DE2708101A1 - Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht - Google Patents

Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht

Info

Publication number
DE2708101A1
DE2708101A1 DE19772708101 DE2708101A DE2708101A1 DE 2708101 A1 DE2708101 A1 DE 2708101A1 DE 19772708101 DE19772708101 DE 19772708101 DE 2708101 A DE2708101 A DE 2708101A DE 2708101 A1 DE2708101 A1 DE 2708101A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
writing
memory transistor
doped
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19772708101
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Klaus Dipl Phys Dr Wilmsmeyer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE19772708101 priority Critical patent/DE2708101A1/de
Priority to IT20203/78A priority patent/IT1092733B/it
Priority to GB6799/78A priority patent/GB1545880A/en
Priority to FR7805312A priority patent/FR2382074A1/fr
Priority to JP2082678A priority patent/JPS53106583A/ja
Publication of DE2708101A1 publication Critical patent/DE2708101A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
DE19772708101 1977-02-25 1977-02-25 Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht Withdrawn DE2708101A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772708101 DE2708101A1 (de) 1977-02-25 1977-02-25 Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht
IT20203/78A IT1092733B (it) 1977-02-25 1978-02-13 Procedimento per l'iscrizione di un trasnsistor memorizzatore comprendente un doppio strato di dielettrico di porta
GB6799/78A GB1545880A (en) 1977-02-25 1978-02-21 Semiconductor data storage method
FR7805312A FR2382074A1 (fr) 1977-02-25 1978-02-24 Procede d'ecriture dans un transistor de memorisation comprenant une double couche dielectrique de porte
JP2082678A JPS53106583A (en) 1977-02-25 1978-02-24 Method of writing memory transistor of gate induction double layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772708101 DE2708101A1 (de) 1977-02-25 1977-02-25 Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2708101A1 true DE2708101A1 (de) 1978-08-31

Family

ID=6002106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772708101 Withdrawn DE2708101A1 (de) 1977-02-25 1977-02-25 Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS53106583A (it)
DE (1) DE2708101A1 (it)
FR (1) FR2382074A1 (it)
GB (1) GB1545880A (it)
IT (1) IT1092733B (it)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456978A (en) * 1980-02-12 1984-06-26 General Instrument Corp. Electrically alterable read only memory semiconductor device made by low pressure chemical vapor deposition process

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES404184A1 (es) * 1971-07-06 1975-06-01 Ibm Una disposicion de celula de memoria de acceso casual para calculadoras digitales.
US3882469A (en) * 1971-11-30 1975-05-06 Texas Instruments Inc Non-volatile variable threshold memory cell

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53106583A (en) 1978-09-16
GB1545880A (en) 1979-05-16
IT7820203A0 (it) 1978-02-13
IT1092733B (it) 1985-07-12
FR2382074A1 (fr) 1978-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69119820T2 (de) Halbleiteranordnung mit verringten zeitabhängigen dielektrischen Fehlern
DE2409472C3 (de) Elektrisch löschbares Halbleiterspeicherelement mit einem Doppelgate-Isolierschicht-FET
DE2706623C2 (it)
DE2810597C2 (de) Elektrische Bauelementstruktur mit einer mehrschichtigen Isolierschicht
DE3009719C2 (it)
DE2547828B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Speicherelements mit einem Doppelgate-Isolierschicht-Feldeffekttransistor
DE2659296A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE2159192A1 (de) Feldeffektspeichertransistor mit isolierter Gate Elektrode
DE2619663B2 (de) Feldeffekttransistor, Verfahren zu seinem Betrieb und Verwendung als schneller Schalter sowie in einer integrierten Schaltung
DE3029539A1 (de) Nichtfluechtige, programmierbare integrierte halbleiterspeicherzelle
DE2553203A1 (de) Festkoerper-bildabtaster mit zerstoerungsfreiem, wahlfreiem zugriff
DE4208537A1 (de) Mos-fet-struktur
DE3236469C2 (it)
DE2432352C3 (de) MNOS-Halbleiterspeicherelement
DE2356275A1 (de) Leistungsunabhaengiger halbleiterspeicher mit doppelgate-isolierschichtfeldeffekttransistoren
DE2201028C3 (de) Verfahren zum Betrieb eines Feldeffekttransistors und Feldeffekttransistor zur Ausübung dieses Verfahrens
DE2606744A1 (de) Vorrichtung mit negativem widerstand
DE2455484A1 (de) Monolithisch integriertes halb-festspeicher-element
DE2622307C2 (de) Integrierte Halbleiterspeichervorrichtung
DE2614698A1 (de) Halbleiterspeicher
DE2834724A1 (de) Mos-feldeffekttransistoren fuer hoehere spannungen
DE3139169C2 (it)
DE2708101A1 (de) Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht
DE2641302A1 (de) N-kanal mis-fet in esfi-technik
DE3208500A1 (de) Spannungsfester mos-transistor fuer hoechstintegrierte schaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
OB Request for examination as to novelty
8110 Request for examination paragraph 44
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8130 Withdrawal