfindung in Abhängigkeit vom Grad der Molekulargewichtsverteilung ändert, die Empfindlichkeit 5 der vorliegenden Abdeckung viel besser als die der bekannten Abdeckung.
Fig. 3 zeigt die Spektralübertragung der vorliegenden Abdeckung DAP-1, wenn ein Muster mit der in diesem
10 Beispiel verwendeten Deuteriumspektrallampe bestrahlt wird. Die Kurve in Fig. 3 zeigt, daß das Muster DAP-1 insbesondere ein ultraviolettes Licht im Bereich von 25O bis 305 nm absorbiert. Dies bedeutet,daß die Abdeckung DAP-1 in diesem Bereich gut seusibilisiert ist.
Die anderen Abdeckungen der vorliegenden Erfindung, die in Tabelle 1 gezeigt sind, d.h. DAP-2-DAP-4 und DAI-1, zeigen ähnliche Ergebnisse.
Beispiel 2
20
Gemäß Fig. 2 ist der Kontrast ήκ wie folgt definiert:
0.5
worin Dg^ die Belichtung (J/cm ) darstellt, wenn die Restabdeckungsdicke 50% der Anfangsdicke in der Rest-30 abdeckungsdickenkurve ist, und Dg die Belichtung (J/cnO bei 0% der normalisierten Restabdeckungsdicke darstellt, wenn der gerade Teil der Restabdeckungsdickenkurve interpoliert wird.
Der Kontrast A' ist annähernd die Steigung der Tangente bei 50% der normalisierten Restabdeckungsdickenkurve in Fig. 2. Um ein Muster mit einer begrenzten Breite (oder
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einer Merkmalsabmessung) von 2/um oder weniger zu erhalten, sollte der Kontrast / wenigstens 1,0 sein. Wenn der Kontrast J^ kleiner als 1,0 ist, wird der Teil der Abdeckung, der nicht mit dem tiefultravioletten Licht bestrahlt wird, unerwünscht aufgrund der Diffraktion des tiefultravioletten Lichts an dem Kantenteil der Maske bestrahlt.
Fig. 4 zeigt Molekulargewichtsverteilungskurven der Abdeckungen der Erfindung. In Fig. 4 zeigt die Kurve A die Molekulargewichtsverteilungskurve einer 20 Gew.-%-Abdeckungslöüiing von Polydiallylphthalat), was nachfolgend zur Vereinfachung mit "DAP-5" bezeichnet wird, in 2-Äthoxiäthylazetat. Die durchschnittlichen Molekulargewichte Rn und Mw von DAP-5 sind 6,6?x10* und 4,23x10 Der Grad der Molekulardispersion Rw/Rn beträgt 6,34 · Die Kurve B zeigt diu Molekulargewichtsverteilungskurve einer Abdeckung aus Poly(diallylphthalat),d.h. DAP-6, rait Rn von 1,14x10 , Rw von 2,94x10 und einem Verhältnis Rw/Rn von 2,58. Die Kurve C zeigt die Molekulargewichtsverteilungskurve von DAP-2, das im obigen Beispiel 1 verwendet wurde.
Fig. 5 zeigt die Restabdeckungsdickenkurve von DAP-2, DAP-5 und DAP-6. Die Abszisse der Darstellung in Fig. zeigt die relative Belichtung, wenn die Empfindlichkeit von PMMA 1,0 beträgt. Die Kurven A, B und C in Fig. entsprechen jeweils den in Fig. 4 gezeigten Kurven.
Aus dem Vergleich der in den Fig. 4 und 5 gezeigten Kurven ergibt sich, daß je größer der Dispersionsgrad Rw/Rn ist, desto besser der oben erwähnte Kontrast J^' ist. Da der Kontrast /v des Musters DAP-6, dessen Dispersionsgrad Rw/Rn nahe 3 ist, 1,26 ist, ergibt sich des weiteren, daß die Polymere der Diallyldikarboxilate mit dem Dispersionsgrad Rw/Rn von 3 oder weniger zur Verwendung als Abdeckung bei der tiefultravioletten
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Lithographie unter dem Gesichtspunkt des Kontraste ^ zweckmäßig sind.
Der Kontrast ^ des Musters DAP-5 mit einem Dispersionsgrad von 6,34beträgt 0,79 und der des Musters dDAP-2 mit einem Dispersionsgrad von 1,72 beträgt 2,84.
Die Restabdeckungsdicke der Fig. 5 wurde unter Verwendung des Abdeckungsfilms bestimmt, der auf einem Siliziumsubstrat in der im Beispiel 1 beschriebenen Weise hergestellt wurde. Der Abdeckungsfilm wurde mit der Deuteriumspektrallampe unter Verwendung einer hartkontaktierten Chrommaske aus synthetischem Quarz mit einer Dicke von 1,224 mm bestrahlt. Die Bestimmung wurde in bezug auf ein Linienmuster mit einer Breite von 1,0 Aim ausgeführt.
Beispiel 3
Verschiedene Entwicklungsflüssigkeiten zum Entwickeln der Polymere der Diallyldikarboxilate wurden ausgewertet.
Latente Widerstandsmuster mit einer Breite von 0,5/um wurden durch Bestrahlen von Abdeckungsfilmen hergestellt, die aus den Abdeckungen DAP-1 bis DAP-4 und DAI-1 vorbereitet wurden, die beim Beispiel 1 in der dort beschriebenen Weise verwendet wurden. Diese latenten Abdeckungsmuster wurden mit verschiedenen Lösungsmitteln, die in der unten angegebenen Tabelle 2 gezeigt sind, bei einer Flüssigkeitstemperatur von 20 C etwa 1 Minute lang
30 entwickelt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
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- 15-Tabelle 2
Nr.
Lösungsmittel
Mischung von Methylisobutylketon und Methylethylketon
Ergebnis
Lösungsmittelrisse
2. 1,2-Dichloräthan Il Il
3. Monochlorbenzol Il η
Dioxan Il H
5- Cyclohexanon Il η
6. n-Propylazetat Il Il
7- Mischung von Methyl
ethylketon und Isopropyl-
alkohol		 Il η
8. Mischung von Methyl
ethylketon und Äthyl
alkohol		 bleichend
9. Methylisobutylketon gut
10. Mischung von Mono
chlorbenzol und Iso-
amylazetat		 gut
Aus den Ergebnissen in Tabelle 2 ist zu entnehmen, daß die Lösungsmittel Nr. 9 und Nr. 10 zur Verwendung bei
der Entwicklung der vorliegenden tiefultravioletten
Abdeckungen geeignet sind.
Beispiel 4
Der Trockenätzwiderstand der Abdeckung DAP-1, die beim Beispiel 1 verwendet wurde, wurde unter Verwendung von gasförmigem CF^ ausgewertet. Die Ätzung wurde unter Verwendung einer Plasmaätzeinrichtung unter den Bedingungen einer Hochfrequenzwelle von 13»56 MHz, einer angelegten elektrischen Leistung von 150 W und einem CF^-Gasdruck von 0,06 Torr ausgeführt. Die relativen Ätzraten von
DAP-1 und anderen Materialien, wobei die Ätzrate von
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AZ-135OJ (Photoabdeckung der Shipley Co.) 1,0 beträgt, sind in Tabelle 3 gezeigt.
Tabelle 3 Material relative Ätzrate
AZ-I35OJ 1,0
PMMA 2-3
Silikon 4-6
SiOpCwärmeoxidiert) 0,7
DAP-1 1.1 - 1, 4
Wie die Ergebnisse der Tabelle 3 zeigen, ist der Trockenätzwiderstand von DAP-1 so gut wie der von AZ-123OJ und ist besser als der von PMMA. Die Trockenätzwiderstände der anderen Abdeckungen der vorliegenden Erfindung, die im Beispiel 1 verwendet wurden, waren denen von DAP-1 gleichartig.
Wie oben erläutert wurde, können gemäß der Erfindung Abdeckungsmuster mit feinen Details mit einer hohen Auflösung, d.h. einem hohen Kontrast X* , und einer hohen Empfindlichkeit durch Bestrahlen der Polymere des Diallyldikarbonats mit tiefultraviolettem Licht unter nachfolgender Entwicklung erhalten werden.
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Claims (6)

  1. 6/412 Orthslraße 12
    0-8000 München
    FUJITSU LIMITED
    Ν0.1Ό15» Kamikodanaka,
    Nakahara-ku, Kawasaki-shi
    Kanagawa 211, Japan
    Patentansprüche
    y Negative Abdeckung für Lithographie mit tiefultraviolettem Licht, gekennzeichnet durch ein Polymer eines Diallylesters einer Dikarbonsäure mit einem Dispersionsgrad von 3 oder weniger, wobei der Dispersionsgrad das Verhältnis des gewichtsdurchschnittlichen Molekulargewichts Rw zum zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht Rn ist.
  2. 2. Abdeckung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    daß das Polymer von Diallyldikarboxilat mit der allgemeinen
    Formel
    2 2 }t 2 ni( 2 2
    O O
    abgeleitet ist, wobei η Null oder eine ganze Zahl zwischen 1 und 8 ist.
  3. 3. Abdeckung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymer von Diallylkarboxilat mit der allgemeinen
    Formel
    CH-=CH-CHO-O-C-A-C-O-CH--CH=CH,
    2 H H 2 2
    O O
    abgeleitet ist, wobei A Phenylen oder eine Naphthalengruppe ist.
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    ORIGINAL
  4. 4. Verfahren zum Herstellen-eines Abdeckungsmusters auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß
    auf dem Substrat ein Überzug einer Abdeckung mit einem Polymer eines Diallylesters einer Dikarbonsäure mit einem Dispersionsgrad von '3 oder weniger angebracht wird, wobei der Dispersionsgrad das Verhältnis des gewichtsdurchschnittlichen Molekulargewichts Rw zum zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht Rn ist,
    der Abdeckungsüberzug mit tiefultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm in Übereinstimmung mit einem gewünschten Muster, das auf dem Substrat gebildet werden soll, bestrahlt wird und
    der bestrahlte Überzeug mit einem Lösungsmittel entwickelt wird, um das gewünschte negative Abdeckungsmuster auf dem Substrat zu bilden.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymer von Diallyldikarboxilat mit der allgemeinen Formel
    CH2=CH-CH2-O-C-fCH24^C-0-CH2-CH=CH2
    Il Il
    abgeleitet wird, wobei η Null oder eine ganze Zahl zwischen 1 und 8 ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymer von Diallyldikarboxilat mit der allgemeinen Formel
    CH-=CH-CH,-O-C-A-C-O-CHO-CH=CH, 1 \\ " 2 2
    OO
    abgeleitet wird, wobei A Phenylen oder eine Naphthalingruppe ist. ...... ... r
    030025/0822
DE2950212A 1978-12-15 1979-12-13 Photovernetzbares Polymer für die Herstellung von Resiststrukturen mit kurzwelligem UV-Licht und Verfahren zur Herstellung einer Maske mit einem photovernetzbaren Polymer Expired DE2950212C2 (de)

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