IT1092733B - Procedimento per l'iscrizione di un trasnsistor memorizzatore comprendente un doppio strato di dielettrico di porta - Google Patents

Procedimento per l'iscrizione di un trasnsistor memorizzatore comprendente un doppio strato di dielettrico di porta

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    • G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]

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