DE2944500A1 - Verfahren zur metallisierung von halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zur metallisierung von halbleiterbauelementenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AZWXAPCAJCYGIA-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl)alumane Chemical compound CC(C)C[AlH]CC(C)C AZWXAPCAJCYGIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
- 2 9 A 4 5 O Q
R.A.H.Heinecke et al 25-10 Fl 1022
Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen
Die Priorität der Anmeldung Nr. 43914/78 vom 09. November 1978 in England wird beansprucht.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen und insbesondere ein Verfahren und
eine Vorrichtung zur Abscheidung von Aluminium auf SiIiciumhalbleiterbauelementen,
integrierte Schaltungen eingeschlossen.
Die herkömmlichen Metallisierungsverfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen erfordern eine teure Hochvakuumeinrichtung,
in der verdampftes oder versprühtes, (sputtered) elektrisch leitendes Material, üblicherweise
Aluminium, von einer festen Quelle aus längs einer geraden Bahn weitergeleitet wird. Diese "Ziellinientechnik" hat den
Nachteil eines beschränkten Scheibendurchsatzes weil die Scheiben verteilt angeordnet werden müssen, in dem man sie
in einer Anordnung von Schalen unterbringt, die von einer eine Umlaufbewegung ausführenden Vorrichtung getragen
werden. Während der Abscheidungsbewegung "sieht" die Frontfläche jeder Scheibe die Verdampfungsquelle und wird
mit dem leitenden Material beschichtet.
Einweiterer Nachteil dieses Verfahrens ist die ungleichmäßige Beschichtung, bedingt durch Abschirmeffekte, durch
Stufen und Unregelmäßigkeiten in den Scheiben. Darüberhinaus verursacht die bei dem herkömmlichen Vakuumverfahren zur
schnellen Atomisierung des leitenden Materials mittels Elektronenstrahlverdampfung oder Versprühung angewendete
hohe Energie eine merkliche Grenzflächenbeschädigung bei MOS-Bauelementen, Diese Schädigung muß anschließend durch
Aufheizen der Bauelemente auf verhältnismäßig hohe Temperaturen, wie z.B.
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4700C ausgeheilt werden. Bei solchen Temperaturen ist
die Löslichkeit und Diffusionsgeschwindigkeit von Silicium in Aluminium hoch genug, um die Bildung von Ätzgrübchen
in den Kontaktfensterbereichen der Bauelemente zu bewirken, wodurch die darunterliegenden Übergänge
abgebaut werden. Dieser Effekt ist besonders im Fall von hoher Integration (VLSI) schädlich, bei der flache Übergänge
vorliegen.
10Um diese Situation zu bereinigen, wurde von der Halbleiterindustrie
allgemein ein Verfahren eingeführt, bei dem eine Aluminiumlegierung mit einem Anteil von 1% Silicium
abgeschieden wird, um die Metallschicht während des Erhitzens auf die Ausheiltemperatur mit Silicium gesättigt
zu halten. Diese Technik zieht jedoch weitere Probleme nach sich. So werden z.B. aufgrund der Schwierigkeiten bei
der Steuerung der Filmzusammensetzung Filme mit einer SiIiciumkonzentration
abgeschieden, die weit über der Löslichkeitsgrenze liegt. Derartige Filme verursachen Schwierigkeiten
beim Ätzen und aufgrund der merklichen Verringerung der Löslichkeit von Silicium in Aluminium bei fallender Temperatur
kommt es insbesondere im Bereich der Kontaktfenster zur Abscheidung von p-leitendem Silicium. Das abgeschiedene
Silicium erhöht wiederum das Potential der Schottky-Sperrschicht gegenüber η-leitendem Material und erhöht damit
den Kontaktwiderstand.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen anzugeben,
dem die genannten Nachteile nicht anhaften. Die Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
In der Patentanmeldung P 29 20 384.7 wird ein Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen und Leitbahnen aus AIuminium
beschrieben. Dabei wird die Aluminiumbeschichtung
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durch thermische Zersetzung von Tri-isobutyl-äluminium
bewirkt, das in Dampfform in eine Reaktionskammer eingespeist wird, die eine Temperatur von 250 bis 2700C aufweist,
wobei das Tri-isobutyl-aluminium vor dem Eintritt in die Reaktionäcammer unter 900C gehalten wird.
Bei bestimmten Anwendungen erfordert dieses Verfahren jedoch zuvor eine Wasserstoffplasmabehandlung der Siliciumscheiben.
Die vorliegende Erfindung dagegen beinhaltet ein Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen mit einer
Legierungsschicht aus Silicium/Aluminium, wobei die Bauelemente bei reduziertem Druck und einer Temperatur zwischen
250 und 500°C einem Siliciumwasserstoff enthaltendem Aluminiumalkyldampf ausgesetzt werden.
Eine spezielle Vorbehandlung der Halbleiterbauelemente ist nicht erforderlich. Das Verfahren besteht aus einer einstufigen
Ablagerungs- und Temperungsoperation, wobei AIuminiumfilme, die bei der Ablagerungstemperatur mit Silicium
gesättigt sind, aus einer Mischung aus Aluminiumalkyl und Silan bei niederem Druck abgeschieden werden. Die Abscheidungstemperatur
liegt zwischen 250 und 5000C, vorzugsweise zwischen 300 und 4000C. Man erzielt damit eine optimale
Teniperung und optimale Legierungseigenschaften der speziellen
behandelten Halbleiterbauelemente. Der bei der Zersetzung von Aluminiumalkyl und Silan freigesetzte Wasserstoff verstärkt
die Wirksamkeit der Temperung.
Die angewendeten Temperaturen sind vergleichbar mit solchen von nachfolgenden Bearbeitungsschritten, die zur Herstellung
von Kratzschutzschichten und zur Chipmontage dienen. Das erfindungsgemäße Verfahren liefert Legierungen aus Silicium/
Aluminium, die bei den genannten Temperaturen mit Silicium gesättigt sind und die deshalb im Verlauf der weiteren Ver-
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arbeitung nicht abgebaut werden.
Die Erfindung wird nun in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung, die schematisch eine Halbleitermetallisierungsanlage
zeigt, näher erläutert.
In der Figur sind die zu metallisierenden Siliciumscheiben 11 auf einem innerten, 7, .B. aus Quarz bestehenden Boot
oder Träger 12 angeordnet und in einer Heizkammer 13 untergebracht,
die mittels des Deckels 14 und des Dichtungsrings 15 verschlossen ist. Die Heizkammer 13 ist über das
seitliche Einlaßrohr 16 evakuiert und auf die entsprechende Abscheidungstemperatur erhitzt sowie mit einem 'Inertgas
wie z.B. Argon gespült. Letzteres wird über das Ventil 17 und den Durchflußmesser 18 sowie den Gasversorgungsverteiler
19 in das Rohr 20 eingespeist, das mit der Heizkammer in Verbindung steht. Nach dem Spülen wird die Gaszufuhr
abgestellt und die Heizkammer erneut evakuiert. Die Scheiben können bei bestimmten Anwendungen durch Einströmen von z.B.
Chlorwasserstoffdampf über den Verteiler 19 gereinigt werden,
wobei anschließend die Heizkammer erneut evakuiert wird, obgleich in vielen Fällen auf diese Reinigungsstufe verzichtet
werden kann.
Die Abscheidung von einer Silicium/Aluminiumlegierung auf den Scheiben geschieht durch Einströmen von Aluminiumalkyldampf,
z.B. von Tri-isobutyl-aluminium, oder Mischungen von Aluminiumalkylen, aus den temperaturgeregelten Vorratsbehälter
21, der die flüssigen Alkyle enthält. Der Dampf strömt dabei über das Ventil 22 in die Heizkammer 13 und
gleichzeitig wird Silan über den Verteiler 19 mit eingespeist. Die Legierung lagert sich spontan auf den Scheiben
durch thermische Zersetzung ab. Das Verfahren zum Einbringen von Silicium in den abgeschiedenen Legierungsfilm ist offen-
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sichtlich selbstbegrenzend und zwar aufgrund der eingeschränkten Löslichkeit von Silicium in Aluminium bei der
Abscheidungstemperatur. Somit ist die Konzentration von Silan nicht kritisch, obgleich natürlich bei einer
weit über das notwendige Maß hinausgehenden Silankonzentration für die Sättigung des Aluminiums die Filmablagerungsgeschwindigkeit
deutlich verringert wird und man eine schlechte Filmqualität erhält.
Nach Beendigung der Abscheidung werden die Silan- und AIuminiumalkylquellen
abgeschaltet und die Heizkammer durch Spülen mit Inertgas auf Atmosphärendruck gebracht. Die
beschichteten Scheiben sind für die weitere Verarbeitung fertig und zusätzliche Temperung oder Legierung ist nicht
erforderlich.
Eine ganze Reihe von Alkylen können bei dem Verfahren eingesetzt werden, so z.B.: Tri-methyl, Tri-äthyl- oder Triisopropylaluminium,
Tri-isobutyl-aluminium und Di-isobutylaluminiumhydrid oder Mischungen derselben. Für Filme mit
besonders hoher Qualität empfiehlt sich die Verwendung von Tri-isobutyl-aluminium, Di-isobutyl-aluminiumhydrid oder
Mischungen derselben. Die Temperatur, bei der der Alkylbehälter gehalten wird, hängt von der Verdampfungsgeschwindigkeit
der Alkyle-oder den Alkylmischungen ab. Ferner kann bei manchen Anwendungen die Alkyl/Silan-Mischung mit z.B.
Argon und/oder Wasserstoff verdünnt werden, letzterer erhöht die Temperungswirkung des Verfahrens.
Eine typische Schrittfolge zur Metallisierung von Siliciumscheiben,
wobei das in der beigefügten Zeichnung gezeigte Gerät verwendet wird, läuft wie folgt ab:
1. Anordnen der Scheiben 11 auf dem Träger 12 und eingeben
in die erhitzte Heizkammer 13, evakuieren des Ofens auf
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2. Evakuieren des Ofens auf 13,3 μbar,
3. ggf. Reinigung der Scheiben 11 mit z.B. Halogenwasserstoff
und erneutes Evakuieren,
4. Abscheidung durch Einspeisen von Silan und Aluminiumalkyl
in die Heizkammer 13,
5. Beenden der Abscheidung und erneutes Evakuieren der Heizkammer,
6. Ausgleichen des Druckes in der Heizkammer mit Argon auf Atmosphärendruck,
7. Herausnehmen der behandelten Scheiben.
Bei einem solchen Ablagerungsprozeß, bei dem der Ofen eine Temperatur von 3500C aufwies und die Abscheidung aus Silan
und Tri-isobutyl-aluminium erfolgte, wobei beide Stoffe in
einer Menge von 200 ml/min und bei einem Druck von 5,2 pbar
eingespeist wurden, hat es sich gezeigt, daß in einem Abscheidungszeitraum
von 4 min ein Legierungsfilm mit einer Stärke von 1 μπι erzeugt wurde .
In einer Abwandlung des hierin beschriebenen Verfahrens wird ein Inertgas wie z.B. Argon oder Stickstoff über den
Behälter 24 und das Ventil 23 in die Heizkammer 13 in gleichmäßigen
Intervallen im Verlauf des Abscheidungsprozesses eingespeist. Der Druck in der Kammer 13 steigt temporär
über den Dampfdruck von Tri-isobutyl-aluminium oder dem Gemisch aus Tri-isobutyl-aluminium und Di-isobutyl-aluminiumhydrid,
die in dem Verdampfer enthalten sind, so daß zeitenweise die Alkylzufuhr unterbrochen wird. Dies ermöglicht
von Zeit zu Zeit das Entfernern der Reaktionsprodukte aus
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der Heizkammer 13, die zusammen mit dem Inertgas in die Pumpe gespült werden . Bei weiteren Ausbildungsformen der
Erfindung kann das Aluminiumalkyl oder die Mischung von Aluminiumalkylen in die Heizkammer 13 über eine Atomisierungsvorrichtung
eingespritzt werden. Wahlweise können das flüssige Alkyl oder die Mischung von Alkylen über ein
Dosiervorrichtung in einen Schnellverdampfer (flash evaporation) oder eine kontinuierliche Verdampfungsvorrichtung eingespeist
werden.
Der Ausdruck "Halbleiterbauelement", wie er hierin verwendet wird, bezieht sich sowohl auf diskrete Bauelemente
wie integrierte Schaltungen.
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L e e r s e i t e
Claims (9)
1. Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen, wobei eine Beschichtung aus einer Silicium/Aluminium-Legierung
aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauelemente bei vermindertem Druck und
einer Temperatur von 250 bis 5000C einer Atmosphäre aus
Silan enthaltenden Aluminiumalkyldampf ausgesetzt werden,
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur 300 bis 4000C und der Druck 5,2 μbar beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Aluminiumalkyldampf aus Tri-isobutyl-aluminium,
Di-isobutyl-aluminiumhydrid oder Mischungen derselben
besteht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfmischung aus Aluminiumalkyl
und Silan mit einem Inertgas verdünnt ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Inertgas periodisch in die Heizkammer (13) eingegeben
wird, so daß die gasförmigen Reaktionsprodukte verteilt werden und der Gasdruck den Dampfdruck des
Alkyls übersteigt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumalkyl/Silan-Mischung
zusätzlich Wasserstoff enthält.
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7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumscheiben vor dem Metallisieren
gereinigt werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aluminiumalkyl aus einem Verdampfer eingespeist wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aluminiumalkyl in flüssiger Form aus einem Atomisierungsgerät stammt.
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7843914A GB2041983B (en) | 1978-11-09 | 1978-11-09 | Metallising semiconductor devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2944500A1 true DE2944500A1 (de) | 1980-05-29 |
Family
ID=10500922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19792944500 Withdrawn DE2944500A1 (de) | 1978-11-09 | 1979-11-03 | Verfahren zur metallisierung von halbleiterbauelementen |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5567135A (de) |
| DE (1) | DE2944500A1 (de) |
| FR (1) | FR2441271A1 (de) |
| GB (1) | GB2041983B (de) |
| IT (1) | IT1193328B (de) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3040693A1 (de) * | 1979-11-08 | 1981-05-27 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Verfahren zur metallisierung von halbleiterbauelementen |
| JPS5948952B2 (ja) * | 1981-03-23 | 1984-11-29 | 富士通株式会社 | 金属薄膜の形成方法 |
| US4488506A (en) * | 1981-06-18 | 1984-12-18 | Itt Industries, Inc. | Metallization plant |
| JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
| EP0221156B1 (de) * | 1985-05-03 | 1989-10-11 | AT&T Corp. | Herstellungsverfahren einer vorrichtung mit einer gesmusterten aluminiumschicht |
| US4886683A (en) * | 1986-06-20 | 1989-12-12 | Raytheon Company | Low temperature metalorganic chemical vapor depostion growth of group II-VI semiconductor materials |
| DE3783405T2 (de) * | 1986-08-19 | 1993-08-05 | Fujitsu Ltd | Halbleiteranordnung mit einer duennschicht-verdrahtung und verfahren zum herstellen derselben. |
| JPS6324070A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アルミニユ−ム被膜の作製方法 |
| JPH01198475A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Anelva Corp | 薄膜作製方法 |
| GB2213836B (en) * | 1987-12-18 | 1992-08-26 | Gen Electric Co Plc | Vacuum deposition process |
| JP2544185B2 (ja) * | 1988-08-09 | 1996-10-16 | アネルバ株式会社 | 薄膜作製装置および方法 |
| JP2781219B2 (ja) * | 1989-09-09 | 1998-07-30 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2781220B2 (ja) * | 1989-09-09 | 1998-07-30 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2801285B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-09-21 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2721020B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-03-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2721023B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-03-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JP2721021B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-03-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| EP0498580A1 (de) * | 1991-02-04 | 1992-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung einer abgeschiedenen Metallschicht, die Aluminium enthält, mit Anwendung von Alkylaluminiumhalid |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2151052A1 (de) * | 1970-10-14 | 1972-06-08 | Motorola Inc | Verfahren und Vorrichtung zur Bildung einer Silicium-Aluminium-Schicht auf einem Siliciumtraeger |
| US3974003A (en) * | 1975-08-25 | 1976-08-10 | Ibm | Chemical vapor deposition of dielectric films containing Al, N, and Si |
-
1978
- 1978-11-09 GB GB7843914A patent/GB2041983B/en not_active Expired
-
1979
- 1979-11-03 DE DE19792944500 patent/DE2944500A1/de not_active Withdrawn
- 1979-11-08 IT IT27119/79A patent/IT1193328B/it active
- 1979-11-09 JP JP14455379A patent/JPS5567135A/ja active Pending
- 1979-11-09 FR FR7927649A patent/FR2441271A1/fr active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3449150A (en) * | 1965-03-31 | 1969-06-10 | Continental Oil Co | Coating surfaces with aluminum |
| US3620837A (en) * | 1968-09-16 | 1971-11-16 | Ibm | Reliability of aluminum and aluminum alloy lands |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT7927119A0 (it) | 1979-11-08 |
| GB2041983A (en) | 1980-09-17 |
| JPS5567135A (en) | 1980-05-21 |
| GB2041983B (en) | 1982-12-01 |
| FR2441271B1 (de) | 1983-06-17 |
| FR2441271A1 (fr) | 1980-06-06 |
| IT1193328B (it) | 1988-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8130 | Withdrawal |