DE2937679A1

DE2937679A1 - Informationsaufzeichnungselement

Info

Publication number: DE2937679A1
Application number: DE19792937679
Authority: DE
Inventors: Masahiro Ojima; Kazuo Shigematsu; Motoyasu Terao; Seiji Yonezawa
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1978-09-19
Filing date: 1979-09-18
Publication date: 1980-03-27
Also published as: CA1128749A; NL182920C; GB2034957B; DE2937679C2; US4296419A; FR2468971B1; FR2468971A1; NL182920B; GB2034957A; NL7906983A

Description

*a —

2937S79

BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein Informationsaufzeichnungselement. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Aufzeichnungselement, bei dem die Beseitigung von Material durch Verdampfung, Deformation etc. eines dünnen Aufzeichnungsfilmes ausgenutzt wird, der auf einem Substrat ausgebildet ist, wie z.B. durch die Einwirkung von Hitze von einem Aufzeichnungsstrahl^ wie z.B. einem Laserstrahl, oder durch Wärme, die indirekt durch Hilfsmittel erzeugt wird.

Ein Verfahren zum Aufzeichnen von Information auf einer Scheibe und deren Wiedergabe von der Scheibe unter Verwendung von Licht ist beispielsweise in der Literaturstelle "A Review of the MCA Disco-Vision System" von Kent Broadbent in the 15th SMPTE Technical Conference & Equipment Exhibit beschrieben. Nachstehend soll das Prinzip kurz erläutert werden.

Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Prinzips eines Verfahrens zur Aufzeichnung von Information auf einem vorgegebenen Medium, beispielsweise einer Scheibe, unter Verwendung von Licht. Die Scheibe ist so ausgebildet, daß ein dünner Aufzeichnungsfilm 2 auf der Oberfläche eines transparenten kreisförmigen Substrats 1 aufgebracht ist, das aus Glas, Kunstharz oder dergleichen besteht. Sie dreht sich mit hoher Geschwindigkeit, wobei eine Welle oder eine Achse 3 als Drehachse verwendet wird.

In dem Zustand, in dem eine Linse 4 in einem vorgegebenen Abstand von der Scheibe 1 dicht über dieser angeordnet wird, wird ein Laserstrahl 5, der in der Form von Impulsen moduliert wird, welche der aufzuzeichnenden Information entspricht, wobei nicht nur ein Laserstrahl, sondern auch ein Elektronenstrahl oder dergleichen als Strahl verwendet werden kann, fokussiert und auf den dünnen Aufzeichnungsfilm2 projiziert. Somit werden diejenigen Bereiche des Aufzeichnungsfilms 2, auf die der Laserstrahl 5 projiziert worden ist, vom Laser-

0$ÖÖ13/09(U

strahl erhitzt und geschmolzen und deformiert oder verdampft. Infolgedessen entsprechen die Formen, Größen und Positionen der öffnungen oder Aussparungen, die im dünnen Aufzeichnungsfilm 2 gebildet werden und die kleine Durchmesser von ungefähr 0,5 um bis 1,2 wm besitzen, der an den Laserstrahl angelegten Information· D.h., die Information, z.B. Bilder oder Geräusche, werden im dünnen Aufzeichnungsfilm 2 in Form von öffnungen oder Aussparungen aufgezeichnet. Die aufgezeichnete Information kann in der Weise abgerufen oder abgespielt werden, daß während sich die Scheibe 1 in gleicher Weise wie oben mit hoher Geschwindigkeit dreht, ein Laserstrahl gebündelt und auf den dünnen Aufzeichnungsfilm 2 der Scheibe 1 projiziert wird, auf der die Information aufgezeichnet worden"ist, um beispielsweise die Intensitäten des reflektierten Lichtes abzutasten. Bisher hat man nach Aufzeichnungsmaterialien mit guten Aufzeichnungseigenschaften gesucht. Die bislang angegebenen Aufzeichnungsmaterialien haben sich jedoch im Hinblick auf die Qualität eines aufgezeichneten Bildes oder dergleichen als nicht zufriedenstellend erwiesen. Außer dem oben erläuterten Verfahren, bei dem ein Laserstrahl oder dergleichen als Aufzeichnungsstrahl verwendet und die Information aufgezeichnet wird, indem man die Verdampfung oder das Schmelzen und die Deformation des Aufzeichnungselementes ausnutzt, gibt es ein Verfahren der nachstehend beschriebenen Art. Bei diesem Verfahren wird ein dünner Film, dessen Schwellwertspannung für elektrische Schaltvorgänge bei der Projektion von Licht absinkt, zwischen Elektroden auf beiden Seiten gehalten. Der dünne Film wird bei angelegter Spannung beleuchtet und nimmt somit einen Schaltvorgang im beleuchteten Teil vor. Teile der Elektroden in der Nähe des geschalteten Teiles werden durch die Hitze perforiert, die durch den Schaltvorgang erzeugt wird. Somit wird die Information aufgezeichnet. Mit Ausnahme der Eigenschaft der elektrischen Leitfähigkeit sind die Eigenschaften, die für das Material der Elektrode erforderlich sind, welche auch

0SÖÖ13/0ÖÖ*

2337673

als Aufzeichnungselement dient, in diesem Falle im wesentlichen die gleichen wie diejenigen, die für das Aufzeichnungsmedium im vorherigen Falle der direkten Aufzeichnung erforderlich sind, wobei die Hitze der Laserstrahlprojektion verwendet wird. Dementsprechend kann ein Aufzeichnungselement, das elektrisch leitend ist, für beide Verfahren verwendet werden.

Zum Stande der Technik sind die JP-OS 40479/1971, die USSN 829 892 und die JP-OS 17144/174 zu nennen.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Aufzeichnungselement anzugeben, das wesentlich bessere Aufzeichnungseigenschaften besitzt, eine höhere Empfindlichkeit aufweist und für einen längeren Zeitraum als die bisher bekannten Elemente der gleichen Bauart stabil ist, wobei die vorstehend beschriebenen Informationsaufzeichnungsverfahren zur Anwendung gelangen können.

Das erfindungsgemäße Aufzeichnungselement wirft keine Probleme hinsichtlich der Toxizität des Materials selbst auf. Das erfindungsgemäße Aufzeichnungselement ist so ausgebildet, daß ein dünner Film einer Wismutantimonlegierung, die Antimon als unerläßlichen Bestandteil enthält, auf einem vorgegebenen Substrat aufgebracht ist. In diesem Falle liegt der Sb-Anteil des dünnen Filmes in einem Bereich zwischen 1% und 15% einschließlich, ausgedrückt ^n prozentualen Anteilen der durchschnittlichen Anzahl von Atomen im dünnen Film. Hinsichtlich des Antimongehalts ist es besonders vorzuziehen, wenn der Durchschnittswert innerhalb des oben angegebenen Bereiches liegt und wenn in dem einen oder anderen Teil in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche des dünnen Filmes oder in beiden Teilen des Filmes der maximale Gehalt, d.h. der Durchschnittswert über einen 100 Ä dicken Bereich, der sein Maximum in der Mitte besitzt, innerhalb eines Bereiches liegt, der höchstens das Dreifache des Durchschnittsgehalts des anderen Teiles des dünnen Filmes ausmacht. Selbstverständlich ist es vorzuziehen, wenn der Gehalt sich allmählich in Richtung der Dicke des dünnen Filmes ändert. Ein

030013/0904

Teil/ der nur Antimon enthält, kann vorhanden sein, wenn er nicht größer als 5 nm in Dickenrichtung ist.

Wenn bei einem derartigen dünnen Film Information aufgezeichnet wird, indem öffnungen oder Aussparungen in dem dünnen Film durch Schmelzen und Deformation oder Verdampfung oder Entfernen von Material ausgebildet werden, und zwar aufgrund der bei der Projektion eines Laserstrahls erzeugten Hitze oder der indirekt durch Hilfsmittel erzeugten Hitze, ist die Aufzeichnungsempfindlichkeit hoch,und es wird ein großer Rauschabstand in den Fällen der Aufzeichnung von Videosignalen oder dergleichen erreicht.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in Figur 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Prinzips eines Verfahrens zur Aufzeichnung von Information auf einem Aufzeichnungselement;

Figur 2 eine Darstellung zur Erläuterung einer Verdampfungsanordnung zur Verwendung bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungselements;

Figur 3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Änderung von Eigenschaften verschiedener Aufzeichnungsfilme im Laufe der Zeit;

Figur 4 ein Diagramm zur· Erläuterung der Änderung der Auf-Zeichnungseigenschaften in Abhängigkeit vom Antimongehalt bei Aufzeichnungselementen, die Wismut-Antimon-Legierungen verwenden; und in

Figur 5 bis 7 schematische Darstellungen zur Erläuterung verschiedener Ausführungsformen des Zusammensetzungsprofils in Dickenrichtung eines Aufzeichnungsfilms.

Wie oben bereits erläutert, wird das neuartige Aufzeichnungselement dadurch hergestellt, daß ein dünner Film einer Wismut-Antimon-Legierung aufgebracht wird, die Antimon als unerläßlichen Bestandteil enthält.

Die Gründe, warum eine kleine Menge Antimon Sb dem Wismut Bi im neuartigen Aufzeichnungselement beigefügt wird, sind nachstehend erläutert. Die Hinzufügung von Sb führt zu sauberen

030013/0304

Formen der öffnungen, die in dem dünnen Film durch Projektion eines Laserstrahls oder dergleichen ausgebildet werden. Zweitens werden die Aufzeichnungseigenschaften einr Bi-Aufzeichnungsschicht im Laufe der Zeit verschlechtert, da mit der Zeit Wismutsulfid oder Wismutoxid erzeugt wird. Sb unterdrückt die Verschlechterung. Drittens wirkt Sb in einem solchen Falle, wo ein Substrat aus einer organischen Substanz verwendet wird, in der Weise, daß es die Verschlechterung der Aufzeichnungseigenschaften im Laufe der Zeit verhindert, welehe sonst aufgrund der Reaktion zwischen der organischen Substanz und dem Wismut erfolgt. Wenn jedoch der Sb-Gehalt zu niedrig ist, wird kein Effekt erzielt, und wenn er zu hoch ist, werden die Formen der öffnungen unregelmäßig, und die erforderliche Energie des Laserstrahls für die Aufzeichnung wird hoch.

Der Sb-Gehalt sollte vorzugsweise in einem Bereich zwischen 1 % und 5 % einschließlich, ausgedrückt in prozentualen Anteilen der Anzahl von Atome liegen. Ein bevorzugterer Gehalt an Wismut liegt im Bereich zwischen 2 % und 10 % einschließlich. Das Hinzufügen von in und/oder Zn als anderen Elementen als Sb bis zu 10 %, ausgedrückt in Anteilen der Anzahl von Atomen, in Abhängigkeit vom Sb-Gehalt hat den Effekt, die zum Aufzeichnen usw. erforderliche Energie des Laserstrahls zu verringern. Außerdem können verschiedene Metalle, HaIbmetalle oder Halbleiter, wie z.B. Ge, mit höchstens 10 %, ausgedrückt in Anteilen der Anzahl von Atome, in Abhängigkeit vom Sb-Gehalt hinzugefügt werden.

Der Sb-Gehalt in dem dünnen Film der Bi-Sb-Legierung muß nicht immer gleichmäßig in Richtung der Dicke des dünnen Filmes sein. Wenn Sb in einer größeren Menge in dem Teil in der Mähe der rückseitigen Oberfläche des dünnen Filmes hinzugefügt wird, mit anderen Worten, in dem Teil in der Nähe des Subtrats, wird die Reaktion zwischen Bi und dem Substrat in wirksamer Weise verhindert. Wenn Sb in einer größeren Menge in dem Teil in der Nähe der vorderen Oberfläche des dünnen Filmes hinzugefügt wird, tritt der Effekt ein, daß die Erzeugung von Sulfiden oder Oxiden des Bi in der vorderen Oberfläche verhindert wird. Da jedoch die Form der öffnungen

0S0013/0S0*

unregelmäßig wird, kann die Gesamtmenge an Sb nicht sehr groß gemacht werden, und der Sb-Gehalt sollte vorzugsweise in dem angegebenen Bereich wie das Mittel in der Dickenrichtung des dünnen Filmes liegen. Der Sb-Gehalt wird in dem einen 5 oder anderen Teil in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche des dünnen Filmes oder in beiden Teilen größer gemacht, während er im anderen Teil des dünnen Filmes (rückseitige Oberfläche, vordere Oberfläche oder mittlerer Schichtteil, niedriger gemacht wird. Außerdem werden in diesem Falle, wenn der Sb-Gehalt zu hoch in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche und zu niedrig im anderen Teil ist, die Formen der öffnungen, die bei der Projektion des Laserstrahls erhalten werden, unregelmäßig. Es ist daher wünschenswert, daß der Sb-Gehalt in dem Teil in der Nähe der vorderen oder rückseitigen Oberfläche des dünnen Filmes auf einen Wert von höchstens dem dreifachen durchschnittlichen Sb-Gehalt im anderen Teil begrenzt ist und daß er sich in Dickenrichtung des Filmes allmählich ändert. Es kann jedoch ein Teil, der nur Sb enthält, vorhanden sein, wenn er nicht größer als 5 nm in Dickenrichtung des Filmes ist.

Wenn eine Chalkogenverbindungs-Schicht/eine Oxidschicht oder eine Schicht eines organischen Polymeren zwischen dem dünnen Film aus Bi-Sb der oben beschriebenen Art und dem Substrat oder auf dem dünnen Bi-Sb-FiIm angeordnet ist, so haben die Aufzeichnungseigenschaften die Tendenz, daß sie besser werden und daß auch die Stabilität des Filmes zunimmt. Als Chalkogenveibindung kann man ein beliebiges Material verwenden, das Ge-Se, Ge-S, Ge-Te, Sb-S, Sb-Se, Sn-S, Sn-Se, In-Se, As-Te, As-Se, As-S usw. enthält. Hinsichtlich der Oxide können beliebige der Substanzen Te, Sb, Cd, Bi, Ge, Si usw. verwendet werden. Es ist besonders vorteilhaft, wenn die Dicke dieser Schicht nicht größer ist als 40 % der Dicke der Aufzeichnungsschicht.

Vorzuziehen ist für die Dicke des dünnen Aufzeichnungsfilmes gemäß der Erfindung ein Bereich zwischen 15 nm und 150 nm einschließlich, wobei besonders bevorzugt ein Bereich

0)0013/0804

ORIGINAL INSPECTED

2937678

zwischen 2O nm und 80 nm inklusive ist.

Vorzugsweise wird die Herstellung des dünnen Aufzeichnungsfilmes auf dem Scheibensubstrat unter Verwendung von einer mit mehreren Quellen versehenen, sich drehenden Vakuumverdampfungsanordnung hergestellt, wobei das Substrat gedreht und eine Vielzahl von Verdampfungsquellen verwendet wird, wie es nachstehend in den Beispielen ärläutert wird. Vorzugsweise liegt die Verdampfungszeit zwischen 15 Sekunden und 2 Minuten einschließlich, während die Rotationsfrequenz zwisehen 100 U/min und 2000 U/min einschließlich liegt.

Nachstehend wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert.
Beispiel 1

Unter Verwendung einer Vakuumverdampfungsanordnung mit einem internen Aufbau, wie er in der Draufsicht in Figur 2 dargestellt ist, wird ein dünner Aufzeichnungsfilm durch Verdampfen hergestellt. Eine Polymethylmethacrylatharzscheibe mit einem Druchmesser von 31 cm und einer Dicke von 1mm wurde mit einem Fotoresist AZ135OJ der Firma Shipley Inc. mit einer

Dicke von ungefähr 2000 8 unter Verwendung einer Schleuder beschichtet und dann gehärtet. Anschließend wurde das resultierende Substrat 1 um eine mittlere Achse 3 mit einer Rotationsfrequenz von 120 ü/min in Drehbewegung versetzt. Unter dem Substrat 1 waren Verdampfungsschiffchen 6, 7 und 8 angeordnet. Über den Verdampfungsschiffchen waren Masken 9, 10 und 11 mit Sektorenschlitzen und Verschlußteilen 12, 13 und 14 angeordnet. Die Verdampfungsraten wurden mit Quarzoszillator-Filmdickenüberwachungsgeräten 15, 16 und 17 abgetastet. Außerdem konnte die Dicke eines aufgedampften Filmes überprüft werden, indem man die Lichtdurchlässigkeit unter Verwendung eines Lichtprojektors 18 und eines Lichtempfängers abtastete, der unter dem Projektor angeordnet war, während sich das Substrat 1 und der Film sich zwischen ihnen befand.

Sb wurde in das Verdampfungsschiffchen 6 eingebracht, während Bi in das Verdampfungsschiffchen 7 gebracht wurde.

030013/0904

293767S

Das Verdampfungsschiffchen 6 hatte einen Aufbau, bei dem das darin enthaltene Verdampfungsmaterial aus der Position des Substrats nicht zu sehen war. Das Verdampfungsschiffchen 8 wurde verwendet, wenn eine Chalkogenverbindungs-Schicht 5 oder eine Oxidschicht hergestellt wurde. Dann ließ man Ströme durch die Verdampfungsschiffchen 6 und 7 fließen und das Verhältnis der Verdampfungsmaterialien aus den entsprechenden Verdampfungsschiffchen wurde so eingestellt, daß das Verhältnis Bi : Sb ungefähr einen Wert von 5:1, ausgedrückt im Verhältnis der Atomzahlen, animmt. Nachdem die Materialien in den Verdampfungsschichten etwas verdampft waren, wurden die Verschlußteile 12 und 13 geöffnet, und die öffnungswinkel der Verschlußteile wurden so eingestellt, daß der Schlitz auf der Bi-Seite vollständig geöffnet und der Schlitz auf der Sb-Seite ungefähr zu 1/6 offen war. Wenn die gesamte Filmdicke ungefähr einen Wert von 350 8 annahm, wurden die Verschlußteile zur Beendigung der Verdampfung geschlossen. Der Sb-Anteil des erhaltenen dünnen Bi-Sb-Filmes betrug 4 %.

Um in einem derartigen auf dem Substrat ausgebildeten dünnen Bi-Sb-FiIm der oben beschriebenen Art Information aufzuzeichnen, während sich das Substrat 1 mit dem dünnen Film 2 mit einer Drehgeschwindigkeit von 1800 U/min dreht, wie es in Figur 1 angedeutet ist, wurde der Strahl eines Argonionenlasers mit einer Wellenlänge von 488 nm, dessen Impulse hinsichtlich ihrer Breite und Intervalle von aufzuzeichnenden NTSC-Videosignalen moduliert waren, mit einer Linse gebündelt und auf den dünnen Film 2 durch das Substrat 1 von der Substratseite her projiziert. Die Energie des Laserstrahls betrug ungefähr 50 mW. Diejenigen Teile des dünnen Filmes 2, auf die der Laserstrahl projiziert wurde, wurden mit elliptischen öffnungen ausgebildet, deren kleinere Durchmesser ungefähr 0,8 pm betrugen.

Das Ablesen der Aufzeichnung geschah folgendermaßen. Das Substrat wurde mit einer Drehgeschwindigkeit von 1800 U/min in Drehbewegung versetzt, und der Strahl eines He-Ne-Lasers mit einer Energie von ungefähr 2 mW wurde mit einer Linse ge-

030013/0*04

bündelt und von der Substratseite projiziert, wobei Änderungen der Intensität des reflektierten Lichtes mittels eines Detektors abgetastet wurden.

Der Rauschabstand wurde in der nachstehend beschriebenen Weise gemessen. Anstelle von Videosignalen wurde ein Träger bei 8 MHz in dem dünnen Film aufgezeichnet und dann ausgelesen. Ein Rauschabstand, der beim Auslesen gemessen wurde, wurde im Falle von Colorvideosignalen in eins umgewandelt.

In dem Falle, wo das beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel erhaltene Aufzeichnungselement unter Verwendung des Reflexionsverfahren ausgelesen wurde, erhielt man einen Rauschabstand von ungefähr 40 dB. Auch nach Verstreichen einer Zeitspanne von ungefähr 6 Monaten war die Verschlechterung des Rauschabstandes niedriger als 2 dB. Demgegenüber war der Rauschabstand bei einem dünnen Film, der nur aus Bi bestand, nach der Herstellung des Filmes niedrig und nahm um mehr als 3 dB nach 6 Monaten ab. Bei einem auf Sn-Bi basierenden Material nahm der Rauschabstand nach der Zeitspanne um etwa 10 dB ab. Die Situation ist in Figur 3 dargestellt. Die Kurve a entspricht dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungselement, die Kurve b entspricht einer Ausfuhrungsform des Aufzeichnungselemente, das nur aus Bi besteht, und die Kurve c entspricht der Ausführungsform eines Aufzeichnungselementes, das Sn-Bi verwendet.

Wenn bei der Herstellung des dünnen Filmes mit der oben beschriebenen Verdampfungsanordnung der öffnungswinkel des Verschlußteiles auf der Sb-Seite geändert wurde, um den Sb-Gehalt des dünnen Filmes zu verändern, so änderte sich der Rauschabstand wie nachstehend angegeben. Wie in Figur 4 dargestellt, betrug der Rauschabstand ungefähr 30 dB für einen Sb-Anteil von 1 %, etwa 35 dB für ungefähr 2 %, ungefähr 40 dB für 4 %, ungefähr 35 dB für 10 %, ungefähr 30 dB für 15 % und ungefähr 25 dB für 30 %. Wenn die Dicke des Bi-Sb-Filmes geändert wurde, so änderte sich der Rauschabstand wie nachstehend angegeben. Er betrug 25 dB für eine Dicke von 10 nm 30 dB für 15 nm, 35 dB für 20 nm, 35 dB für 80 nm und 30 dB

030013/090*

für 150 nm.
Beispiel 2

Obwohl die gegebenen Bedingungen bei der Verdampfungsanordnung, das verwendete Substrat usw. die gleichen waren wie beim Beispiel 1/Wird der öffnungswinkel des Verschlußteiles für Sb nicht konstant gehalten. Gleichzeitig mit der vollständigen öffnung des Verschlußteiles für Bi wurde das Verschlußteil für Sb geöffnet, so daß der Schlitz 1/3 offen war. Er wurde allmählich geschlossen und wurde vollständig geschlossen, als die Dicke des aufgedampften Filmes einen Wert von 175 8 erreichte. Das Verschlußteil wurde sofort wieder geöffnet und der öffnungswinkel allmählich vergrößert, so daß der Schlitz wieder zu 1/3 geöffnet war, als die Filmdicke einen Wert von 350 8 erreichte, um die Verdampfung zu beenden. Der Sb-Anteil des so erhaltenen Bi-Sb-Filmes betrug ungefähr 8 % an der Substratoberfläche und der vorderen Oberfläche des Filmes und 0 % im mittleren Bereich, während der durchschnittliche Gehalt 4 % wie beim Beispiel 1 ausmachte. Figur 5 zeigt die Änderung der Zusammensetzung des aufgedampften Filmes in diesem Beispiel bezogen auf die Dickenrichtung.

Das Aufzeichnungsverfahren und das Verfahren zum Auslesen der aufgezeichneten Information für das so hergestellte Aufzeichnungselement waren die gleichen wie beim Beispiel 1.

Wie beim vorherigen Beispiels wurde ein Rauschabstand von ungefähr 40 dB erreicht, und seine Verschlechterung im Laufe der Zeit war geringer als beim Beispiel 1.

Bei einer anderen Probe wurde der Sb-Gehalt so eingestellt, daß er 8 % an der Substratoberfläche eines aufgedampften Filmes betrug. Dabei wurde in gleicher Weise wie oben der öffnungswinkel des Schlitzes allmählich geschlossen und so eingestellt, daß der Sb-Gehalt einen Wert von 2 % bei einer Filmdicke von 175 8 erreichen konnte. Ferner wurde eine Aufzeichnungsschicht mit einem Sb-Gehalt von 2 % auf dem resultierenden Film ausgebildet, bis die Gesamtdicke einen Wert von 350 8 erreichte. Figur 6 zeigt die Änderung der Zusammensetzung bei diesem Beispiel in Dickenrichtung.

030013/0904

Andererseits wurde eine Bi-Sb-Schicht mit einem Sb-Gehalt von 2 % von der Substratoberfläche eines Filmes bis zur Dicke von 175 8 ausgebildet, woraufhin der Sb-Gehalt mit einem ähnlichen Verfahren wie oben allmählich zunahm, um eine Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 350 8 auszubilden und einen Sb-Gehalt von 8 % zu erreichen. Figur 7 zeigt die Änderung der Zusammensetzung bei diesem Beispiel in Dickenrichtung.

Mit diesen beiden Beispielen konnten gute Rauschabstände erzielt werden, und die Änderungen im Laufe der Zeit waren äquivalent mit denen beim Beispiel 1.

030013/0904

Claims

P«TEN ΓΑΝν,/Ät-.-υ

SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEU-MOPF ESBINGHAUS FINCK

MARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN 9O 2937673

POSTADRESSE: POSTFACH 8SO16O. O-8000 MÖNCHEN 85 * V» V

HITACHI, LTD. 18. September 1979

DEA-25 015

Informationsaufzeichnungselement PATENTANSPRÜCHE

(TT) Informationsaufzeichnungselement, bei dem ein dünner Film auf einem Substrat ausgebildet ist und die Information aufgezeichnet wird, indem Öffnungen oder Aussparungen unter Einsatz von Wärme im dünnen Film ausgebildet werden, welche direkt oder indirekt durch Projektion eines Aufzeichnungsstrahls auf den dünnen Film erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet , daß der* dünne Filme (2) ein dünner Film einer Antimon-Wismut-Legierung ist, die Antimon als unerlässlichen Bestandteil enthält, und daß der Antimongehalt des dünnen Filmes (2) innerhalb eines Bereiches von 1 % bis 15 % einschließlich, ausgedrückt in Anteilen einer durchschnittlichen Anzahl von Atomen in einer Dickenrichtung des dünnen Filmes (2), liegt.
2. Informationsaufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der maximale

Sb-Gehalt in dem Teil in der Nähe des Substrats (1) und/oder der vorderen Oberfläche des dünnen Filmes (2) in einem Bereich liegt, der höchstens das 3-fache des durchschnittlichen Sb-Gehaltes des anderen Teiles des dünnen Filmes ausmacht.
3. Informationsaufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der dünne Film (2) eine Dicke von mindestens 15 nm und höchstens 150 nm aufweist.

D30013/0Ö01