DE2818350A1 - Ansteuerschaltung fuer einen mos- adresspuffer - Google Patents

Ansteuerschaltung fuer einen mos- adresspuffer

Info

Publication number
DE2818350A1
DE2818350A1 DE19782818350 DE2818350A DE2818350A1 DE 2818350 A1 DE2818350 A1 DE 2818350A1 DE 19782818350 DE19782818350 DE 19782818350 DE 2818350 A DE2818350 A DE 2818350A DE 2818350 A1 DE2818350 A1 DE 2818350A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
transistors
address
information
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19782818350
Other languages
English (en)
Other versions
DE2818350C2 (de
Inventor
Paul-Werner V Dipl Ing Basse
Ruediger Dr Rer Nat Hofmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19782818350 priority Critical patent/DE2818350C2/de
Publication of DE2818350A1 publication Critical patent/DE2818350A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2818350C2 publication Critical patent/DE2818350C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • G11C11/4082Address Buffers; level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/418Address circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/06Address interface arrangements, e.g. address buffers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

  • Ansteuerschaltung für einen MOS-Adreßpuffer
  • Die Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung für einen Adreßpuffer oder dergleichen in MOS-Technik, mit einer bistabilen Kippstufe aus zwei kreuzgekoppelten Treibertransistoren mit zugehörigen Lastelementen und einem, eine dynamische Betriebsweise ermöglichenden Schaltnetzwerk aus Vorlade-, Symmetrie- und Entladetransistoren mit zugeordneten Schiebekapazitäten.
  • Ansteuerschaltungen für Adreßpuffer in MOS-Speicherbausteinen sind im allgemeinen so ausgelegt, daß nach Übernahme der Adreßinformation in das eigentliche Adreß-Flipflop das am Eingang angelieferte Adreßsignal möglichst schnell geändert werden kann, ohne daß die Information im Adreß-Flipflop von dieser Anderung beeinflußt wird.
  • Die Schaltung muß dabei so ausgelegt sein, daß sie nur während der Adreßübernahme Strom verbraucht. Das bedeutet, derartige Adreß-Flipflops müssen dynamisch betrieben werden, so daß sie nur während des Einschreibens der Information Verlustleistung verbrauchen. Während der Vorbereitungsphase, bzw. der Speicherung der Information selbst, müssen sie stromlos arbeiten.
  • Zur Erreichung dieser Erfordernisse sind Speicherbausteine bekannt (Baustein 2104 der Firma Intel), deren Ansteuerschaltungen für den verwendeten Adreßpuffer ein sogenannter AdreB-Strobe-Takt zugeführt wird. Dieser Takt hat die Aufgabe, den Eingang der Ansteuerschaltung über einen Transfer-MOS-Transistor nach Übernahme der Adreßinformation abzutrennen.
  • Zur Erzeugung eines derartigen Adreß-Strobe-Taktes bedarf es eines besonderen Taktgenerators und entsprechender Steuereinrichtungen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, für einen Adreßpuffer eine Ansteuerschaltung mit möglichst geringem Aufwand bereitzustellen, die es bereits während der Übernahme der Adreßinformation in den eigentlichen Adreßpuffern ermöglicht die Adreßinformation am Eingang zu ändern, um damit die Zeitspanne während der die Adresse an den Eingang des Adreßpuffers gelegt werden muß möglichst gering zu halten.
  • Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß mindestens zwischen der gesteuerten Strecke eines Treibertransistors und einer Bezugsspannungsquelle eine, aus dem Kanal eines über einen Übernahmeimpuls ansteuerbaren Abtasttransistors und dem Kanal eines über den Adreßeingang ansteuerbaren Informationstransistors bestehende Steuerstrecke angeordnet ist, und daß eine Schaltungsanordnung vorgesehen ist, die nach Übernahme der Adreßinformation in die bistabile Kippstufe die gesteuerte Strecke der Treibertransistoren mit der Bezugsspannung beaufschlagt.
  • Bei der erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung wird kein sogenannter Adreß-Strobe-Takt mehr verwendet, dadurch entfallen der zugehörige Taktgenerator mit den Taktleitungen. Die verringerte Anzahl von Bauelementen erlaubt dabei einen höheren Integrationsgrad auf dem Chip.
  • Die Adreßinformation am Eingang des Adreßpuffers kann bereits während der Übernahme der Information in den Adreßpuffer geändert werden, so daß sich daraus eine besonders kurze ~1Adreß-Hold-Time" ergibt. Daraus resultiert eine geringe Belastung der TTL-Signale.
  • Bei einer besonderen Ausführungsform der Erfindung ist jedem Treibertransistor eine Steuerstrecke zugeordnet, wobei die Steuereingänge der Informationstransistoren als komplementäre Informationseingänge dienen.
  • Durch die symmetrische Ausführung der Ansteuerschaltung läßt sich damit ein empfindlicher Leseverstärker aufbauen.
  • Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im Folgenden beispielsweise näher beschrieben. Es zeigen Fig. 1 ein Schaltbild eines bekannten Adreßpuffers, Fig. 2 einen Impulsplan für die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1, Fig. 3 ein Schaltbild der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung, Fig. 4 einen Impulsplan für die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 3, und Fig. 5 eine Ausführungsform der Erfindung als Leseverstärker.
  • Der in der Fig. 1 dargestellte, bekannte Adreßpuffer be- steht im wesentlichen aus drei Teilen: Dem eigentlichen Adreß-Flipflop AFF, der zugehörigen Ansteuerschaltung AS und den hier nicht dargestellten Leistungsstufen. Das Adreß-Flipflop AFF setzt sich dabei aus zwei kreuzgekoppelten Treibertransistoren M1 und M2 mit den zugehörigen Lastelementetransistoren M3 und M4 zusammen. Um einen dynamischen Betrieb zu ermöglichen, bei dem nur während des Einschreibens der Information Verlustleistung verbraucht wird, sind innerhalb des Adreß-Flipflops AFF noch Vorladetransistoren M5 und M6, Symmetrietransistoren M7 und M8, Entladetransistoren M9 und MIO und Schiebekapazitäten C1 und C2 angeordnet Die eigentliche Ansteuerschaltung AS besteht aus einem Bewertertransistor MII, zwei Abtasttransistoren M12 und M13, zwei Informationstransistoren M14 und M15, einem Tortransistor M16 und einer Symmetriekapazität C3.
  • Die Spannungsversorgung des Adreß-Flipflops AFF und der Ansteuerschaltung AS erfolgt über ein Versorgungspotential VDD und einer Basisspannungsquelle VSS. Die zu puffernde Adreßinformation wird über den Adreßeingang ADR der Ansteuerschaltung LS zugekehrt, den Ausgang des Adreß-Fliplfops AFF bildet der f'#reßausgang A und sein zugehöriger invers er AdreBausgæg Re Ein hier nicht dargestellter Taktgenerator versorgt den AireSpußfer mit einem Übernahmetakt BS und einem dazu inversen Takt #.
  • Um den Eingang der Ansteuerschaltung ADR nach Übernahme Adreßinformation abzutrennen, wird der Ansteuerschaltung AS noch ein sogenannter Adreß-Strobe-Takt zugeführt.
  • Die Wirkungsweise des bekannten Adreßpuffers wird anhand des in der Fig. 2 dargestellten Impulsplanes erläutert.
  • Er zeigt dabei den Potentialverlauf an den verschiedenen, bezeichneten Punkten innerhalb des Adreßpuffers (Ordinate), in Abhängigkeit von der Zeit (Abszisse). In einer angenommenen Vorbereitungsphase vor Einschreiben der Information in das Adreß-Flipflop (Kurvenbeginn), (Zeitpunkt T1) liegen die Takte ~ und S auf dem Versorgungspotential VDD und der Takt ~ auf einem Bezugspotential entsprechend VSS. In diesem Zustand sind die Punkte C und C auf einem Potential, entsprechend dem Versorgungspotential VDD minus einer SchwellspannungE U. Die Punkte A und X befinden sich auf einem Potential entsprechend dem Versorgungspotential minus 2 x a U und der Punkt B auf einem Potential entsprechend dem Versorgungspotential VDD minus 3xA U.
  • Bei derartigen Spannungsverhältnissen sind die Informationstransistoren M14 und M15, ebenso wie der Tortransistor M16, leitend. Die Adreßinformation am Punkt ADR kann dabei ständig über die beiden in Reihe geschalteten Transistoren M16 und M14 bis zum Punkt D gelangen. Die Reihenschaltung dieser beiden Transistoren M14 und M16 ist bezüglich ihrer elektrischen Werte so ausgelegt, daß sie einerseits niedrigohmiger ist als der Informationstransistor M15, wenn am Punkt ADR ein Potential kleiner als 0,8 Volt über der Bezugsspannung VSS herrscht, andererseits aber hochohmiger ist als der Informationstransistor MIS, wenn am Punkt ADR ein Potential größer als 2,4 Volt über der Bezugsspannung VSS herrscht. Damit wird durch den Adreßinformationstransistor M15 eine Referenzinformation erzeugt, die zur Unterscheidung der beiden Zustände am Punkt ADR dient.
  • Mit Beginn der Einschreibphase T2 wird der Takt ~ auf das Potential VSS und der Takt ~ auf das Potential VDD verändert. Die Vorladetransistoren M5 und M6 und die Symmetrietransistoren M7 und M8 werden abgeschaltet.
  • Über die Schiebekapazitäten C1 und C2 erfolgt eine Anhebung der Potentiale der Punkte C und C. Damit werden die Lasttransistoren M3 und M4 niederohmiger.
  • Durch Absenkung der Spannung am Punkt B über den Bewertertransistor M11 wird das Flipflop eingeschaltet. Während des Absenkens gelangen die beiden Informationen (Adreß- und Referenzsignal) über die Abtasttransistoren M12 und M13 an die Punkte A und Ä. Das Potential eines der beiden Punkte wird je nach dem, welche der beiden Informationseingänge niederohmiger ist, stärker abgesenkt. Damit kippt das Flipflop in eine der am Punkt ADR anliegenden Information entsprechende Lage. Entsprechend der Darstellung der Fig. 2 sind dabei die Spannungspegel entsprechend dem Adreßsignal "O" mit durchgezogener Linie eingezeichnet. Die Spannungspegel entsprechend dem Adreßsignal #I# gestrichelt. Es ergeben sich damit nach dem Kippen des Flipflops (Zeitpunkt T3) an den verschiedenen Punkten folgende Potentiale: Liegt am Punkt ADR, d.h. am Adreßeingang, eine Spannung kleiner als 0,8 Volt über der Bezugsspannung VSS, dann befindet sich der Punkt A auf der Bezugsspannung VSS und der Punkt A auf einer Spannung entsprechend der Versorgungsspannung VDD.
  • Liegt jedoch am Punkt ADR ein Potential, das größer ist als 2,4 Volt, über der Bezugsspannungsgröße VSS, dann befindet sich der Punkt A auf einem Potential entsprechend dem Versorgungspotential VDD und der Punkt Ä auf einem Potential entsprechend dem Bezugsspannungspotential VSS.
  • Sobald sich während des Kippvorganges die Potentiale von A und Ä um eine Schwellspannung # U unterscheiden, wird der Entladetransistor leitend, dessen Source auf dem niedrigeren Potential liegt. Das bedeutet: Läuft das Potential vom Punkt A gegen das Potential VSS, so wird der Entladetransistor M9 leitend und entlädt den Kondensator C1 am Punkt C. Läuft dagegen das Potential von Punkt A gegen VSS, so wird der Entladetransistor M10 leitend und entlädt den Kondensator C2 am Punkt C. Damit wird immer der Lasttransistor M3 bzw. M4 gesperrt, dessen Source (Punkt A bzw. Ã) auf das Potential VSS läuft. Der andere Lasttransistor dagegen bleibt leitend (Punkt C bzw.
  • Punkt ~ auf hohem Potential, größer VDD), und liefert niederohmig das Potential VDD an die Ausgänge A bzw. A, Während des Kippvorganges wird außerdem einer der Informationstransistoren M14 bzw. M15 abgeschaltet und zwar immer der, dessen ihm zugeordneter Ausgang A bzw. A das Potential VDD annimmt. Nimmt der Punkt A z.B. das Potential VDD an, ist der Transistor M14 gesperrt. Im umgekehrten Fall, wenn der Punkt A das Potential VDD annimmt, wird der Transistor M15 gesperrt. Nur für den Fall, daß am Eingang ADR ein Potential kleiner als 0,8 Volt über dem Bezugsspannungspotential VSS liegt (Punkt A auf Potential VSS), bleibt ein niederohmiger Pfad über die Transistoren M16, M14, M12, M1, MII, bestehen, so daß ein Strom von Punkt ADR nach VSS fließen kann. Damit das TTL-Gatter, welches das Adreßsignal an den Punkt ADR liefert, nicht zu lange belastet wird, wird der Tortransistor M16 durch den sogenannten Adreß-Strobe-Takt S abgeschaltet. Das bedeutet, das Potential am Punkt S fällt vom Versorgungspotential VDD auf das Bezugspotential VSS, sobald die Adreßinformation in das Flipflop übernommen ist (Zeitpunkt T4).
  • Damit besteht kein leitender Pfad mehr zwischen den spannungsführenden Leitungen. Das Adreßflipflop speichert die Information und ihr Komplement in den Kapazitäten C7 und C2 ohne Stromverbrauch.
  • Sobald die gespeicherte Information nicht mehr benötigt wird, ändern alle Takte ihre Potentiale (Zeitpunkt T5), das bedeutet, der Takt ~ fällt von dem Potential VDD auf das Potential VSS, der Takt ~ und der Adreß-Strobe-TaktS verändern ihr Potential von VSS auf VDD. Damit wird das Adreß-Flipflop wieder in den ebenfalls stromlosen Vorbereitungszustand zurückgeschaltet.
  • Die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung gemäß der Fig. 3 besteht im wesentlichen aus folgenden Bauelementen: Einem, die Sourcepunkte der kreuzgekoppelten Treibertransistoren M1 und M2 (B und #) verbindenden Verstärkertransistor M17, zwei Haltetransistoren M18 und M19, einem Abtasttransistor M20 und einem Informationstransistor M21. Im Unterschied zum Stand der Technik werden bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung nur noch der Übernahmetakt ~ und sein inverser Takt 0 benötigt.
  • Der sogenannte "Adreß-Strobe-Takt" entfällt.
  • Der wesentliche Unterschied zwischen der erfindungsgemäusen Schaltungsanordnung gemäß der Fig. 3 und dem genannten Stand der Technik der Fig. 1 besteht darin, daß die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung nicht mehr an den Ausgängen A und A des Adreß-Flipflops AFF der Fig. 1 angreift, sondern daß das Adreß-Flipflop über die nicht mehr zusammengeschalteten Sourcepunkte B und 2 der kreuzgekoppelten Treibertransistoren M1 und M2 angesteuert wird.
  • Die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung wird im Folgenden anhand des Impulsplanes (Fig. 4) beschrieben: Er zeigt dabei den Potentialverlauf an den verschiedenen, bezeichneten Punkten innerhalb des Adreßpuffers (Ordinate) in Abhängigkeit von der Zeit (Abszisse). Bei einem mit T1 bezeichneten Anfangszeitpunkt befinden sich die einzelnen bezeichneten Punkte auf demselben Anfangspotential wie zum Zeitpunkt T1 der Fig. 2.
  • In diesem Zustand ist die Schaltung gemäß der Fig. 3 stromlos. Mit Beginn der Einschreibphase T2/1 verändert sich das Potential der Takte ~ und 0 und zwar der Takt ~ vom Potential VSS zum Potential VDD und der Takt 0 vom Potential VDD nach Potential VSS. Ebenso wie bei der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 werden auch die Vorlade-und Symmetrietransistoren M5, M6, M7 und M8 abgeschaltet und die Spannungen an den Punkten C und ~ über die Schiebekapazitäten C1 und C2 angehoben. Mit dem Anstieg des Potentials des Taktes ~ werden zunächst die beiden Haltetransistoren M18 und M19 und der Abtasttransistor M20 leitend gesteuert. Die Potentiale an den Punkten B und m werden durch die Ströme I1 bzw. I2 der gesteuerten Zweige der Treibertransistoren M1 und M2 abgesenkt. Der Verstärkertransistor M17 bleibt gesperrt, solange die Punkte B und B auf zu hohem und der Takt 4 auf zu niedrigem Potential liegen.
  • Die Parallel- und Reihenschaltung der Transistoren M19 (in der Fig. 3 rechter Haltetransistor), M20 (Abtasttransistor) und M21 (Informationstransistor) sind so dimensioniert, daß sie einerseits hochohmiger ist als der Haltetransistor M18, wenn am Eingang ADR ein Potential anliegt, das kleiner als 0,8 Volt über dem Bezugspotential VSS ist und die andererseits niederohmiger ist als der Haltetransistor M18, wenn am Eingang ADR ein Potential anliegt, das größer als 2,4 Volt über dem Potential VSS (Bezugspotential) ist.
  • Für die weitere Funktionsbeschreibung wird der Zustand angenommen, bei dem am Eingang ADR ein Potential anliegt, das kleiner als 0,8 Volt über dem Bezugspotential VSS ist. In diesem Fall ist die genannte Parallel- und Reihenschaltung hochohmiger als der Haltetransistor M18, so daß der Strom I1 größer ist als der Strom 12.
  • Solange der Verstärkertransistor M17 gesperrt ist, wirken die kreuzgekoppelten Treibertransistoren M7 und M2 noch nicht als Flipflop. Die Ströme I1 und I2 senken die Spannungen an A bzw. Ä über die Transistoren M1 bzw. M2 ab. Die Spannung an A wird stärker abgesenkt, da der Strom I1 größer ist als der Strom I2 und die beiden Lasttransistoren M3 und M4 den gleichen elektrischen Widerstand aufweisen. Da das Gate von dem Treibertransistor M2 mit dem Punkt A verbunden ist, wird das Potential des Punktes B ebenso wie das des Punktes A abgesenkt. Umgekehrt gilt, daß das Potential vom Punkt B wie das des Punktes Ä abgesenkt wird. Daraus folgt, daß das Potential des Punktes B stärker abgesenkt wird als das Potential des Punktes B, obwohl am Punkt 8 der kleinere Strom I2 fließt. Damit ist die Adreßinformation übernommen und der zweite Teil der Einschreibphase T2/2 beginnt.
  • Übersteigt das Potential des Taktes ~ das Potential des Punktes 2 um mehr als eine Schwellspannung AU, so wird der Verstärkertransistor M17 leitend (der Punkt B bezeichnet dabei Drain und der Punkt B "Source"). Der Transistor M17 leitet den ohnehin schon kleineren Strom I2 zum größten Teil zum Treibertransistor M1 um und überlagert ihm den größeren Strom I1. Der Punkt A wird weiter abgesenkt und der Punkt A durch die Entlastung angehoben. Der Verstärkertransistor M17 legt die Punkte B und m auf gleiches Potential und die Haltetransistoren M18 und M19 zieht das Potential der Punkte B und 2 auf das Bezugsspannungspotential VSS. Die kreuzgekoppelten Treibertransistoren M1 und M2 wirken jetzt als Flipflop, wobei damit das Adreß-Flipflop AFF kippt. Die Spannung am Punkt A verändert sich auf die Bezugsspannung VSS.
  • Die Spannung an Punkt Ä nimmt die Spannung des Versorgungspotentials VDD an. Die Selbstabschaltung des Lasttransistors M3 erfolgt analog zu der Beschreibung zu Fig. 1. Liegt am Eingang ADR die inverse Eingangsinformation an, so sind die Potentiale an den Punkten A und A des Adreß-Flipflops AFF vertauscht.
  • Analog zu der Beschreibung der Fig. 1 arbeitet das Adreß-Flipflop AFF stromlos und speichert die Information und ihr Komplement in den Kondensatoren C1 bzw. C2.
  • Da der Eingang ADR der Ansteuerschaltung das Gate des Transistors M21 (Informationstransistor) ist, wirkt er nur als kapazitive Last auf das treibende TTL-Gatter und braucht zur Vermeidung von Eingangs strömen nicht abgeschaltet werden. Damit wird der ansonsten erforderliche Abschalttakt eingespart und außerdem hat die erfindungsgemäß Schaltungsanordnung den Vorteil, daß das treibende TTL-Gatter sehr gering belastet wird.
  • Das Eingangssignal am Adreßeingang ADR kann geändert werden, sobald die Punkte B und 2 auf gleichem Potential liegen. Das bedeutet, daß die Anderung des Eingangsadreßsignales ADR noch erfolgen kann, während des Kippvorganges des Ädreß-Flipflops AFF. In diesem Zustand ist das Flipflop bereits ausreichend stabil, da die Ströme I1 und I2 nur noch über einen Zweig des Flipflops geleitet werden. Damit ist es nicht mehr notwendig, einen Abschalttakt abzuwarten, wodurch die sogenannte "Adreßhold-time" wesentlich verkürzt werden kann.
  • Wird die im Adreß-Flipflop gespeicherte Adreßinformation nicht mehr benötigt, wird durch Änderung der Taktpotentiale das Adreß-Flipflop AFF in den Vorbereitungszustand (T5) zurückgeschaltet.
  • Baut man entsprechend der Darstellung der Fig. 5 die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung symmetrisch auf und ordnet man zusätzlich zu dem Zweig aus dem Abtasttransistor M20/1 und dem Informatironstransistor M21/1 einen weiteren Zweig aus einem weiteren Abtasttransistor M20/2 und einem weiteren Informationstransistor M21/9 an und führt man dieser Schaltung komplementäre Signale (INF und TN#) zu, so erhält man einen empfindlichen Leseverstärker. Dieser Verstärker kann z.B. in Speicherbausteinen zur Verstärkung der Signale auf externen Bitleitungen verwendet werden. Sowohl an den Ausgängen A und Ä als auch an den Punkten C und ~ lassen sich Leistungsstufen anschließen.

Claims (3)

  1. Patentansprüche 1. Ansteuerschaltung für einen Adreßpuffer oder dergleichen in MOS-Technik mit einer bistabilen Kippstufe aus zwei kreuzgekoppelten Treibertransistoren mit zugehörigen Lastelementen und einem, eine dynamische Betriebsweise ermöglichenden Schaltnetzwerk aus Vorlade-, Symmetrie- und Entladetransistoren, mit zugeordneten Schiebekapazitäten, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t , daß mindestens zwischen der gesteuerten Strecke eines Treibertransistors (M2) und einer Bezugsspannungsquelle (VSS) eine aus dem Kanal eines über einen Übernabmeimpuis (#) ansteuerbaren Abtasttransistors (M20) und dem Kanal eines über einen Adreßeingang (ADR) ansteuerbaren Informationstransistor bestehende Steuerstrecke angeordnet ist, und daß eine Schaltungsanordnung (M17, M18, M19) vorgesehen ist, die nach Übernahme der Adreßinformation in die bistabile Kippstufe (AFF) die gesteuerte Strecke der Treibertransistoren (M2, M1) mit der Bezugsspannung (VSS) beaufschlagt.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, g e k e n n -z e i c h n e t d u r c h einen, mit seinem Kanal die gesteuerte Strecke der Treibertransistoren verbindenden Verstärkertransistor (M17), einem ersten (M18), mit seinem Kanal die ersten Treibertransistoren (M1) mit einer Bezugsspannungsquelle (VSS) und einem zweiten (M19), mit seinem Kanal die zweiten Treibertransistoren (M2) mit der Bezugsspannungsquelle (vss) verbindenden Haltetransistor und eine gemeinsame, mit dem Übernahmeimpuls beaufschlagbare Ansteuerleitung (AL) für die Verstärker-und Haltetransistoren (M17, M18, M19).
  3. 3. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2 d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß jedem Treibertransistor (MI, M2) eine Steuerstrecke (M20, M21) zugeordnet ist, und daß die Steuereingänge der Informationstransistoren (M21) als komplementäre Informationseingänge (INF, F) dienen.
DE19782818350 1978-04-26 1978-04-26 Ansteuerschaltung für einen MOS-Adreßpuffer Expired DE2818350C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782818350 DE2818350C2 (de) 1978-04-26 1978-04-26 Ansteuerschaltung für einen MOS-Adreßpuffer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782818350 DE2818350C2 (de) 1978-04-26 1978-04-26 Ansteuerschaltung für einen MOS-Adreßpuffer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2818350A1 true DE2818350A1 (de) 1979-10-31
DE2818350C2 DE2818350C2 (de) 1981-10-15

Family

ID=6038077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782818350 Expired DE2818350C2 (de) 1978-04-26 1978-04-26 Ansteuerschaltung für einen MOS-Adreßpuffer

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2818350C2 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0034465A2 (de) * 1980-02-16 1981-08-26 Fujitsu Limited Adressenpufferschaltung
EP0036743B1 (de) * 1980-03-18 1984-12-19 Fujitsu Limited Adressenpufferschaltung mit TTL- nach MOS-Pegel-Anpassung
US4572974A (en) * 1982-07-09 1986-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Signal-level converter
US4958319A (en) * 1988-10-14 1990-09-18 Siemens Aktiengesellschaft Address amplifier circuit having automatic interlock and protection against multiple addressing for use in static GaAs RAMs

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS ERMITTELT *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0034465A2 (de) * 1980-02-16 1981-08-26 Fujitsu Limited Adressenpufferschaltung
EP0034465A3 (en) * 1980-02-16 1983-07-20 Fujitsu Limited Address buffer circuit
EP0036743B1 (de) * 1980-03-18 1984-12-19 Fujitsu Limited Adressenpufferschaltung mit TTL- nach MOS-Pegel-Anpassung
US4572974A (en) * 1982-07-09 1986-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Signal-level converter
US4958319A (en) * 1988-10-14 1990-09-18 Siemens Aktiengesellschaft Address amplifier circuit having automatic interlock and protection against multiple addressing for use in static GaAs RAMs

Also Published As

Publication number Publication date
DE2818350C2 (de) 1981-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3102799C2 (de) Halbleiter-Speichervorrichtung
DE10302128B3 (de) Pufferverstärkeranordnung
DE2650479C2 (de) Speicheranordnung mit Ladungsspeicherzellen
DE2625007C3 (de) Adressenpufferschaltung für Halbleiterspeicher
DE2740700C3 (de)
DE3802363A1 (de) Halbleiterspeicher
DE2455178A1 (de) Integrierte, programmierbare logikanordnung
DE2940500C2 (de)
DE2712743A1 (de) Speicherschaltung
DE4108996C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung
DE3236729A1 (de) Dynamischer direktzugriffsspeicher
DE3740314C2 (de)
DE3514252A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE2835692B2 (de) Binäres logisches ODER-Glied für programmierte logische Anordnungen
DE2130002A1 (de) Schaltungsanordnung mit mehreren Feldeffekttransistoren
DE2818350C2 (de) Ansteuerschaltung für einen MOS-Adreßpuffer
DE1960598A1 (de) MOS-Schnellesespeicher
DE2128792A1 (de) Schaltungsanordnung mit mindestens einem Feldeffekttransistor
DE2609714B2 (de) Speicherzellenanordnung
EP0087818B1 (de) Integrierter dynamischer Schreib-Lese-Speicher
DE3323284C2 (de) Verzögerungsschaltung
DE2131939A1 (de) Logisch gesteuerte Inverterstufe
DE2840329A1 (de) Adresspuffer fuer einen mos-speicherbaustein
DE3202028A1 (de) Integrieter dynamischer schreib-lese-speicher
EP0386282B1 (de) Integrierte Referenzspannungsquelle

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee