IT1092733B - Procedimento per l'iscrizione di un trasnsistor memorizzatore comprendente un doppio strato di dielettrico di porta - Google Patents

Procedimento per l'iscrizione di un trasnsistor memorizzatore comprendente un doppio strato di dielettrico di porta

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US3882469A (en) * 1971-11-30 1975-05-06 Texas Instruments Inc Non-volatile variable threshold memory cell

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