DE2912858C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2912858C2
DE2912858C2 DE2912858A DE2912858A DE2912858C2 DE 2912858 C2 DE2912858 C2 DE 2912858C2 DE 2912858 A DE2912858 A DE 2912858A DE 2912858 A DE2912858 A DE 2912858A DE 2912858 C2 DE2912858 C2 DE 2912858C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
area
doped
insulating layer
interface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2912858A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2912858A1 (de
Inventor
Karlheinrich Dr.Techn. 8011 Eglharting De Horninger
Ulrich Dr.Phil. 8000 Muenchen De Schwabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792912858 priority Critical patent/DE2912858A1/de
Priority to EP80101446A priority patent/EP0023241B1/de
Priority to JP3962280A priority patent/JPS5664451A/ja
Priority to CA000348649A priority patent/CA1161958A/en
Publication of DE2912858A1 publication Critical patent/DE2912858A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2912858C2 publication Critical patent/DE2912858C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W20/4451—
    • H10W20/01—
    • H10W20/48—

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
DE19792912858 1979-03-30 1979-03-30 Niederohmige leitung Granted DE2912858A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792912858 DE2912858A1 (de) 1979-03-30 1979-03-30 Niederohmige leitung
EP80101446A EP0023241B1 (de) 1979-03-30 1980-03-19 Niederohmige Leitung für eine Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
JP3962280A JPS5664451A (en) 1979-03-30 1980-03-27 Low resistance conductor and method of manufacturing same
CA000348649A CA1161958A (en) 1979-03-30 1980-03-28 Low resistance line

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792912858 DE2912858A1 (de) 1979-03-30 1979-03-30 Niederohmige leitung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2912858A1 DE2912858A1 (de) 1980-10-09
DE2912858C2 true DE2912858C2 (enExample) 1987-08-27

Family

ID=6067014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792912858 Granted DE2912858A1 (de) 1979-03-30 1979-03-30 Niederohmige leitung

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0023241B1 (enExample)
JP (1) JPS5664451A (enExample)
CA (1) CA1161958A (enExample)
DE (1) DE2912858A1 (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56126969A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Toshiba Corp Integrated circuit device
JP2765583B2 (ja) * 1988-10-20 1998-06-18 株式会社リコー 半導体メモリ装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2149705A1 (de) * 1970-10-06 1972-04-13 Motorola Inc Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB1374009A (en) * 1971-08-09 1974-11-13 Ibm Information storage
US4060796A (en) * 1975-04-11 1977-11-29 Fujitsu Limited Semiconductor memory device
DE2543628C2 (de) * 1975-09-30 1987-05-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement zum Speichern von Information in Form von elektrischen Ladungen, Verfahren zu seinem Betrieb und Informatiosspeicher mit solchen Halbleiterbauelementen
JPS52154377A (en) * 1976-06-18 1977-12-22 Hitachi Ltd Forming method for contact parts in part of shallow diffused layer
FR2380620A1 (fr) * 1977-02-09 1978-09-08 American Micro Syst Dispositifs a memoire morte programmable et procedes de fabrication s'y rapportant

Also Published As

Publication number Publication date
EP0023241A2 (de) 1981-02-04
EP0023241B1 (de) 1988-07-13
DE2912858A1 (de) 1980-10-09
CA1161958A (en) 1984-02-07
EP0023241A3 (en) 1983-08-24
JPS5664451A (en) 1981-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3037431C2 (enExample)
DE4016346C2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1764491C3 (de) Mehrkanalfeldeffekthalbleitervorrichtung
DE2810597C2 (de) Elektrische Bauelementstruktur mit einer mehrschichtigen Isolierschicht
DE2630571B2 (de) Ein-Transistor-Speicherzelle mit in V-MOS-Technik
DE69013094T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE2547828A1 (de) Halbleiter-speicherelement und verfahren zur herstellung desselben
DE2642303A1 (de) Verfahren zur herstellung eines fet- speicherelements und hiernach gebildetes speicherelement einer speicheranordnung
DE3513034C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP0783181A1 (de) Elektrisch programmierbare Speicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE112005000665B4 (de) Ladungseinfangende Speicherzellenanordnung und Herstellungsverfahren
EP0783180A1 (de) Elektrisch programmierbare Speicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE3029539A1 (de) Nichtfluechtige, programmierbare integrierte halbleiterspeicherzelle
DE2705503C3 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE2916884B2 (de) Programmierbare Halbleiterspeicherzelle
DE69425369T2 (de) Technik zur herstellung von speicherzellen in einer art und weise, die elektrische kriechstrecken vermeidet
DE2432352C3 (de) MNOS-Halbleiterspeicherelement
DE2937952C2 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung
DE3840559A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung und herstellungsverfahren
DE3140268A1 (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem feldeffekttransistor und verfahren zu ihrer herstellung
DE2342923C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Zweiphasen-Ladungsverschlebeanordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Zweiphasen-Ladungs Verschiebeanordnung
DE3927176C2 (enExample)
DE2713479A1 (de) Verfahren zur herstellung von integrierten schaltkreisen
DE2912858C2 (enExample)
DE3153137C2 (enExample)

Legal Events

Date Code Title Description
OAM Search report available
OC Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee