DE2708101A1 - Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht - Google Patents

Verfahren zum schreiben eines speichertransistors mit gate-isolierdoppelschicht

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DE2708101A1 DE19772708101 DE2708101A DE2708101A1 DE 2708101 A1 DE2708101 A1 DE 2708101A1 DE 19772708101 DE19772708101 DE 19772708101 DE 2708101 A DE2708101 A DE 2708101A DE 2708101 A1 DE2708101 A1 DE 2708101A1
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Klaus Dipl Phys Dr Wilmsmeyer
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TDK Micronas GmbH
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Deutsche ITT Industries GmbH
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    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]

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