DE2937679C2 - Informationsaufzeichnungselement mit einer auf einem Substrat ausgebildeten, Wismut enthaltenden Aufzeichnungsschicht - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein lnformationsaufzeichnungselement nach dem Oberbegriff des Patentan-Spruchs 1. Bei solchen Aufzeichnungselementen erfolgt die Informationsspeicherung durch Verdampfung, Deformation etc. von Material einer dünnen Aufzeichnungsschicht, die auf einem Substrat ausgebildet ist. Beispielsweise wird die Aufzeichnung mittels Hitzeeinwirkurig eines Aufzeichnungsstrahls, wie z. B. eines Laserstra.hls oder durch Wärme bewirkt, die indirekt durch Hilfsmittel erzeugt wird.

Elin Verfahren zum Aufzeichnen von Information auf einer Platte und deren Wiedergabe von der Platte unter Verwendung von Licht ist beispielsweise in der Literaturstelle »A Review of the MCA Disco-Vision System« von Kent Broadbent in the 115th SMPTE Technical Conference & Equipment Exhibit vom 26. April 1974 beschrieben. Nachstehend soll das Prinzip kurz erläuten. werden.

F" i g. 1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Prinzips eines Verfahrens zur Aufzeichnung von Information auf einem vorgegebenen Medium, beispielsweise einer Platte, unter Verwendung von Licht. Die· Platte ist so ausgebildet, daß ein dünner Aufzeichnungsfilm 2 auf der Oberfläche eines transparenten kreisförmigen Substrats 1 aufgebracht ist, das aus Glas, Kunstharz oder dergleichen besteht. Sie dreht sich mit hoher Geschwindigkeit, wobei eine Welle oder eine Achse 3 als Drehachse verwendet wird. In dem Zustand, in dem eine Linse 4 in einem vorgegebenen Abstand von der Platte 1 dicht über dieser angeordnet wird, wird ein Laserstrahl 5, der in der Form von Impulsen moduliert wird, welche der aufzuzeichnenden Information entspricht, wobei nicht nur ein Laserstrahl, sondern auch ein Elektronenstrahl oder dergleichen als Strahl verwendet werden kann, fokussiert und auf den dünnen Aufzeichnungsfilms 2 projiziert. Somit werden diejenigen Bereiche des Aufzeichnungsfilms 2, auf die der Laserstrahl 5 projiziert worden ist, vom Laserstrahl erhitzt und geschmolzen und deformiert oder verdampft. Infolgedessen entsprechen die Formen, Größen und Positionen der Öffnungen oder Aussparungen, die im dünnen Aufzeichnungsfilm 2 gebildet werden und die kleine Durchmesser von ungefähr 0,5 μπ; bis 1,2 μηπ besitzen, der an den Laserstrahl angelegten Information. Das heißt, die Information, z. B. Bilder oder Schall werden im dünnen Aulzeichnungsfilm 2 in Form von Öffnungen oder Aussparungen aufgezeichnet Die aufgezeichnete Information kann in der Weise abgerufen oder abgespielt werden, daß während sich die Platte 1 in gleicher Weise wie oben mit hoher Geschwindigkeit dreht, ein Laserstrahl gebündelt und auf den dünnen Aufzeichnungsfilm 2 der Scheibe 1 projiziert wird, auf der die Information aufgezeichnet worden ist, um beispielsweise die Intensitäten des reflektierten Lichtes abzutasten. Bisher hat man nach Aufzeichnungsmaterialien mit guten Aufzeichnungseigenschaften gesucht. Die bislang angegebenen Aufzeichnungsmaterialien haben sich jedoch im Hinblick auf die Qualität eines aufgezeichneten Bildes oder dergleichen als nicht zufriedenstellend erwiesen.

Außer dem oben erläuterten Verfahren, bei dem ein Laserstrahl oder dergleichen als Aufzeichnungsstrahl verwendet und die Information aufgezeichnet wird, indem man die Verdampfung oder das Schmelzen und die Deformation des Aufzeichnungselementes ausnutzt, gibt es ein Verfahren der nachstehend beschriebenen Art. Bei diesem Verfahren wird ein dünner Film, dessen Schwellwertspannung für elektrische Schaltvorgänge bei der Projektion von Licht absinkt, zwischen Elektroden auf beiden Seiten gehalten. Der dünne Film wird bei angelegter Spannung beleuchtet und nimmt somit einen Schaltvorgang im beleuchteten Teil vor. Teile der Elektroden in der Nähe des geschalteten Teils werden durch die Hitze perforiert, die durch den Schaltvorgang erzeugt wird. Somit wird die Information aufgezeichnet. Mit Ausnahme der Eigenschaft der elektrischen Leitfähigkeit sind die Eigenschaften, die für das Material der Elektrode erforderlich sind, welche auch als Aufzeichnungselement dient, in diesem Falle im wesentlichen die gleichen wie diejenigen, die für das Aufzeichnungsmedium im vorherigen Falle der direkten Aufzeichnung erforderlich sind, wobei die Hitze der Laserstrahlprojektion verwendet wird. Dementsprechend kann ein Aufzeichnungselement, das elektrisch leitend ist, für beide Verfahren verwendet worden.

In der DE-AS 25 14 678 ist ein Aufzeichnungsmedium beschrieben, bei dem auf einem Substrat eine Strahlung absorbierende: Aufzeichnungsschicht aufgebracht ist, auf der sich wiederum eine Antireflexionsschicht befindet. Die Aufzeichnungsschicht besteht aus Wismut, Iridium oder Zinn oder aus einer Legierung dieser Elemente. Für die Antireflexionsschicht ist Wismuttrisulfid, Antimontrisulfid oder Selen vorgesehen. Aus der DE-OS 27 21 334 ist ebenfalls bekannt, daß für eine Aufzeichnungsschicht Wismut enthaltende Gemische verwendet werden können. Desgleichen beschreibt die DE-OS 25 22 928, daß bei Aufzeichnungsträgern die Absorptionsschicht aus den metallischen Elementen Ag, Al₁ As, An. Bi, Cd, Ce, Cr, Cu. Fe. Ge, In, Ir, La. Mg. Mn, Mo, Nd, Ni, Pb, Pd, Pr, Pt, Rh, Sb, Si, Sn, Ti, Zn, Zr oder aus Legierungen dieser Elemente bestehen kanr.

Zum Stand der Technik sind ferner die JP-OS 40 479/1971 und die JP-OS! 17 144/1974 zu nennen.

Die bisher bekannten Aufzeichnungsschichten haben sich jedoch im Hinblick auf die Qualität der aufgezeichneten Information wie z. B. Bildinformation nicht als zufriedenstellend erwiesen. Insbesondere sind die in der

Aufzeichnungsschicht mit einem Laserstrahl oder dergleichen hervorgerufenen öffnungen oft nicht sauber. Aus Wismut bestehende Aufzeichnungsschichten verschlechtern sich im Laufe der Zeit infolge der Umwandlung von Wismut in Wismutsulfid oder Wismutoxid. Auch Aufzeichnungsschichten aus reinem Antimon zeigen Nachteile, indem die eingebrannten öffnungen unregelmäßige Gestalt haben; außerdem ist bei diesem Material die zum Aufzeichnen erforderliche Energie des Laserstrahles hoch.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Informations-Aufzeichnungselement mit wesentlich verbesserten Aufzeichnungseigenschaften anzugeben. Insbesondere soll es eine hohe Empfindlichkeit aufweisen, langen Zeitraum bei Anwendung der vorstehend beschriebenen Informationsaufzeichnungsverfahren, eine saubere Gestalt der in der Aufzeichnungsschicht eingebrannten öffnungen zeigen und über einen langen Zeitraum stabil sein.

Diese Aufgabe wird mit einem Informationsaufzeichnungselement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 gelöst, das gemäß der Erfindung die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs angegebenen Merkmale aufweist

Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ist im Unteranspruch angegeben.

Das erfindungsgemäße Aufzeichnungselement wirft keine Probleme hinsichtlich der Toxizität des Materials selbst auf. Das erfindungsgemäße Aufzeichnungselement ist so ausgebildet, daß ein dünner Film einer Wismutantimonlegierung, die Antimon als unerläßlichen Bestandteil enthält, auf einem vorgegebenen Substrat aufgebracht ist. In diesem Falle liegt der Sb-Anteil des dünnen Filmes in einem Bereich zwischen 1% und 15% einschließlich, ausgedrückt in prozentualen Anteilen der durchschnittlichen Anzahl von Atomen im dünnen Film. Der Antimongehalt ändert sich allmählich in Richtung der Dicke des dünnen Filmes, der die Aufzeichnungsschicht bildet Der Antimongehalt liegt mit seinem Durchschnittswert innerhalb des oben angegebenen Bereiches und in der Nähe der vorderen und/oder rückseitigen Oberfläche der Aufzeichnungsschicht liegt der maximale Gehalt. Vorzugsweise ist das Maximum des Antimongehaltes höchstens das Dreifache des durchschnittlichen Antimongehaltes der Aufzeichnungsschicht. Ein Teil, der nur Antimon enthält, kann vorhanden sein, wenn er nicht größer als 5 nm in Dickenrichtung ist

Wenn in einer derartigen Aufzeichnungsschicht Information aufgezeichnet wird, indem öffnungen oder Aussparungen in dem dünnen Film durch Schmelzen und Deformation oder Verdampfung oder Entfernen von Material ausgebildet werden, und zwar aufgrund der bei Projektion eines Laserstrahls erzeugten Hitze oder der indirekt durch Hilfsmittel erzeugten Hitze, ist die Aufzeichnungsempfindlichkeit hoch, und es wird ein großer Rauschabstand in den Fällen der Aufzeichnung von Videosignalen oder dergleichen erreicht.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in

F i g. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Prinzips eines Verfahrens zur Aufzeichnung von Information auf einem Aufzeichnungselement;

F i g. 2 eine Darstellung zur Erläuterung einer Verdampfungsanordnung zur Verwendung bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungselements; F i g. 3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Änderung von Eigenschaften verschiedener Aufzeichnungsfilme im Laufe der Zeit;

F i g. 4 ein Diagramm zur Erläuterung der Änderung der Aufzeichnungseigenschaften in Abhängigkeit vom Antimongehalt bei Aufzeichnungselementen, die Wismut-Antimon-Legierungen verwenden; und in

F i g. 5 bis 7 schematische Darstellungen zur Erläuterung verschiedener Ausführungsformen des Zusammensetzungsprofils in Dickenrichtung eines Aufzeichnungsfilms.

Wie oben bereits erläutert wird das neuartige Aufzeichnungselement dadurch hergestellt daß ein dünner Film einer Wismut-Antimon-Legierung aufgebracht wird, die Antimon als unerläßlichen Bestandteil enthält.

Wird für die Aufzeichnungsschicht als Material eine

Wismut-Antimonlegierung mit einem Antimongehalt von 1 bis 15% gewählt, so erhält man saubere Formen der mit einem Laserstrahl in der Aufzeichnungsschicht eingebrannten öffnungen.

Die Aufzeichnungseigenschaften einer Aufzeichnungsschicht aus reinem Bi verschlechtern sich im Laufe der Zeit, da mit der Zeit Wismutsulfid oder Wismutoxid erzeugt wird. Ein Sb-Anteil unterdrückt die Verschlechterung. Weiterhin wirkt Sb in einem Faile, in dem ein Substrat aus einer organischen Substanz verwendet wird, dahin, daß es die Verschlechterung der Aufzeichnungseigenschaften im Laufe der Zeit verhindert welche sonst aufgrund der Reaktion zwischen der organisehen Substanz und dem Wismut erfolgt. Wenn jedoch der Sb-Gehalt zu niedrig ist, wird kein Effekt erzielt, und wenn er zu hoch ist, werden die Formen der öffnungen unregelmäßig, und die erforderliche Energie des Laserstrahls für die Aufzeichnung wird hoch.

Der Sb-Gehalt liegt in einem Bereich zwischen 1% und 15% einschließlich, ausgedrückt in prozentualen Anteilen der Anzahl von Atomen. Vorzugsweise liegt der Gehalt an Wismut im Bereich zwischen 2% und 10% einschließlich. Das Hinzufügen von In und/oder Zn als anderen Elementen als Sb bis zu 10%, ausgedrückt in Anteilen der Anzahl von Atomen, in Abhängigkeit vom Sb-Gehalt hat den Effekt, die zum Aufzeichnen usw. erforderliche Energie des Laserstrahls zu verringern. Außerdem können verschiedene Metalle, Halbmetalle oder Halbleiter, wie z. B. Ge, mil höchstens 10%, ausgedrückt in Anteilen der Anzahl von Atomen in Abhängigkeit vom Sb-Gehalt hinzugefügt werden.

Der Sb-Gehalt in der Aufzeichnungsschicht der Bi-Sb-Legierung ist in der Aufzeichnungsschicht nicht gleichmäßig, sondern ändert sich in Richtung ihrer Dikke. Wenn Sb in einer größeren Menge in dem Teil in der Nähe der rückseitigen Oberfläche der Aufzeichnungsschicht hinzugefügt wird, mit anderen Worten, in dem Teil in der Nähe des Substrats, wird die Reaktion zwisehen Bi und dem Substrat in wirksamer Weise verhindert. Wenn Sb in einer größeren Menge in dem Teil in der Nähe der vorderen Oberfläche des dünnen Filmes hinzugefügt wird, tritt der Effekt ein, daß die Erzeugung von Sulfiden oder Oxiden des Bi in der vorderen Oberfläche verhindert wird. Da jedoch die Form der öffnungen unregelmäßig wird, kann die Gesamtmenge an Sb nicht sehr groß gemacht werden; der über die gesamte Dicke der Aufzeichnungsschicht gemittelte Sb-Gehalt lii-ut in dem angegebenen Bereich. Der Sb-Gehalt wird in dem einen oder anderen Teil in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche des dünnen Filmes oder in beiden Teilen größer gemacht, während er im anderen Teil des dünnen Filmes (rückseitige Oberfläche,

vordere Oberfläche oder mittlerer Schichtteil), niedriger gemacht wird. 1st der Sb-Gehalt in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche zu hoch und in den anderen Teilen der Schicht zu niedrig, so werden die Formen der öffnungen, die man bei der Projektion des Laserstrahls erhält, unregelmäßig. Der Sb-Gehalt wird daher in dem Teil in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche des dünnen Filmes auf einen Wert von höchstens dem dreifachen des durchschnittlichen Sb-Gehalts im anderen Teil der Schicht begrenzt und ändert sich allmählich in Dickenrichtung der Schicht. Ein Teil der Aufzeichnungsschicht kann ausschließlich Sb enthalten, wenn er nicht größer als 5 nm in Dickenrichtung der Aufzeichnungsschicht ist.

Wenn eine Chalkogenverbindungs-Schicht, eine Oxidschicht oder eine Schicht eines organischen Polymers zwischen der Aufzeichnungsschicht aus Bi-Sb oder oben beschriebenen Art und dem Substrat oder auf dem dünnen Bi-Sb-FiIm angeordnet ist, so sind die Aufzeichnungseigenschaften besser und die Stabilität des Filmes nimmt zu. Als Chalkogenverbindung kann man ein beliebiges Material verwenden, das Ge-Se, Ge-S, Ge-Te, Sb-S, Sb-Se, Sn-S, Sn-Se, In-Se, As-Te, As-Se, As-S usw. enthält. Hinsichtlich der Oxide können beliebige der Substanzen Te, Sb, Cd, Bi, Ge, Si usw. verwendet werden. Es ist besonders vorteilhaft, wenn die Dicke dieser Schicht nicht größer ist als 40% der Dicke der Aufzeichnungsschicht.

Vorzuziehen ist für die Dicke der Aufzeichnungsschicht gemäß der Erfindung ein Bereich zwischen 15 nm und 150 nm einschließlich, wobei besonders bevorzugt ein Bereich zwischen 20 nm und 80 nm inklusive ist.

Vorzugsweise wird die Herstellung der dünnen Aufzeichnungsschicht auf dem Plattensubstrat unter Verwendung von einer mit mehreren Quellen versehenen, sich drehenden Vakuumverdampfungsanordnung hergestellt, wobei das Substrat gedreht und eine Vielzahl von Verdampfungsquellen verwendet wird, wie es nachstehend in den Beispielen erläutert wird. Vorzugsweise liegt die Verdampfungszeit zwischen 15 Sekunden und 2 Minuten einschließlich, während die Rotationsfrequenz zwischen 100 U/min und 2000 U/min einschließlich liegt.

Nachstehend wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert.

Unter Verwendung einer Vakuumverdampfungsanordnung mit einem internen Aufbau, wie er in der Draufsicht in F i g. 2 dargestellt ist, wird ein dünner Aufzeichnungsfilm durch Verdampfen hergestellt. Eine Polymethylmethacrylatharzplatte mit einem Durchmesser von 31 cm und einer Dicke von 1 mm wurde mit einem Fotoresist AZ 1350 J der Firma Shipley Inc. mit einer Dicke von ungefähr 2000 Ä unter Verwendung einer Schleuder beschichtet und dann gehärtet Anschließend wurde das resultierende Substrat 1 um eine mittlere Achse 3 mit einer Rotationsfrequenz von 120 U/min in Drehbewegung versetzt. Unter dem Substrat 1 waren Verdampfungsschiffchen 6, 7 und 8 angeordnet. Über den Verdampfungsschiffchen waren Masken 9, 10 und ω 11 mit Sektorenschlitzen und Verschlußteilen 12,13 und 14 angeordnet. Die Verdampfungsraten wurden mit Quarzoszillator-Filmdickenüberwachungsgeräten 15, 16 und 17 abgetastet. Außerdem konnte die Dicke eines aufgedampften Filmes überprüft werden, indem man die Lichtdurchlässigkeit unter Verwendung eines Lichtprojektors 18 und eines Lichtempfängers abtastete, der unter dem Projektor angeordnet war, während sich das Substrat 1 und der Film sich zwischen ihnen befand.

Sb wurde in das Verdampfungsschiffchen 6 eingebracht, während Bi in das Verdampfungsschiffchen 7 gebracht wurde.

Das Verdampfungsschiffchen 6 hatte einen Aufbau, bei dem das darin enthaltene Verdampfungsmaterial aus der Position des Substrats nicht zu sehen war. Das Verdampfungsschiffchen 8 wurde verwendet, wenn eine Chalkogenverbindungs-Schicht oder eine Oxidschicht hergestellt wurde. Dann ließ man Ströme durch die Verdampfungsschiffchen 6 und 7 fließen und das Verhältnis der Verdampfungsmaterialien aus den entsprechenden Verdampfungsschiffchen wurde so eingestellt, daß das Verhältnis Bi: Sb ungefähr einen Wert von 5:1, ausgedrückt im Verhältnis der Atornzahlen, annimmt. Nachdem die Materialien in den Verdampfungsschichten etwas verdampft waren, wurden die Verschlußteile 12 und 13 geöffnet, und die öffnungswinkel der Verschlußteile wurden so eingestellt, daß der Schlitz auf der Bi-Seite vollständig geöffnet und der Schlitz auf der Sb-Seite ungefähr zu '/β offen war. Wenn die gesamte Filmdicke ungefähr einen Wert von 350 Ä annahm, wurden die Verschlußteile zur Beendigung der Verdampfung geschlossen. Der Sb-Anteil des erhaltenen dünnen Bi-Sb-Filmes betrug 4%.

Um in einem derartigen auf dem Substrat ausgebildeten dünnen Bi-Sb-FiIm der oben beschriebenen Art Information aufzuzeichnen, während sich das Substrat 1 mit dem dünnen Film 2 mit einer Drehgeschwindigkeit von 1800 U/min dreht, wie es in Fig. 1 angedeutet ist, wurde der Strahl eines Argonionenlasers mit einer Wellenlänge von 488 nm, dessen Impulse hinsichtlich ihrer Breite und Intervalle von aufzuzeichnenden NTSC-Videosignalen moduliert waren, mit einer Linse gebündelt und auf den dünnen Film 2 durch das Substrat 1 von der Substratseite her projiziert. Die Energie des Laserstrahls betrug ungefähr 50 mW. Diejenigen Teile des dünnen Films 2, auf die der Laserstrahl projiziert wurde, wurden mit elliptischen öffnungen ausgebildet, deren kleinere Durchmesser ungefähr 0,8 μΐη betrugen.

Das Ablesen der Aufzeichnung geschah folgendermaßen.

Das Substrat wurde mit einer Drehgeschwindigkeit von 1800 U/min in Drehbewegung versetzt, und der Strahl eines He-Ne-Lasers mit einer Energie von ungefähr 2 mW wurde mit einer Linse gebündelt und von der Substratseite projiziert, wobei Änderungen der Intensität des reflektierten Lichtes mittels eines Detektors abgetastet wurden.

Der Rauschabstand wurde in der nachstehend beschriebenen Weise gemessen. Anstelle von Videosignalen wurde ein Träger bei 8 MHz in dem dünnen Film aufgezeichnet und dann ausgelesen. Ein Rauschabstand, der beim Auslesen gemessen wurde, wurde im Falle von Colorvideosignalen in eins umgewandelt.

In dem Falle, wo das beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel erhaltene Aufzeichnungselement unter Verwendung des Reflexionsverfahren ausgelesen wurde, erhielt man einen Rauschabsiand von ungefähr 4OdB. Auch nach Verstreichen einer Zeitspanne von ungefähr 6 Monaten war die Verschlechterung des Rauschabstandes niedriger als 2 dB. Demgegenüber war der Rauschabstand bei einem dünnen Film, der nur aus Bi bestand, nach der Herstellung des Filmes niedrig und nahm um mehr als 3 dB nach 6 Monaten ab. Bei einem auf Sn-Bi basierenden Material nahm der Rauschabstand nach der Zeitspanne um etwa 10 dB ab.

Die Situation ist in F i g. 3 dargestellt. Die Kurve a entspricht dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungselement, die Kurve b entspricht einer Ausführungsform des Aufzeichnungselementes, das nur aus Bi besteht, und die Kurve c entspricht der Ausführungsform eines Auf-Zeichnungselementes, das Sn-Bi verwendet.

Wenn bei der Herstellung des dünnen Filmes mit der oben beschriebenen Verdampfungsanordnung der öffnungswinkel des Verschlußteiles auf der Sb-Seite geändert wurde, um den Sb-Gehalt des dünnen Filmes zu verändern, so änderte sich der Rauschabstand wie nachstehend angegeben. Wie in Fig.4 dargestellt, betrug der Rauschabstand ungefähr 3OdB für einen Sb-Anteil von 1%, etwa 35 dB für ungefähr 2%, ungefähr 4OdB für 4%, ungefähr 35 dB für 10%, ungefähr 3OdB für 15% und ungefähr 25 dB für 30%. Wenn die Dicke des Bi-Sb-Filmes geändert wurde, so änderte sich der Rauschabstand wie nachstehend angegeben. Er betrug 25 dB für eine Dicke von 10 nm, 30 dB für 15 nm, 35 dB für 20 nm, 35 dB für 80 nm und 30 dB für 150 nm.

Zur Herstellung der Aufzeichnungsschicht mit einem sich über deren Dicke ändernden Antimongehalt wird der öffnungswinkel des Verschlußteiles für Sb nicht konstant gehalten. Gleichzeitig mit der vollständigen Öffnung des Verschlußteiles für Bi wurde das Verschlußteil für Sb geöffnet, so daß der Schlitz V₃ offen war. Er wurde allmählich geschlossen und wurde vollständig geschlossen, als die Dicke des aufgedampften Filmes einen Wert von 175 Ä erreichte. Das Verschlußteil wurde sofort wieder geöffnet und der öffnungswinkel allmählich vergrößert, so daß der Schlitz wieder zu '/3 geöffnet war, als die Filmdicke einen Wert von 350 A erreichte, un. die Verdampfung zu beenden. Der Sb-Anteil des so erhaltenen Bi-Sb-Filmes betrug ungefähr 8% an der Substratoberfläche und der vorderen Oberfläche des Filmes und 0% im mittleren Bereich, während der durchschnittliche Gehalt 4% wie beim Beispiel 1 ausmachte. F i g. 5 zeigt die Änderung der Zusammensetzung des aufgedampften Filmes in diesem Beispiel bezogen auf die Dickenrichtung.

Das Aufzeichnungsverfahren und das Verfahren zum Auslesen der aufgezeichneten Information für das so hergestellte Aufzeichnungselement waren die gleichen wie beim Beispiel 1.

Wie beim vorherigen Beispiel wurde ein Rauschabstand von ungefähr 4OdB erreicht, und seine Verschlechterung im Laufe der Zeit war geringer als beim Beispiel 1.

Bei einer anderen Probe wurde der Sb-Gehalt so eingestellt, daß er 8% an der Substratoberfläche eines aufgedampften Filmes betrug. Dabei wurde in gleicher Weise wie oben der Öffnungswinkel des Schützes allmählich geschlossen und so eingestellt, daß der Sb-Gehalt einen Wert von 2% bei einer Filmdicke von 175 Ä erreichen konnte. Ferner wurde eine Aufzeichnung^- schicht mit einem Sb-Gehalt von 2% auf dem resultierenden Film ausgebildet, bis die Gesamt dicke einen Wert von 350 A erreichte. F i g. 6 zeigt die Änderung der Zusammensetzung bei diesem Beispiel in Dickenrichtung. ^b0

Andererseits wurde eine Bi-Sb-Schicht mit einem Sb-Gehalt von 2% von der Substratoberfläche eines Filmes bis zur Dicke von 175 A ausgebildet, woraufhin der Sb-Gehalt mit einem ähnlichen Verfahren wie oben allmählich zunahm, um eine Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 350 A auszubilden und einen Sb-Gehalt von 8% zu erreichen. F i g. 7 zeigt die Änderung der Zusammensetzung bei diesem Beispiel in Dickenrichtung.

Mit diesen beiden Beispielen konnten gute Rauschabstände erzielt werden, und die Änderungen im Laufe der Zeit waren gering.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:

1. informations-Auf Zeichnungselement mit einer auf einem Substrat ausgebildeten, Wismut enthaltenden Aufzeichnungsschicht in der die Information in Form von durch thermische Energie eines optischen oder Elektronen-Strahls erzeugten Öffnungen oder Aussparungen aufgezeichnet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht aus einer Antimon-Wismut-Legierung mit 1 bis 15 Atomprozent Antimon besteht und daß der Antimongehalt der Aufzeichnungsschicht sich über deren Dicke ändert und in der Nähe des Substrats und/oder der äußeren Oberfläche ein Maximum hat

2. Informations-Aufzeichnungselement nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Maximum des Antimongehaltes höchstens drei Mal so hoch ist wie der durchschnittliche Antimongehalt der Aufzeichnungsschicht.

3. Informations-Aufzeichnungselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Aufzeichnungsschicht 15 bis 150 nm beträgt.

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