DE2809859B2 - Leiterzusammensetzungen und deren Anwendung auf dielektrischen Substraten - Google Patents
Leiterzusammensetzungen und deren Anwendung auf dielektrischen SubstratenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft das Gebiet der Elektronik und insbesondere Zusammensetzungen, die zur Herstellung
von Leiterdiagrammen bzw. Schaltbildern geeignet sind, die an Substraten haften.
Leiterzusammensetzungen, die auf dielektrische Substrate (Glas, Glas-Keramik und Keramik) aufgebracht
und gebrannt werden, umfassen gewöhnlich feinverteilte anorganische Pulver (z. B. Metallteilchen und
Bindemittelteilchen) und werden gewöhnlich auf Substrate aufgebracht unter Anwendung sogenannter
Dickfilm (»thick film«)-Techniken, wie einer Dispersion dieser anorganischen Pulver in einem inerten flüssigen
Medium oder Vehikel. Beim Brennen oder Sintern des gedruckten Films ergibt die metallische Komponente
der Zusammensetzung den funktionellen Nutzen (Leitfähigkeit), wohingegen das anorganische Bindemittel
(z. B. Glas, Βΐ2θ3, usw.) die Metallteilchen aneinander
und an das Substrat klebt. Die Dickfilm-Techniken stehen im Gegensatz zu Dürinfilm-Techniken, bei denen
Teilchen durch Verdampfen oder Zerstäuben abgelagert werden. Dickfilm-Techniken werden allgemein im
»Handbook of Materials und Processes für Electronics«, C. A. Harper, Editor, McGraw Hill, N.Y. 1970, Kapitel
12, diskutiert.
Die üblichst verwendeten Leiterzusammensetzungen verwenden Edelmetalle, insbesondere Gold, Silber,
Platin, Paladium und deren Gemische, Legierungen und Verbindungen, da ihre relativ inerten Charakteristika
das Brennen an der Luft ermöglichen. Versuche, Dispersionen weniger teurer, unedler Metalle zu
verwenden, wurden häufig auf spezielle Zwecke begrenzt oder erforderten den großen praktischen
Nachteil und die kostspielige Arbeitsweise des Brennens in nichtoxidierenden Atmosphären (Stickstoff,
Stickstoff/Wasserstoff, Wasserstoff, Argon, usw.)·
Es besteht ein ausgeprägtes gewerbliches Bedürfnis für weniger kostspielige Leiterzusammensetzungen, die
an der Luft gebrannt werden können, unter Bildung von auf dielektrischen Substraten haftenden Leitern mit
geringem spezifischen Widerstand, einschließlich Mikroleitungs- bzw. Mikroschaltungsmustern und Abschlüssen
für Kondensatoren usw.
Die gegenwärtige gewerbliche Praxis bei der Herstellung von Vorrichtungen für Gasentladungs-Darstellungen
bzw. -aufzeichnungen, besteht darin, Nickelpulver in einer reduzierenden oder inerten (nicht
oxidierenden) Atmosphäre bei hohen Temperaturen (z.B. über 9000C) auf relativ kostspieligen Forsterit-(2
MgO · SiO2)-Substraten zu brennen. Nickel verwendet
man wegen seiner geringen Neigung, bei der Glimmentladung zu versprühen. Die Verwendung von
wenig kostspieligen, in der Masse herstellbaren Glassubstraten hoher Qualität, wie Sodaka'ixglas- bzw.
Kalknatronglassubstraten, wäre günstig. Jedoch begrenzt gewöhnlich die Anwendung von Sodakalkglassubstraten
die Brenntemperatur der darauf befindlichen Leiter auf nicht mehr als 625° C, wegen der Verformung
des Sodakalkglases bei höheren Temperaturen. Ein Brennen bei 6250C wird möglic'.i, wenn das Glas
gestützt wird. Ohne eine Stütze bzw. einen Träger ist es zur Vermeidung der Deformation besser, bei oder unter
600° C zu brennen. Bei diesen geringen Temperaturen ist es sehr schwierig, ein gutes metallisches Sintern von
Nickel zu erzielen; es ist daher schwierig, anhaftende Nickelleiter mit geringem spezifischem Widerstand
herzustellen.
Es besteht daher das Bedürfnis nach einem Leiter auf Nickelbasis, der unterhalb 625°C gebrannt werden
kann, zur Herstellung von Gasentladungs-Anzeigevorrichtungen
auf Sodakalkglas-Substraten. Es besteht ferner ein Bedürfnis nach Zusammensetzungen, die an
der Luft im Gegensatz zu kostspieligeren Atmosphären (inerteü oder reduzierenden Atmosphären) gebrannt
werden können.
Die US-PS 39 43 168 der gleichen Anmelderin vom 9. März 1976 beschreibt Leiterzusammensetzungen, auf
der Basis von Nickelborid (Ni3B) und von bestimmten Nickelborid/Siliciden. Die Lehre dieser Patentschrift
soll durch die vorliegende Beschreibung umfaßt werden. Es wurde gefunden, daß zwar Ni3B im Vergleich mit
dem Stand der Technik verbesserte Ergebnisse ergab, jedoch war eine weitere Verbesserung der Oxydationsbeständigkeit während des Brennens erforderlich. Eine
gewisse Oxydation des Bors von Ni3B zu 82O3 beginnt
während des Brennvorganges bereits Dei 325°C und das
B2O3 kann ein völliges Ausbrennen der Vehikelbestandteiie
verhindern. Auch kann beim Brennen bei 600°C das Nickel zu oxydieren beginnen.
Durch die Erfindung wird eine Leiterzusammensetzung geschaffen, die eine erhöhte Stabilität gegenüber
der Oxydation beim Brennen an Luft aufweist und dennoch auf den weniger kostspieligen Basismaterialien
basiert. Die Zusammensetzung nach der Erfindung besteht aus einem feinverteiltem anorganischen Pulver,
dispergiert in einem inerten flüssigen Medium, wovon das anorganische Pulver ein Material der Formel
Ni3Bi _, ist, in der χ den Bereich von etwa 0,05 bis etwa
0,6 darstellt. Vorzugsweise liegt χ im Bereich von 0,1 bis 0,4. Besonders bevorzugt ist der Bereich von 0,1 bis 0,2.
Das Nickelmaterial wird in einem üblichen inerten flüssigen Träger dispergiert. Gegebenenfalls kann ein
Glaspulver in der Zusammensetzung vorhanden sein,
um als ein anorganisches Bindemittel zu wirken. Das Gewichtsverhältnis von Nickelmaterial zu Glas Oberschreitet
nicht 1/1,5. Der Anteil an anorganischem Pulver (Nickelmaterial und gegebenenfalls anorganisches
Bindemittel) ist wahlfrei und hängt von der gewünschten Viskosität ab, jedoch liegen gewöhnlich
60—80% anorganisches Pulver und 20—40% flüssiges Medium vor. Die Zusammensetzungen können selbstverständlich
durch Zusatz anderer Materialien, die deren günstige Charakteristika nicht beeinträchtigen,
modifiziert werden.
Die Erfindung betrifft auch dielektrische Substrate (z. B. Keramiken, Glas und Glas-Keramiken), auf die die
vorstehend beschriebenen Zusammensetzungen aufgebrannt (gesintert) sind und daran haften. Es versteht
sich, daß die chemische Natur des gebrannten Produkts während des Brennens modifiziert werden kann.
Derartige gebrannte Leitermuster sind auf vielen Gebieten der Elektronik nützlich, wie bei Gasentladungs-Aufzeichnungsvorrichtungen,
End-Abschlüssen von Kondensatoren und für Mikroschaltungs-Anwendungszwecke.
Der wesentliche Bestandteil der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen ist das Nickelmaterial der Formel
N13B1 _,ΡΛ worin χ wie vorstehend definiert ist. Es wird
angenommen, daß über den größten Teil dieses Zusammensetzungsbereichs ein einphasiges Material
(vielleicht eine feste Lösung) gebildet wird, wenn die geeigneten Ausgangsmaterialien einmal zusammengeschmolzen
sind. Die Röntgenstrahlen- Daten bei jt=0,05 und x^0,4 bestätigen dies. Es ist möglich, daß bei
x= etwa 0,6 eine zweite Phase vorhanden sein kann, jedoch ist, solange die angegebenen Atomverhältnisse
in dem Ansatz vorhanden sind, und geschmolzen werden, das erfindungsgemäl?" Nickelmaterial vorhanden.
Derartige Nickelmaterialien haben die oxydative Stabilität erhöht. Je nach dem verwendeten speziellen
Nickelmaterial führt man das Brennen bei einer Temperatur im Bereich von 550 bis 95O0C in
Übereinstimmung mit den dem Fachmann bekannten Prinzipien zur Erzielung der gewünschten Ergebnisse
durch. Bei höheren Phosphorgehalten können Temperaturen in der Nähe von 8000C verwendet werden, um
den Widerstand auf ein Minimum herabzusetzen und ein Schmelzen zu verhindern. Die Dauer der Peak-Brenritemperatur
bzw. Spitzenbrenntemperatur beträgt mindestens 2 Minuten, vorzugsweise mindestens 10
Minuten.
Stellt man Gasentladungs-Aufzeichnungsvorrichturigen
auf Sodakalkglassubstraten her, so verwendet man Brenntemperaturen im Bereich von 550 — 625° C, vorzugsweise
von 550-580° C.
Die erfindungsgemäßen Nickelmaterialien können durch Erhitzen geeigneter relativer Mengen von
Ausgangsmaterialien (z. B. Ni, B, N12P, N13B, usw.) in
einer inerten Atmosphäre {z. B. Argon) unter Bildung einer Flüssigkeit, Kühlen und Zerkleinern des resultierenden
Gußblocks, ausreichend fein, um durch ein Sieb mit einer lichten Maschenweite von ~0,037 mm
(400 Mesh) zu gehen, hergestellt werden. Je nach den gewünschten Brenneigenschaften oder Brennbedingungen
kann eine weitere Zerkleinerung günstig sein.
Es kann jedes übliche Elektronik-Glaspulver als anorganisches Bindemittel in der erfindungsgemäßen
Zusammensetzung verwendet werden, wie es dem Fachmann bekannt ist, beispielsweise das der US-PS
28 22 279 vom 4. Februar 1958, der US-PS 28 19 170 vom 7. Januar 1958 usw.
Alle hier verwendeten anorganischen Pulver sind feinverteilt, d.h. sie durchlaufen ein Sieb mit einer
lichten Maschenweite von ~ 0,037 mm (400 Mesh). Vorzugsweise weisen im wesentlichen alle Teilchen eine
größte Dimension (»Durchmesser«) von 5 Mikron oder darunter auf.
Die anorganischen Teilchen werden in einem inerten flüssigen Medium durch mechanisches Vermischen (z. B.
ίο auf einer Walzenmühle bzw. einem Walzenstuhl) unter
Bildung einer pastenartigen Zusammensetzung dispergiert Letztere wird als »dicker Film« auf übliche
dielektrische Substrate in üblicher Weise gedruckt Als Medium kann jede inerte Flüssigkeit verwendet werden.
Jegliche von zahlreichen organischen Flüssigkeiten kann mit oder ohne Verdickungsmittel und/oder
Stabilisierungsmittel und/oder andere übliche Zusätze als Medium verwendet werden. Beispiele für die
organischen Flüssigkeiten, die verwendet werden können, sind die aliphatischen Alkohole; Ester von
derartigen Alkoholen, beispielsweise die Acetate und Propionate; Terpene, wie Fichtennadel- bzw. Pineöl,
Terpineol und dergleichen; Lösungen von Harzen, wie die Polymethacrylate von niedrigen Alkoholen oder
Lösungen von Athylcellulose in Lösungsmitteln, wie Fichtennadel- bzw. Pineöl und der Monobutyläther von
Äthylenglykol-monoacetat. Der Träger kann enthalten oder zusammengesetzt sein aus flüchtigen Flüssigkeiten,
um eine rasche Härtung nach dem Auftrag auf das
jo Substrat zu fördern.
Nach dem Druck der Dispersionen auf ein Substrat und dem Trocknen zur Entfernung des Mediums, brennt
man die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen bei Temperaturen und während Zeiten, die ausreichen, die
ij anorganischen Materialien zu sintern und Bilder von
Leitern zu ergeben, die wie vorstehend diskutiert, an dem dielektrischen Substrat haften. Das Brennen erfolgt
gewöhnlich an der Luft, jedoch können die Zusammensetzungen gegebenenfalls auch in einer inerten Atmo-Sphäre
(Stickstoff, Argon) gebrannt werden.
Die folgenden Beispiele und Vcrgleichsversuche
dienen zur Erläuterung der Erfindung. Hier und an anderen Stellen der Beschreibung und der Patentansprüche
beziehen sich alle Teile, Prozentsätze, Verhältnisse usw., falls nicht anders angegeben, auf das
Gewicht. Es versteht sich, daß in der Formel N13B1 _,P,
Atomverhältnisse gemeint sind. »mesh«-Größen beziehen sich auf die US-Standardsiebskala. Alle Brennvorgänge
wurden an der Luft vorgenommen.
Herstellung der Nickelmaterialien
Die erfindungsgemäßen Nickelmaterialien wurden hergestellt durch Schmelzen von Pulver-Ausgangsmaterialion
bei 1200-1400°C in einem Schmelztiegel aus
■>> hochreinem Aluminiumoxid unter einer Atmosphäre
von gereinigtem Argon. Die Erwärmung erfolgte im allgemeinen 100—300°C über die Temperatur, bei der
die Beschickung völlig geschmolzen war. War die Beschickung geschmolzen, so wurde sie bei dieser
ho Temperatur während etwa 10 Minuten gehalten. Erwärmt
wurde mit einem Induktionsofen. Die Ausgangsmaterialien wurden variiert, umfaßten jedoch die
gewünschten Atomverhältnisse von Ni, B und P. Bei einigen Herstellungen waren die Ausgangsmaterialien
hi Ni, B und N12P; bei anderen wurden Ni, N13B und N12P
verwendet. Nach der Schmelzstufe kühlte die Beschikkung zu einem Gußblock ab, der auf eine derartige
Teilchengröße zerkleinert wurde, daß das erhaltene
Pulver mindestens durch ein Sieb mit einer lichten Maschenweite von ~ 0,037 mm (400 mesh) lief.
Oxydationsstabilität
Zum Vergleich der Oxydationsstabilität der erfindungsgemäßen Nickelmaterialien mit der von Ni3B
wurden verschiedene Versuche durchgeführt. Eine gewogene Probe von entweder Ni3B oder einem
erfindungsgemäßen Nickelmaterial wurde mit einem gleichen Gewicht an Aluminiumoxidpulver vermischt
(um die Porosität und den Zugang von Luft zu erhalten), auf ein Aluminiumoxidsubstrat aufgebracht und in einen
auf 8000C vorerwärmten Ofen eingebracht Nachdem
10 Minuten bei 800" C gehalten wurde, lag die Gewichtszunahme für Ni3B über der für die vollständige
Oxydation des Bors in Ni3B zu B2O3 berechneten, was
auch eine mindestens teilweise Oxydation von Ni anzeigte. Die Gewichtszunahme für die Ni3Bi-^PjTVerbindungen
gemäß der Erfindung, war wesentlich geringer als die für vollständige Oxydation des
B-Gehaits berechnete, was eine größere Oxydationssiabilität
anzeigte.
Andere Untersuchungen wurden bei 325° C durchgeführt,
wobei sich die gleiche erhöhte Stabilität für die erfindungsgemäßen Nickelmaterialien ergab. Bei einer
Untersuchung wurden vorgewogene Proben von Ni3B (0,78 mVg) und Ni3BosPo.i (1,2 m2/g) in Schmelztiegel aus
Aluminiumoxid eingebracht und 29,5 Stunden auf 327° C erhitzt.
Man erhielt folgenden prozentualen Gewichtszuwachs:
Nach Erwärmen während
7 Stunden 29,5 Stunden
Ni3B0-9P0.,
3,72 %
0,24 %
0,24 %
4,25 %
0,21%
0,21%
Dies zeigte erneut die erhöhte Oxydationsstabilität der erfindungsgemäßen Nickelmatenalien.
Herstellung von Filmen
Die wie vorstehend beschrieben, hergestellten Nikkeiinaterialien
wurden in einem Medium von etwa 1 Teil Äthylcellulose und 9 Teilen Terpineol dispergiert. Bei
einigen Versuchen war Glas vorhanden, mit der Zusammensetzung 78,1% PbO, 5,4% SiO2, 12,4% B2Oj
und 4,1% AI2O3. Das Verhältnis der anorganischen Feststoffe (Nickelmaterial und Glas, falls vorhanden) zu
dem Vehikel betrug etwa 70/30. Die Dispersionen wurden durch ein mit einem Muster versehenes Sieb aus
rostfreiem Stahl mit einer lichten Maschenweite von 0,074 mm (200 mesh) als ein Leitermuster aus 200
quadratischen Serpentinen (0,5 mm breit χ 10,2 cm lang-
= 20 mils breit χ 4 inch lang) auf dichte Aluminiumoxidsubstrate gedruckt Nach lOminütigem Tiocknen bei
125° C wurden die gedruckten Substrate 10 Minuten bei
325° C gebrannt und anschließend in einen vorgeheizten Kastenofen bei einer Temperatur von 6000C bis 900° C
(wie in den Tabellen angegeben) eingebracht und bei der angegebenen Temperatur 10 Minuten lang gehalten.
Die resultierenden gebrannten Filme waren etwa 15 Mikron (0,7 mil) dick. Die Tabellen geben die
speziellen verwendeten Zusammensetzungen und die gefundenen spezifischen Widerstände (Milliohm/Quadrat
bei 15 Mikron bzw. UJ mil Dicke) an. Der spezifische Widerstand wurde ue'timmt unter Verwendung
eines Digital-Volt/Ohmmeters (Triplett Modell 8035 Typ 1). In den Tabellen bedeutet »geschmolzen«,
daß das Nickelmaterial bei der angegebenen Tempera-'ur fluid wurde, Perlen bildete und diskontinuierlich war,
obwohl es leitfähig war; »00« bedeutet, daß der spezifische Widerstand unendlich war.
Beispiele 1—5;
jn Vergleichsversuch A
jn Vergleichsversuch A
In der Tabelle 1 wurden Filme aus erfindungsgemäßen Zusammensetzungen mit verschiedenen P-Gehalten
mit Filmen aus Ni3BOiPo1S verglichen, die nicht der
Erfindung entsprachen. Es wurde kein Glas verwendet, ji Man verwendete 2,5 Teile Nickelmaterial pro Teil
Vehikel. Es wurde bei vier verschiedenen Temperaturen gebrannt. Der gefundene spezifische Widerstand hängt
von der Brenntemperatur und dem ?-Gehalt ab, wobei jeder davon in Abhängigkeit der gewünschten Ergebnisse
gewählt wird. Wird so ein Substrat aus Sodakalkglas verwendet, so ist eine Brenntemperatur
unter 625°C, wo das Glas erweicht, notwenig. Wird ein geringerer spezifischer Widerstand gewünscht, so wäre
beispielsweise Ni3Bo.9Po.i zu verwenden. Im Gegensatz
hierzu würde NbBo.6Po,4 wegen des Schmelzens nicht bei
900°C an der Luft gebrannt werden. Ni3BOJPo.8
entspricht wegen seines hohen P-Gehalts und der resultierenden Leistungsfähigkeit nicht der Erfindung.
Spezifische Widerstände der Platte (Milliohm/Quadrat) für Glas-freie Zusammensetzungen
Beispiel (Nr.) | Nickelbestandteil | Gebrannt | bei ( C) | 800 | 0OO |
oder Ver | 6(K) | 700 | |||
gleichsversuch | |||||
(Buchstabe) | 82 | 44 | |||
1 | Ni.1B0.95P0.05 | 153 | 88 | 82 | 46 |
2 | Ni3B09P0., | 229 | 103 | 99 | geschmolzen |
3 | Ni3B0,8P0,2 | 242 | 140 | 193 | geschmolzen |
4 | Ni3B06P04 | 1660 | 183 | 540 | geschmolzen |
5 | Ni3B0-4P0.,, | OO | 9260 | OO | 00 |
A | Ni.,Bn.2Po.s | 00 | OO | ||
Beispiele 6-10;
Vergleichsversuch B
In Tabelle 2 werden spezifische Widerstände, die unter Anwendung der gleichen Nickelmaterialien wie an
Tabelle 1 unter Zusatz von Glas gefunden wurden, verglichen. Man arbeitete mit 2,2 Teilen Nickelmaterial,
0,3 Teilen Glas und 1 Teil Vehikel. Der spezifische
Widerstand stieg mit wachsendem P-Gehalt an; N11B0.2P0Ä ergab bei jeder Temperatur unbrauchbare
Filme. Im Beispiel 8 ergab die Erhitzung auf 900° C einen gedunkelten und eiwas oxydierten Film; jedoch war der
spezifische Widerstand brauchbar.
Tabelle 2 | Nickelbestamlteil | (Miiliohm/Quadrat) für | bei ( C) | Glas-enthaltende Zusammen | 900 |
700 | |||||
Spezifische Widerstände der Platte | Gebrannt | ||||
Setzungen | WK) | 8(X) | 205 | ||
Beispiel (Nr.) | N i,lin i)s f 11 (H | 132 | 387 | ||
oder Ver | Νι.,Β,,,,ΐν, | 123 | 277 | ||
gleichsversuch | Νί,Β,,,Ρ,,, | 166 | 139 | 105 | 126 |
(Buchstabe) | ΝΊ,Β,^Ι',,4 | 176 | 165 | 106 | geschmolzen |
6 | Νί>Β,,4Ρ,,., | 230 | 410 | 142 | 00 |
/ | Ni, Bn, Pn. | 298 | 167 | ||
8 | 3460 | 144 | |||
9 | OO | OO | |||
10 | |||||
U | |||||
Beispiele 11-14;
Vergleichsversuch C
Vergleichsversuch C
Die Tabelle 3 gibt Beispiele für die brauchbaren Bereiche an Glasgehalt in den erfindungsgemäßen
Zusammensetzungen. Bei jedem Versuch wurde das gleiche Nickelmaterial verwendet (NijBo.qPr ■,, 2.7 m2/g).
Es handelte sich um ein wesentlich feineres fvlaterial als das in den Tabellen 1 und 2 verwendete Nickelmaterial
mit einer Korngröße von 0,037 mm (400 mesh). Das Verhältnis von Nickelmaterial zu Glas ist in der Tabelle
3 angegeben. Bei jedem Versuch enthielt die Dispersion 2,5 Teile anorganischer Feststoffe pro Teil Vehikel. Aus
den vorstehenden Daten ergibt sich, daß im allgemeinen nicht mehr als 1,5 Teile Glas pro Teil Nickelmateria)
verwendet werden.
Spezifische Widerstände (Miliiohm/Quadral) für Ni1B0QPn ,/Glas-Zusammensetzungen
Beispiel (Nr.) | Gew. | Gew. | Gebrannt | bei ( C) | 800 | 900 |
oder Ver gleichsversuch |
NijBij.gPn.i | Glas | 600 | 700 | ||
(Buchstabe) | 32 | 102 | ||||
11 | 2.2 | 0.3 | 107 | 47 | 35 | 240 |
12 | 2.0 | 0.5 | 113 | 55 | 420 | 196 |
13 | 1.25 | 1.25 | 354 | 74 | 38 | OO |
14 | 1,00 | 1.50 | 528 | 61 | OO | OO |
C | 0.75 | 1,75 | OO | OO | ||
Eine Probe von N13B0.9P0.1, die feiner war als das
Material des Beispiels 2 mit einer KorngTöße bis zu 0,037 mm (400 mesh) wurde wie vorstehend zur
Herstellung von Filmen verwendet: 24 Teile NkBosPoj
(.1,1 mVg) und 1,0 Teile Vehikel wurden gedruckt und
wie vorstehend gebrannt und ergaben die folgenden spezifischen Widerstände (Milliohm/Quadnit) bei den
angegebenen Spitzen-Brenntemperaturen: 5000C, un endlich; 70O0C, 93; 8000C, 60 und 9000C, 27. So
beeinflußt, wie vom Fachmann zu erwarten war, die Teilchengröße das Ausmaß der Oxydation.
Zusammenfassend betrifft die Erfindung Leiterzusammensetzungen aus feinverteiltem Ni3B1 _xPi, worin χ
den Bereich von etwa 0,05 bis etwa 0,6 darstellt, dispergiert in einem Vehikel bzw. Medium, die zur
Herstellung von gesinterten Leiter-Bildern auf einem Substrat geeignet sind Gegebenenfalls können sie
Glaspulver enthalten>
Claims (7)
1. Leiterzusammensetzungen aus feinverteiltem anorganischem Pulver, dispergiert in einem inerten
flüssigen Medium, worin das anorganische Pulver ein Material der Formel
ist, in der χ den Bereich von etwa 0,05 bis etwa 0,6
darstellt
2. Zusammensetzungen gemäß Anspruch 1, worin χ im Bereich von 0,1 bis 0,4 liegt
3. Zusammensetzungen gemäß Anspruch 2, worin x\m Bereich von 0,1 bis 0,2 liegt
4. Zusammensetzungen gemäß Anspruch 1, die zusätzlich feinverteiltes Glas als ein Bindemittel
enthalten, wobei das Gewichtsverhältnis von Ni3Bi -xPx zum Glas nicht über etwa 1/1,5 liegt
5. Zusammensetzungen gemäß Anspruch 2, die zusätzlich feinverteiltes Glas als ein Bindemittel
enthalten und wobei das Gewichtsverhältnis von Ni3Bi -jPx zum Glas nicht über etwa 1/1,5 liegt.
6. Zusammensetzungen gemäß Anspruch 3, die zusätzlich feinverteiltes Glas als ein Bindemittel
enthalten, wobei das Gewichtsverhältnis von Ni3Bi _ ,Px zum Glas nicht über etwa 1 /1,5 liegt
7. Dielektrisches Substrat, auf dem ein gesinterter Film aus der Zusammensetzung gemäß einem der
Ansprüche 1,3,4 oder 6 haftet.
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